TWI802205B - 加熱處理裝置 - Google Patents

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TWI802205B TW111100456A TW111100456A TWI802205B TW I802205 B TWI802205 B TW I802205B TW 111100456 A TW111100456 A TW 111100456A TW 111100456 A TW111100456 A TW 111100456A TW I802205 B TWI802205 B TW I802205B
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Abstract

本發明提供一種加熱處理裝置，可實現由附著於腔室內壁的固體所致的保養的減輕。實施方式的加熱處理裝置包括：腔室，可維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；排氣部，可經由設於所述腔室的排氣口將所述腔室的內部排氣；支撐部，設於所述腔室的內部，可支撐工件；第一加熱部，設於所述腔室的內部，可將所述工件加熱；防附著板，可裝卸地設於所述腔室的內壁；以及第二加熱部，可將所述防附著板加熱。

Description

加熱處理裝置
本發明是有關於一種加熱處理裝置。
存在下述加熱處理裝置，即包括：腔室（chamber），可維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；以及加熱器，將設置於腔室內部的工件（work）加熱。此種加熱處理裝置藉由將工件加熱從而在工件的表面形成膜等，或對工件的表面進行處理。
此處，在加熱工件時，有時工件的表面所含的物質氣化。所述氣化的物質有時成為固體，附著於溫度較經加熱的工件更低的腔室的內壁。附著於腔室內壁的固體若從腔室的內壁剝落，則有時成為顆粒而附著於工件的表面。
因此，必須定期或視需要進行將附著於腔室內壁的固體除去的保養（maintenance）。保養期間中，無法進行工件的加熱處理。 因此，若保養的時間變長或保養的次數變多，則生產性大幅度地降低。
但是，所述技術中，工件的生產中必須將腔室的內壁一直加熱。即，在進行無需將工件加熱的處理時，也必須將腔室的內壁加熱。例如，對加熱處理裝置搬入、搬出工件的處理等相當於所述處理。因此，工件生產所需要的電力量增大。 而且，若將腔室加熱，則有可能作業者難以接近加熱處理裝置，或者處於加熱處理裝置周圍的元件或裝置等被加熱。 因此，期望開發出下述加熱處理裝置，即：可實現由附著於腔室內壁的固體所致的保養的減輕。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2018-169050號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明所要解決的問題在於提供一種加熱處理裝置，可實現由附著於腔室內壁的固體所致的保養的減輕。 [解決課題之手段]
實施方式的加熱處理裝置包括：腔室，可維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；排氣部，可經由設於所述腔室的排氣口將所述腔室的內部排氣；支撐部，設於所述腔室的內部，可支撐工件；第一加熱部，設於所述腔室的內部，可將所述工件加熱；防附著板，可裝卸地設於所述腔室的內壁；以及第二加熱部，可將所述防附著板加熱。 [發明的效果]
根據本發明的實施方式，可提供一種加熱處理裝置，可實現由附著於腔室內壁的固體所致的保養的減輕。
以下，一邊參照圖式一邊對實施方式進行例示。此外，各圖式中，對相同的結構元件標注相同符號，適當省略詳細的說明。
以下，作為一例，對下述加熱處理裝置進行說明，即：在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將工件加熱，在工件的表面形成有機膜。但是，本發明不限定於此。例如，本發明也可適用於下述加熱處理裝置，即：在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將工件加熱，在工件的表面形成無機膜等。或者，本發明也可適用於下述加熱處理裝置，即：在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將工件加熱，對工件的表面進行處理。 而且，加熱前的工件例如可具有基板、及設於基板的上表面的溶液，也可僅為基板。以下，作為一例，對加熱前的工件具有基板、及設於基板的上表面且包含有機材料及溶劑的溶液的情況進行說明。此外，溶液中，也包含將溶液暫時煆燒而為半硬化狀態（不流動狀態）的溶液。
圖1為用於例示本實施方式的加熱處理裝置1的示意截面圖。 此外，圖1中的X方向、Y方向及Z方向表示互相正交的三個方向。本說明書中的上下方向可設為Z方向。
基板例如可設為玻璃基板或半導體晶片等。但是，基板不限定於例示。 溶液例如包含有機材料及溶劑。有機材料只要可由溶劑溶解，則並無特別限定。溶液例如可設為包含聚醯胺酸的清漆等。但是，溶液不限定於例示。 此外，將加熱工件100（此工件100塗布有包含有機材料及溶劑的溶液）時氣化的物質稱為“氣化的物質”。而且，將來源於氣化的物質的固體稱為“附著於腔室的內壁的固體”、或“氣化的物質所形成的固體”。
如圖1所示，在加熱處理裝置1，例如設有腔室10、排氣部20、處理部30、冷卻部40、防附著部50、再氣化物質排出部60及控制器70。
腔室10具有氣密結構，可維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境。腔室10呈箱狀。腔室10的外觀形狀並無特別限定。腔室10的外觀形狀例如可設為長方體。腔室10例如可由不銹鋼等金屬形成。
在Y方向，腔室10的其中一個端部開口。腔室10的開口例如是為了進行工件100的搬入及搬出而設置。腔室10的開口可由未圖示的開閉門進行開閉。由未圖示的驅動裝置將開閉門按壓於腔室10。其結果為，利用開閉門以腔室10的開口氣密的方式封閉。藉由未圖示的驅動裝置，開閉門離開腔室10。其結果為，可經由腔室10的開口進行工件100的搬入或搬出。
而且，可在Y方向使腔室10的另一個端部也開口。腔室10的另一個端部的開口可設為能由未圖示的蓋進行開閉。蓋例如可經由O環等密封材料螺固於腔室10的另一個端部。若腔室10的另一個端部開口，則例如可從腔室10的另一個端部側進行保養等作業。
