TWI806373B - 有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠充分去除處於腔室的內部的異物的有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法。實施方式的有機膜形成裝置包括：腔室，具有搬入或搬出工件的開口，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；門，能夠使所述腔室的開口開閉；排氣部，能夠對所述腔室的內部進行排氣；支撐部，設置於所述腔室的內部，能夠支撐所述工件；加熱部，設置於所述腔室的內部，能夠將所述工件加熱；以及至少一個噴嘴，設置於所述腔室的內部，能夠向所述腔室的開口供給清潔氣體。

Description

有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法
本發明的實施方式涉及一種有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法。
有機膜形成裝置例如包括能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境的腔室、以及設置於腔室的內部並將工件加熱的加熱器。此種有機膜形成裝置藉由在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將塗布了包含有機材料與溶媒的溶液的基板加熱，並使溶液中所含的溶媒蒸發，而形成有機膜。(例如，參照專利文獻1)
此處，在將溶液加熱時，溶液中所含的物質有時會昇華(氣化)。昇華物中所含的成分有時會成為固體而附著於溫度比經加熱的工件低的腔室的內壁等。附著於腔室的內壁等的固體若從腔室的內壁等剝落，則有成為粒子等異物而附著於工件的表面之虞。
因此，定期地或者視需要進行將附著於腔室的內壁等的固體去除的清潔。例如，在半導體製造裝置等與有機膜形成裝置不同的技術領域中，提出了如下技術，即，藉由在將腔室密閉的狀態下依序執行腔室的內部的排氣與向腔室的內部供給清潔氣體，而將處於腔室的內部的異物排出。(參照專利文獻2)
但是最終發現，在有機膜形成裝置中，即便進行半導體製造裝置那樣的清潔(例如，在將腔室密閉的狀態下，依序執行腔室的內部的排氣與向腔室內部供給清潔氣體)，也無法充分去除異物。
因此，期望開發出能夠充分去除處於腔室的內部的粒子等異物的有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-184229號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-184708號公報
本發明所要解決的問題在於提供一種能夠充分去除處於腔室的內部的異物的有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法。
實施方式的有機膜形成裝置包括：腔室，具有搬入或搬出工件的開口，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；門，能夠使所述腔室的開口開閉；排氣部，能夠對所述腔室內部進行排氣；支撐部，設置於所述腔室的內部，能夠支撐所述工件；加熱部，設置於所述腔室的內部，能夠將所述工件加熱；以及至少一個噴嘴，設置於所述腔室的內部，能夠向所述腔室的開口供給 清潔氣體。
根據本發明的實施方式，提供一種能夠充分去除處於腔室的內部的異物的有機膜形成裝置、及有機膜形成裝置的清潔方法。
1、1a、1b:有機膜形成裝置
10:腔室
11、14:凸緣
11a:開口
12:密封材
13:門(開閉門)
15:蓋
16、40、140:冷卻部
17、18:排氣口
20:排氣部
21:第一排氣部
21a、22a:排氣泵
21b:壓力控制部
22:第二排氣部
22b:壓力控制部
23:第三排氣部
24:冷阱
25:閥
30:處理部
30a、30b:處理區域
31:框架
32:加熱部
32a:加熱器
32b:固持器
33:支撐部
34:均熱部
34a:上部均熱板
34b:下部均熱板
34c、34d:側部均熱板
35:均熱板支撐部
36:罩
40a:第一氣體供給路徑
