JP6940541B2 - 有機膜形成装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、有機膜形成装置に関する。

有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する技術がある。例えば、液晶表示パネルの製造においては、透明基板の上に設けられた透明電極などの表面にポリアミド酸を含むワニスを塗布し、イミド化させてポリイミド膜を形成し、得られた膜をラビング処理して配向膜を形成している。また、フレキシブル性を有した樹脂基板の製造においては、ガラス基板などのサポート基板の表面にポリアミド酸を含むワニスを塗布し、イミド化させてポリイミド膜を形成してサポート基板から剥離している。この際、ポリアミド酸を含むワニスが塗布された基板を加熱してポリアミド酸をイミド化している。また、有機材料と溶媒を含む溶液が塗布された基板を加熱して溶媒を蒸発させ、基板の上に有機膜を形成することも行われている。

有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱して有機膜を形成する際には、１００℃〜６００℃程度の極めて高い温度での処理が必要となる場合がある。また、有機膜の形成が、大気圧よりも減圧されたチャンバの内部で行われる場合がある（例えば、特許文献１を参照）。
基板の上に塗布された溶液を加熱して有機膜を形成する場合、基板に向けて放射された熱が、加熱を行うチャンバの外部に放出されると蓄熱効率が悪くなる。蓄熱効率が悪くなると、チャンバの外部に放出される熱を補うために、処理に必要となる温度以上の加熱を行う必要が生じ、加熱部に印加する電力が増大することになる。また、急激な温度上昇を必要とする処理の場合、所望の温度上昇が得られない可能性がある。
そこで、熱損失が少なく蓄熱効率の高い加熱技術の開発が望まれていた。

特開平９−３２０９４９号公報

本発明が解決しようとする課題は、有機材料と溶媒を含む溶液が塗布された基板に対して熱損失が少なく蓄熱効率の高い加熱を行い、有機膜を形成することができる有機膜形成装置を提供することである。

実施形態に係る有機膜形成装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、前記チャンバの内部に設けられた、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、前記チャンバの内部に設けられた、少なくとも１つの第２のヒータを有し、前記第１の加熱部と対向する第２の加熱部と、前記第１の加熱部と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、前記第１の均熱板と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、の間であって、基板と、前記基板の上面に塗布された有機材料と溶媒とを含む溶液と、を有するワークが支持される処理領域と、前記チャンバの内部に設けられ、前記第１の加熱部、前記第２の加熱部、前記第１の均熱板、前記第２の均熱板、および、前記処理領域が含まれる領域を囲む第１の反射板と、前記チャンバの内部に設けられた直方体の外観形状のフレームと、を備え、前記第１の反射板は、複数の板状の部材であり、前記第１の反射板は、前記チャンバの内壁との間に空間を有した状態で、前記フレームの外観形状における少なくとも１つの側面に設けられ、前記第１の均熱板および前記第２の均熱板は、前記第１のヒータおよび前記第２のヒータから入射した熱を前記処理領域側に放射し、前記第１の反射板は前記第１のヒータおよび前記第２のヒータから入射した熱を前記処理領域側に反射する。

本発明の実施形態によれば、有機材料と溶媒を含む溶液が塗布された基板に対して熱損失が少なく蓄熱効率の高い加熱を行い、有機膜を形成することができる有機膜形成装置が提供される。

本実施の形態に係る有機膜形成装置を例示するための模式斜視図である。 反射板の取り付けを例示するための模式図である。 図２におけるＡ−Ａ線断面図である。 反射板の取り付けを例示するための模式図である。 他の実施形態に係る反射板の取り付けを例示するための模式図である。 図５におけるＢ−Ｂ線断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、２枚の反射板の取り付けを例示するための模式図である。 他の実施形態に係る均熱部を例示するための模式図である。 図８におけるＣ−Ｃ線断面図である。 均熱部の模式斜視図である。 （ａ）〜（ｇ）は、他の実施形態に係る反射板を例示するための模式図である。 他の実施形態に係る反射板を例示するための模式図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る有機膜形成装置１を例示するための模式斜視図である。
なお、図１中のＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Ｚ方向とすることができる。

ワーク１００は、基板と、基板の上面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどとすることができる。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
図１に示すように、有機膜形成装置１には、チャンバ１０、排気部２０、処理部３０、および制御部４０が設けられている。

制御部４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。
制御部４０は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、有機膜形成装置１に設けられた各要素の動作を制御する。

チャンバ１０は、箱状を呈している。チャンバ１０は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ１０の外観形状には特に限定はない。チャンバ１０の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。チャンバ１０は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。

チャンバ１０の一方の端部にはフランジ１１を設けることができる。フランジ１１には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１１が設けられる側の開口は、開閉扉１３により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１（シール材１２）に押し付けられることで、チャンバ１０の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１から離隔することで、チャンバ１０の開口を介したワーク１００の搬入または搬出が可能となる。

チャンバ１０の他方の端部にはフランジ１４を設けることができる。フランジ１４には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１４が設けられる側の開口は、蓋１５により開閉可能となっている。例えば、蓋１５は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ１４に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋１５を取り外すことで、チャンバ１０の、フランジ１４が設けられる側の開口を露出させる。

チャンバ１０の外壁には冷却部１６を設けることができる。冷却部１６には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部１６は、例えば、ウォータージャケット（Water Jacket）とすることができる。冷却部１６が設けられていれば、チャンバ１０の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。

排気部２０は、チャンバ１０の内部を排気する。排気部２０は、第１の排気部２１と、第２の排気部２２を有する。
第１の排気部２１は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１７に接続されている。 第１の排気部２１は、排気ポンプ２１ａと、圧力制御部２１ｂを有する。
排気ポンプ２１ａは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。
圧力制御部２１ｂは、排気口１７と排気ポンプ２１ａとの間に設けられている。圧力制御部２１ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２１ｂは、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。

第２の排気部２２は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１８に接続されている。 第２の排気部２２は、排気ポンプ２２ａと、圧力制御部２２ｂを有する。
排気ポンプ２２ａは、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。
第２の排気部２２は、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。
圧力制御部２２ｂは、排気口１８と排気ポンプ２２ａとの間に設けられている。圧力制御部２２ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２２ｂは、例えば、ＡＰＣなどとすることができる。

チャンバ１０の内部を減圧する場合には、まず、第１の排気部２１によりチャンバ１０の内圧が１０Ｐａ程度になるようにする。次に、第２の排気部２２によりチャンバ１０の内圧が１０Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａ程度となるようにする。この様にすれば、所望の圧力まで減圧するのに必要となる時間を短くすることができる。