可在腔室10的外壁設置冷卻部11。對於冷卻部11，連接有未圖示的冷卻水供給部。冷卻部11例如可設為水套（Water Jacket）。若設有冷卻部11，則可抑制腔室10的外壁溫度變得高於規定的溫度。
排氣部20將腔室10的內部排氣。排氣部20例如具有第一排氣部21、第二排氣部22及第三排氣部23。 第一排氣部21例如連接於排氣口12，此排氣口12設於腔室10的頂棚面。第一排氣部21經由設於腔室10的排氣口12將腔室10的內部排氣。
第一排氣部21例如具有排氣泵21a及壓力控制部21b。 排氣泵21a可設為從大氣壓進行粗抽排氣至規定壓力的排氣泵。因此，排氣泵21a相較於後述的排氣泵22a而排氣量更多。排氣泵21a例如可設為幹式真空泵等。
壓力控制部21b設於排氣口12與排氣泵21a之間。壓力控制部21b基於檢測腔室10的內壓的未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部21b例如可設為自動壓力控制器（Auto Pressure Controller，APC）等。
第二排氣部22例如連接於排氣口13，此排氣口13設於腔室10的頂棚面。第二排氣部22經由設於腔室10的排氣口13將腔室10的內部排氣。
第二排氣部22例如具有排氣泵22a及壓力控制部22b。 排氣泵22a在利用排氣泵21a進行粗抽排氣後，排氣至更低的規定壓力。排氣泵22a例如具有可排氣至高真空的分子流區域為止的排氣能力。例如，排氣泵22a可設為渦輪分子泵（Turbo Molecular Pump，TMP）等。
壓力控制部22b設於排氣口13與排氣泵22a之間。壓力控制部22b基於檢測腔室10的內壓的未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部22b例如可設為APC等。
第三排氣部23連接於排氣口12與第一排氣部21的壓力控制部21b之間。第三排氣部23連接於工廠的排氣系統。第三排氣部23例如可設為不銹鋼等的配管。第三排氣部在排氣口12與工廠的排氣系統之間設有閥25。第三排氣部也可在閥25與工廠的排氣系統之間具有風扇（fan）等送風機。若第三排氣部具有送風機，則可將腔室10內的氣體強制排出。
此外，以上例示了排氣口12及排氣口13設於腔室10的頂棚面的情況，但不限定於此。排氣口12及排氣口13例如可設於腔室10的底面。若排氣口12及排氣口13形成於腔室10的頂棚面或底面，則可在腔室10的內部形成朝向腔室10的頂棚面或底面的氣流。若形成此種氣流，則容易使包含有機材料的氣化的物質承載於氣流而排出至腔室10的外部。因此，可抑制由氣化的物質引起的異物附著於工件100。
處理部30例如具有框架31、加熱部32（相當於第一加熱部的一例）、支撐部33、均熱部34、均熱板支撐部35及蓋36。 在處理部30的內部，設有處理區域30a及處理區域30b。處理區域30a、處理區域30b成為對工件100實施處理的空間。工件100在處理區域30a、處理區域30b的內部由支撐部33支撐。處理區域30b設於處理區域30a的上方。此外，例示了設有兩個處理區域的情況，但不限定於此。也可僅設有一個處理區域，或也可設有三個以上的處理區域。本實施方式中，作為一例，例示在加熱處理裝置1的內部設有兩個處理區域的情況。但是，在加熱處理裝置1的內部設有一個處理區域、及三個以上的處理區域的情況下，也可同樣地考慮。
處理區域30a、處理區域30b設於加熱部32與加熱部32之間。處理區域30a、處理區域30b由均熱部34（上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d）包圍。
如後述，上部均熱板34a及下部均熱板34b是藉由多個板狀的構件由多個均熱板支撐部35支撐從而形成。因此，處理區域30a與腔室10的內部的空間經由設於上部均熱板34a彼此之間、及下部均熱板34b彼此之間等的間隙而相連。因此，若將腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力減壓，則處理區域30a的內部的空間也減壓。處理區域30b為與處理區域30a相同的結構，因而省略說明。
若腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力經減壓，則可抑制從處理區域30a、處理區域30b向外部釋出的熱。即，可提高加熱效率或蓄熱效率。因此，可使對後述的加熱器32a施加的電力降低。而且，若可使對加熱器32a施加的電力降低，則可抑制加熱器32a的溫度成為規定的溫度以上。其結果為，可延長加熱器32a的壽命。
而且，蓄熱效率提高，因而可使處理區域30a、處理區域30b的溫度迅速上升。因此，也可應對需要急劇的溫度上升的處理。而且，可抑制腔室10的外壁的溫度變得過高。因此，可使冷卻部11簡易。
框架31具有在腔室10內將加熱部32、支撐部33、均熱部34、均熱板支撐部35及蓋36固定的作用。而且，框架31具有將腔室10的內部空間設為腔室10與處理部30的雙層結構的作用。框架31具有包含細長的板材或型鋼等的骨架結構。框架31的外觀形狀並無特別限定。框架31的外觀形狀例如可設為長方體。框架31可經由隔熱材料固定於腔室10。框架31可設為導熱率良好的材料。框架31例如可設為不銹鋼等金屬。
加熱部32設有多個。加熱部32可設於處理區域30a、處理區域30b的下部以及處理區域30a、處理區域30b的上部。設於處理區域30a、處理區域30b的下部的加熱部32成為下部加熱部。設於處理區域30a、處理區域30b的上部的加熱部32成為上部加熱部。下部加熱部與上部加熱部相向。此外，在沿上下方向重疊設有多個處理區域的情況下，設於下側的處理區域的上部加熱部可兼用作設於上側的處理區域的下部加熱部。
加熱部32設於腔室10的內部，將工件100加熱。 例如，處理區域30a中經支撐的工件100的下表面（背面）由設於處理區域30a的下部的加熱部32加熱。處理區域30a中經支撐的工件100的上表面（表面）由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。
處理區域30b中經支撐的工件100的下表面（背面）由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。處理區域30b中經支撐的工件100的上表面（表面）由設於處理區域30b的上部的加熱部32加熱。 若這樣設定，則可減少加熱部32的個數。其結果為，可實現消耗電力的降低、製造成本的降低、省空間化等。
