JP2005135970A - 蒸着方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 129
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 32
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- -1 oligothiophene Chemical compound 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 124
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 24
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 24
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- VZCVHZAFBZTEHL-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene;2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1.C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 VZCVHZAFBZTEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
【課題】 蒸着膜における不純物や変質物の有無等の膜質についての情報を取得して蒸着を制御する、有機半導体層をはじめとする半導体層の形成に好適な蒸着方法及びその装置、並びにその半導体層をチャネル層に用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ21に、排気系22、蒸着膜形成基板25、蒸着源(るつぼ状ヒータ32の上に載置された、蒸着材料である有機半導体材料31)等を有する蒸着装置において、光源41、光入射窓42、測定用の基体であるモニタ用基板26、光出射窓43、及びスペクトロメータ44を設け、モニタ用基板26の上の堆積物の光吸収スペクトルから不純物や変質物の有無を検知し、これに基づき蒸着を制御する。蒸着操作を制御する基板側シャッタ27は、蒸発源から蒸着膜形成基板24は遮蔽するものの、モニタ用基板26は遮蔽しないように設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】 真空チャンバ21に、排気系22、蒸着膜形成基板25、蒸着源(るつぼ状ヒータ32の上に載置された、蒸着材料である有機半導体材料31)等を有する蒸着装置において、光源41、光入射窓42、測定用の基体であるモニタ用基板26、光出射窓43、及びスペクトロメータ44を設け、モニタ用基板26の上の堆積物の光吸収スペクトルから不純物や変質物の有無を検知し、これに基づき蒸着を制御する。蒸着操作を制御する基板側シャッタ27は、蒸発源から蒸着膜形成基板24は遮蔽するものの、モニタ用基板26は遮蔽しないように設ける。
【選択図】 図1
Description
本発明は、有機半導体層をはじめとする半導体層の形成に好適な蒸着方法及びその装置、並びにその半導体層をチャネル層に用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
現在、多くの電子機器に用いられているMOS(Metal Oxide Semiconductor)型等の絶縁ゲート型電界効果トランジスタでは、例えば、シリコン基板にチャネル層が設けられ、この上にゲート絶縁層としての酸化シリコン層を介して、例えば金/チタンゲート電極等が配置されるように構成されている。
しかし、例えば、実現が望まれているフレキシブルディスプレイ等におけるスイッチング素子又は駆動回路を構成するトランジスタとしては、よりフレキシブルな材料からなるデバイスが望まれている。また、半導体製造工程で使用されるリソグラフィ装置等の高価な装置の使用を極力少なくし、低コストの製造工程を実現する必要が生じている。
そこで、有機電界効果トランジスタ(有機FET)の研究開発が現在盛んに行われており、特開平10−270712号公報、特開2000−269515号公報、特開2000−307172号公報、特開2002−9290号公報等の各公報には、有機材料でチャネル領域を形成したMOS型電界効果トランジスタが示されている。
チャネル領域を形成する材料には、高純度であることと膜厚が所望の値で均一であることが求められる。