すなわち、第１の排気部２１は、大気圧から所定の内圧まで粗引き排気を行う排気ポンプである。したがって、第１の排気部２１は排気量が多い。また、第２の排気部２２は、粗引き排気完了後、さらに低い所定の内圧まで排気を行う排気ポンプである。この場合、少なくとも第１の排気部２１による排気が開始された後、後述する加熱部３２に電力を印加して、加熱を開始させることができる。

第１の排気部２１に接続された排気口１７及び第２の排気部２２に接続された排気口１８は、チャンバ１０の底面に配置されている。そのため、チャンバ１０内及び処理部３０内に、チャンバ１０の底面に向かうダウンフローの気流を形成することができる。その結果、有機材料と溶媒を含む溶液が塗布されたワーク１００を加熱することで生じた、有機材料が含まれた昇華物がダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０外に排出され易くなる。
これにより、ワーク１００に昇華物が付着することなく有機膜を形成することができる。

また、排気量の多い第１の排気部２１に接続された排気口１７がチャンバ１０の底面の中心部分に配置されていれば、チャンバ１０を平面視したときに、チャンバ１０の中心部分に向かう均一な気流を形成することができる。これにより気流の流れの偏りによる昇華物の滞留が生じることなく昇華物を排出することができる。そのため、ワーク１００に昇華物が付着することなく有機膜を形成することができる。

処理部３０は、フレーム３１、加熱部３２、ワーク支持部３３、均熱部３４、均熱板支持部３５、および、反射板３６を有する。
処理部３０の内部には、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、ワーク１００に処理を施す空間となる。ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂの内部に支持される。処理領域３０ｂは、処理領域３０ａの上方に設けられている。なお、２つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。１つの処理領域のみが設けられるようにすることもできる。また、３つ以上の処理領域が設けられるようにすることもできる。本実施の形態においては、一例として、２つの処理領域が設けられる場合を例示するが、１つの処理領域、および、３つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。

処理領域３０ａ、３０ｂは、加熱部３２と加熱部３２との間に設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、均熱部３４（上部均熱板３４ａ（第１の均熱板の一例に相当する）、下部均熱板３４ｂ（第２の均熱板の一例に相当する）、側部均熱板３４ｃ、側部均熱板３４ｄ）により囲まれている。処理領域３０ａ、３０ｂは、上部均熱板３４ａと下部均熱板３４ｂの間に設けられている。

処理領域３０ａ、３０ｂとチャンバ１０の内部の空間は、上部均熱板３４ａ同士の間、および下部均熱板３４ｂ同士の間に設けられた隙間を介して繋がっている。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂにおいてワーク１００を加熱する際には、処理領域３０ａ、３０ｂの内部の空間とともにチャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧される。チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域３０ａ、３０ｂから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、蓄熱効率が向上する。そのため、ヒータ３２ａ（第１のヒータ、および第２のヒータの一例に相当する）に印加する電力を低減させることができる。また、ヒータ３２ａの温度が所定の温度以上となるのを抑制することができるので、ヒータ３２ａの寿命を長くすることができる。
また、蓄熱効率が向上するので、急激な温度上昇を必要とする処理であっても所望の温度上昇を得ることができる。また、チャンバ１０の外壁の温度が高くなるのを抑制することができるので、冷却部１６を簡易なものとすることができる。

フレーム３１は、細長い板材や形鋼などからなる骨組み構造を有している。フレーム３１の外観形状は、チャンバ１０の外観形状と同様とすることができる。フレーム３１の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。

加熱部３２は、複数設けられている。加熱部３２は、処理領域３０ａ、３０ｂの下部、および処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けることができる。処理領域３０ａ、３０ｂの下部に設けられた加熱部３２は、下部加熱部（第２の加熱部の一例に相当する）となる。処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けられた加熱部３２は、上部加熱部（第１の加熱部の一例に相当する）となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられる上部加熱部は、上側の処理領域に設けられる下部加熱部と兼用とすることができる。

例えば、処理領域３０ａに支持されたワーク１００の下面（裏面）は、処理領域３０ａの下部に設けられた加熱部３２により加熱される。処理領域３０ａに支持されたワーク１００の上面は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の下面（裏面）は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の上面は、処理領域３０ｂの上部に設けられた加熱部３２により加熱される。
この様にすれば、加熱部３２の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。

複数の加熱部３２のそれぞれは、少なくとも１つのヒータ３２ａと、一対のホルダ３２ｂを有する。なお、以下においては、複数のヒータ３２ａが設けられる場合を説明する。 一対のホルダ３２ｂは、処理領域３０ａ、３０ｂの長手方向（図１中のＸ方向）に延びるように設けられている。
ヒータ３２ａは、棒状を呈し、一対のホルダ３２ｂの間をＹ方向に延びるように設けられている。
複数のヒータ３２ａは、ホルダ３２ｂが延びる方向に並べて設けることができる。例えば、複数のヒータ３２ａは、処理領域３０ａ、３０ｂの長手方向（図１中のＸ方向）に並べて設けることができる。複数のヒータ３２ａは、等間隔に設けることが好ましい。ヒータ３２ａは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどとすることができる。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。

ただし、ヒータ３２ａは、例示をしたものに限定されるわけではない。ヒータ３２ａは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク１００を加熱することができるものであればよい。すなわち、ヒータ３２ａは、放射による熱エネルギーを利用したものであればよい。

上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成（溶液の加熱温度）、ワーク１００の大きさなどに応じて適宜決定することができる。複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。また、「棒状を呈する」とは、断面形状が限定されず、円柱状や角柱状なども含まれる。

ワーク１００は、上部加熱部と下部加熱部によって加熱される。下部加熱部に設けられたヒータ３２ａ（第２のヒータの一例に相当する）は、上部加熱部に設けられたヒータ３２ａ（第１のヒータの一例に相当する）と離隔している。上部均熱板３４ａは、上部加熱部に設けられたヒータ３２ａと、下部加熱部に設けられたヒータ３２ａとの間に設けられている。下部均熱板３４ｂは、上部均熱板３４ａと、下部加熱部に設けられたヒータ３２ａとの間に設けられている。
ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂにおいて、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを介して加熱される。換言すると、ワーク１００は上部加熱部と下部加熱部によって仕切られた空間においてワーク１００の両面側を仕切る部材を介して加熱されている。
ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク１００の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。しかしながら、ワーク１００の両面側を仕切る部材である上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂは加熱されている。そのため、昇華物が上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに付着するのが抑制され、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０外に排出される。これにより、昇華物がワーク１００の両面側の部材に付着することなく、昇華物がワーク１００に付着するのを抑制することができる。また、両面側からワーク１００を加熱するので、ワーク１００を高温にするのが容易となる。