40b:第二氣體供給路徑
41、51:噴嘴
42、52:氣體源
43、53:氣體控制部
50、50a、50b、50c、150、250:清潔部
51a:噴嘴孔
54:切換閥
55:框體
56:檢測部
60:控制器
100:工件(基板)
141:噴嘴(冷卻噴嘴)
G:清潔氣體
X、Y、Z:方向
圖1是用於例示本實施方式的有機膜形成裝置的示意立體圖。
圖2是用於例示工件的處理工序的圖表。
圖3是用於例示清潔部的作用的示意剖面圖。
圖4是將利用排氣部的粒子的排出與利用清潔部的粒子的排出進行組合時的圖表。
圖5是僅進行了利用清潔部的粒子的排出時的圖表。
圖6是僅進行了利用清潔部的粒子的排出時的圖表。
圖7是用於例示另一實施方式的清潔部的示意剖面圖。
圖8是用於例示另一實施方式的清潔部的示意剖面圖。
圖9是用於例示另一實施方式的有機膜形成裝置的示意立體圖。
圖10是用於例示另一實施方式的清潔部的示意剖面圖。
圖11是用於例示另一實施方式的有機膜形成裝置的示意立體圖。
圖12是用於例示另一實施方式的清潔部的示意剖面圖。
以下，參照附圖對實施方式進行例示。此外，各圖式中，對相同的構成元件標注相同的符號並適宜省略詳細的說明。
圖1是用於例示本實施方式的有機膜形成裝置1的示意立體圖。
此外，圖1中的X方向、Y方向、及Z方向表示相互正交的三個方向。本說明書中的上下方向可設為Z方向。
形成有機膜前的工件100具有基板、以及塗布於基板的上表面的溶液。
基板例如可設為玻璃基板或半導體晶片等。但是，基板並不限定於例示。
溶液例如包含有機材料與溶劑。有機材料只要能夠由溶劑溶解，則並無特別限定。溶液例如可設為包含聚醯胺酸的清漆等。但是，溶液並不限定於例示。
如圖1所示，在有機膜形成裝置1，例如設置有腔室10、排氣部20、處理部30、冷卻部40、清潔部50、以及控制器60。
控制器60例如包括中央處理器(Central Processing Unit，CPU)等運算部以及記憶體等存儲部。控制器60例如可設為電腦等。控制器60基於存儲部中所保存的控制程式，控制設置于有機膜形成裝置1的各元件的動作。
腔室10具有能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境的氣密結構。腔室10呈箱狀。腔室10的外觀形狀並無特別限 定。腔室10的外觀形狀例如可設為長方體。腔室10例如可由不銹鋼等金屬形成。
在Y方向上，在腔室10的其中一個端部，可設置凸緣11。在凸緣11，可設置O形環等密封材12。腔室10的設置有凸緣11的一側的開口11a能夠藉由門13開閉。藉由未圖示的驅動裝置，門13被推壓至凸緣11(密封材12)，由此腔室10的開口11a以成為氣密的方式閉鎖。藉由未圖示的驅動裝置，門13遠離凸緣11，由此將腔室10的開口11a開放，從而能夠經由開口11a搬入或搬出工件100。另外，藉由將腔室10的開口11a開放，能夠利用後述的清潔部50進行清潔。
即，腔室10具有搬入或搬出工件100的開口11a，且能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境。門13能夠使腔室10的開口11a開閉。
在Y方向上，在腔室10的另一個端部，可設置凸緣14。在凸緣14，可設置O形環等密封材12。腔室10的設置有凸緣14的一側的開口能夠藉由蓋15開閉。例如，蓋15可使用螺杆等緊固構件能夠裝卸地設置於凸緣14。在進行維護等時，藉由卸下蓋15，使腔室10的設置有凸緣14的一側的開口露出。
在腔室10的外壁、及門13的外表面，可設置冷卻部16。冷卻部16連接有未圖示的冷卻水供給部。冷卻部16例如可設為水套(Water Jacket)。若設置有冷卻部16，則可抑制腔室10的外壁的溫度、或門13的外表面的溫度比規定的溫度高。
排氣部20對腔室10的內部進行排氣。排氣部20例如具有第一排氣部21、第二排氣部22、及第三排氣部23。
第一排氣部21例如連接於排氣口17，所述排氣口17設置於腔室10的底面。
第一排氣部21例如具有排氣泵21a以及壓力控制部21b。
排氣泵21a可設為從大氣壓進行粗抽排氣至規定壓力的排氣泵。因此，排氣泵21a相較於後述的排氣泵22a而排氣量更多。排氣泵21a例如可設為乾式真空泵等。