特開2000−307172号公報に記されているように、半導体性有機化合物を溶液として基板に被着させた後、溶媒を蒸発させて有機半導体層を形成する方法では、荷電キャリア移動度が10-4cm2V-1s-1程度であり、性能が十分ではない。
特開2002−9290号公報等では、有機半導体層を蒸着によって形成する方法が示唆されているが、有機化合物は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ等の製造に用いられる無機材料に比べて不純物を多量に含んでおり、蒸着によって有機半導体層を形成した場合、これらの不純物が有機半導体層の中に混入して成膜される可能性がある。実際、より高純度の材料を蒸着源として用いると、FET特性が向上するという研究結果が報告されており、この事実は、蒸着源中の不純物の少なくとも一部が、蒸着に際して有機半導体層の中に混入していることを示唆するものと考えられる。また、有機化合物は熱に弱く、蒸着時の加熱によって変質を起こす可能性もある。
これに対し、従来の蒸着方法では、蒸着に際して水晶振動子法による膜厚の測定を行うのみであり(例えば、後述の特許文献2参照。)、蒸着膜の膜質を高める工夫がなされていない。水晶振動子法は、蒸着膜が形成される基板等と水晶振動子とを蒸着源に対して並置しておき、水晶振動子の表面に堆積した蒸発物による質量変化を水晶振動子の固有振動数の変化として検知し、これに基づいて蒸着膜の膜厚を算出するものであり、不純物や変質物の有無を検知することはできない。
ただ一例だけ、蒸着物質の紫外部吸収スペクトルの吸収端を測定する方法が開示されている(後述の特許文献1参照。)。しかしながら、この方法は、ニオブとリチウムとを酸素プラズマを通じて共蒸着させてニオブ酸リチウム薄膜を形成するに際し、リチウムとニオブとのモル比が1:1のとき上記吸収端が最も長波長側にあり、モル比が1をはずれると上記吸収端が短波長側にシフトするという、共蒸着でニオブ酸リチウム薄膜を形成する場合に特殊な現象を利用して、リチウムとニオブのモル比を制御する方法であり、一般的な物質の蒸着における不純物や変質物の有無の検知に適用できるものではない。
本発明の目的は、上記のような実情に鑑み、蒸着膜における不純物や変質物の有無等の膜質についての情報を取得して蒸着を制御する、有機半導体層をはじめとする半導体層の形成に好適な蒸着方法及びその装置、並びにその半導体層をチャネル層に用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
即ち、本発明は、有機化合物の蒸着膜を形成するに際し、前記有機化合物の蒸発物を測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することにより、前記堆積膜の膜質を検知する、有機化合物の蒸着方法に係わるものであり、また、蒸着膜を形成するに際し、蒸着物質の蒸発物を測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することにより、前記堆積膜の膜厚及び膜質を検知し、この検知の結果に基づいて、前記蒸着を開始し、前記蒸着膜の膜厚を測定する、蒸着方法に係わるものでもある。
更に、前記蒸着方法を実施するために用いられる蒸着装置であって、被蒸着用の基体と、測定用の基体と、蒸着源とが真空チャンバ内に設けられ、光源と、前記光源から出射され、前記測定用の基体上に堆積した堆積膜を透過した光の強度を測定する光検出器とを備える、蒸着装置に係わるものであり、また、半導体層を有する半導体装置の製造方法において、前記蒸着方法を用いて、前記半導体層を蒸着によって形成する、半導体装置の製造方法に係わるものでもある。
本発明の有機化合物の蒸着方法によれば、前記有機化合物の蒸着膜を形成するに際し、前記有機化合物の蒸発物を測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することによって前記堆積膜の膜質を検知するので、この結果に基づいて蒸着を制御することができ、前記膜質の優れた前記蒸着膜を作製することができる。
また、本発明の蒸着方法によれば、前記蒸着膜を形成するに際し、前記蒸着物質の前記蒸発物を前記測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することにより、前記堆積膜の膜厚及び膜質を検知し、この検知の結果に基づいて、前記蒸着を開始し、前記蒸着膜の膜厚を測定するので、前記膜質の優れた前記蒸着膜を所望の膜厚にて確実に作製することができる。