一対のホルダ３２ｂは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向と直交する方向において、互いに対向させて設けられている。一方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の開閉扉１３側の端面に固定されている。他方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の開閉扉１３側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ３２ｂは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム３１に固定することができる。一対のホルダ３２ｂは、ヒータ３２ａの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ３２ｂは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成することができる。一対のホルダ３２ｂの材料には特に限定はないが、耐熱性と耐食性を有する材料とすることが好ましい。一対のホルダ３２ｂの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。

ワーク支持部３３は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク１００を支持する。ワーク支持部３３は、複数設けることができる。複数のワーク支持部３３は、処理領域３０ａの下部、および、処理領域３０ｂの下部に設けられている。複数のワーク支持部３３は、棒状体とすることができる。
複数のワーク支持部３３の一方の端部（図１における上方の端部）は、ワーク１００の下面（裏面）に接触する。そのため、複数のワーク支持部３３の一方の端部の形状は、半球状などとすることが好ましい。複数のワーク支持部３３の一方の端部の形状が半球状であれば、ワーク１００の下面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク１００の下面と複数のワーク支持部３３との接触面積を小さくすることができるので、ワーク１００から複数のワーク支持部３３に伝わる熱を少なくすることができる。

前述したように、ワーク１００は、大気圧よりも減圧された雰囲気において放射による熱エネルギーによって加熱される。したがって、複数のワーク支持部３３は、上部加熱部からワーク１００の上面までの距離、及び下部加熱部からワーク１００の下面までの距離が、ワーク１００の加熱を行うことが可能な距離となるように、ワーク１００を支持する。
なお、この距離は、放射による熱エネルギーが加熱部３２からワーク１００に到達できる距離である。

複数のワーク支持部３３の他方の端部（図１における下方の端部）は、処理部３０の両側の側部の一対のフレーム３１の間に架け渡された複数の棒状部材または板状部材などに固定することができる。複数の棒状部材または板状部材は、フレーム３１の骨組みの間に架け渡すことができる。この場合、複数のワーク支持部３３が着脱可能に設けられていれば、メンテナンスなどの作業が容易となる。例えば、ワーク支持部３３の他方の端部に雄ネジを設け、複数の棒状部材または板状部材に雌ネジを設けることができる。

また、例えば、複数のワーク支持部３３は、処理部３０の両側の側部にあるフレーム３１の間に架け渡された複数の棒状部材または板状部材などに固定されずに載置されるだけでもよい。例えば、この棒状部材または板状部材には複数の孔が形成されており、複数のワーク支持部３３をこの孔に差し込むことで、複数のワーク支持部３３が棒状部材または板状部材に保持されるようにすることができる。なお、孔の直径は、ワーク支持部３３が熱膨張しても以下のようになるものとすることができる。例えば、孔の直径は、ワーク支持部３３が熱膨張しても、ワーク支持部３３と孔の内壁との間の空気が逃げられる程度とすることが好ましい。この様にすれば、孔の中の空気が熱膨張してもワーク支持部３３が押し出されないようにすることができる。

複数のワーク支持部３３の数、配置、間隔などは、ワーク１００の大きさや剛性（撓み）などに応じて適宜変更することができる。複数のワーク支持部３３の数、配置、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。
複数のワーク支持部３３の材料には特に限定はないが、耐熱性と耐食性を有する材料とすることが好ましい。複数のワーク支持部３３の材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。

また、複数のワーク支持部３３の、少なくともワーク１００に接触する端部を熱伝導率
の低い材料から形成することができる。熱伝導率の低い材料は、例えば、セラミックスと
することができる。この場合、セラミックスの中でも２０℃における熱伝導率が３２Ｗ/
（ｍ・ｋ）以下の材料とすることが好ましい。セラミックスは、例えばアルミナ（Ａｌ２
Ｏ３）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、ジルコニア（ＺｒＯ２）などとすることができる。

均熱部３４は、複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄを有する。複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄは、板状を呈している。
複数の上部均熱板３４ａは、上部加熱部の下部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。すなわち、複数の上部均熱板３４ａの上側表面と複数のヒータ３２ａの下側表面との間には隙間が設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向（図１中のＸ方向）に並べて設けられている。
複数の下部均熱板３４ｂは、下部加熱部の上部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。すなわち、複数の下部均熱板３４ｂの下側表面と複数のヒータ３２ａの上側表面との間には隙間が設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向（図１中のＸ方向）に並べて設けられている。

側部均熱板３４ｃは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側（図１のＸ方向）の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板３４ｃは、反射板３６の内側に設けることができる。また、側部均熱板３４ｃと反射板３６との間に、側部均熱板３４ｃおよび反射板３６と離隔して設けられた少なくとも１つのヒータ３２ａを設けることもできる。
側部均熱板３４ｄは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向と直交する方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側（図１のＹ方向）の側部のそれぞれに設けられている。
図３に示すように、側部均熱板３４ｄは開閉扉１３に設けられ、開閉扉１３を閉めたときに、チャンバ１０（各処理領域３０ａ、３０ｂ）の開口が側部均熱板３４によって覆われる。蓋１５側の側部均熱板３４は、図３に示すようにフレームに取り付けて処理領域３０ａ、３０ｂを覆うようにしてもよいし、蓋１５に取り付けられた反射板３６の処理部３０側の面に取り付けてもよい。
こうして、処理領域３０ａ、３０ｂは、複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄにより全方位を囲まれている。また、これらの外側を反射板３６が囲んでいる。

前述したように、複数のヒータ３２ａは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ３２ａが棒状である場合、ヒータ３２ａの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ３２ａの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ３２ａに対して対向するようにワーク１００が保持されたとき、ヒータ３２ａの直上または直下に位置するワーク１００における領域は、複数のヒータ３２ａ同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク１００における領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ３２ａを用いてワーク１００を直接加熱すると、加熱されたワーク１００に不均一な温度分布が生じる。
ワーク１００に不均一な温度分布が生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分に泡が発生したり、温度が高くなった部分において有機膜の組成が変化したりするおそれがある。

本実施の形態に係る有機膜形成装置１には、前述した複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが設けられている。そのため、複数のヒータ３２ａから放射された熱は、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂに入射し、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク１００に向けて放射される。その結果、ワーク１００に不均一な温度分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成された有機膜の品質を向上させることができる。