多個加熱部32各自具有至少一個加熱器32a及一對固持器32b。此外，以下對設有多個加熱器32a的情況進行說明。加熱器32a呈棒狀，在一對固持器32b之間沿Y方向延伸。多個加熱器32a可沿X方向排列設置。多個加熱器32a例如可等間隔地設置。加熱器32a例如可設為覆模式加熱器（sheathed heater）、遠紅外線加熱器、遠紅外線燈、陶瓷加熱器、筒形加熱器（cartridge heater）等。而且，也可由石英蓋覆蓋各種加熱器。
此外，本說明書中，也包括經石英蓋覆蓋的各種加熱器而稱為“棒狀的加熱器”。而且，“棒狀”的加熱器的截面形狀並無限定。“棒狀”的加熱器的截面形狀中，例如也包含圓柱狀或棱柱狀等。 而且，加熱器32a不限定於例示。加熱器32a只要可在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將工件100加熱即可。即，加熱器32a只要利用基於放射的熱能即可。
加熱部32中的多個加熱器32a的規格、個數、間隔等可根據要加熱的溶液的組成（將溶液加熱的溫度）、工件100的大小等而適當決定。多個加熱器32a的規格、個數、間隔等可藉由進行模擬或實驗等從而適當決定。
而且，設有多個加熱器32a的空間由固持器32b、上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c及側部均熱板34d所包圍。在上部均熱板34a彼此之間、下部均熱板34b彼此之間設有間隙。但是，所述間隙小。因此，設有多個加熱器32a的空間幾乎成為經封閉的空間。因此，藉由從後述的冷卻部40對設有多個加熱器32a的空間供給冷卻氣體，從而可將多個加熱器32a、上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c及側部均熱板34d冷卻。
此處，若氣化的物質接觸溫度較經加熱的工件100的溫度更低的物品，則氣化的物質被所接觸的物品奪熱。因此，氣化的物質容易冷卻而成為固體。但是，上部均熱板34a及下部均熱板34b由加熱部32加熱。因此，可抑制氣化的物質附著於上部均熱板34a及下部均熱板34b。而且，如上文所述，在腔室10的內部，形成有朝向腔室10的頂棚面（或底面）的氣流。因此，氣化的物質承載於所述氣流而排出至腔室10外。 因此，可抑制氣化的物質附著於工件100。而且，本實施方式的加熱處理裝置1可從工件100的兩面側利用加熱部32將工件100加熱。因此，可抑制處理部30中產生溫度低的部分。因此，可進一步抑制氣化的物質附著於工件100。而且，工件100由加熱部32從工件100的兩側進行加熱，由此工件100的加熱變容易。
一對固持器32b沿X方向（例如處理區域30a、處理區域30b的長邊方向）延伸。一對固持器32b在Y方向彼此相向。其中一個固持器32b固定於框架31的開口側的端部。另一個固持器32b固定於框架31的與開口側為相反側的端部。一對固持器32b例如可使用螺桿等緊固構件固定於框架31。一對固持器32b保持加熱器32a的端部附近的非放熱部。一對固持器32b例如可由細長的金屬板材或型鋼等形成。一對固持器32b的材料並無特別限定，優選設為具有耐熱性及耐蝕性的材料。一對固持器32b的材料例如可設為不銹鋼等。
支撐部33設於腔室10的內部，支撐工件100。例如，支撐部33在上部加熱部與下部加熱部之間支撐工件100。支撐部33可設置多個。多個支撐部33設於處理區域30a的下部及處理區域30b的下部。多個支撐部33可設為棒狀體。
多個支撐部33的其中一個端部（上方的端部）接觸工件100的下表面（背面）。因此，多個支撐部33的其中一個端部的形狀優選設為半球狀等。若多個支撐部33的其中一個端部的形狀為半球狀，則可抑制工件100的下表面產生損傷。而且，可減小工件100的下表面與多個支撐部33的接觸面積。因此，可減少從工件100傳至多個支撐部33的熱。
工件100在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下，由基於放射的熱能進行加熱。因此，從上部加熱部到工件100的上表面為止的距離、及從下部加熱部到工件100的下表面為止的距離成為基於放射的熱能可到達工件100的距離。
多個支撐部33的另一個端部（下方的端部）例如可固定於架設在一對框架31之間的多個棒狀構件或板狀構件等。此時，多個支撐部33優選可裝卸地設於棒狀構件等。若這樣設定，則保養等作業變容易。
多個支撐部33的個數、配置、間隔等可根據工件100的大小或剛性（撓曲）等而適當變更。 多個支撐部33的材料並無特別限定，優選設為具有耐熱性及耐蝕性的材料。多個支撐部33的材料例如可設為不銹鋼等。
均熱部34具有多個上部均熱板34a、多個下部均熱板34b、多個側部均熱板34c及多個側部均熱板34d。多個上部均熱板34a、多個下部均熱板34b、多個側部均熱板34c及多個側部均熱板34d呈板狀。
多個上部均熱板34a在上部加熱部中設於下部加熱部側（工件100側）。多個上部均熱板34a與多個加熱器32a遠離地設置。即，在多個上部均熱板34a的上側表面與多個加熱器32a的下表面之間設有間隙。多個上部均熱板34a沿X方向排列設置。在多個上部均熱板34a彼此之間設有間隙。若設有間隙，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制上部均熱板34a彼此干擾而發生變形。而且，如上文所述，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的空間的壓力減壓。
多個下部均熱板34b在下部加熱部中設於上部加熱部側（工件100側）。多個下部均熱板34b與多個加熱器32a遠離地設置。即，在多個下部均熱板34b的下側表面與多個加熱器32a的上側表面之間設有間隙。多個下部均熱板34b沿X方向排列設置。在多個下部均熱板34b彼此之間設有間隙。若設有間隙，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制下部均熱板34b彼此干擾而發生變形。而且，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的空間的壓力減壓。