また、本発明の蒸着装置は、真空チャンバ内に被蒸着用の基体と、測定用の基体と、蒸着源とが設けられ、光源と、前記光源から出射され、前記測定用の基体上に堆積した堆積膜を透過した光の強度を測定する光検出器とを備えているので、前記蒸着方法を実施することを可能にする好適な蒸着装置である。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の有機化合物の蒸着方法又は本発明の蒸着方法を用いて前記半導体層を形成するので、膜質の優れた前記半導体層を有し、優れた半導体特性を示す半導体装置を確実に製造することができる。
本発明において、有機半導体物質として用いられる、ペンタセン等の不飽和共役結合を有する分子は、特定の波長の光を強く吸収する性質があることが多く、その不純物や変質物も異なる特定波長の光を強く吸収することが多い。このような場合、吸収スペクトルに基づいて、不純物や変質物の有無を検知することができる。
従って、前記蒸着源からの前記蒸発物を前記測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を常に測定することにより、目的物質である前記蒸着物質と前記不純物や前記変質物とが前記蒸着源から出射される割合や、加熱開始時から前記蒸着膜が所望の膜厚になるまでの時間や、前記不純物や前記変質物が多く出射される時間帯等を把握することができ、実時間で蒸着を制御して、どのようなタイミングで蒸着を行えば前記蒸着物質のみを蒸着させ得るか、決定することができる。
また、複数の分子が互いの電子雲で相互作用する場合、吸収スペクトルのピーク波長やスペクトル形状が変化することが知られている。このような情報から、成膜時の分子間の相互関係を探り得る可能性もある。
前記光吸収を測定する波長領域は、特に限定されるものではなく、赤外光波長領域から紫外光波長領域までの範囲から、前記蒸着物質や前記不純物や前記変質物を特定しやすい波長領域を用いればよい。
また、入射光強度をI0 、透過光強度をIとおくと、溶液では次のランベルトの法則が成り立つ。
log(I0/I)=αcd
ここで、αはモル吸光係数、cはモル濃度、dは光吸収層の厚さである。蒸着膜の厚さをlとおくと、蒸着膜の厚さlについても同様の関係が、次式のように成り立つと考えられる。
log(I0/I)=βl
ここで、βは蒸着膜の吸光係数である。そこで、この式に基づき、透過光強度Iから蒸着膜の膜厚lを決定することができる。
log(I0/I)=αcd
ここで、αはモル吸光係数、cはモル濃度、dは光吸収層の厚さである。蒸着膜の厚さをlとおくと、蒸着膜の厚さlについても同様の関係が、次式のように成り立つと考えられる。
log(I0/I)=βl
ここで、βは蒸着膜の吸光係数である。そこで、この式に基づき、透過光強度Iから蒸着膜の膜厚lを決定することができる。
水晶振動子による膜厚の測定の場合、既知の蒸着物質であっても各装置ごとの補正が必要であるが、吸収スペクトルでは、吸光係数βは蒸着物質固有の値であるため補正する必要性がなく、能率的である。
本発明の有機化合物の蒸着方法において、前記測定用の基体として石英基板等を用い、この石英基板等の上に前記有機化合物の蒸発物を堆積させ、この堆積膜に光を透過させることで光吸収を測定するのがよい。そして、この堆積膜の前記膜質として、前記蒸着物質の前記変質物及び/又は前記不純物の有無を検知するのがよく、この検知の結果に基づいて、前記蒸着を制御して、前記蒸着の開始時期を決めるのがよい。
また、前記有機化合物の蒸着膜の膜厚を測定するのがよく、前記膜厚の測定を光吸収によって行うのがよい。従来の水晶振動子を用いた膜厚の測定と併用することで、精度の高い膜厚を知ることができる。
また、多波長検出器を用いて前記光吸収を測定するのがよい。多波長検出器を用いることで、瞬時に多波長の光吸収スペクトルを測定することができる。
前記有機化合物が、ペンタセン、オリゴチオフェン、フタロシアニン金属錯体及びこれらの置換誘導体からなる群の中から選ばれた有機化合物からなるのがよい。これらは、優れた半導体特性を示すことが知られている。
本発明の蒸着方法において、前記膜厚の測定を光吸収によって行うのがよく、また、多波長検出器を用いて前記光吸収を測定するのがよい。多波長検出器を用いることで、瞬時に多波長の光吸収スペクトルを測定することができる。
本発明の蒸着装置には、前記被蒸着用の基体と、前記測定用の基体と、前記蒸着源とが設けられているが、前記蒸着源に対向して、前記蒸着膜の膜厚測定用の基体が付加されているのがよい。前記被蒸着用の基体と並置して、前記蒸着膜の膜厚測定専用の基体を別途設けることで、膜厚測定がより正確に行われ得る。
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記半導体層を電界効果トランジスタのチャネル層として形成するのがよい。
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に詳細に説明する。
実施の形態1