この場合、ヒータ３２ａの表面と直下にある上部均熱板３４ａとの間の距離、および、ヒータ３２ａの表面と直上にある下部均熱板３４ｂとの間の距離を短くしすぎると、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに不均一な温度分布が生じ、ひいてはワーク１００に不均一な温度分布が生じるおそれがある。また、これらの距離を長くしすぎると、ワーク１００の温度上昇が遅くなるおそれがある。本発明者らの得た知見によれば、これらの距離は、２０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下とすることが好ましい。また、ヒータ３２ａの表面と直下にある上部均熱板３４ａとの間の距離、および、ヒータ３２ａの表面と直上にある下部均熱板３４ｂとの間の距離を同じとすると、上部加熱部と下部加熱部からワーク１００に放射される熱を均一にすることができる。

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂは、例えば、アルミニウム、銅、およびステンレスの少なくともいずれかを含むものとすることができる。

ここで、ワーク１００は、大気圧よりも減圧された雰囲気中で加熱されるので、ワーク１００の加熱中は、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが酸化するのを抑制することができる。ところが、有機膜が形成されたワーク１００を搬出するためには、ワーク１００の温度を常温程度にまで下げる必要がある。この場合、冷却時間を短縮するために、例えば、図示しない冷却ガス供給部から、排気口１７などを介して、チャンバ１０の内部に冷却ガスが導入される場合がある。冷却ガスとして窒素ガスを用いる場合もあるが、製造コストを低減させるために窒素ガスと空気の混合ガスを用いる場合もある。
そのため、ワーク１００の冷却時に、冷却ガス中の酸素と、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの材料が反応するおそれがある。

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが銅やアルミニウムなどを含む場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが銅を含む場合には、ニッケルを含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、銅を含む複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの表面をニッケルメッキすることができる。複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂがアルミニウムを含む場合には、酸化アルミニウムを含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、アルミニウムを含む複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの表面をアルマイト処理することができる。

加熱の際に、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの温度が３００℃以下となる場合には、アルミニウムを含む複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂを用いることができる。
加熱の際に、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの温度が５００℃以上となる場合には、ステンレスを含む複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂとするか、銅を含み表面にニッケルを含む層を有する複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂとすることが好ましい。この場合、ステンレスを含む複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂとすれば、汎用性やメンテナンス性などを向上させることができる。

また、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂから放射された熱の一部は、処理領域３０ａ、３０ｂの側方に向かう。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂの側部には、前述した側部均熱板３４ｃ、３４ｄが設けられている。側部均熱板３４ｃ、３４ｄに入射した熱は、側部均熱板３４ｃ、３４ｄを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の加熱効率を向上させることができる。
また、前述したように、側部均熱板３４ｃの外側に、少なくとも１つのヒータ３２ａを設ければ、ワーク１００の加熱効率をさらに向上させることができる。また、有機膜を加熱する際に生じた昇華物は、周囲の温度よりも低い箇所に付着しやすい。側部均熱板３４ｃをも加熱することで、昇華物が側部均熱板３４ｃに付着するのを抑制することができる。

ここで、側部均熱板３４ｃ、３４ｄに、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂとは異なる不均一な温度分布が生じると、ワーク１００に不均一な温度分布が生じるおそれがある。そのため、側部均熱板３４ｃ、３４ｄの材料は、前述した上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの材料と同じとすることが好ましい。

前述したように、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの温度は、５００℃以上となる場合がある。そのため、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの伸び量が大きくなったり、熱変形による反りが発生したりするおそれがある。そのため、複数の上部均熱板３４ａ同士の間には隙間を設けることが好ましい。複数の下部均熱板３４ｂ同士の間には隙間を設けることが好ましい。これらの隙間は、加熱温度、複数の上部均熱板３４ａが並ぶ方向における上部均熱板３４ａの寸法、複数の下部均熱板３４ｂが並ぶ方向における下部均熱板３４ｂの寸法、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの材料などにより適宜決定することができる。例えば、所定の最高加熱温度において、複数の上部均熱板３４ａ同士の間、および複数の下部均熱板３４ｂ同士の間に、それぞれ１ｍｍ〜２ｍｍ程度の隙間が生じるようにすることができる。この様にすれば、加熱時に、複数の上部均熱板３４ａ同士が干渉したり、複数の下部均熱板３４ｂ同士が干渉したりするのを抑制することができる。

なお、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂは、複数のヒータ３２ａが並ぶ方向に並べて設けられているものとして説明したが、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。この場合、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの少なくとも一方は、フレーム３１の両端に最も近い一対の均熱板支持部３５によって支持されることになる。
なお、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの少なくとも一方を、単一の板状部材とする場合であっても、上部均熱板３４ａ（または下部均熱板３４ｂ）の図１における端部の付近には、チャンバ１０の内壁と反射板３６との間の空間と、処理室３０ａ、３０ｂとがつながる隙間が設けられている。
上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを単一の板状部材とした場合であっても、複数のヒータ３２ａから放射された熱は、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに入射し、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００に不均一な温度分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成された有機膜の品質を向上させることができる。すなわち、本実施の形態に係る有機膜形成装置１によれば有機材料と溶媒を含む溶液が塗布された基板を均一に加熱し、基板面内均一に有機膜を形成することができる。

複数の均熱板支持部３５（上部均熱板支持部）は、複数の上部均熱板３４ａが並ぶ方向に並べて設けられている。均熱板支持部３５は、複数の上部均熱板３４ａが並ぶ方向において、上部均熱板３４ａ同士の間の直下に設けることができる。
複数の均熱板支持部３５は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ３２ｂに固定することができる。一対の均熱板支持部３５は、上部均熱板３４ａの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板３４ｂを支持する複数の均熱板支持部（下部均熱板支持部）も同様の構成を有するものとすることができる。

上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが、ネジなどの締結部材を用いて固定されていると、熱膨張により上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが変形することになる。上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが変形すると、上部均熱板３４ａとワーク１００との間の距離、および下部均熱板３４ｂとワーク１００との間の距離が局所的に変化して、ワーク１００に不均一な温度分布が生じるおそれがある。
一対の均熱板支持部３５により、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが変形するのを抑制することができる。

ここで、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱して有機膜を形成する際には、１００℃〜６００℃程度の極めて高い温度での処理が必要となる場合がある。
この様な場合に、基板に向けて放射された熱が、加熱を行う処理領域３０ａ、３０ｂの外部に放出されると蓄熱効率が悪くなる。蓄熱効率が悪くなると、処理領域３０ａ、３０ｂの外部に放出される熱を補うために、処理に必要となる温度以上の加熱を行う必要が生じ、ヒータ３２ａに印加する電力が増大することになる。また、急激な温度上昇を必要とする処理の場合、所望の温度上昇が得られない可能性がある。

