TWI703688B - 基板加熱裝置及基板加熱方法 - Google Patents

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TWI703688B
TWI703688B TW105129482A TW105129482A TWI703688B TW I703688 B TWI703688 B TW I703688B TW 105129482 A TW105129482 A TW 105129482A TW 105129482 A TW105129482 A TW 105129482A TW I703688 B TWI703688 B TW I703688B
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日商東京應化工業股份有限公司
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Abstract

本發明將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化。 實施形態之基板加熱裝置包含：減壓部，其能夠將塗佈有用以形成聚醯亞胺之溶液之基板減壓；第一加熱部，其能夠以第一溫度加熱上述基板；及第二加熱部，其能夠以較上述第一溫度更高之第二溫度加熱上述基板；且上述第二加熱部與上述第一加熱部個別獨立地設置。

Description

基板加熱裝置及基板加熱方法
本發明係關於一種基板加熱裝置及基板加熱方法。
近年來，作為電子裝置用之基板，有代替玻璃基板而使用具有可撓性之樹脂基板之市場需求。例如，此種樹脂基板使用聚醯亞胺膜。例如，聚醯亞胺膜係於對基板塗佈聚醯亞胺之前驅物之溶液之後，經過加熱上述基板之步驟(加熱步驟)而形成。例如，作為聚醯亞胺之前驅物之溶液，有包含聚醯胺酸及溶劑之聚醯胺酸清漆(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2001-210632號公報 [專利文獻2]國際公開第2009/104371號
[發明所欲解決之問題] 且說，上述加熱步驟包括：第一步驟，其係以相對較低之溫度使溶劑蒸發；及第二步驟，其係以相對較高之溫度使聚醯胺酸硬化。因此，有將基板之加熱溫度自第一步驟之溫度提高至第二步驟之溫度期間需要長時間之虞，於將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化方面存在問題。 鑒於如上所述之情況，本發明之目的在於提供一種能夠將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化之基板加熱裝置及基板加熱方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之基板加熱裝置之特徵在於包含：減壓部，其能夠將塗佈有用以形成聚醯亞胺之溶液之基板減壓；第一加熱部，其能夠以第一溫度加熱上述基板；及第二加熱部，其能夠以較上述第一溫度更高之第二溫度加熱上述基板；且上述第二加熱部與上述第一加熱部個別獨立地設置。 根據該構成，第二加熱部與第一加熱部個別獨立地設置，因此，能夠將第二加熱部之升溫速率設為較第一加熱部之升溫速率更大，能夠使基板溫度於短時間內達到所需要之溫度。例如，能夠於使第一加熱部接近基板之前(具體而言，於基板投入時)，藉由減壓部將基板設為減壓氣體氛圍，並於保持該減壓氣體氛圍之狀態下，一面利用第一加熱部加熱基板，一面進而利用第二加熱部加熱基板。又，亦能夠於利用第一加熱部加熱基板期間，預先將第二加熱部升溫，而能夠以第二溫度加熱基板。因此，無須考慮將基板之加熱溫度自第一溫度提高至第二溫度期間之時間。因此，能夠將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化。 於上述基板加熱裝置中，上述第二加熱部之升溫速率亦可較上述第一加熱部之升溫速率更大。 根據該構成，和第二加熱部之升溫速率為與第一加熱部之升溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部升溫。因此，即便於第一溫度與第二溫度之差相對較大之情形時，亦能夠縮短將基板之加熱溫度提高至第二溫度之期間之時間。 於上述基板加熱裝置中，上述第二加熱部之降溫速率亦可較上述第一加熱部之降溫速率更大。 根據該構成，和第二加熱部之降溫速率為與第一加熱部之降溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部降溫。因此，即便於以第二溫度加熱基板之後將基板冷卻之情形時，亦能夠縮短將基板之加熱溫度降低至冷卻溫度期間之時間。 於上述基板加熱裝置中，亦可進而包含腔室，該腔室能夠收容上述基板、上述第一加熱部及上述第二加熱部。 根據該構成，能夠於腔室內管理基板之加熱溫度，因此，能夠有效地加熱基板。 於上述基板加熱裝置中，上述基板、上述第一加熱部及上述第二加熱部亦可收容於共通之上述腔室。 根據該構成，能夠於共通之腔室內一次地進行對基板之利用第一加熱部所進行之加熱處理及利用第二加熱部所進行之加熱處理。即，無需如將第一加熱部及第二加熱部收容於互不相同之腔室之情形般用以於不同之2個腔室間搬送基板之時間。因此，能夠更加高效率地進行基板之加熱處理。又，與具備不同之2個腔室之情形相比，能夠將裝置整體小型化。 於上述基板加熱裝置中，亦可為，上述溶液僅塗佈於上述基板之第一面，上述第一加熱部配置於上述基板之與第一面為相反側之第二面之側。 根據該構成，自第一加熱部發出之熱自基板之第二面之側朝向第一面之側傳導，因此，能夠有效地加熱基板。又，於利用第一加熱部加熱基板期間，能夠高效率地進行塗佈於基板之溶液之揮發或醯亞胺化(例如，成膜中之排氣)。 於上述基板加熱裝置中，上述第二加熱部亦可配置於上述基板之第一面之側。 根據該構成，自第二加熱部發出之熱自基板之第一面之側朝向第二面之側傳導，因此，與利用第一加熱部所進行之加熱及利用第二加熱部所進行之加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板。 於上述基板加熱裝置中，亦可為，上述第一加熱部及上述第二加熱部之至少一者能夠階段性地加熱上述基板。 根據該構成，與第一加熱部及第二加熱部僅能夠以固定之溫度加熱基板之情形相比，能夠以適合塗佈於基板之溶液之成膜條件之方式，高效率地加熱基板。因此，能夠使塗佈於基板之溶液階段性地乾燥，良好地硬化。 於上述基板加熱裝置中，亦可進而包含位置調整部，該位置調整部能夠調整上述第一加熱部及上述第二加熱部之至少一者與上述基板之相對位置。 根據該構成，與不具備上述位置調整部之情形相比，變得易於調整基板之加熱溫度。例如，能夠於提高基板之加熱溫度之情形時使第一加熱部及第二加熱部與基板接近，於降低基板之加熱溫度之情形時使第一加熱部及第二加熱部與基板背離。因此，變得易於階段性地加熱基板。 於上述基板加熱裝置中，上述位置調整部亦可包含移動部，該移動部能夠使上述基板於上述第一加熱部與上述第二加熱部之間移動。 根據該構成，能夠藉由使基板於第一加熱部與第二加熱部之間移動，而於將第一加熱部及第二加熱部之至少一者配置於起始位置之狀態下，調整基板之加熱溫度。因此，無須另外設置能夠移動第一加熱部及第二加熱部之至少一者之裝置，因此，能夠以簡單之構成調整基板之加熱溫度。 於上述基板加熱裝置中，亦可為，於上述第一加熱部與上述第二加熱部之間，設置有能夠搬送上述基板之搬送部，且於上述搬送部，形成有能夠供上述移動部通過之通過部。 