図1は、本発明の実施の形態1に基づく蒸着装置の構成を示す説明図である。真空チャンバ21は、図示を省略した真空ポンプや排気バルブ等からなる排気系22を備えた気密な中空容器で構成されており、その形状は問わない。排気系22によって、チャンバ21内を2×10-7Torr(約2.7×10-5Pa)程度以上の高真空状態まで排気できるように構成されている。
図1は、本発明の実施の形態1に基づく蒸着装置の構成を示す説明図である。真空チャンバ21は、図示を省略した真空ポンプや排気バルブ等からなる排気系22を備えた気密な中空容器で構成されており、その形状は問わない。排気系22によって、チャンバ21内を2×10-7Torr(約2.7×10-5Pa)程度以上の高真空状態まで排気できるように構成されている。
支持体23は、チャンバ21の上部中央位置に配設されており、下面が平面形状に形成され、この面に被蒸着用の基体である蒸着膜形成基板25を保持するよう構成されている。なお、蒸着膜形成基板25を支持体23の下面に確実に保持するために、支持体23の下面に静電気を誘起して保持を行う静電吸着方式を採用したり、L字状部材によって基板25の縁を機械的に保持したりする方式を採用してもよい。
支持体23には、基板25を所定温度に加熱するための基板加熱用ヒータ及び電源24が内蔵されている。このヒータ及び電源24は、例えば、抵抗加熱方式のものが採用され、電源部はチャンバ21の外に設けられている。また、図示を省略したが、チャンバ21には、基板25と支持体23の温度を測定する測温手段が設けられていて、基板加熱用ヒータ及び電源24は、この測温手段からの信号に応じてヒータに供給する電力を調節するコントローラを有している。
支持体23に対向してチャンバ21の下部中央位置には蒸着源が置かれている。蒸着源では、蒸着材料である有機半導体材料31をタングステン製等のるつぼ状ヒータ32の上に置き、るつぼ状ヒータ32に蒸着源加熱用電源33から通電して、有機半導体材料31を加熱し、蒸発又は昇華させる。図示を省略したが、るつぼ状ヒータ32には、有機半導体材料31の温度を測定する測温手段が設けられていて、蒸着源加熱用電源33は、この測温手段からの信号に応じてるつぼ状ヒータ32に供給する電力を調節するコントローラを有している。
るつぼ状ヒータ32の材料や形状は特に限定されるものではない。例えば、材料は、タングステン以外にタンタル、モリブデン、ニオブ、白金等の高融点金属を用いてもよい。また、形状は、螺旋状フィラメント、バスケット状、ボート状など、蒸着材料に適合した形状であればよい。
そして、チャンバ21の左側よりの位置に光源41、光入射窓42、測定用の基体であるモニタ用基板26、光出射窓43、及びスペクトロメータ44等からなる光吸収スペクトル測定手段が設けられている。スペクトロメータ44に内蔵される光検出器は、通常の光検出器であってもよいが、同時に多波長の光を測定できる多波長検出器を用いれば、瞬時に多波長の光吸収スペクトルを測定できる利点がある。
光学窓42と43、及びモニタ用基板26の材料は、測定する光の波長領域に応じて選べばよい。例えば、紫外・可視領域の測定では石英や硬質ガラスを用いることができる。
以上に加えて、真空チャンバ21には蒸着操作を制御するための基板側シャッタ27及び蒸着源側シャッタ34が設けられている。蒸着源側シャッタ34が閉じた状態では、るつぼ状ヒータ32で加熱され蒸発した蒸発物が真空チャンバ21内に飛散する動き全体が抑えられる。他方、基板側シャッタ27は、真空チャンバ21内に飛散した蒸発物が蒸着膜形成基板25に付着するのを局所的に防止するためのものである。
基板側シャッタ27は、蒸着源から蒸着膜形成基板25は遮蔽するものの、モニタ用基板26は遮蔽しないように設けられている点が重要である。このため、基板側シャッタ27を閉じ、蒸着源側シャッタ34を開いた状態では、蒸着源からの蒸発物をモニタ用基板26にのみ堆積させることができる。
次に、図1に示した蒸着装置を用いて蒸着膜として有機半導体膜を形成する方法について説明する。
まず、有機半導体材料31、蒸着膜形成基板25、及びモニタ用基板26を所定の位置に載置した後、真空チャンバ21内を所定の真空度まで排気する。このとき、基板側シャッタ27及び蒸着源側シャッタ34は閉じておく。
次に、基板加熱用ヒータ24及びるつぼ状ヒータ32に通電して、支持体23と基板25、及び有機半導体材料31を、それぞれ所定の温度に加熱する。
次に、支持体23と基板25、及び有機半導体材料31の温度が所定の温度に達したら、基板側シャッタ27は閉じたまま、蒸着源側シャッタ34のみを開き、有機半導体材料31の蒸発物をモニタ用基板26の上に堆積させ、この堆積膜の光吸収スペクトルを光源41やスペクトロメータ44等からなる光吸収スペクトル測定手段によって測定する。