側部均熱板34c在X方向分別設於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。側部均熱板34c可設於蓋36的內側。 側部均熱板34d在Y方向分別設於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。
如上文所述，多個加熱器32a呈棒狀，空開規定的間隔排列設置。在加熱器32a為棒狀的情況下，從加熱器32a的中心軸放射狀地放射熱。此時，加熱器32a的中心軸與受加熱的部分之間的距離越短，則受加熱的部分的溫度越變高。因此，在以相對於多個加熱器32a相向的方式保持有工件100的情況下，位於加熱器32a的正上方或正下方的工件100的區域相較於位於多個加熱器32a彼此之間的空間的正上方或正下方的工件100的區域，溫度更高。即，若使用呈棒狀的多個加熱器32a將工件100直接加熱，則經加熱的工件100的面內產生溫度分佈的不均一。
若在工件100的面內產生溫度分佈的不均一，則有可能所形成的有機膜的品質降低。例如，有可能在溫度變高的部分產生泡，或在溫度變高的部分中有機膜的組成變化。
本實施方式的加熱處理裝置1中，設有上文所述的多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b。因此，從多個加熱器32a放射的熱入射至多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b。入射至多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b的熱一邊在這些均熱板的內部沿面方向傳播，一邊向工件100放射。其結果為，可抑制在工件100的面內產生溫度分佈的不均一。其結果為，可提高所形成的有機膜的品質。
多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b使所入射的熱沿面方向傳播。因此，這些均熱板的材料優選設為導熱率高的材料。多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b例如可設為鋁、銅、不銹鋼等。此外，在使用鋁或銅等容易氧化的材料的情況下，優選在表面設置含有不易氧化的材料的層。
從多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b放射的熱的一部分朝向處理區域的側方。因此，在處理區域的側部，設有上文所述的側部均熱板34c、側部均熱板34d。入射至側部均熱板34c、側部均熱板34d的熱在側部均熱板34c、側部均熱板34d的內部沿面方向傳播。此時，入射至側部均熱板34c、側部均熱板34d的熱的一部分向工件100放射。因此，可提高工件100的加熱效率。 側部均熱板34c、側部均熱板34d的材料可設為與上文所述的上部均熱板34a及下部均熱板34b的材料相同。
此外，以上例示了多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b沿X方向排列設置的情況。但是，上部均熱板34a及下部均熱板34b不限定於此。上部均熱板34a及下部均熱板34b的至少一者也可設為單一的板狀構件。
多個均熱板支撐部35沿X方向排列設置。均熱板支撐部35可在X方向設於上部均熱板34a彼此之間的正下方。多個均熱板支撐部35可使用螺桿等緊固構件固定於一對固持器32b。一對均熱板支撐部35裝卸自如地支撐上部均熱板34a的兩端。此外，支撐多個下部均熱板34b的多個均熱板支撐部35也可具有同樣的結構。
若由一對均熱板支撐部35支撐上部均熱板34a及下部均熱板34b，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制上部均熱板34a及下部均熱板34b變形。
蓋36由多個板狀的構件形成。蓋36覆蓋框架31的上表面、底面及側面。即，框架31的內部由蓋36覆蓋。其中，設於對腔室10的開口進行開閉的開閉門側的蓋36例如可固定於開閉門。 蓋36包圍處理區域30a、處理區域30b。但是，在蓋36的框架31的上表面與側面的邊界、框架31的側面與底面的邊界、開閉門的附近，設有間隙。具體而言，在蓋36的設於框架31的上表面的板狀構件與設於框架31的側面的板狀構件之間，設有間隙。在蓋36的設於框架31的側面的板狀構件與設於框架31的底面的板狀構件之間，設有間隙。在蓋36的分別設於框架31的上表面、框架31的側面及框架31的底面的板狀構件與蓋36的設於開閉門的板狀構件之間，設有間隙。
而且，設於框架31的上表面及底面的蓋36的板狀構件經分割為多個。而且，在經分割的板狀構件彼此之間設有間隙。即，處理部30（處理區域30a、處理區域30b）的內部空間經由這些間隙而與腔室10的內部空間連通。因此，可使處理區域30a、處理區域30b的壓力和腔室10的內壁與蓋36之間的空間的壓力相同。蓋36例如可由不銹鋼等形成。
而且，也可與側部均熱板34c及蓋36遠離，在側部均熱板34c與蓋36之間設置至少一個加熱器32a。 而且，若在側部均熱板34c的外側設置至少一個加熱器32a，則可經由側部均熱板34c將工件100加熱。因此，可進一步提高工件100的加熱效率。而且，若在側部均熱板34c的外側設置加熱器32a，則側部均熱板34c及蓋36由設於側部均熱板34c的外側的加熱器32a加熱。因此，可抑制氣化的物質成為固體而附著於側部均熱板34c及蓋36。因此，可實現由附著於腔室10的內壁的固體引起的保養的減輕。
冷卻部40對設有加熱部32的區域供給冷卻氣體。此時，冷卻部40利用冷卻氣體將包圍處理區域30a、處理區域30b的均熱部34冷卻。經冷卻的均熱部34可將處於高溫狀態的工件100間接冷卻。而且，冷卻部40也可對工件100供給冷卻氣體，將處於高溫狀態的工件100直接冷卻。而且，冷卻部40也可將工件100間接及直接冷卻。
冷卻部40具有噴嘴41、氣體源42及氣體控制部43。 在將工件100間接冷卻的情況下，如圖1所示，噴嘴41可連接於設有多個加熱器32a的空間。噴嘴41例如可安裝於側部均熱板34c或框架31等。此時，例如可如圖1所示，在X方向在處理部30的其中一側設置噴嘴41。或者，也可在處理部30的兩側設置噴嘴41。此外，噴嘴41的個數或配置可適當變更。例如，也可排列設置多個噴嘴41。 在將工件100直接冷卻的情況下，噴嘴41可設於處理區域30a、處理區域30b。