根據該構成，於使基板於第一加熱部與第二加熱部之間移動之情形時，能夠使通過部通過，因此無須將搬送部迂迴而使基板移動。因此，無須另外設置用以將搬送部迂迴而使基板移動之裝置，因此能夠以簡單之構成順利地進行基板之移動。 於上述基板加熱裝置中，亦可為，上述移動部包含複數個銷，該等複數個銷能夠支持上述基板之與第一面為相反側之第二面且能夠沿上述第二面之法線方向移動，且上述複數個銷之前端配置於與上述第二面平行之面內。 根據該構成，能夠於穩定地支持基板之狀態下加熱基板，因此能夠使塗佈於基板之溶液穩定地成膜。 於上述基板加熱裝置中，亦可為，於上述第一加熱部形成有將上述第一加熱部沿上述第二面之法線方向開口之複數個插通孔，且上述複數個銷之前端能夠經由上述複數個插通孔而抵接於上述第二面。 根據該構成，能夠於短時間內於複數個銷與第一加熱部之間進行基板之交接，因此能夠高效率地調整基板之加熱溫度。 於上述基板加熱裝置中，包含上述第一溫度之溫度範圍可為20℃以上且300℃以下之範圍。 根據該構成，能夠穩定地進行塗佈於基板之溶液之揮發或醯亞胺化，因此能夠提升膜特性。 於上述基板加熱裝置中，包含上述第二溫度之溫度範圍可為200℃以上且600℃以下之範圍。 根據該構成，能夠穩定地進行塗佈於基板之溶液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠提升膜特性。 於上述基板加熱裝置中，上述第一加熱部可為加熱板。 根據該構成，能夠使基板之加熱溫度於基板之面內均勻化，因此能夠提升膜特性。例如，能夠藉由於使加熱板之一面與基板之第二面抵接之狀態下加熱基板，而提高基板之加熱溫度之面內均勻性。 於上述基板加熱裝置中，上述第二加熱部可為紅外線加熱器。 根據該構成，能夠利用紅外線加熱而加熱基板，因此與第二加熱部為加熱板之情形相比，能夠於短時間內將基板升溫至第二溫度。又，能夠於使第二加熱部與基板背離之狀態下加熱基板(所謂之非接觸加熱)，因此能夠潔淨地保持基板(進行所謂之潔淨加熱)。 於上述基板加熱裝置中，上述紅外線加熱器之峰值波長範圍可為1.5 μm以上且4 μm以下之範圍。 根據該構成，由於1.5 μm以上且4 μm以下之範圍之波長與玻璃及水等之吸收波長一致，故而能夠更有效地加熱基板及塗佈於基板之溶液。 於上述基板加熱裝置中，亦可進而包含檢測部，該檢測部能夠檢測上述基板之溫度。 根據該構成，能夠即時掌握基板之溫度。例如，能夠藉由基於檢測部之檢測結果加熱基板，而抑制基板之溫度偏離目標值。 於上述基板加熱裝置中，亦可進而包含回收部，該回收部能夠回收自塗佈於上述基板之上述溶液揮發之溶劑。 根據該構成，能夠防止自溶液揮發之溶劑向工廠側排出。又，於將回收部連接於減壓部(真空泵)之管線之情形時，能夠防止自溶液揮發之溶劑再次液化而逆流至真空泵內。進而，能夠將自溶液揮發之溶劑作為下次使用之溶液之溶劑而進行再利用。 於上述基板加熱裝置中，亦可進而包含擺動部，該擺動部能夠擺動上述基板。 根據該構成，能夠一面使基板擺動，一面加熱基板，因此能夠提高基板之溫度均勻性。 本發明之一態樣之基板加熱方法之特徵在於包括：減壓步驟，其係將塗佈有用以形成聚醯亞胺之溶液之基板減壓；第一加熱步驟，其係以第一溫度加熱上述基板；及第二加熱步驟，其係以較上述第一溫度更高之第二溫度加熱上述基板；且於上述第二加熱步驟中，使用與上述第一加熱步驟中使用之第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部加熱上述基板。 根據該方法，第二加熱部與第一加熱部個別獨立地設置，因此，能夠將第二加熱部之升溫速率設為較第一加熱部之升溫速率更大，能夠使基板溫度於短時間內達到所需要之溫度。例如，能夠於使第一加熱部接近基板之前(具體而言，於基板投入時)，藉由減壓部將基板設為減壓氣體氛圍，並於保持該減壓氣體氛圍之狀態下，一面利用第一加熱部加熱基板，一面進而利用第二加熱部加熱基板。又，亦能夠於利用第一加熱部加熱基板期間，預先將第二加熱部升溫，而能夠以第二溫度加熱基板。因此，無須考慮將基板之加熱溫度自第一溫度提高至第二溫度期間之時間。因此，能夠將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化。 於上述基板加熱方法中，於上述第二加熱步驟中，亦可將上述第二加熱部之升溫速率設為較上述第一加熱部之升溫速率更大。 根據該方法，和於第二加熱步驟中第二加熱部之升溫速率為與第一加熱部之升溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部升溫。因此，即便於第一溫度與第二溫度之差相對較大之情形時，亦能夠縮短將基板之加熱溫度提高至第二溫度期間之時間。 於上述基板加熱方法中，於上述第二加熱步驟中，亦可將上述第二加熱部之降溫速率設為較上述第一加熱部之降溫速率更大。 根據該方法，和於第二加熱步驟中第二加熱部之降溫速率為與第一加熱部之降溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部降溫。因此，即便於以第二溫度加熱基板之後將基板冷卻之情形時，亦能夠縮短將基板之加熱溫度降低至冷卻溫度期間之時間。 於上述基板加熱方法中，亦可為，於上述減壓步驟中，將上述基板自大氣壓減壓至500 Pa以下；於上述第一加熱步驟中，於保持上述減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，於上述基板之溫度為150℃至300℃之範圍內，加熱上述基板直至塗佈於上述基板之上述溶液揮發或醯亞胺化為止；於上述第二加熱步驟中，於保持上述減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，加熱上述基板直至上述基板之溫度自上述第一加熱步驟之溫度變為600℃以下為止。 根據該方法，能夠穩定地進行塗佈於基板之溶液之揮發或醯亞胺化，並且穩定地進行塗佈於基板之溶液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠提升膜特性。 於上述基板加熱方法中，於上述第一加熱步驟中，亦可將加熱上述基板之時間設為10 min以下。 根據該方法，能夠於短時間內穩定地進行塗佈於基板之溶液之揮發或醯亞胺化，因此能夠於短時間內提升膜特性。 於上述基板加熱方法中，於上述第二加熱步驟中，亦可將上述第二加熱部之升溫速率設為100℃/min以上而將上述基板升溫。 根據該方法，能夠於短時間內穩定地進行塗佈於基板之溶液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠於短時間內提升膜特性。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種能夠將基板之加熱所需要之節拍時間縮短化之基板加熱裝置及基板加熱方法。