堆積膜の光吸収スペクトルから変質物が検知されるようであれば、有機半導体材料31を加熱する温度を下げる等の対策を行う。そして、不純物や変質物の新たな堆積が生じていないことを確認した後、基板側シャッタ27を開き有機半導体材料31の蒸着膜を蒸着膜形成基板25の上に形成する。
蒸着膜の形成を開始した後もモニタ用基板26の上の堆積膜の光吸収スペクトルの測定を継続し、不純物や変質物の新たな堆積が検知されれば、その堆積が生じなくなるまで基板側シャッタ27を閉じ、不純物や変質物が蒸着膜形成基板25の上の蒸着膜に混入するのを防止する。
蒸着膜形成基板25の上の蒸着膜が所定の膜厚に達したら、基板側シャッタ27及び蒸着源側シャッタ34を閉じ、基板加熱用ヒータ24及びるつぼ状ヒータ32への通電を停止して、蒸着膜等を放冷し、蒸着膜の作製を終了する。膜厚の測定は、水晶振動子法によってもよいし、基板側シャッタ27が開状態にある間にモニタ用基板26の上に堆積した有機半導体材料31の膜厚を光吸収スペクトルから算出することで求めてもよいし、両者を併用してもよい。
本法によれば、常に不純物や変質物の混入を監視し、それを最小限に抑えるようにして蒸着膜を形成するため、膜質の優れた有機半導体膜を作製することができる。また、測定されたデータに基づき作製条件等の最適化を行うことが可能であるから、生産性を向上させることができ、また、生産性の向上や不良品率の低下によって、製造コストの低下を実現することができる。
図2は、本実施の形態に基づく蒸着装置の他の例として、蒸着膜形成基板25に隣接して、蒸着膜の膜厚測定専用の基体として第2のモニタ基板26bを設けた例である。この装置において、第1及び第2のモニタ用基板26a及び26bの役割や用い方等は、機能を両者で分担していることを除けば、上述したモニタ用基板26の役割や用い方と同じである。
2つのモニタ用基板26a及び26bで役割を分担する上で重要な点は、基板側シャッタ27は、蒸着源から第1のモニタ用基板26aを遮蔽することはないものの、第2のモニタ用基板26bを蒸着膜形成基板25と同様に遮蔽するように設けられている点である。以下、この点に注意しながら、図1の装置との相違点に重点をおいて、図2に示した蒸着装置を用いて蒸着膜として有機半導体膜を形成する方法について説明する。
まず、有機半導体材料31、蒸着膜形成基板25、及び第1及び第2のモニタ用基板26aと26bを所定の位置に載置した後、真空チャンバ21内を所定の真空度まで排気する。このとき、基板側シャッタ27及び蒸着源側シャッタ34は閉じておく。
次に、支持体23と基板25、及び有機半導体材料31を、それぞれ所定の温度に加熱する。
次に、基板側シャッタ27は閉じたまま、蒸着源側シャッタ34のみを開き、有機半導体材料31の蒸発物を第1のモニタ用基板26aの上に堆積させ、この堆積膜の光吸収スペクトルを第1の光源41aやスペクトロメータ44等からなる光吸収スペクトル測定手段によって測定する。
堆積膜の光吸収スペクトルから変質物が検知されるようであれば、有機半導体材料31を加熱する温度を下げる等の対策を行う。そして、不純物や変質物の新たな堆積が生じていないことを確認した後、基板側シャッタ27を開き有機半導体材料31の蒸着膜を蒸着膜形成基板25の上に形成する。
蒸着膜の形成を開始した後も第1のモニタ用基板26aの上の堆積膜の光吸収スペクトルの測定を継続し、不純物や変質物の新たな堆積が検知されれば、その堆積が生じなくなるまで基板側シャッタ27を閉じ、不純物や変質物が蒸着膜形成基板25の上の蒸着膜に混入するのを防止する。
一方、蒸着膜の形成を開始した後は、光路を切り替えながら、第2のモニタ用基板26bの上の堆積膜の光吸収スペクトルの測定を間欠的に行い、堆積した有機半導体材料31の膜厚をこの光吸収スペクトルの強度から算出する。そして、算出された膜厚が所定の蒸着膜の膜厚に達したら、蒸着膜の作製を終了する。蒸着膜の膜厚を水晶振動子法を用いて測定する方法を併用してもよい。
図3は、図2に示した蒸着装置の変形例を示す概略構成図である。図3(a)の装置では、2つの光路を切り替えるために、第1の反射鏡45aと第2の反射鏡45bとを設け、第1の反射鏡45aを操作して2つの光路を切り替え得るようにしている。
また、図3(b)の装置では、第2のモニタ用基板26bの上の堆積膜の膜厚を測定するための専用の光学系を設けた例である。この方法は、例えば他の成分による妨害等がなく、有機半導体材料31が吸収する波長領域のうちの1つの波長(領域)の光の光吸収強度を測定することで、堆積膜の膜厚測定が可能である場合に適している。この場合、第2の光源41bから出射される光の中から上記の特定の波長(領域)の光のみを選別するには、第2の光源41bの側又は光検出器46の側のいずれかに、上記の波長の光のみを透過する、(図示を省略した)干渉フィルター等の光学フィルターを設けるのがよい。或いは、適当な波長のレーザ光源を用いることが可能であれば、それを用いてもよい。