前述したように、チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力は減圧されている。すなわち、チャンバ１０の内壁と処理部３０との間は断熱されている。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂから外部に放出される熱を抑制することができる。
しかしながら、断熱効果をさらに高めれば、蓄熱効率をさらに向上させることができる。

そこで、本実施の形態に係る有機膜形成装置１には、反射板３６が設けられている。
図２は、反射板３６の取り付けを例示するための模式図である。
なお、図２は、有機膜形成装置１を開閉扉１３側から見た場合の模式図である。
図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面図である。
図２に示すように、反射板３６は、板状を呈し、フレーム３１の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、反射板３６によりフレーム３１の内部が覆われている。ただし、図３に示すように、開閉扉１３側の反射板３６と側部均熱板３４ｄは、例えば、開閉扉１３に設けることができる。
また、図２に示すように、フレーム３１の上面および底面に均熱板３４ｅをさらに設けることもできる。均熱板３４ｅの形態、材料、作用、効果などは、前述した側部均熱板３４ｃ、３４ｄと同様とすることができる。

図２および図３に示すように、均熱部３４によって囲まれた処理領域３０ａ、３０ｂは、反射板３６によってさらに囲まれている。
前述した上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材は、ヒータ３２ａ側から入射した熱を、処理領域３０ａ、３０ｂ側に放射する機能を有する。
一方、反射板３６は、ヒータ３２ａ側から入射した熱を、処理領域３０ａ、３０ｂ側に反射する機能を有する。
ヒータ３２ａ側から入射した熱が、均熱部３４によって面方向に伝搬しながら、処理領域３０ａ、３０ｂ側に放射されることで、均熱板３４ａおよび均熱板３４ｂによって仕切られた領域（処理領域３０ａ、３０ｂ）におけるワーク１００の両主面の熱の分布が均一になる。
また、ヒータ３２ａ側から入射した熱が、反射板３６によって面方向に伝搬しながら、均熱板３４ａおよび均熱板３４ｂによって仕切られた領域（処理領域３０ａ、３０ｂ）に反射されるので、処理領域３０ａ、３０ｂにおけるワーク１００の両主面側に反射される熱の分布も均一にすることができる。
これにより、処理領域３０ａ、３０ｂにおけるワーク１００の両主面の熱の分布の均一性を保ちつつ蓄熱性を向上させることができる。その結果、ワーク１００に不均一な温度分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成された有機膜の品質を向上させることができる。
またさらに、図２に示すように、側部均熱板３４ｄを設けて処理領域３０ａ、３０ｂの側部も均熱部３４で囲うことで、処理領域３０ａ、３０ｂにおける熱の分布がさらに均一になる。
上記の構造を備える有機膜形成装置１は、チャンバ１０と反射板３６で囲まれる処理部３０（処理領域３０ａ、３０ｂ）とによる二重構造を有するとともに、処理部３０に上部加熱部と下部加熱部を設けることによってワーク１００の両面側から加熱を行う。さらに、上部均熱板３４ａと下部均熱板３４ｂは、ヒータ３２ａと離隔して設けられているため、上部均熱板３４ａとヒータ３２ａとの間の空間、または下部均熱板３４ａとヒータ３２ａとの間の空間を介して上部加熱部と下部加熱部からの熱をワーク１００に対して放射させることができる。そのため、複数のヒータ３２ａが所定の間隔を空けて並べて設けられたとしても、前述した空間において、ヒータ３２ａから放射された熱が均され、上部均熱板３４ａと下部均熱板３４ｂに伝わり、均一にワーク１００に放射することができる。また、上部均熱板３４ａと下部均熱板３４ｂ、側部均熱板３４ｄによって処理領域３０ａ、３０ｂを全方位囲んでいるため、熱が放出しやすいワーク１００の外周部分も中央部分と同様に加熱することができ、ワーク１００の全面の温度分布を均一にすることができる。
そして、ヒータ３２ａ側から入射した熱が、反射板３６によって面方向に伝搬しながら、均熱部３４に囲まれた領域に反射されるので、処理領域３０ａ、３０ｂ側に反射される熱の分布もさらに均一にすることができる。
これにより、処理領域３０ａ、３０ｂにおける熱の分布の均一性を保ちつつ蓄熱性をさらに向上させることができる。
上記の構成により、有機材料と溶媒を含む溶液が塗布された基板に対して熱損失が少なく蓄熱効率の高い加熱を行い、面内均一な膜質の有機膜を形成することができる。
またさらに、図２に示すように、フレーム３１の上面および底面に均熱板３４ｅを設ければ、フレーム３１の上面側および底面側に設けられた加熱部３２の内部空間における熱の分布が均一になる。また、加熱部３２の内部空間における熱の分布を均一にした上で均熱板３４ｅの外側に反射板３６を設けることで、反射板３６によって反射される熱の分布も均一にすることができる。

反射板３６の端部は、フレーム３１、開閉扉１３、および蓋１５に取り付けることができる。
反射板３６は処理領域３０ａ、３０ｂを囲っているが、フレーム３１の上面、底面、および側面の境目や開閉扉１３の付近には、チャンバ１０の内壁と反射板３６との間の空間と、処理領域３０ａ、３０ｂとがつながる隙間が設けられている。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂの内部の圧力が、チャンバ１０の内壁と反射板３６との間の空間の圧力と同じになるようにすることができる。

反射板３６の材料には特に限定はないが、耐熱性と耐食性を有する材料とすることが好ましい。例えば、反射板３６の材料は、上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材の材料と同じとすることができる。例えば、反射板３６の材料は、アルミニウム、銅、およびステンレスの少なくともいずれかを含むものとすることができる。
また、前述した上部均熱板３４ａなどの場合と同様に、反射板３６が銅やアルミニウムなどを含む場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、反射板３６が銅を含む場合には、ニッケルを含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、銅を含む反射板３６の表面をニッケルメッキすることができる。反射板３６がアルミニウムを含む場合には、酸化アルミニウムを含む層を表面に設けることが好ましい。例えば、アルミニウムを含む反射板３６の表面をアルマイト処理することができる。

加熱の際に、反射板３６の温度が３００℃以下となる場合には、アルミニウムを含む反射板３６を用いることができる。
加熱の際に、反射板３６の温度が５００℃以上となる場合には、ステンレスを含む反射板３６とするか、銅を含み表面にニッケルを含む層を有する反射板３６とすることが好ましい。この場合、ステンレスを含む反射板３６とすれば、汎用性やメンテナンス性などを向上させることができる。