以下，參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。於以下之說明中，設定XYZ正交座標系統，一面參照該XYZ正交座標系統，一面對各構件之位置關係進行說明。將水平面內之特定方向設為X方向，將於水平面內與X方向正交之方向設為Y方向，將與X方向及Y方向分別正交之方向(即鉛垂方向)設為Z方向。 (第一實施形態) ＜基板加熱裝置＞ 圖1係第一實施形態之基板加熱裝置1之立體圖。 如圖1所示，基板加熱裝置1具備腔室2、減壓部3、氣體供給部4、第一加熱部5、第二加熱部6、位置調整部7、搬送部8、檢測部9、回收部11、擺動部12及控制部15。控制部15總括控制基板加熱裝置1之構成元件。為了方便起見，於圖1中，利用二點鏈線表示腔室2、減壓部3、氣體供給部4及回收部11。 ＜腔室＞ 腔室2能夠收容基板10、第一加熱部5及第二加熱部6。基板10、第一加熱部5及第二加熱部6收容於共通之腔室2。腔室2形成為長方體之箱狀。具體而言，腔室2係由矩形板狀之頂板21、與頂板21對向之矩形板狀之底板22、及與頂板21及底板22之外周緣連接之矩形框狀之周壁23形成。例如，於周壁23之-X方向側，設置用以相對於腔室2進行基板10之搬入及搬出之基板搬入搬出口23a。 腔室2構成為能夠以密閉空間收容基板10。例如，藉由利用焊接等將頂板21、底板22及周壁23之各連接部無間隙地結合，能夠提高腔室2內之氣密性。 ＜減壓部＞ 減壓部3連接於底板22之-Y方向側之靠近基板搬入搬出口23a之角部。減壓部3能夠將腔室2內減壓。例如，減壓部3具備泵機構等減壓機構。例如，減壓機構具備真空泵13。再者，減壓部3之連接部位並不限定於底板22之-Y方向側之靠近基板搬入搬出口23a之角部。減壓部3只要連接於腔室2即可。 減壓部3能夠將塗佈有用以形成聚醯亞胺膜(聚醯亞胺)之溶液(以下稱為「聚醯亞胺形成用液」)之基板10減壓。例如，聚醯亞胺形成用液包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末。聚醯亞胺形成用液僅塗佈於呈矩形板狀之基板10之第一面10a(上表面)。 ＜氣體供給部＞ 氣體供給部4連接於周壁23之+X方向側之靠近頂板21之角部。氣體供給部4能夠調整腔室2之內部氣體氛圍之狀態。氣體供給部4向腔室2內供給氮氣(N2 )、氦氣(He)、氬氣(Ar)等惰性氣體。再者，氣體供給部4之連接部位並不限定於周壁23之+X方向側之靠近頂板21之角部。氣體供給部4只要連接於腔室2即可。又，亦可於基板降溫時藉由供給氣體而用於基板冷卻。 利用氣體供給部4，能夠調整腔室2之內部氣體氛圍之氧氣濃度。腔室2之內部氣體氛圍之氧氣濃度(質量基準)越低越佳。具體而言，較佳為將腔室2之內部氣體氛圍之氧氣濃度設為100 ppm以下，更佳為設為20 ppm以下。 例如，如下所述，於將塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液硬化時之氣體氛圍中，藉由如此般將氧氣濃度設為較佳之上限以下，能夠易於進行聚醯亞胺形成用液之硬化。 ＜第一加熱部＞ 第一加熱部5配置於腔室2內之下方。第一加熱部5能夠以第一溫度加熱基板10。第一加熱部5能夠階段性地加熱基板10。例如，包含第一溫度之溫度範圍為20℃以上且300℃以下之範圍。第一加熱部5配置於基板10之與第一面10a為相反側之第二面10b(下表面)之側。 第一加熱部5呈矩形板狀(參照圖2)。第一加熱部5能夠對基板10自下方進行支持。第一加熱部5之上表面呈沿基板10之第一面10a之平坦面。例如，第一加熱部5係加熱板。 ＜第二加熱部＞ 第二加熱部6配置於腔室2內之上方。第二加熱部6能夠以較第一溫度更高之第二溫度加熱基板10。第二加熱部6與第一加熱部5個別獨立地設置。第二加熱部6能夠階段性地加熱基板10。例如，包含第二溫度之溫度範圍為200℃以上且600℃以下之範圍。第二加熱部6配置於基板10之第一面10a之側。 第二加熱部6支持於頂板21。第二加熱部6係於腔室2內靠近頂板21處固定於起始位置。例如，第二加熱部6係紅外線加熱器。例如，紅外線加熱器之峰值波長範圍為1.5 μm以上且4 μm以下之範圍。 第二加熱部6之升溫速率較第一加熱部5之升溫速率更大。第二加熱部6之降溫速率較第一加熱部5之降溫速率更大。 圖3係比較加熱板與紅外線加熱器之升溫速率所得之曲線圖。圖4係比較加熱板與紅外線加熱器之降溫速率所得之曲線圖。於圖3及圖4中，橫軸表示時間[sec]，縱軸表示溫度[℃]。又，符號HP表示加熱板之曲線，符號IR表示紅外線加熱器之曲線。 ＜加熱板及紅外線加熱器之升溫速率＞ 如圖3所示，加熱板HP之溫度隨時間經過緩慢地上升。例如，於加熱板HP之情形時，溫度自75℃變為250℃為止需要875 sec左右。例如，加熱板HP之升溫速率為0.2℃/sec左右。 另一方面，紅外線加熱器IR之溫度隨時間經過急遽地上升。例如，於紅外線加熱器IR之情形時，溫度自25℃變為375℃為止需要90 sec左右。例如，紅外線加熱器IR之升溫速率為4℃/sec左右。紅外線加熱器IR之升溫速率較加熱板HP之升溫速率更大。 ＜加熱板及紅外線加熱器之降溫速率＞ 如圖4所示，加熱板HP之溫度隨時間經過緩慢地下降。例如，於加熱板HP之情形時，溫度自250℃變為150℃為止需要2000 sec左右。例如，加熱板HP之降溫速率為0.05℃/sec左右。 另一方面，紅外線加熱器IR之溫度隨時間經過急遽地下降。例如，於紅外線加熱器IR之情形時，溫度自400℃變為150℃為止需要150 sec左右。例如，紅外線加熱器IR之降溫速率為2℃/sec左右。紅外線加熱器IR之降溫速率較加熱板HP之降溫速率更大。 ＜位置調整部＞ 如圖1所示，位置調整部7配置於腔室2之下方。位置調整部7能夠調整第一加熱部5及第二加熱部6與基板10之相對位置。位置調整部7具備移動部7a及驅動部7b。移動部7a係沿上下(Z方向)延伸之柱狀之構件。移動部7a之上端固定於第一加熱部5之下表面。驅動部7b能夠使移動部7a上下移動。移動部7a能夠使基板10於第一加熱部5與第二加熱部6之間移動。具體而言，移動部7a係於基板10載置於第一加熱部5之上表面之狀態下，藉由驅動部7b之驅動，而使基板10上下移動(參照圖6及圖7)。 驅動部7b配置於腔室2之外部。因此，即便伴隨驅動部7b之驅動產生了顆粒，亦能夠藉由將腔室2內設為密閉空間，而避免顆粒侵入至腔室2內。 ＜搬送部＞ 搬送部8於腔室2內，配置於第一加熱部5與第二加熱部6之間。搬送部8能夠搬送基板10。於搬送部8，形成有能夠供移動部7a通過之通過部8h。搬送部8具備沿作為基板10之搬送方向之X方向配置之複數個搬送輥8a。 複數個搬送輥8a係背離地配置於周壁23之+Y方向側及-Y方向側。通過部8h係周壁23之+Y方向側之搬送輥8a與周壁23之-Y方向側之搬送輥8a之間之空間。 例如，於周壁23之+Y方向側及-Y方向側之各者，沿X方向配置有沿Y方向延伸之複數個軸(未圖示)。各搬送輥8a形成為藉由驅動機構(未圖示)，繞各軸旋轉驅動。 圖2係用以對搬送輥8a、基板10及第一加熱部5之配置關係進行說明之圖。圖2相當於基板加熱裝置1之俯視圖。為了方便起見，於圖2中，以二點鏈線表示腔室2。 於圖2中，符號L1係周壁23之+Y方向側之搬送輥8a與周壁23之-Y方向側之搬送輥8a背離之間隔(以下稱為「輥背離間隔」)。又，符號L2係基板10之Y方向之長度(以下稱為「基板長度」)。又，符號L3係第一加熱部5之Y方向之長度(以下稱為「第一加熱部長度」)。 如圖2所示，輥背離間隔L1小於基板長度L2且大於第一加熱部長度L3(L3＜L1＜L2)。藉由使輥背離間隔L1大於第一加熱部長度L3，而使移動部7a能夠與第一加熱部5一併通過通過部8h(參照圖6及圖7)。 ＜檢測部＞ 如圖1所示，檢測部9於腔室2內配置於基板10之上方。檢測部9能夠檢測基板10之溫度。例如，檢測部9係非接觸溫度感測器。 ＜回收部＞ 回收部11連接於減壓部3(真空泵13)之管線。回收部11能夠回收自塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發之溶劑。 ＜擺動部＞ 擺動部12於腔室2內配置於基板10之-X方向側。