壓力控制部21b例如設置於排氣口17與排氣泵21a之間。壓力控制部21b基於檢測腔室10的內壓的、未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部21b例如可設為自動壓力控制器(Auto Pressure Controller，APC)等。
此外，在排氣口17與壓力控制部21b之間，設置有用於捕獲所排出的昇華物的冷阱24。另外，在排氣口17與冷阱24之間設置有閥25。閥25在後述的冷卻工序中發揮防止流體流入至冷阱24的作用。
第二排氣部22例如連接於排氣口18，所述排氣口18設置於腔室10的底面。
第二排氣部22例如具有排氣泵22a以及壓力控制部22b。
排氣泵22a在利用排氣泵21a進行粗抽排氣之後，進行排氣至更低的規定壓力。排氣泵22a例如具有能夠排氣至高真空的分 子流區域為止的排氣能力。例如，排氣泵22a可設為渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump，TMP)等。
壓力控制部22b例如設置於排氣口18與排氣泵22a之間。壓力控制部22b基於檢測腔室10的內壓的、未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部22b例如可設為APC等。此外，與第一排氣部21同樣地，可在排氣口18與壓力控制部21b之間設置冷阱24及閥25。
此外，以上例示了排氣口17及排氣口18設置於腔室10的底面的情況，但排氣口17及排氣口18例如也可設置於腔室10的頂棚面。若排氣口17及排氣口18設置於腔室10的底面或頂棚面，則可在腔室10的內部形成向腔室10的底面或頂棚面的氣流。
此處，在將塗布有包含有機材料與溶媒的溶液的工件100加熱時，溶液中所含的物質有時會昇華(氣化)。昇華物中所含的成分有時會成為固體而附著於溫度比經加熱的工件100低的腔室10的內壁等。附著於腔室10的內壁等的固體若從腔室10的內壁等剝落，則有成為粒子等異物而附著於工件100的表面之虞。
在此情況下，若在腔室10的內部形成向腔室10的底面或頂棚面的氣流，則容易將昇華物或粒子等異物隨著氣流而排出至腔室10的外部。因此，可抑制粒子等異物附著於工件100。
處理部30例如具有：框架31、加熱部32、支撐部33、均熱部34、均熱板支撐部35、及罩36。
在處理部30的內部，設置有處理區域30a及處理區域30b。 處理區域30a、處理區域30b成為對工件100實施處理的空間。工件100支撐於處理區域30a、處理區域30b的內部。處理區域30b設置於處理區域30a的上方。此外，例示了設置兩個處理區域的情況，但並不限定於此。可僅設置一個處理區域，也可設置三個以上的處理區域。在本實施方式中，作為一例，例示設置兩個處理區域的情況，但在設置一個處理區域、及三個以上的處理區域的情況下，也可同樣地考慮。
處理區域30a、處理區域30b設置於加熱部32與加熱部32之間。處理區域30a、處理區域30b由均熱部34(上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d)包圍。
如後述，上部均熱板34a及下部均熱板34b是藉由多個板狀的構件由多個均熱板支撐部35支撐而形成。因此，處理區域30a與腔室10的內部的空間經由設置於上部均熱板34a彼此之間、及下部均熱板34b彼此之間等的間隙而相連。另外，在上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34c之間、及上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34d之間也形成有間隙。因此，若將腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力減壓，則處理區域30a的內部的空間也減壓。處理區域30b為與處理區域30a相同的結構，因此省略說明。
若將腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力減壓，則可抑制從處理區域30a、處理區域30b向外部釋放的熱。即，可提高加熱效率或蓄熱效率。因此，可使對後述的加熱器32a施 加的電力降低。另外，若可使對加熱器32a施加的電力降低，則可抑制加熱器32a的溫度成為規定的溫度以上，因此可延長加熱器32a的壽命。