本法によれば、第2のモニタ用基板26bの上には、蒸着膜形成基板25の上の蒸着膜と全く同じ蒸着膜が堆積しており、その膜厚を測定することにより、より正確に蒸着膜の膜厚を検知することができる。
また、前述の例と同様に、常に不純物や変質物の混入を監視しそれを最小限に抑えるようにして蒸着膜を形成するため、高品質の有機半導体膜を作製することができる。また、測定されたデータに基づき作製条件等の最適化を行うことが可能であるから、生産性を向上させることができ、また、生産性の向上や不良品率のが低下によって、製造コストの低下を実現することができる。
実施の形態2
図4〜7は、本発明の実施の形態2に基づく絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造プロセスを示す断面図と平面図である。
図4〜7は、本発明の実施の形態2に基づく絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造プロセスを示す断面図と平面図である。
本実施の形態の電界効果トランジスタ及びその製造方法によれば、ソース電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極及びドレイン電極がそれぞれ有機物からなる積層構造をなしているので、デバイスの主たる構成部分のすべてが有機材料で構成され、デバイスのフレキシブル性を向上させることができ、フレキシブルディスプレイ等におけるスイッチング素子や駆動回路を構成する上で有利である。
そして、実施の形態1で前述した有機化合物の蒸着方法を用いて半導体層を形成し、特にチャネル層として用いるので、膜質の優れた半導体層を有し、優れた半導体特性を示す半導体装置を確実に製造することができる。また、チャネル層以外の電極等をスピンコートやインクジェットなどによる溶液の直接塗布によって形成することができ、低コスト化を図ることができる。
しかも、上記の積層構造によって、半導体層の膜厚によりチャネル長を制御することができる縦型構造となるため、短チャネルの形成が可能となり、スイッチング動作等の高速化も実現することができる。
以下、詳細を図面参照下に説明する。
まず、図4(a)に示すように、電界効果トランジスタを形成する領域と形成しない領域とを形成するために、基板1上に親水性領域2Aと疎水性領域2Bとを形成する。例えば、ポリエチレングリコールを主成分とする親水性に優れたバイオコンタクトN(日清紡績(株)製)からなる基板1上に感光性ポリイミドをスピンコート、インクジェット等により塗布した後、必要あれば露光及び現像を行い、所定パターンの疎水性ポリイミド層3を形成する。この時、ポリイミド層3で形成されている領域2Bは疎水性であり、それ以外の基板1が表面に出ている領域2Aは親水性であるため、基板上に所望のパターンで親水性領域2Aと疎水性領域2Bとを形成することができる。
次に、図4(b)に示すように、導電性を示す親水性有機材料を溶かした水溶液を塗布することにより、基板1上の親水性領域2Aにソース電極4を形成する。このとき、ポリイミド層3で形成されている疎水性領域2B上に親水性有機材料が広がることはなく、親水性の基板1の露出面にのみソース電極4が形成される。このソース電極4は、例えばポリスチレンスルホン酸(polystyrene sulfonic acid)を混ぜたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)):PEDOT/PSSをインクジェット等により塗布することにより形成することができる。
次に、図4(c)に示すように、半導電性を示す親水性有機材料を、例えば図1又は図2に示した要領で蒸着後、パターンエッチングして、ソース電極4上にのみ半導体層5を所定パターンに形成する。この半導体層5は、例えばオリゴ(9,9−ジオクチルフルオレン−ビチオフェン(oligo(9,9-dioctylfluorene-bithiophene))により形成することができる。
次に、図5(d)に示すように、感光性ポリイミド6を基板1上の全面にスピンコート等で塗布した後、露光及び現像を行い、図5(e)に示すように、所望のパターンのポリイミド層6を複数に分割して形成する。このとき、下地のポリイミド層3上にポリイミド6がスピンコートで全面塗布されるので、下地の影響なしに塗布できる。そして、塗布後にパターニングされるが、ソース電極4の一方の側(図面右側)に存在するポリイミド層3上にはポリイミド層6を残しておく。