擺動部12能夠擺動基板10。例如，擺動部12係於基板10正被加熱之狀態下，使基板10於沿XY平面之方向或沿Z方向之方向擺動。再者，擺動部12之配置位置並不限定於腔室2內之基板10之-X方向側。例如，擺動部12亦可設置於位置調整部7。 ＜基板加熱方法＞ 接下來，對本實施形態之基板加熱方法進行說明。於本實施形態中，使用上述基板加熱裝置1加熱基板10。基板加熱裝置1之各部所進行之動作係由控制部15控制。 圖5係用以對第一實施形態之基板加熱裝置1之動作之一例進行說明之圖。圖6係繼圖5後之第一實施形態之基板加熱裝置1之動作說明圖。圖7係繼圖6後之第一實施形態之基板加熱裝置1之動作說明圖。圖8係用以對第一實施形態之基板加熱方法之處理條件之一例進行說明之圖。 為了方便起見，於圖5～圖7中，省略基板加熱裝置1之構成元件中之減壓部3、氣體供給部4、檢測部9、回收部11、擺動部12及控制部15之圖示。 於圖8中，橫軸表示時間，左側之縱軸表示腔室內壓力，右側之縱軸表示基板溫度。又，於橫軸上，符號T1表示進行減壓步驟之區間(以下稱為「減壓區間」)，符號T2表示進行第一加熱步驟之區間(以下稱為「第一加熱區間」)，符號T3表示進行第二加熱步驟之區間(以下稱為「第二加熱區間」)。又，符號Cp表示腔室內壓力之曲線，符號Ct表示基板溫度之曲線。 本實施形態之基板加熱方法包括減壓步驟、第一加熱步驟及第二加熱步驟。 於減壓步驟中，將塗佈有聚醯亞胺形成用液之基板10減壓。 如圖5所示，於減壓步驟中，基板10配置於搬送輥8a。又，於減壓步驟中，第一加熱部5位於靠近底板22之位置。於減壓步驟中，第一加熱部5及基板10以第一加熱部5之熱不會傳導至基板10之程度背離。於減壓步驟中，第一加熱部5之電源接通。例如，第一加熱部5之溫度成為250℃左右。另一方面，於減壓步驟中，第二加熱部6之電源斷開。 於減壓步驟中，將基板10自大氣壓減壓至500 Pa以下。例如，如圖8所示，於減壓區間T1內，使腔室內壓力自大氣壓逐漸下降至20 Pa。 於減壓步驟中，儘可能地降低腔室2之內部氣體氛圍之氧氣濃度。例如，於減壓步驟中，將腔室2內之真空度設為20 Pa以下。 於減壓步驟之後，於第一加熱步驟中，以第一溫度加熱基板10。 如圖6所示，於第一加熱步驟中，使第一加熱部5向上方移動，使基板10載置於第一加熱部5之上表面。藉此，第一加熱部5抵接於基板10之第二面10b，因此，第一加熱部5之熱直接傳導至基板10。例如，於第一加熱步驟中，第一加熱部5之溫度維持250℃。因此，基板溫度能夠上升至250℃。另一方面，於第一加熱步驟中，第二加熱部6之電源保持斷開之狀態。 再者，於第一加熱步驟中，第一加熱部5位於通過部8h(參照圖1)內。為了方便起見，於圖6中，利用二點鏈線表示移動前(減壓步驟時之位置)之第一加熱部5，利用實線表示移動後(第一加熱步驟時之位置)之第一加熱部5。 於第一加熱步驟中，於保持減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，於基板溫度為150℃至300℃之範圍內，加熱基板10直至塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發或醯亞胺化。例如，於第一加熱步驟中，將加熱基板10之時間設為10 min以下。具體而言，於第一加熱步驟中，將加熱基板10之時間設為3 min。 例如，如圖8所示，於第一加熱區間T2，使基板溫度自25℃緩慢地上升至250℃。 於第一加熱步驟之後，於第二加熱步驟中，以較第一溫度高之第二溫度加熱基板10。於第二加熱步驟中，使用與第一加熱步驟中使用之第一加熱部5個別獨立地設置之第二加熱部6加熱基板10。 如圖7所示，於第二加熱步驟中，使第一加熱部5移動至較第一加熱步驟時之位置更靠上方，使基板10接近第二加熱部6。例如，於第二加熱步驟中，第一加熱部5之溫度維持250℃。又，於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之電源設為接通。例如，第二加熱部6能夠以450℃加熱基板10。因此，將基板溫度設為能夠上升至450℃。於第二加熱步驟中，相較於第一加熱步驟時，基板10更接近第二加熱部6，因此第二加熱部6之熱充分地傳導至基板10。 再者，於第二步驟中，第一加熱部5位於搬送輥8a(圖1所示之通過部8h)之上方且第二加熱部6之下方。為了方便起見，於圖7中，利用二點鏈線表示移動前(第一加熱步驟時之位置)之第一加熱部5，利用實線表示移動後(第二加熱步驟時之位置)之第一加熱部5。 於第二加熱步驟中，於保持減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，加熱基板10直至基板溫度自第一加熱步驟之溫度變為600℃以下為止。於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之升溫速率設為較第一加熱部5之升溫速率更大。例如，於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之升溫速率設為100℃/min以上，而將基板10升溫。 例如，如圖8所示，於第二加熱區間T3，使基板溫度自250℃急遽地上升至450℃。又，於第二加熱區間T3，將腔室內壓力維持為20 Pa以下。 第二加熱步驟包括使基板10冷卻之冷卻步驟。例如，於冷卻步驟中，於保持減壓步驟之氣體氛圍或低氧氣體氛圍之狀態下，將基板10冷卻直至基板溫度自第二加熱步驟之溫度變為能夠搬送基板10之溫度為止。於冷卻步驟中，將第二加熱部6之電源設為斷開。於冷卻步驟中，將第二加熱部6之降溫速率設為較第一加熱部5之降溫速率更大。 藉由經過以上步驟，能夠進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化，並且進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，而形成聚醯亞胺膜。 如上所述，根據本實施形態，第二加熱部6與第一加熱部5個別獨立地設置，因此，能夠將第二加熱部6之升溫速率設為較第一加熱部5之升溫速率更大，能夠使基板溫度於短時間內達到所需要之溫度。例如，能夠於使第一加熱部5接近基板10之前(具體而言，於基板投入時)，利用減壓部3將基板10設為減壓氣體氛圍，於保持該減壓氣體氛圍之狀態下，一面利用第一加熱部5加熱基板10，一面進而利用第二加熱部6加熱基板10。又，亦能夠於利用第一加熱部5加熱基板10期間，預先將第二加熱部6升溫，而能夠以第二溫度加熱基板10。因此，無須考慮將基板10之加熱溫度自第一溫度提高至第二溫度期間之時間。因此，能夠將基板10之加熱所需要之節拍時間縮短化。 又，藉由使第二加熱部6之升溫速率較第一加熱部5之升溫速率更大，而與第二加熱部6之升溫速率為與第一加熱部5之升溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部6升溫。因此，即便於第一溫度與第二溫度之差相對較大之情形時，亦能夠縮短將基板10之加熱溫度提高至第二溫度期間之時間。 又，藉由使第二加熱部6之降溫速率較第一加熱部5之降溫速率更大，而與第二加熱部6之降溫速率為與第一加熱部5之降溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部6降溫。因此，即便於以第二溫度加熱基板10之後將基板10冷卻之情形時，亦能夠縮短將基板10之加熱溫度降低至冷卻溫度期間之時間。 