ここで、前述したように、上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材は、ヒータ３２ａ側から入射した熱を、ヒータ３２ａ側とは反対側（処理領域３０ａ、３０ｂ側）に放射する機能を有する。
一方、反射板３６は、ヒータ３２ａ側から入射した熱を、ヒータ３２ａ側（処理領域３０ａ、３０ｂ側）に反射する機能を有する。
そのため、上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材のヒータ３２ａ側の面は、ヒータ３２ａからの熱入射に対して、反射率よりも放射率（吸収率）が高くなっている。
また、反射板３６のヒータ３２ａ側の面は、ヒータ３２ａからの熱入射に対して、放射率（吸収率）よりも反射率が高くなっている。
すなわち、耐熱性と耐食性の観点から、反射板３６の材料が上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材の材料と同じとなったとしても、反射板３６のヒータ３２ａ（第１のヒータおよび第２のヒータ）側の面の反射率は、均熱部３４を構成する部材のヒータ３２ａ（第１のヒータおよび第２のヒータ）側の面の反射率よりも高くなる。なお、均熱部３４を構成する部材のヒータ３２ａ側の面の放射率は、反射板３６のヒータ３２ａ側の面の放射率よりも高くなる。この場合、反射率を高くすれば、放射率は低くなる。

反射率を高くするには、例えば、反射板３６の、ヒータ３２ａ側の面の表面粗さが小さくなるようにすることができる。例えば、反射板３６の、ヒータ３２ａ側の面を鏡面加工したり、バフ研磨したりすることができる。例えば、反射板３６は、♯３２０以上のステンレス板から形成することができる。
一方、上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材の、処理領域３０ａ、３０ｂ側の面は、鏡面加工やバフ研磨などを施さない方が好ましい。例えば、上部均熱板３４ａなどの均熱部３４を構成する部材は、冷間圧延したステンレス板から形成することができる。

反射板３６の厚みは、自重による撓みや、熱による変形をある程度抑制することができるのであれば特に限定はない。反射板３６の厚みは、例えば、０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度とすることができる。

反射板３６は、ネジなどの締結部材を用いてフレーム３１や開閉扉１３に固定することができる。この場合、反射板３６とフレーム３１との接触面積、および、反射板３６と開閉扉１３との接触面積を小さくすれば、熱伝導による放熱を抑制することができる。これにより断熱効果がさらに高まり、蓄熱効率をさらに向上させることができる。
例えば、反射板３６とフレーム３１との間、および、反射板３６と開閉扉１３との間に断面の小さい部材を設けるようにすることができる。
図４は、反射板３６の取り付けを例示するための模式図である。
図４に示すように、反射板３６は、スペーサ３７を介して、フレーム３１，開閉扉１３，蓋１５に固定することができる。スペーサ３７は、厚み方向を貫通する孔を有するものとすることができる。スペーサ３７は、例えば、円環状を呈するものとすることができる。反射板３６に設けられた孔およびスペーサ３７に設けられた孔に挿入されたボルトを、フレーム３１や開閉扉１３に設けられた雌ネジにねじ込むことで、反射板３６をフレーム３１や開閉扉１３に固定することができる。

スペーサ３７の材料には特に限定はないが、耐熱性と耐食性を有する材料とすることが好ましい。例えば、スペーサ３７の材料は、ステンレスやセラミックスなどとすることができる。この場合、スペーサ３７は、熱伝導率の低い材料から形成することが好ましい。熱伝導率の低い材料は、例えば、セラミックスとすることができる。この場合、セラミックスの中でも２０℃における熱伝導率が３２Ｗ/（ｍ・ｋ）以下の材料とすることが好ましい。セラミックスは、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、ジル
コニア（ＺｒＯ２）などとすることができる。

前述したように、チャンバ１０の内圧は１０Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａ程度にまで減圧される。そのため、反射板３６とチャンバ１０の内壁との間は、輻射により熱が伝わることになる。
輻射による放熱を低減させるためには、複数の反射板３６を、厚み方向に間隔を空けて並べるようにすればよい。この場合、ｎ枚の反射板３６を設ければ、輻射による放熱を１／（ｎ＋１）にすることができる。例えば、２枚の反射板３６を、厚み方向に間隔を空けて並べれば、輻射による放熱を１／３にすることができる。

図５は、他の実施形態に係る反射板３６の取り付けを例示するための模式図である。
なお、図５は、有機膜形成装置１を開閉扉１３側から見た場合の模式図である。
図６は、図５におけるＢ−Ｂ線断面図である。
図７（ａ）、（ｂ）は、２枚の反射板３６の取り付けを例示するための模式図である。
図５および図６に示すように、２枚の反射板３６が、フレーム３１の上面、底面、および側面に取り付けられている。２枚の反射板３６は、反射板３６の厚み方向に間隔を空けて取り付けられている。なお、他の構成は、図２および図３に例示をしたものと同様である。
図７（ａ）に示すように、図４に例示をしたものと同様に、反射板３６は、スペーサ３７を介して、フレーム３１，開閉扉１３，蓋１５に固定することができる。また、反射板３６と反射板３６との間にもスペーサ３７を設けることができる。この様にすれば、２枚の反射板３６を、厚み方向に間隔を空けて並べることができる。スペーサ３７の厚み、数、配置などには特に限定がない。この場合、反射板３６とフレーム３１との間、反射板３６と開閉扉１３との間、反射板３６と反射板３６との間において、熱変形や自重などによりそれぞれが接触しなければよい。スペーサ３７の厚み、数、配置などは、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。

図７（ｂ）に示すように、互いに平行な溝が形成された支持部材３８をフレーム３１や開閉扉１３に設け、支持部材３８の溝に反射板３６を挿入することもできる。支持部材３８の材料には特に限定はないが、耐熱性と耐食性を有する材料とすることが好ましい。例えば、支持部材３８の材料は、ステンレスやセラミックスなどとすることができる。この場合、スペーサ３７の場合と同様に、支持部材３８は熱伝導率の低い材料から形成することが好ましい。熱伝導率の低い材料は、スペーサ３７の場合と同様とすることができる。
支持部材３８の溝のピッチには特に限定がない。この場合、反射板３６とフレーム３１との間、反射板３６と開閉扉１３との間、反射板３６と反射板３６との間において、熱変形や自重などによりそれぞれが接触しなければよい。支持部材３８の溝のピッチは、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。
なお、図５、図６、図７（ａ）、（ｂ）においては、２枚の反射板３６が取り付けられる場合を例示したが、３枚以上の反射板３６が取り付けられる場合も同様である。