氣體源42對噴嘴41供給冷卻氣體。氣體源42例如可設為高壓氣體罐、工廠配管等。而且，氣體源42也可設置多個。
冷卻氣體優選設為不易與經加熱的工件100反應的氣體。冷卻氣體例如可設為氮氣、二氧化碳（CO 2）、稀有氣體等。稀有氣體例如為氬氣或氦氣等。若冷卻氣體為氮氣，則可實現運轉成本的降低。二氧化碳若受加熱，則分解為一氧化碳與氧，因而有可能氧與工件100反應。但是，若工件100的溫度為100℃以下，則二氧化碳的分解得到抑制。因此，若工件100的溫度為100℃以下，則也可使用二氧化碳作為冷卻氣體。氦氣的導熱率高，因而若使用氦氣作為冷卻氣體，則可實現冷卻時間的縮短。 冷卻氣體的溫度例如可設為室溫（例如25℃）以下。
氣體控制部43設於噴嘴41與氣體源42之間。氣體控制部43例如可進行冷卻氣體的供給與停止、或冷卻氣體的流速及流量的至少任一個的控制。
而且，冷卻氣體的供給時機可設為對工件100的加熱處理完成後。此外，所謂加熱處理完成，可設為將形成有機膜的溫度維持規定時間後。 例如，冷卻氣體的供給時機也可設為剛形成有機膜後。或者，也可在使腔室10的內壓回到大氣壓的中途供給冷卻氣體。進而，也可在使腔室10的內壓回到大氣壓後供給冷卻氣體。此時，冷卻氣體也可用作使腔室10的內壓回到大氣壓的通風氣體（vent gas）。
剛形成有機膜後，腔室10的內壓低於大氣壓。即，在腔室10的內部，成為氣體少的狀態。因此，若將冷卻氣體一點一點地供給於處理區域30a、處理區域30b的內部，則成為處理區域30a、處理區域30b內的壓力較腔室10的內部的壓力更高的狀態。將冷卻氣體G一點一點地供給於處理區域30a、處理區域30b的內部，直到腔室10內的壓力成為與大氣壓相同程度為止。藉由這樣設定，從而可抑制下述情況，即：存在於腔室10內的氣化的物質所形成的固體、以及後述的再次氣化的物質等在處理區域30a、處理區域30b的內部飛散。而且，腔室10內的壓力成為與大氣壓相同程度後，使冷卻氣體G的供給量增加。藉由這樣設定，從而可抑制存在於腔室10內的氣化的物質所形成的固體、以及再次氣化的物質等在處理區域30a、處理區域30b的內部飛散，並且將工件100急速且均勻冷卻。
而且，若冷卻氣體的供給時機設為剛形成有機膜後、或使腔室10的內壓回到大氣壓的中途，則可使冷卻時間與回到大氣壓的時間重疊。即，可實現實質上的冷卻時間的縮短。
而且，若冷卻氣體的供給時機為使腔室10的內壓回到大氣壓的中途、或使腔室10的內壓回到大氣壓後，則在腔室10的內部有氣體。因此，可利用基於對流的放熱。
防附著部50將氣化的物質冷卻，將氣化的物質設為固體，使氣化的物質所形成的固體附著於防附著部50自身。藉由這樣設定，從而發揮下述作用，即：防止氣化的物質所形成的固體附著於腔室10的內部。而且，防附著部50也具有下述功能，即：使附著於防附著部50的氣化的物質所形成的固體在腔室10內再次氣化。例如，具有多個防附著板51、多個間隔件52及多個加熱器53（相當於第二加熱部的一例）。 多個防附著板51呈板狀。防附著板51將氣化的物質冷卻而形成固體，使氣化的物質所形成的固體附著於防附著板51自身。藉由使氣化的物質所形成的固體附著於防附著板51，從而具有下述作用，即：防止氣化的物質所形成的固體附著於腔室10的內部。因此，多個防附著板51設於腔室10的內壁與處理部30（蓋36）之間。例如，防附著板51可為，可裝卸地安裝於腔室10的X方向的兩側的內壁。而且，防附著板51可為，可裝卸地安裝於腔室10的Y方向的兩側的內壁。而且，防附著板51可為，可裝卸地安裝於腔室10的Z方向的兩側的內壁。多個防附著板51的平面形狀可設為與腔室10的供安裝防附著板51的內壁的形狀相同。多個防附著板51的平面形狀例如可設為四邊形。而且，防附著板51也具有下述作用，即：向氣化的物質所形成的固體傳熱而使其再次氣化。因此，多個防附著板51例如優選由耐熱性、耐蝕性及導熱率高的材料形成。多個防附著板51例如可由不銹鋼等形成。 此外，將氣化的物質所形成的固體因防附著部50而再次氣化的物質稱為“再次氣化的物質”。
多個間隔件52具有抑制防附著板51與腔室10之間的熱授受的作用。因此，多個間隔件52設於多個防附著板51與腔室10的內壁之間。多個間隔件52例如呈柱狀或板狀。防附著板51及腔室10以間隔件52的高度（厚度）遠離。因此，在防附著板51與腔室10的內壁之間形成有空間。在將工件100加熱的情況下，腔室10內受到減壓。因此，形成於防附著板51與腔室10的內壁之間的空間成為減壓空間。因此，可藉由真空隔熱效應來抑制防附著板51與腔室10之間的熱的授受。如後述，冷卻工序中，防附著板51使氣化的物質所形成的固體再次氣化。此時，防附著板51由加熱器53加熱。因此，優選藉由真空隔熱效應來抑制防附著板51與腔室10之間的熱的授受。多個間隔件52具有沿軸向貫穿的孔。多個間隔件52例如可設為呈圓筒狀或圓環狀。例如，防附著部50可經由間隔件52螺固於腔室10的內壁。
多個間隔件52例如優選由耐熱性及耐蝕性高且導熱率低的材料形成。多個間隔件52例如可由陶瓷等無機材料形成。此外，用於經由間隔件52將防附著部50螺固於腔室10的內壁的螺桿也優選由耐熱性及耐蝕性高且導熱率低的材料形成。
加熱器53將防附著板51加熱。加熱器53例如可設為與上文所述的加熱器32a相同。加熱器53可針對一個防附著板51設置至少一個。加熱器53例如可設於防附著板51與腔室10的內壁之間。加熱器53例如可安裝於設於防附著板51及腔室10的內壁的至少任一者的未圖示的托架。加熱器53可與防附著板51接觸，也可與防附著板51遠離地設置。而且，本實施方式的加熱處理裝置1的情況下，加熱器53可與腔室10的內壁遠離地設置。若這樣設定，則可在利用加熱器53將防附著板51加熱時，抑制腔室10的壁面的溫度變高。而且，可在防附著板51設置未圖示的溫度計。
如上文所述，若氣化的物質接觸溫度較經加熱的工件100的溫度更低的物體，則氣化的物質冷卻而成為固體，附著於所述物體。腔室10的內壁的溫度及防附著板51的溫度低於經加熱的工件100的溫度。因此，氣化的物質容易附著於腔室10的內壁及防附著板51。但是，防附著板51設於產生氣化的物質的處理部30與腔室10的內壁之間。因此，即便氣化的物質成為固體，也大部分附著於防附著板51，可減少附著於腔室10的內壁的固體的量。