又，藉由進而包含能夠收容基板10、第一加熱部5及第二加熱部6之腔室2，能夠於腔室2內管理基板10之加熱溫度，因此，能夠有效地加熱基板10。 又，藉由將基板10、第一加熱部5及第二加熱部6收容於共通之腔室2，能夠於共通之腔室2內一次地進行對基板10之利用第一加熱部5所進行之加熱處理及利用第二加熱部6所進行之加熱處理。即，無需如將第一加熱部5及第二加熱部6收容於互不相同之腔室2之情形般用以於不同之兩個腔室2間搬送基板10之時間。因此，能夠更加高效率地進行基板10之加熱處理。又，與具備不同之兩個腔室2之情形相比，能夠將裝置整體小型化。 又，聚醯亞胺形成用液僅塗佈於基板10之第一面10a，藉由將第一加熱部5配置於基板10之與第一面10a為相反側之第二面10b之側，而使自第一加熱部5發出之熱自基板10之第二面10b之側朝向第一面10a之側傳導，因此能夠有效地加熱基板10。又，於利用第一加熱部5加熱基板10期間，能夠高效率地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化(例如，成膜中之排氣)。 又，藉由將第二加熱部6配置於基板10之第一面10a之側，而使自第二加熱部6發出之熱自基板10之第一面10a之側朝向第二面10b之側傳導，因此，利用第一加熱部5所進行之加熱與利用第二加熱部6所進行之加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板10。 又，藉由使第一加熱部5及第二加熱部6兩者能夠階段性地加熱基板10，而與第一加熱部5及第二加熱部6能夠僅以固定之溫度加熱基板10之情形相比，能夠以適合塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之成膜條件之方式，高效率地加熱基板10。因此，能夠使塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液階段性地乾燥，良好地硬化。 又，藉由進而包含能夠調整第一加熱部5及第二加熱部6與基板10之相對位置之位置調整部7，而與不具備上述位置調整部7之情形相比，變得易於調整基板10之加熱溫度。例如，能夠於提高基板10之加熱溫度之情形時，使第一加熱部5及第二加熱部6與基板10接近，於降低基板10之加熱溫度之情形時，使第一加熱部5及第二加熱部6與基板10背離。因此，變得易於階段性地加熱基板10。 又，位置調整部7包含能夠將基板10於第一加熱部5與第二加熱部6之間移動之移動部7a，藉此，能夠藉由使基板10於第一加熱部5與第二加熱部6之間移動，而於將第一加熱部5及第二加熱部6之至少一者配置於特定位置之狀態下，調整基板10之加熱溫度。因此，無須另外設置能夠移動第一加熱部5及第二加熱部6之至少一者之裝置，因此能夠以簡單之構成來調整基板10之加熱溫度。 又，於第一加熱部5與第二加熱部6之間，設置有能夠搬送基板10之搬送部8，於搬送部8，形成有能夠供移動部7a通過之通過部8h，藉此，於使基板10在第一加熱部5與第二加熱部6之間移動之情形時，能夠使基板10通過通過部8h，因此，無須將搬送部8迂迴而使基板10移動。因此，無須另外設置用以將搬送部8迂迴而使基板10移動之裝置，因此能夠以簡單之構成順利地進行基板10之移動。 又，藉由包含第一溫度之溫度範圍為20℃以上且300℃以下之範圍，能夠穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化，因此能夠提升膜特性。 又，藉由包含第二溫度之溫度範圍為200℃以上且600℃以下之範圍，能夠穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠提升膜特性。 又，藉由第一加熱部5為加熱板，能夠使基板10之加熱溫度於基板10之面內均勻化，因此能夠提升膜特性。例如，能夠藉由於使加熱板之一面與基板10之第二面10b抵接之狀態下加熱基板10，而提高基板10之加熱溫度之面內均勻性。 又，藉由第二加熱部6為紅外線加熱器，能夠利用紅外線加熱而加熱基板10，因此，與第二加熱部6為加熱板之情形相比，能夠將基板10於短時間內升溫至第二溫度。又，能夠於使第二加熱部6與基板10背離之狀態下加熱基板10(所謂之非接觸加熱)，因此能夠潔淨地保持基板10(進行所謂之潔淨加熱)。 又，藉由紅外線加熱器之峰值波長範圍為1.5 μm以上且4 μm以下之範圍，而由於1.5 μm以上且4 μm以下之範圍之波長與玻璃及水等之吸收波長一致，故而能夠更有效地加熱基板10及塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液。 又，藉由進而包含能夠檢測基板10之溫度之檢測部9，能夠即時掌握基板10之溫度。例如，藉由基於檢測部9之檢測結果加熱基板10，而能夠抑制基板10之溫度偏離目標值。 又，藉由進而包含能夠回收自塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發之溶劑之回收部11，能夠防止自聚醯亞胺形成用液揮發之溶劑向工廠側排出。又，於將回收部11連接於減壓部3(真空泵13)之管線之情形時，能夠防止自聚醯亞胺形成用液揮發之溶劑再次液化而逆流至真空泵13內。進而，能夠將自聚醯亞胺形成用液揮發之溶劑作為下次使用之聚醯亞胺形成用液之溶劑而進行再利用。 又，藉由進而包含能夠擺動基板10之擺動部12，能夠一面使基板10擺動，一面加熱基板10，因此能夠提高基板10之溫度均勻性。 又，藉由於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之升溫速率設為較第一加熱部5之升溫速率更大，而與於第二加熱步驟中第二加熱部6之升溫速率為與第一加熱部5之升溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部6升溫。因此，即便於第一溫度與第二溫度之差相對較大之情形時，亦能夠縮短將基板10之加熱溫度提高至第二溫度期間之時間。 又，藉由於冷卻步驟中，將第二加熱部6之降溫速率設為較第一加熱部5之降溫速率更大，而與於冷卻步驟中第二加熱部6之降溫速率為與第一加熱部5之降溫速率同等以下之情形相比，能夠於短時間內將第二加熱部6降溫。因此，即便於以第二溫度加熱基板10之後將基板10冷卻之情形時，亦能夠縮短將基板10之加熱溫度降低至冷卻溫度期間之時間。 又，於減壓步驟中，將基板10自大氣壓減壓至500 Pa以下；於第一加熱步驟中，於保持減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，於基板10之溫度為150℃至300℃之範圍內，加熱基板10直至塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發或醯亞胺化；於第二加熱步驟中，於保持減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，加熱基板10直至基板10之溫度自第一加熱步驟之溫度變為600℃以下為止；藉此，發揮以下效果。根據該方法，能夠穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化，並且穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠提升膜特性。 又，藉由於第一加熱步驟中，將加熱基板10之時間設為10 min以下，能夠於短時間內穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化，因此能夠於短時間內提升膜特性。 