図８は、他の実施形態に係る均熱部３４ｆを例示するための模式図である。
なお、図８は、有機膜形成装置１を開閉扉１３側から見た場合の模式図である。
図９は、図８におけるＣ−Ｃ線断面図である。
図１０は、均熱部３４ｆの模式斜視図である。
図８〜図１０に示すように、均熱部３４ｆは箱状を呈している。均熱部３４ｆにおいては、上部均熱板３４ａ、下部均熱板３４ｂが、側部均熱板３４ｃ、および側部均熱板３４ｄに接触して接続されている。すなわち、上部均熱板３４ａ、下部均熱板３４ｂ、側部均熱板３４ｃ、および側部均熱板３４ｄが一体化されたものとすることができる。
図１０に示すように、均熱部３４ｆは、上面、底面、および３方向の側面が閉塞され、開閉扉１３側の側面３４ｆａが開口した箱状となっている。また、底面には、ワーク支持部３３が挿入される孔３４ｆｂが設けられている。

図８に示すように、均熱部３４ｆはフレーム３１の内部に設けられている。均熱部３４ｆは、支持部材３４ｆ１を介して、ホルダ３２ｂやフレーム３１に取り付けることができる。均熱部３４ｆと複数のヒータ３２ａとの間には隙間が設けられている。均熱部３４ｆの底面および上面は、複数のヒータ３２ａから離隔している。すなわち、均熱部３４ｆの下側表面と複数のヒータ３２ａの上側表面との間には隙間が設けられている。均熱部３４ｆの上側表面と複数のヒータ３２ａの下側表面との間には隙間が設けられている。

均熱部３４ｆがフレーム３１の内部に配置された後、均熱部３４ｆの底面の孔３４ｆｂにワーク支持部材３３が挿入される。ワーク支持部材３３の上にはワーク１００が載置される。均熱部３４ｆの内部空間は、ワーク１００が処理される処理領域３０ａ、または処理領域３０ｂとなる。図９に示すように、開閉扉１３側の側面３４ｆａに対応する側部均熱板３４ｄは開閉扉１３に設けられている。開閉扉１３を閉めたときに、開口した側面３４ｆａが側部均熱板３４ｄによって覆われる。これにより、処理領域３０ａ、３０ｂは、上部均熱板３４ａ、下部均熱板３４ｂ、側部均熱板３４ｃ、および、側部均熱板３４ｄにより全方位を囲まれる。
上部均熱板３４ａ、下部均熱板３４ｂ、側部均熱板３４ｃ、および側部均熱板３４ｄを一体化した均熱部３４ｆとすれば、各々の面の境界に隙間がなくなるので、隙間から処理領域３０ａ、３０ｂの外部へ放出される熱を少なくすることができる。そのため、均一的にワーク１００を加熱することができる。また、均熱部３４ｆによって処理領域３０ａ、３０ｂが区画されるため、ヒータ３２ａの形状にかかわらず、処理領域３０ａ、３０ｂにおける均熱化を図ることができる。すなわち、均熱部３４ｆとすれば、ワーク１００を均一に加熱するのが容易となる。

また、図８および図９に示すように、均熱部３４ｆの外側を反射板３６によりさらに囲っているので、前述した反射板３６の場合と同様に、蓄熱効率をも向上させることができる。
またさらに、均熱部３４ｆは、側面、底面、および上面を構成する分割された板材からなるものではないので、洗浄などのメンテナンスを行う際には均熱部３４ｆを一体として取り出すことができる。そのため、メンテナンス性を向上させることができる。この場合、例えば、フレーム３１の側部に、Ｙ方向に延在するガイドレールを設け、均熱部３４ｆの側面にガイドレールに適合する移動部（例えば、車輪）を設けることができる。この様にすれば、均熱部３４ｆの取り出しが容易となる。
なお、均熱部３４ｆは側面、底面、上面が一体化しているが、開口された側面３４ｆａと、開閉扉１３に設けられた側部均熱板３４ｄの間には隙間が設けられている。そのため、本実施形態の場合でも処理領域３０ａ、３０ｂの内部の圧力が、チャンバ１０の内壁と反射板３６との間の空間の圧力と同じになるようにすることができる。

図１１（ａ）〜（ｇ）は、他の実施形態に係る反射板３６を例示するための模式図である。なお、図１１（ａ）は、１枚の反射板３６を平面視した模式図とそのＡ−Ａ線断面図である。図１１（ｂ）〜（ｇ）は、図１１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。図１１（ｂ）は反射板３６の変形例、図１１（ｃ）、（ｄ）は、２枚の反射板３６を取り付ける場合の変形例、図１１（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）は３枚の反射板３６を取り付ける場合の変形例である。
前述の実施の形態においては、反射板３６が平面である場合を例示したが、本実施の形態のように、反射板３６の表面には、線状の凹部または凸部の少なくともいずれかが形成されていてもよい（図１１（ａ）を参照）。凹部または凸部は、混在して形成されていてもよい（図１１（ｂ）を参照）。本実施の形態では、断面がＶ字形状を有する凹部または凸部であり、反射板３６の板面からの段差を２〜１０ｍｍ程度とすることができる。また、複数の反射板３６を設ける場合、複数の反射板３６同士の間隔は２〜１０ｍｍとすることができる。また、線状の凹部または凸部は反射板３６に撓みが生じる方向に沿って設けることができる。これにより、線状の凹部または凸部が支持梁の役割を果たし、反射板３６に撓みが生じるのを抑制することができる。その結果、隣接する均熱板等の他の部材、あるいは、反射板３６を複数設けた場合に隣接する他の反射板３６に接触することを抑制することができ、接触部分からの熱伝導によって熱分布が不均一になるのを避けることができる。
前述の実施の形態において、反射板３６は両端を固定されているが、固定されている両端から反射板３６の中心に向かって面内高さが変位するように反射板３６の撓みが生じやすい。したがって、「撓みが生じる方向」とは反射板３６が固定されている両端を結ぶ方向であり、両端を結ぶように線状の凹部または凸部を設けるようにすると撓みを抑制することができる。なお、本実施の形態においては、反射板３６を前述の実施の形態の有機膜形成装置１に設けたときに、反射板３６における処理領域３０ａ、３０ｂ側の面が溝となっている部分を凹部、反射板３６における処理領域３０ａ、３０ｂ側の面が突出している部分を凸部としている。
さらに前述の実施の形態において、複数の反射板３６が間隔を有して配置されているとき、位置を異ならせるように線状の凹部または凸部を設けることができる（図１１（ｃ）を参照）。また、複数の反射板３６が間隔を有して配置されているとき、同じ方向に変位する凹部または凸部を設けることができる（図１１（ｄ）を参照）。図１１（ｃ）、図１１（ｄ）のようにすれば、複数の反射板３６を接近させても、互いの凸部または凹部に接触しないようにすることが可能である。
また、複数の反射板３６のうち、いずれか一つに線状の凹部または凸部を形成してもよい（図１１（ｅ）、（ｆ）を参照）。また、複数の反射板３６のうち、いずれか一つに凹部または凸部が混在して形成されていてもよい（図１１（ｇ）を参照）。
なお、線状の凹部または凸部は、凹部または凸部が反射板３６において延びる方向と直交する方向の断面がＶ字形状を有するもの、曲面を有するもの、四角形や多角形形状を有するものなどが考えられる。特に断面がＶ字形状を有するものであれば、反射板３６を複数設け、隣接する反射板３６同士が接触する場合であっても、Ｖ字の突出部分のみ接触するため面接触することがなく、接触面積を小さくすることができる。そのため、接触部分からの熱伝導によって熱分布が不均一になるのを抑制することができる。