再氣化物質排出部60具有下述作用，即：促進將再次氣化的物質向腔室10的外部排出。而且，再氣化物質排出部60也具有下述作用，即：抑制再次氣化的物質流入處理部30的內部。再氣化物質排出部60向處理部30與防附著板51之間的空間供給氣體G，形成朝向排氣口12、排氣口13的氣流。再氣化物質排出部60例如具有多個噴嘴61、氣體源62及氣體控制部63。 多個噴嘴61向防附著板51與處理部30（支撐有工件100的區域）之間供給氣體G。多個噴嘴61設於腔室10的與設有排氣口12、排氣口13的壁面相向的壁面側。例如，在如圖1所示那樣排氣口12、排氣口13設於腔室10的頂棚的情況下，多個噴嘴61可設於腔室10的底側。例如，在排氣口12、排氣口13設於腔室10的底部的情況下，多個噴嘴61可設於腔室10的頂棚側。
從Z方向觀看，多個噴嘴61可沿著處理部30的周緣排列設置。多個噴嘴61的個數或間隔可根據處理部30的大小等適當變更。多個噴嘴61的個數或間隔例如可藉由預先進行實驗或模擬從而求出。
氣體源62向噴嘴61供給氣體G。氣體源62例如可設為高壓氣體罐、工廠配管等。而且，氣體源62也可設置多個。
氣體G優選設為不易與經加熱的工件100反應的氣體。氣體G例如可設為氮氣、二氧化碳（CO 2）、稀有氣體等。稀有氣體例如為氬氣或氦氣等。如上文所述，若工件100的溫度為100℃以下，則二氧化碳的分解得到抑制。因此，若工件100的溫度為100℃以下，則也可使用二氧化碳作為氣體G。 此時，氣體G可設為與上文所述的冷卻氣體相同，也可設為不同。在將氣體G設為與冷卻氣體相同的情況下，也可設置氣體源62及氣體源42的任一個。
氣體G的溫度例如可設為室溫（例如25℃）以上。此外，若氣體G的溫度相對於再次氣化的物質的溫度而過低，則可能在後述的冷卻工序中，再次氣化的物質被冷卻而成為固體。因此，也可還設置控制氣體G的溫度的加熱器等。
氣體控制部63設於多個噴嘴61與氣體源62之間。氣體控制部63例如可進行氣體G的供給與停止、或氣體G的流速及流量的至少任一個的控制。
控制器70例如包括中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等運算部及記憶體等記憶部。控制器70例如可設為電腦等。控制器70基於保存於記憶部的控制程式來控制設於加熱處理裝置1的各元件的動作。
例如，控制器70基於設於處理區域30a、處理區域30b的未圖示的溫度計的檢測值，控制對加熱器32a供給的電力量。而且，控制器70基於設於防附著板51的未圖示的溫度計的檢測值，控制對加熱器53供給的電力量。
例如，控制器70基於設於腔室10內及處理區域30a、處理區域30b的未圖示的真空計的輸出，控制對腔室10內供給的冷卻氣體的供給量、對腔室10內供給的氣體G的供給量。
接下來，對加熱處理裝置1的動作進行例示。 圖2為用於例示工件100的處理工序的圖表。 如圖2所示，有機膜的形成工序包含升溫工序、加熱處理工序及冷卻工序。 首先，未圖示的開閉門從腔室10的其中一個端部遠離，將工件100搬入腔室10的內部空間。向腔室10的內部空間搬入工件100後，由排氣部20將腔室10的內部空間減壓至規定壓力為止。
腔室10的內部空間減壓至規定壓力為止後，對加熱器32a施加電力。於是，如圖2所示，工件100的溫度上升。將工件100的溫度上升的工序稱為升溫工序。本實施方式中，升溫工序實施兩次（升溫工序（1）、升溫工序（2））。此外，規定壓力只要為溶液中的聚醯胺酸不與殘留於腔室10的內部空間的氧反應的壓力即可。即，規定壓力只要為溶液中的聚醯胺酸不被氧化的壓力即可。規定壓力例如只要設為1×10 -2Pa～100 Pa即可。即，未必一定要利用第二排氣部22進行排氣。也可利用第一排氣部21開始排氣，在腔室10的內部空間的壓力成為10 Pa～100 Pa的範圍內的壓力後，加熱部32開始加熱工件100。
控制器70的記憶部預先記憶有升溫工序後的加熱處理工序中的規定的溫度及升溫工序的時間。而且，運算部以在升溫工序的時間內成為規定的溫度的方式進行控制。具體而言，控制器70在升溫工序（1）及升溫工序（2）中，基於未圖示的溫度計的檢測值，控制對加熱器32a供給的電力量。
在升溫工序後，進行加熱處理工序。加熱處理工序為將規定的溫度維持規定時間的工序。本實施方式中，可設置加熱處理工序（1）及加熱處理工序（2）。
加熱處理工序（1）例如可設為下述工序，即：以第一溫度將工件100加熱規定時間，使溶液所含的水分或氣體等排出。第一溫度例如只要設為100℃～200℃即可。規定的時間例如只要設為15 min～60 min即可。本實施方式中，加熱處理工序（1）將200℃維持15 min。
控制器70藉由未圖示的溫度計來監視工件100的溫度，以工件100成為所述溫度的方式控制對加熱器32a的電力供給量。藉由實施加熱處理工序（1），從而可防止溶液所含的水分或氣體包含於作為成品的有機膜。
在加熱處理工序（1）中從工件100氣化的氣體中，包含經冷卻成為固體而附著於腔室10的內部的物質。氣化的物質從工件100氣化後，朝向排氣口12或排氣口13在腔室10內漂浮。氣化的物質在腔室10內漂浮的期間中，碰撞防附著板51。
防附著板51在從升溫工序（1）開始到加熱處理工序（2）完成為止的時間T1之間，未由加熱器53加熱。此外，在從升溫工序（1）開始到加熱處理工序（2）完成為止之間，進行利用加熱器32a的加熱。但是，腔室10的內部為減壓空間。因此，幾乎不存在基於對流的熱傳遞。而且，基於輻射的熱傳遞也被均熱板34a～均熱板34c及蓋36阻擋。因此，加熱器32a的熱幾乎未傳至防附著板51。
因此，防附著板51的溫度在從升溫工序（1）開始到加熱處理工序（2）完成為止的時間T1之間，成為與後述的第三溫度相同的溫度。防附著板51的溫度例如成為50℃～120℃。防附著板51的溫度低於氣化的物質的溫度。因此，若氣化的物質碰撞防附著板51，則氣化的物質被冷卻。結果，氣化的物質成為固體而附著於防附著板51。
此外，視溶液的成分等不同，也可設定多個第一溫度而多次實施加熱處理工序（1）。或者，也可省略加熱處理工序（1）。在省略加熱處理工序（1）的情況下，從升溫工序（1）進入加熱處理工序（2）。此時，在升溫工序（1）的期間中產生氣化的物質。但是，防附著板51未被加熱。因此，氣化的物質成為固體而附著於防附著板51。
加熱處理工序（2）為下述工序，即：將塗布有溶液的基板（工件100）以規定的壓力及溫度維持規定時間，形成有機膜。第二溫度只要設為引起醯亞胺化的溫度即可。第二溫度例如只要設為300℃以上即可。規定的時間例如只要設為15 min～60 min即可。本實施方式中，為了獲得分子鏈的填充度高的有機膜，加熱處理工序（2）將500℃維持15 min。