又，藉由於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之升溫速率設為100℃/min以上而將基板10升溫，能夠於短時間內穩定地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，因此能夠於短時間內提升膜特性。 (第二實施形態) 接下來，使用圖9～圖11對本發明之第二實施形態進行說明。 圖9係用以對第二實施形態之基板加熱裝置201之動作之一例進行說明之圖。圖10係繼圖9後之第二實施形態之基板加熱裝置201之動作說明圖。圖11係繼圖10後之第二實施形態之基板加熱裝置201之動作說明圖。 為了方便起見，於圖9～圖11中，省略基板加熱裝置201之構成元件中之減壓部3、氣體供給部4、搬送部8、檢測部9、回收部11、擺動部12及控制部15之圖示。 於第二實施形態中，相對於第一實施形態，位置調整部207之構成尤其不同。於圖9～圖11中，對與第一實施形態相同之構成標註相同之符號，並省略該構成之詳細之說明。 ＜位置調整部＞ 如圖9～圖11所示，位置調整部207具備收容部270、移動部275及驅動部279。 收容部270配置於腔室2之下側。收容部270能夠收容移動部275及驅動部279。收容部270形成為長方體之箱狀。具體而言，收容部270係由第一支持板271、第二支持板272及圍板273形成，該第一支持板271為矩形板狀，該第二支持板272為矩形板狀，與第一支持板271對向，該圍板273與第一支持板271及第二支持板272之外周緣連接，並且以包圍移動部275及驅動部279之周圍之方式覆蓋。 第一支持板271之外周緣連接於腔室2之周壁23之下端。第一支持板271亦作為腔室2之底板而發揮功能。於第一支持板271，配置有第一加熱部205。具體而言，第一加熱部205於腔室2內支持於第一支持板271。 圍板273與周壁23上下連續地連接。腔室2構成為能夠以密閉空間收容基板10。例如，能夠藉由利用焊接等將頂板21、作為底板之第一支持板271、及周壁23之各連接部無間隙地結合，而提高腔室2內之氣密性。 移動部275具備銷276、伸縮管277及基台278。 銷276能夠支持基板10之第二面10b且能夠沿第二面10b之法線方向(Z方向)移動。銷276係沿上下延伸之棒狀之構件。將銷276之前端(上端)設為能夠抵接於基板10之第二面10b且能夠自基板10之第二面10b背離。 銷276沿與第二面10b平行之方向(X方向及Y方向)隔開間隔而設置有複數個。複數個銷276分別形成為大致相同之長度。複數個銷276之前端配置於與第二面10b平行之面內(XY平面內)。 伸縮管277設置於第一支持板271與基台278之間。伸縮管277係以包圍銷276之周圍之方式覆蓋、並且沿上下延伸之管狀之構件。將伸縮管277設為於第一支持板271與基台278之間上下伸縮自如。例如，伸縮管277係真空波紋管。 伸縮管277以與複數個銷276相同個數之程度設置有複數個。複數個伸縮管277之前端(上端)固定於第一支持板271。具體而言，於第一支持板271，形成有將第一支持板271沿厚度方向開口之複數個插通孔271h。將各插通孔271h之內徑設為與各伸縮管277之外徑大致相同之大小。例如，各伸縮管277之前端嵌合固定於第一支持板271之各插通孔271h。 基台278係與第一支持板271對向之板狀之構件。基台278之上表面呈沿基板10之第二面10b之平坦面。於基台278之上表面，固定有複數個銷276之基端(下端)及複數個伸縮管277之基端(下端)。 將複數個銷276之前端設為能夠插通第一加熱部205。於第一加熱部205，於在第二面10b之法線方向上重疊於第一支持板271之各插通孔271h(各伸縮管277之內部空間)之位置，形成有將第一加熱部205於第二面10b之法線方向(加熱板之厚度方向)開口之複數個插通孔205h。 將複數個銷276之前端設為能夠經由各伸縮管277之內部空間及第一加熱部205之各插通孔205h而抵接於基板10之第二面10b。因此，利用複數個銷276之前端，將基板10平行於XY平面地進行支持。使複數個銷276一面支持收容於腔室2內之基板10，一面沿腔室2內之Z方向移動(參照圖9～圖11)。 驅動部279配置於為腔室2之外部之收容部270內。因此，即便伴隨驅動部279之驅動而產生了顆粒，亦能夠藉由將腔室2內設為密閉空間，而避免顆粒侵入至腔室2內。 ＜基板加熱方法＞ 接下來，對本實施形態之基板加熱方法進行說明。於本實施形態中，使用上述基板加熱裝置201加熱基板10。基板加熱裝置201之各部所進行之動作係由控制部15控制。再者，針對與第一實施形態相同之步驟，省略該步驟之詳細說明。 本實施形態之基板加熱方法包括減壓步驟、第一加熱步驟及第二加熱步驟。 於減壓步驟中，將塗佈有聚醯亞胺形成用液之基板10減壓。 如圖9所示，於減壓步驟中，基板10自第一加熱部205背離。具體而言，經由各伸縮管277之內部空間及第一加熱部205之各插通孔205h而使複數個銷276之前端抵接於基板10之第二面10b，並且使基板10上升，藉此使基板10自第一加熱部205背離。於減壓步驟中，第一加熱部205及基板10以第一加熱部205之熱不會傳導至基板10之程度背離。於減壓步驟中，第一加熱部205之電源接通。例如，第一加熱部205之溫度成為250℃左右。另一方面，於減壓步驟中，第二加熱部6之電源斷開。 於減壓步驟之後，於第一加熱步驟中，以第一加熱部205之溫度加熱基板10。 如圖10所示，於第一加熱步驟中，藉由使複數個銷276之前端自基板10之第二面10b背離，而使基板10抵接於第一加熱部205。即，使基板10載置於第一加熱部205之上表面。藉此，第一加熱部205抵接於基板10之第二面10b，因此，第一加熱部205之熱直接傳導至基板10。例如，於第一加熱步驟中，第一加熱部205之溫度維持250℃。因此，基板溫度被設為能夠上升至250℃。另一方面，於第一加熱步驟中，第二加熱部6之電源保持斷開之狀態。 於第一加熱步驟之後，於第二加熱步驟中，以第二溫度加熱基板10。 如圖11所示，於第二加熱步驟中，藉由使基板10較第一加熱步驟時之位置進而上升，而使基板10接近第二加熱部6。例如，於第二加熱步驟中，第一加熱部205之溫度維持250℃。又，於第二加熱步驟中，將第二加熱部6之電源設為接通。例如，第二加熱部6能夠以450℃加熱基板10。因此，基板溫度被設為能夠上升至450℃。於第二加熱步驟中，相較於第一加熱步驟時，基板10更接近第二加熱部6，因此，第二加熱部6之熱充分地傳導至基板10。 其後，藉由經過與第一實施形態相同之步驟，能夠進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之揮發或醯亞胺化，並且進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，而形成聚醯亞胺膜。 如上所述，根據本實施形態，移動部275包含能夠支持基板10之第二面10b且能夠沿第二面10b之法線方向移動之複數個銷276，且複數個銷276之前端配置於與第二面10b平行之面內，藉此，能夠於穩定地支持基板10之狀態下加熱基板10，因此，能夠使塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液穩定地成膜。 