続いて、導電性を示す疎水性有機材料、例えばポリアセチレンを溶かした溶液をインクジェット等によりポリイミド層6上にこれと同一パターンに塗布することにより、図5(f)に示すように、ゲート電極7を複数に分割して形成する。このとき、下地は疎水性であるため、ゲート電極材料の塗布は容易となる。
次に図6(g)に示すように、感光性ポリイミド層8をゲート電極7を含む全面にスピンコートで塗布し、ゲート電極7を完全にポリイミド層8で覆う。
この場合、ポリイミド層8をスピンコートするときは、下地が親水性であっても支障なしに塗布することができる。そして、図6(h)に示すように、露光及び現像によってゲート電極7の外面のみにポリイミド層8を残すが、インクジェットによるときはパターニング工程なしに所定パターンに直接形成することができる。また、いずれの場合も、各ゲート電極7の端部は露出し、コンタクトホール11を形成するようにポリイミド層8のパターニング又は塗布を行う。ゲート電極7は、これを被覆する上面及び側面のポリイミド層8及び下面のポリイミド層6によって半導体層9(更には5)に対し絶縁分離される。
このポリイミド層8は、その塗布後におよそ100℃程度の温度でベーキングすることにより、ゲート電極7を覆う高抵抗化されたポリイミド層、即ちゲート絶縁膜8となる。上記のスピンコートの際の回転数、インクジェットで塗布する際の溶液の濃度及び粘度を調整することにより、ゲート絶縁膜8の膜厚を制御する。また、電界効果トランジスタを構成する基板1とソース電極4の材料と半導体層5の材料とゲート電極7の材料の特性をそれ程変化させない条件下、例えば100℃以下の低温雰囲気においてある程度の真空下又は窒素雰囲気下といった低酸素濃度下で、上記のベーキングを行うことが望ましい。
次に、図6(i)に示すように、半導電性を示す親水性有機材料9Aを、例えば図1又は図2に示した要領で蒸着後、図7(j)に示すように、エッチバックによる平坦化とパターンエッチングとを行い、ソース電極4上に形成されている半導体層5の上に、ポリイミド層8で被覆されたゲート電極7を埋設するように、半導体層9を所定パターンに形成する。半導体層9は、例えばオリゴ(9,9−ジオクチルフルオレン−ビチオフェン(oligo(9,9-dioctylfluorene-bithiophene))により形成することができる。
次に、図7(k)に示すように、導電性を示す親水性有機材料、例えば上記のPEDOT/PSSを溶かした水溶液をインクジェット等により塗布し、半導体層5上からポリイミド層6上にかけてドレイン電極10を所定パターンに形成する。このドレイン電極材料は、下地が親水性の半導体層9であるために、容易に形成される。そして、図8に示すように、各電極に端子電極S、D、G及びその配線を形成して絶縁ゲート型電界効果トランジスタ12を完成する。
上述のようにして作成した電界効果トランジスタ12においては、図8に示すように、上部電極(ドレイン電極10)と下部電極(ソース電極4)との間に流れる電流を、半導体層9中に設けられたゲート電極7により変調することができる。
そして、ゲート電極7は、塗布方法によって複数個に分割して容易に形成でき、マルチチャネルのトランジスタが得られる。
しかも、上記の積層構造によって、半導体層9(更には5)の膜厚によりチャネル長を制御することができるマルチチャネルの縦型構造となるため、短チャネルの形成が可能となり、スイッチング動作等の高速化も実現することができる。
なお、ソース電極4と半導体層9との間に第2の半導体層5が形成されているので、この半導体層5によって上下のソース電極4−ドレイン電極10間の接触(短絡)を防止し易くなる。
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
例えば、実現が望まれているフレキシブルディスプレイ等におけるスイッチング素子又は駆動回路を構成するトランジスタ等の、よりフレキシブルな材料からなるデバイスが望まれている応用分野、また、低コストであることが重要である応用分野における有機電界効果トランジスタの製造工程等に適用できる。
1…基板、2A…親水性領域、2B…疎水性領域、3、6…ポリイミド層、
4…ソース電極、5…半導体層、7…ゲート電極、8…ポリイミド層(ゲート絶縁膜)、9…半導体層、9A…半導体性有機材料層、10…ドレイン電極、
12…絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、21…真空チャンバ、22…排気系、
23…支持体、24…基板加熱用ヒータ及び電源、25…蒸着膜形成基板、
26…モニタ用基板、26a…第1のモニタ用基板、26b…第2のモニタ用基板、
27…基板側シャッタ、31…有機半導体材料、32…るつぼ状ヒータ、