図１２は、他の実施形態に係る反射板３６を例示するための模式図である。
前述の実施の形態において、複数の反射板３６はスペーサ３７を介して固定されるものとしたが、エンボス加工によって複数の反射板３６を互いに固定してもよい（図１２を参照）。この場合、複数の反射板３６を点接触によって固定することができ接触面積が減るので、隣接する反射板３６からの熱伝導によって熱分布が不均一になるのを避けることができる。また複数の反射板３６を保持するスペーサ３７等の固定部材が不要となるので、部品点数を少なくすることができる。

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
例えば、前述の実施の形態においては、反射板３６をフレーム３１の外側（チャンバ１０の内壁側）に取り付けるようにしたが、反射板３６はチャンバ１０の内壁と処理領域３０ａ、３０ｂの間に設けられていればよい。この場合、フレーム３１の上面側、底面側、および側面側に設けられる反射板３６は、フレーム３１に取り付けるのではなく、チャンバ１０の内壁面に取り付けることもできる。また、例えば、フレーム３１の側面側に設けられる反射板３６は、フレーム３１の内側（処理領域３０ａ、３０ｂ側）に設けることもできる。この場合、フレーム３１の内側であって、側部均熱板３４ｃの外側に反射板３６を設けることができる。
また、前述の実施の形態においては、反射板３６が単一の板材からなる場合を例示したが、反射板３６は、例えば、複数の分割された板材からなるものとしてもよい。この場合、複数の分割された板材のそれぞれの端部は、フレーム３１または開閉扉１３に取り付けることができる。
また、前述の実施の形態においては、有機膜形成装置１においてチャンバ１０の外壁に冷却部１６を設けるものとしたが、チャンバ１０の外壁温度と外気との温度差が少なければ適宜省略し、空冷によってチャンバ１０の外壁を冷却してもよい。
また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、有機膜形成装置１の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１ 有機膜形成装置、１０ チャンバ、２０ 排気部、３０ 処理部、３０ａ 処理領域、３０ｂ 処理領域、３１ フレーム、３２ 加熱部、３２ａ ヒータ、３３ ワーク支持部、３４ 均熱部、３４ａ 上部均熱板、３４ｂ 下部均熱板、３４ｃ 側部均熱板、３４ｄ 側部均熱板、３５ 均熱板支持部、３６ 反射板、３７ スペーサ、３８ 支持部材、４０ 制御部、１００ ワーク

Claims (8)

1. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられた、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、
   前記チャンバの内部に設けられた、少なくとも１つの第２のヒータを有し、前記第１の加熱部と対向する第２の加熱部と、
   前記第１の加熱部と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、
   前記第１の均熱板と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、
   前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、の間であって、基板と、前記基板の上面に塗布された有機材料と溶媒とを含む溶液と、を有するワークが支持される処理領域と、
   前記チャンバの内部に設けられ、前記第１の加熱部、前記第２の加熱部、前記第１の均熱板、前記第２の均熱板、および、前記処理領域が含まれる領域を囲む第１の反射板と、
   前記チャンバの内部に設けられた直方体の外観形状のフレームと、
   を備え、
   前記第１の反射板は、複数の板状の部材であり、
   前記第１の反射板は、前記チャンバの内壁との間に空間を有した状態で、前記フレームの外観形状における少なくとも１つの側面に設けられ、
   前記第１の均熱板および前記第２の均熱板は、前記第１のヒータおよび前記第２のヒータから入射した熱を前記処理領域側に放射し、前記第１の反射板は前記第１のヒータおよび前記第２のヒータから入射した熱を前記処理領域側に反射する有機膜形成装置。
2. 前記第１の反射板は、前記フレームの、上面、底面および対向する側面に設けられている請求項１記載の有機膜形成装置。
3. 前記複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられ、
   前記第１の加熱部は、下側の処理領域に対しては上部加熱部として機能し、上側の処理領域に対しては下部加熱部として機能する請求項１または２に記載の有機膜形成装置。
4. 前記処理領域の側部に設けられた側部均熱板をさらに備え、
   前記処理領域は、前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、前記側部均熱板とで囲まれ、
   前記第１の反射板は、前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、前記側部均熱板とで囲まれた領域をさらに囲む請求項１〜３のいずれか１つに記載の有機膜形成装置。
5. 前記第１の均熱板および前記第２の均熱板が、前記側部均熱板に接触して接続された請求項４に記載の有機膜形成装置。
6. 前記第１の均熱板の前記第１のヒータ側の面、および前記第２の均熱板の前記第２のヒータ側の面の放射率は、前記第１の反射板の前記第１のヒータ側の面、および前記第１の反射板の前記第２のヒータ側の面の放射率よりも高く、
   前記第１の反射板の前記第１のヒータ側の面、および前記第１の反射板の前記第２のヒータ側の面の反射率は、前記第１の均熱板の前記第１のヒータ側の面、および前記第２の均熱板の前記第２のヒータ側の面の反射率よりも高い請求項１〜５のいずれか１つに記載の有機膜形成装置。
7. 前記第１の反射板と、前記チャンバの内壁と、の間に、前記第１の反射板と所定の間隔をあけて設けられた第２の反射板をさらに備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機膜形成装置。
8. 前記第１の反射板および前記第２の反射板には撓みが生じる方向に沿って線状の凹部または凸部が設けられ、前記第１の反射板の前記凹部または凸部と前記第２の反射板の前記凹部または凸部の位置を異ならせるように設けることを特徴とする請求項７に記載の有機膜形成装置。

Images