又，於第一加熱部205，形成有將第一加熱部205於第二面10b之法線方向開口之複數個插通孔205h，且設為各銷276之前端能夠經由各插通孔205h而抵接於第二面10b，藉此能夠於短時間內於複數個銷276與第一加熱部205之間進行基板10之交接，因此能夠高效率地調整基板10之加熱溫度。 再者，於上述例中表示之各構成構件之各種形狀或組合等為一例，能夠基於設計要求等進行各種變更。 又，於上述實施形態中，基板、第一加熱部及第二加熱部收容於共通之腔室，但並不限定於此。例如，亦可將第一加熱部及第二加熱部收容於互不相同之腔室。 又，於上述實施形態中，第一加熱部及第二加熱部兩者能夠階段性地加熱基板，但並不限定於此。例如，亦可使第一加熱部及第二加熱部之至少一者能夠階段性地加熱基板。又，亦可使第一加熱部及第二加熱部兩者能夠僅以固定之溫度加熱基板。 又，於上述實施形態中，設為第一加熱部為加熱板，第二加熱部為紅外線加熱器，但並不限定於此。例如，亦可為第一加熱部及第二加熱部兩者為加熱板或紅外線加熱器。 又，於上述實施形態中，亦可將腔室之內壁設為能夠反射紅外線。例如，亦可將腔室之內壁設為由鋁等金屬形成之鏡面(反射面)。藉此，與將腔室之內壁設為能夠吸收紅外線之情形相比，能夠提高腔室內之溫度均勻性。 又，於上述實施形態中，使用複數個搬送輥作為搬送部，但並不限定於此。例如，作為搬送部，可使用帶式輸送機，亦可使用線性馬達致動器。例如，亦可設為能夠沿X方向添加帶式輸送機及線性馬達致動器。藉此，能夠調整X方向上之基板之搬送距離。 又，於作為搬送部採用除圖2所示之構成(於搬送部形成有通過部之構成)以外之構成之情形時，第一加熱部之俯視尺寸亦可為與基板之俯視尺寸同等以上。藉此，與第一加熱部之俯視尺寸較基板之俯視尺寸更小之情形相比，能夠進一步提高基板之加熱溫度之面內均勻性。 又，於上述實施形態中，於減壓步驟及第一加熱步驟中，第一加熱部之電源接通，第二加熱部之電源斷開，但並不限定於此。例如，於減壓步驟及第一加熱步驟中，亦可為第一加熱部及第二加熱部之電源接通。 再者，於上述中作為實施形態或其變化例而記載之各構成元件能夠於不脫離本發明主旨之範圍內適當組合，又，亦能夠設為適當地不使用所組合之複數個構成元件中之一部分構成元件。 [實施例] 以下，利用實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明不受以下之實施例限定。 本發明者藉由以下之評價而確認到，藉由使用具備第一加熱部及與第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部之基板加熱裝置形成聚醯亞胺膜，能夠於短時間內提升膜特性。 (評價對象) 評價對象使用對塗佈有聚醯亞胺形成用液之基板利用下述之基板加熱裝置進行加熱處理等而形成之聚醯亞胺膜。基板使用日本電氣硝子股份有限公司製造之玻璃基板「OA-10」。聚醯亞胺膜之膜厚設為15 μm。 (比較例) 比較例之基板加熱裝置使用既有之烘箱。烘箱使用升溫速率為0.08℃/sec(4.9℃/min)、降溫速率為0.05℃/sec(2.8℃/min)者。於比較例中，不具備與第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部。 圖12係用以對比較例之處理條件進行說明之圖。圖12表示利用烘箱所進行之加熱處理時之溫度分佈之曲線圖。於圖12中，橫軸表示時間[min]，縱軸表示溫度[℃]。 於比較例中，首先向烘箱內供給氮氣，將烘箱內設為低氧氣體氛圍(氧氣濃度100 ppm)。 其次，於保持低氧氣體氛圍之狀態下，使烘箱溫度階段性地上升至180℃(階段式烘烤(step bake))，加熱基板直至塗佈於基板之聚醯亞胺形成用液揮發或醯亞胺化。 繼而，於保持低氧氣體氛圍之狀態下，使烘箱溫度上升至450℃，於維持特定時間之後，使烘箱溫度逐漸下降。藉此，進行塗佈於基板之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，從而形成聚醯亞胺膜。 於比較例中，於形成聚醯亞胺膜之前之處理時間為600 min。 (實施例) 實施例之基板加熱裝置使用具備第一加熱部及與第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部者(圖1所示之基板加熱裝置1)。第一加熱部使用加熱板，第二加熱部使用紅外線加熱器。加熱板使用升溫速率為0.2℃/sec、降溫速率為0.05℃/sec者。紅外線加熱器使用升溫速率為4℃/sec、降溫速率為2℃/sec者。 於實施例中，首先將腔室內減壓，設為真空度20 Pa(減壓步驟)。減壓步驟之處理時間設為2 min。 其次，於保持減壓氣體氛圍之狀態下，使基板溫度上升至200℃，加熱基板直至塗佈於基板之聚醯亞胺形成用液揮發或醯亞胺化(第一加熱步驟)。第一加熱步驟之處理時間設為10 min。 繼而，於保持減壓氣體氛圍之狀態下，使基板溫度階段性地上升至450℃之後，使基板溫度逐漸下降。藉此，進行塗佈於基板之聚醯亞胺形成用液之醯亞胺化時之分子鏈之重新排列，從而形成聚醯亞胺膜(第二加熱步驟)。第二加熱步驟之處理時間設為12.5 min。 再者，加熱板溫度自減壓步驟至第二加熱步驟為止維持250℃。又，紅外線加熱器僅於第二加熱步驟中升溫及降溫。具體而言，首先，於剛開始第二加熱步驟之後，便立即使紅外線加熱器於1 min內升溫直至基板溫度變為350℃為止，之後於該狀態下維持5 min，其後於1 min內升溫直至基板溫度變為450℃為止，於該時點降溫。 於實施例中，於形成聚醯亞胺膜之前之處理時間為24.5 min。 (膜特性之評價結果) 將藉由上述比較例及實施例而形成之聚醯胺膜之機械特性等膜特性之評價結果示於表1。再者，斷裂強度、斷裂伸長率、楊氏模數係使用ORIRNTEC公司製造之「RTC-1210A」來測定。 [表1]
Figure 105129482-A0304-0001
 作為評價對象，使用樣品A～C。樣品A～C之聚醯亞胺形成用液之種類互不相同。 如表1所示，於比較例及實施例之各者中，於樣品A～C之間獲得了不同之結果。 於樣品A之情形時，實施例相對於比較例於斷裂伸長率方面獲得了良好之結果。 於樣品B之情形時，實施例相對於比較例於斷裂強度、斷裂伸長率方面獲得了良好之結果。 於樣品C之情形時，實施例相對於比較例於斷裂強度、斷裂伸長率、楊氏模數方面獲得了良好之結果。 根據以上，已知藉由使用具備第一加熱部及與第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部之基板加熱裝置形成聚醯亞胺膜，能夠於短時間內提升膜特性。
1‧‧‧基板加熱裝置 2‧‧‧腔室 3‧‧‧減壓部 4‧‧‧氣體供給部 5‧‧‧第一加熱部 6‧‧‧第二加熱部 7‧‧‧位置調整部 7a‧‧‧移動部 7b‧‧‧驅動部 8‧‧‧搬送部 8a‧‧‧搬送輥 8h‧‧‧通過部 9‧‧‧檢測部 10‧‧‧基板 10a‧‧‧第一面 10b‧‧‧第二面 11‧‧‧回收部 12‧‧‧擺動部 13‧‧‧真空泵 15‧‧‧控制部 21‧‧‧頂板 22‧‧‧底板 23‧‧‧周壁 23a‧‧‧基板搬入搬出口 201‧‧‧基板加熱裝置 205‧‧‧第一加熱部 205h‧‧‧插通孔 207‧‧‧位置調整部 270‧‧‧收容部 271‧‧‧第一支持板 271h‧‧‧插通孔 272‧‧‧第二支持板 273‧‧‧圍板 275‧‧‧移動部 276‧‧‧銷 277‧‧‧伸縮管 278‧‧‧基台 279‧‧‧驅動部 Cp‧‧‧腔室內壓力之曲線 Ct‧‧‧基板溫度之曲線 HP‧‧‧加熱板 IR‧‧‧紅外線加熱器 L1‧‧‧輥背離間隔 L2‧‧‧基板長度 L3‧‧‧第一加熱部長度 T1‧‧‧減壓區間 T2‧‧‧第一加熱區間 T3‧‧‧第二加熱區間 X‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 Z‧‧‧方向