控制器70藉由未圖示的溫度計來監視工件100的溫度，以工件100成為所述溫度的方式控制對加熱器32a的電力供給量。
冷卻工序為使形成了有機膜的工件100的溫度降低的工序。本實施方式中，在加熱處理工序（2）之後進行。工件100冷卻至可搬出的溫度。例如，若搬出的工件100的溫度為常溫，則工件100的搬出容易。但是，加熱處理裝置1中，工件100連續進行加熱處理。因此，若每次搬出工件100時將工件100的溫度設為常溫，則使下一工件100升溫的時間變長。即，有可能生產性降低。搬出的工件100的溫度例如只要設為50℃～120℃即可。將此搬出溫度設為第三溫度。
控制器70關閉第二排氣部22的壓力控制部22b。另外，控制冷卻部40，對設有加熱部32的區域內供給冷卻氣體。如此間接及直接地使工件100的溫度降低。控制器70在控制冷卻部40的同時，控制防附著部50的加熱器53及再氣化物質排出部60。
控制器70藉由對加熱器53供給電力從而將防附著板51加熱。控制器70基於設於防附著板51的未圖示的溫度計的檢測值，將防附著板51加熱，直到成為附著於防附著板51的氣化的物質所形成的固體再次氣化的溫度為止。另外，以時間T2的期間維持所述溫度。本實施方式中，將防附著板51加熱至防附著板51的溫度成為200℃為止。防附著板51的加熱時間（時間T2）為15 min～30 min。本實施方式中，防附著板51的加熱時間（時間T2）設為20 min。藉由這樣設定，從而附著於防附著板51的氣化的物質所形成的固體成為氣體而從防附著板51脫離。
此外，氣化的物質所形成的固體成為氣體的溫度根據氣化的物質所形成的固體的種類（例如溶液所含的有機材料的種類）等而變化。因此，將防附著板51加熱時的溫度例如優選藉由預先進行實驗或模擬從而求出。
而且，控制器70在控制冷卻部40的同時，控制再氣化物質排出部60，向腔室10內供給氣體G。控制器70將腔室10內的未圖示的真空計、與處理部30內的未圖示的真空計的檢測值進行比較。控制器70根據比較的結果，以處理部30內的壓力維持較腔室10內的其他區域的壓力更高的值的方式，控制氣體G的供給量。氣體G在處理部30與防附著板51之間的空間中，形成朝向排氣口12、排氣口13的氣流。氣體G優選由控制氣體G的溫度的加熱器等加熱至100℃左右。藉由將經加熱的氣體G供給於腔室10內，從而可抑制妨礙防附著板51的加熱。
從防附著板51再次氣化的物質與由氣體G所生成的氣流一起從排氣口12排出。
防附著板51的加熱完成後，控制器70停止向加熱器53的電力供給及向腔室10內的氣體G的供給。接下來，控制器70關閉第一壓力控制部21b，使冷卻氣體的供給量增加。
控制器70維持供給冷卻氣體，直到設於處理區域30a、處理區域30b的未圖示的溫度計的檢測值成為第三溫度為止。控制器70在檢測腔室10內的壓力的未圖示的真空計的檢測值成為與大氣壓相同的壓力後，打開第三排氣部23的閥25，將冷卻氣體一直排氣。 設於處理區域30a、處理區域30b的未圖示的溫度計的檢測值成為第三溫度後，未圖示的開閉門從腔室10的其中一個端部離開。接下來，從腔室10的其中一個端部將經加熱處理的工件100搬出。搬出所述工件100後，將下一工件100搬入腔室10內。接下來，重複所述有機膜的形成工序。 此外，工件100的搬出、搬入時，腔室10內的溫度維持於第三溫度。第三溫度較氣化的物質所形成的固體不附著於腔室10的內壁的溫度更低。因此，與將腔室10內的溫度設為氣化的物質所形成的固體不附著於腔室10的內壁的溫度的情況相比，可降低工件100的生產所需要的電力量。
此處，在加熱工件100時，包含有機材料及溶劑的溶液從工件100氣化。氣化的物質有時成為固體而附著於溫度較經加熱的工件100的溫度更低的腔室10的內壁。若附著於腔室10的內壁的固體從腔室的內壁剝落，則有可能成為顆粒而附著於工件的表面。
因此，必須定期或視需要進行將附著於腔室內壁的固體除去的保養。保養的期間中，無法進行工件的加熱處理。因此，若保養的時間變長或保養的次數變多，則生產性大幅度地降低。
本實施方式的加熱處理裝置1在腔室的內壁包括可裝卸地設置的防附著板、及可將防附著板51加熱的加熱器53，在升溫工序（1）～加熱處理工序（2）為止之間，防附著板51未被加熱，冷卻工序中，防附著板51受到加熱。
藉由這樣設定，從而在升溫工序（1）～加熱處理工序（2）為止之間產生的氣化的物質所形成的固體附著於防附著板51。結果，可防止氣化的物質所形成的固體附著於腔室10的內壁。
而且，冷卻工序中，藉由將防附著板51加熱，從而可使附著於防附著板51的氣化的物質所形成的固體從防附著板51再次氣化。因此，可實現由附著於腔室10的內壁的固體所致的保養次數的減輕。
而且，如上文所述，防附著板51可裝卸地安裝於腔室10的內壁。因此，即便氣化的物質成為固體而殘留於防附著板51的表面，也可將氣化的物質所形成的固體附著的防附著板51從腔室10的內壁容易地卸載。接著，將新的防附著板51、或氣化的物質所形成的固體除去完畢的防附著板51安裝於腔室10的內壁。藉由這樣設定，從而可再次開始工件100的加熱處理。 即，若防附著板51可裝卸地設於腔室10的內壁，則可減輕由附著於腔室10的內壁的固體所致的保養的時間及次數。
而且，如圖2所示，本實施方式中，僅在時間T2之間將防附著板51加熱。因此，與工件的生產中將腔室的內壁一直加熱，抑制氣化的物質成為固體而附著於腔室內壁的加熱處理裝置相比，本實施方式的加熱處理裝置1可減少工件的生產所需要的電力量。
而且，本實施方式的加熱處理裝置1在冷卻工序中，在加熱防附著板51的期間中執行：向設有加熱部32的區域內供給冷卻氣體；以及藉由第一排氣部21將腔室10內減壓。藉由這樣設定，從而在工件100的周圍稍許供給冷卻氣體。因此，處理區域30a、處理區域30b內的壓力與腔室10內的其他區域相比較成為更高的壓力。因此，可防止從防附著板51再次氣化的物質流入處理部30內。
而且，本實施方式的加熱處理裝置1包括再氣化物質排出部60。若設有再氣化物質排出部60，則可在處理部30與防附著板51之間的空間中，形成朝向排氣口12、排氣口13的氣流。因此，可利用由再氣化物質排出部60所形成的氣流，將處於處理部30與防附著板51之間的空間的再次氣化的物質導向排氣口12、排氣口13。即，利用從噴嘴61朝向排氣口12、排氣口13的氣體G的氣流，來促進因加熱器53而從防附著板51再次氣化的物質向腔室10的外部排出。因此，可抑制從防附著板51再次氣化的物質流入處理部30內。即，利用由再氣化物質排出部60所形成的氣流，在防附著板51與處理部30（支撐有工件100的區域）之間形成氣簾（air curtain）。