33…蒸着源加熱用電源、34…蒸着源側シャッタ、41…光源、41a…第1の光源、41b…第2の光源、42…光入射窓、42a…第1の光入射窓、
42b…第2の光入射窓、43…光出射窓、43a…第1の光出射窓、
43b…第2の光出射窓、44…スペクトロメータ、45a…第1の反射鏡、
45b…第2の反射鏡、46…第2の光検出器
4…ソース電極、5…半導体層、7…ゲート電極、8…ポリイミド層(ゲート絶縁膜)、9…半導体層、9A…半導体性有機材料層、10…ドレイン電極、
12…絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、21…真空チャンバ、22…排気系、
23…支持体、24…基板加熱用ヒータ及び電源、25…蒸着膜形成基板、
26…モニタ用基板、26a…第1のモニタ用基板、26b…第2のモニタ用基板、
27…基板側シャッタ、31…有機半導体材料、32…るつぼ状ヒータ、
33…蒸着源加熱用電源、34…蒸着源側シャッタ、41…光源、41a…第1の光源、41b…第2の光源、42…光入射窓、42a…第1の光入射窓、
42b…第2の光入射窓、43…光出射窓、43a…第1の光出射窓、
43b…第2の光出射窓、44…スペクトロメータ、45a…第1の反射鏡、
45b…第2の反射鏡、46…第2の光検出器
Claims (14)
- 有機化合物の蒸着膜を形成するに際し、前記有機化合物の蒸発物を測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することにより、前記堆積膜の膜質を検知する、有機化合物の蒸着方法。
- 前記膜質として、蒸着物質の変質物及び/又は不純物の有無を検知する、請求項1に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 前記検知の結果に基づいて、前記有機化合物の蒸着を開始する、請求項1に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 前記蒸着膜の膜厚を測定する、請求項3に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 前記膜厚の測定を光吸収によって行う、請求項4に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 多波長検出器を用いて前記光吸収を測定する、請求項1又は5に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 前記有機化合物が、ペンタセン、オリゴチオフェン、フタロシアニン金属錯体及びこれらの置換誘導体からなる群の中から選ばれた有機化合物からなる、請求項1に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 蒸着膜を形成するに際し、蒸着物質の蒸発物を測定用の基体上に堆積させ、この堆積膜の光吸収を測定することにより、前記堆積膜の膜厚及び膜質を検知し、この検知の結果に基づいて、前記蒸着を開始し、前記蒸着膜の膜厚を測定する、蒸着方法。
- 前記膜厚の測定を光吸収によって行う、請求項8に記載した有機化合物の蒸着方法。
- 多波長検出器を用いて前記光吸収を測定する、請求項8又は9に記載した蒸着方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載した蒸着方法を実施するために用いられる蒸着装置であって、被蒸着用の基体と、測定用の基体と、蒸着源とが真空チャンバ内に設けられ、光源と、前記光源から出射され、前記測定用の基体上に堆積した堆積膜を透過した光の強度を測定する光検出器とを備える、蒸着装置。
- 前記蒸着源に対向して、前記蒸着膜の膜厚測定用の基体が付加されている、請求項11に記載した蒸着装置。
- 半導体層を有する半導体装置の製造方法において、請求項1〜10のいずれか1項に記載した蒸着方法を用いて、前記半導体層を蒸着によって形成する、半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層を電界効果トランジスタのチャネル層として形成する、請求項13に記載した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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Family
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Country Status (1)
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