圖1係第一實施形態之基板加熱裝置之立體圖。 圖2係用以對搬送輥、基板及第一加熱部之配置關係進行說明之圖。 圖3係比較加熱板與紅外線加熱器之升溫速率所得之曲線圖。 圖4係比較加熱板與紅外線加熱器之降溫速率所得之曲線圖。 圖5係用以對第一實施形態之基板加熱裝置之動作之一例進行說明之圖。 圖6係繼圖5後之第一實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖7係繼圖6後之第一實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖8係用以對第一實施形態之基板加熱方法之處理條件之一例進行說明之圖。 圖9係用以對第二實施形態之基板加熱裝置之動作之一例進行說明之圖。 圖10係繼圖9後之第二實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖11係繼圖10後之第二實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖12係用以對比較例之處理條件進行說明之圖。
1‧‧‧基板加熱裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧減壓部
4‧‧‧氣體供給部
5‧‧‧第一加熱部
6‧‧‧第二加熱部
7‧‧‧位置調整部
7a‧‧‧移動部
7b‧‧‧驅動部
8‧‧‧搬送部
8a‧‧‧搬送輥
8h‧‧‧通過部
9‧‧‧檢測部
10‧‧‧基板
10a‧‧‧第一面
10b‧‧‧第二面
11‧‧‧回收部
12‧‧‧擺動部
13‧‧‧真空泵
15‧‧‧控制部
21‧‧‧頂板
22‧‧‧底板
23‧‧‧周壁
23a‧‧‧基板搬入搬出口
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向

Claims (25)

  1. 一種基板加熱裝置，其包含：減壓部，其能夠將塗佈有用以形成聚醯亞胺之溶液之基板減壓；第一加熱部，其能夠以第一溫度加熱上述基板；第二加熱部，其能夠以較上述第一溫度更高之第二溫度加熱上述基板；及位置調整部，其能夠調整上述第一加熱部及上述第二加熱部之至少一者與上述基板之相對位置；且上述第二加熱部與上述第一加熱部個別獨立地設置。
  2. 如請求項1之基板加熱裝置，其中上述第二加熱部之升溫速率較上述第一加熱部之升溫速率更大。
  3. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中上述第二加熱部之降溫速率較上述第一加熱部之降溫速率更大。
  4. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其進而包含腔室，該腔室能夠收容上述基板、上述第一加熱部及上述第二加熱部。
  5. 如請求項4之基板加熱裝置，其中上述基板、上述第一加熱部及上述第二加熱部收容於共通之上述腔室。
  6. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中上述溶液僅塗佈於上述基板之第一面，上述第一加熱部配置於上述基板之與第一面為相反側之第二面之側。
  7. 如請求項6之基板加熱裝置，其中上述第二加熱部配置於上述基板之第一面之側。
  8. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中上述第一加熱部及上述第二加熱部之至少一者能夠階段性地加熱上述基板。
  9. 如請求項1之基板加熱裝置，其中上述位置調整部包含移動部，該移動部能夠將上述基板於上述第一加熱部與上述第二加熱部之間移動。
  10. 如請求項9之基板加熱裝置，其中於上述第一加熱部與上述第二加熱部之間，設置有能夠搬送上述基板之搬送部，於上述搬送部，形成有能夠供上述移動部通過之通過部。
  11. 如請求項9之基板加熱裝置，其中上述移動部包含複數個銷，該等複數個銷能夠支持上述基板之與第一 面為相反側之第二面且能夠沿上述第二面之法線方向移動，且上述複數個銷之前端配置於與上述第二面平行之面內。
  12. 如請求項11之基板加熱裝置，其中於上述第一加熱部，形成有將上述第一加熱部沿上述第二面之法線方向開口之複數個插通孔，上述複數個銷之前端設為能夠經由上述複數個插通孔而抵接於上述第二面。
  13. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中包含上述第一溫度之溫度範圍為20℃以上且300℃以下之範圍。
  14. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中包含上述第二溫度之溫度範圍為200℃以上且600℃以下之範圍。
  15. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中上述第一加熱部係加熱板。
  16. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其中上述第二加熱部係紅外線加熱器。
  17. 如請求項16之基板加熱裝置，其中上述紅外線加熱器之峰值波長範圍為1.5μm以上且4μm以下之範圍。
  18. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其進而包含檢測部，該檢測部能夠檢測上述基板之溫度。
  19. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其進而包含回收部，該回收部能夠回收自塗佈於上述基板之上述溶液揮發之溶劑。
  20. 如請求項1或2之基板加熱裝置，其進而包含擺動部，該擺動部能夠擺動上述基板。
  21. 一種基板加熱方法，其包括：減壓步驟，其係將塗佈有用以形成聚醯亞胺之溶液之基板自大氣壓減壓至500Pa以下；第一加熱步驟，其係以第一溫度加熱上述基板；及第二加熱步驟，其係以較上述第一溫度更高之第二溫度加熱上述基板；且於上述第二加熱步驟中，使用與上述第一加熱步驟中使用之第一加熱部個別獨立地設置之第二加熱部加熱上述基板，於上述第一加熱步驟中，於保持上述減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，於上述基板之溫度為150℃至300℃之範圍內，加熱上述基板直至塗佈於上述基板之上述溶液揮發或醯亞胺化為止，於上述第二加熱步驟中，於保持上述減壓步驟之氣體氛圍之狀態下，加熱上述基板直至上述基板之溫度自上述第一加熱步驟之溫度變為600℃ 以下為止。
  22. 如請求項21之基板加熱方法，其中於上述第二加熱步驟中，使上述第二加熱部之升溫速率較上述第一加熱部之升溫速率更大。
  23. 如請求項21或22之基板加熱方法，其中於上述第二加熱步驟中，使上述第二加熱部之降溫速率較上述第一加熱部之降溫速率更大。
  24. 如請求項21之基板加熱方法，其中於上述第一加熱步驟中，將加熱上述基板之時間設為10min以下。
  25. 如請求項21之基板加熱方法，其中於上述第二加熱步驟中，將上述第二加熱部之升溫速率設為100℃/min以上而將上述基板升溫。
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