以上，對實施方式進行了例示。但是，本發明不限定於這些描述。 本領域技術人員對上文所述的實施方式適當進行設計變更而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含於本發明的範圍。 例如，加熱處理裝置1的形狀、尺寸、配置等不限定於例示，可適當變更。 而且，上文所述的各實施方式所包括的各元件可盡可能地組合，將這些組合而得的實施方式也只要包括本發明的特徵，則包含於本發明的範圍。
例如，也可在升溫工序（1）～加熱處理工序（2）為止之間，將設於腔室10的Z方向的內壁（頂棚面及底面）的防附著板51的溫度，設為從工件100氣化的物質發生氣化的溫度以上。若這樣設定，則設於腔室10的Z方向的內壁的防附著板51不從氣化的物質奪熱。因此，處於設於腔室10的Z方向的內壁的防附著板51、與處理部30之間的氣化的物質不易成為固體。因此，可使氣化的物質保持氣體的狀態在腔室10的側面側流出。即，氣化的物質所形成的固體進一步附著於設於腔室10的側面的防附著板51。
如上文所述，冷卻工序中，藉由再氣化物質排出部60在腔室10的側面側形成氣流。因此，可使從設於腔室10的側面的防附著板51再次氣化的物質承載於氣流而排出至腔室10的外部。 因此，進一步防止再次氣化的物質流入處理部30內，並且促進再次氣化的物質向腔室10的外部排出。而且，可大幅度地減少設於腔室10的Z方向的內壁的防附著板51上附著的氣化的物質所形成的固體的量。因此，可大幅度地減少上文所述的防附著板51的更換次數。因此，可進一步實現由附著於腔室10的內壁的固體所致的保養的減輕。
例如，也可將用於冷卻防附著板51的冷卻部設於防附著板51。藉由這樣設定，從而即便加熱處理工序（2）中防附著板51由來自處理部30的放射所致的熱能加熱至包含有機材料及溶劑的溶液從工件100氣化的溫度以上的溫度，也可將防附著板51冷卻至防附著板51的溫度成為包含有機材料及溶劑的溶液氣化的溫度以下為止。因此，在加熱處理工序（2）中，氣化的物質所形成的固體更容易附著於防附著板51。
例如，也可對噴嘴61設置多個氣體源62及氣體控制部63。藉由這樣設定，從而可適當變更氣體G的種類或溫度。 例如，本實施方式中，控制器70在防附著板51的加熱完成後，停止向腔室10內供給氣體G。但是，如上文所述，可藉由設置多個氣體源62及氣體控制部63，從而向腔室10內供給常溫的氣體G。藉由這樣設定，從而可與冷卻氣體協作將腔室10內冷卻。因此，可縮短冷卻工序的時間。
1:加熱處理裝置 10:腔室 11:冷卻部 12、13:排氣口 20:排氣部 21:第一排氣部 21a、22a:排氣泵 21b、22b:壓力控制部 22:第二排氣部 23:第三排氣部 25:閥 30:處理部 30a、30b:處理區域 31:框架 32:加熱部 32a、53:加熱器 32b:固持器 33:支撐部 34:均熱部 34a:上部均熱板 34b:下部均熱板 34c:側部均熱板 34d:側部均熱板 35:均熱板支撐部 36:蓋 40:冷卻部 41、61:噴嘴 42、62:氣體源 43、63:氣體控制部 50:防附著部 51:防附著板 52:間隔件 60:再氣化物質排出部 70:控制器 100:工件 T1、T2:時間 G:氣體
圖1為用於例示本實施方式的加熱處理裝置的示意截面圖。 圖2為用於例示工件的處理工序的圖表。
1:加熱處理裝置
10:腔室
11:冷卻部
12、13:排氣口
20:排氣部
21:第一排氣部
21a、22a:排氣泵
21b、22b:壓力控制部
22:第二排氣部
23:第三排氣部
25:閥
30:處理部
30a、30b:處理區域
31:框架
32:加熱部
32a、53:加熱器
32b:固持器
33:支撐部
34:均熱部
34a:上部均熱板
34b:下部均熱板
34c:側部均熱板
34d:側部均熱板
35:均熱板支撐部
36:蓋
40:冷卻部
41、61:噴嘴
42、62:氣體源
43、63:氣體控制部
50:防附著部
51:防附著板
52:間隔件
60:再氣化物質排出部
70:控制器
100:工件
G:氣體

Claims (8)

  1. 一種加熱處理裝置，包括：腔室，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；排氣部，能夠經由設於所述腔室的排氣口將所述腔室的內部排氣；支撐部，設於所述腔室的內部，能夠支撐工件；第一加熱部，設於所述腔室的內部，能夠將所述工件加熱；防附著板，以能夠裝卸的方式設於所述腔室的內壁；以及第二加熱部，能夠將所述防附著板加熱，其中在由所述第一加熱部對所述工件的加熱停止時，所述第二加熱部對所述防附著板進行加熱。
  2. 如請求項1所述的加熱處理裝置，還包括：冷卻部，能夠向設有所述第一加熱部的區域供給冷卻氣體，所述第二加熱部在所述冷卻部供給所述冷卻氣體時，將所述防附著板加熱。
  3. 如請求項2所述的加熱處理裝置，其中所述第二加熱部在所述第一加熱部將所述工件加熱的期間中，停止所述防附著板的加熱。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加熱處理裝置，還包括：噴嘴，向所述防附著板與支撐有所述工件的區域之間供給氣體， 所述排氣口設於所述腔室的頂棚面或底面，所述噴嘴設於所述腔室的、與設有所述排氣口的面相向的面側。
  5. 如請求項4所述的加熱處理裝置，其中藉由從所述噴嘴朝向所述排氣口的所述氣體的氣流，在所述防附著板與支撐有所述工件的區域之間形成氣簾。
  6. 如請求項4所述的加熱處理裝置，其中在所述防附著板由所述第二加熱部進行加熱的期間中，從所述噴嘴進行所述氣體的供給。
  7. 如請求項4所述的加熱處理裝置，還包括：均熱部，包圍支撐有所述工件的區域，在所述腔室的內部，將從所述噴嘴供給的所述氣體的供給量控制為，使由所述均熱部包圍的支撐有所述工件的區域的壓力維持較所述腔室的內部的其他區域的壓力更高的值。
  8. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加熱處理裝置，其中所述工件具有：基板；以及溶液，設於所述基板的上表面，包含有機材料及溶劑。
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