另外，由於蓄熱效率提高，因此可使處理區域30a、處理區域30b的溫度迅速地上升。因此，也能夠應對需要急劇的溫度上升的處理。另外，可抑制腔室10的外壁的溫度變高，因此可使冷卻部16簡易。
框架31具有包括細長的板材或型鋼等的骨架結構。框架31的外觀形狀可設為與腔室10的外觀形狀相同。框架31的外觀形狀例如可設為長方體。
加熱部32設置有多個。加熱部32可設置於處理區域30a、處理區域30b的下部、及處理區域30a、處理區域30b的上部。設置於處理區域30a、處理區域30b的下部的加熱部32成為下部加熱部。設置於處理區域30a、處理區域30b的上部的加熱部32成為上部加熱部。下部加熱部與上部加熱部相向。此外，在沿上下方向重疊設置多個處理區域的情況下，設置於下側的處理區域的上部加熱部可兼用作設置於上側的處理區域的下部加熱部。
加熱部32設置於腔室10的內部，將工件100加熱。
例如，處理區域30a中經支撐的工件100的下表面(背面)由設置於處理區域30a的下部的加熱部32加熱。處理區域30a中經支撐的工件100的上表面(表面)由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。
處理區域30b中經支撐的工件100的下表面(背面)由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。處理區域30b中經支撐的工件100的上表面(表面)由設置於處理區域30b的上部的加熱部32加熱。
若如此，則可減少加熱部32的個數，因此可實現消耗電力的降低、製造成本的降低、省空間化等。
多個加熱部32分別具有至少一個加熱器32a以及一對固持器32b。此外，以下對設置多個加熱器32a的情況進行說明。
加熱器32a呈棒狀，在一對固持器32b之間沿Y方向延伸。多個加熱器32a可沿X方向排列設置。多個加熱器32a例如可等間隔地設置。加熱器32a例如可設為鎧裝式加熱器(sheathed heater)、遠紅外線加熱器、遠紅外線燈、陶瓷加熱器、筒式加熱器(cartridge heater)等。另外，也可由石英罩覆蓋各種加熱器。
此外，在本說明書中，也包括經石英蓋覆蓋的各種加熱器在內而稱為“棒狀的加熱器”。另外，“棒狀”的剖面形狀並無限定，例如也包括圓柱狀或棱柱狀等。
另外，加熱器32a並不限定於例示。加熱器32a只要可在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下將工件100加熱即可。即，加熱器32a只要利用由放射所得的熱能即可。
上部加熱部及下部加熱部中的多個加熱器32a的規格、個數、間隔等可根據要加熱的溶液的組成(溶液的加熱的溫度)、 工件100的大小等而適宜決定。多個加熱器32a的規格、個數、間隔等可藉由進行模擬或實驗等而適宜決定。
另外，設置有多個加熱器32a的空間由固持器32b、上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、及側部均熱板34d包圍。在上部均熱板34a彼此之間、下部均熱板34b彼此之間設置有間隙。因此，從後述的冷卻部40供給至設置有多個加熱器32a的空間的冷卻氣體的一部分流入至處理區域30a或者處理區域30b。但是，設置有多個加熱器32a的空間可看作大致閉鎖的空間。因此，藉由從冷卻部40向設置有多個加熱器32a的空間供給冷卻氣體，而可將多個加熱器32a、上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、及側部均熱板34d冷卻。
一對固持器32b沿X方向(例如，處理區域30a、處理區域30b的長邊方向)延伸。一對固持器32b在Y方向相互相向。其中一個固持器32b固定於框架31的門13側的端面。另一個固持器32b固定於框架31的及門13側為相反側的端面。一對固持器32b例如可使用螺杆等緊固構件固定於框架31。一對固持器32b保持加熱器32a的端部附近的非放熱部。一對固持器32b例如可由細長的金屬板材或型鋼等形成。一對固持器32b的材料並無特別限定，優選為設為具有耐熱性與耐蝕性的材料。一對固持器32b的材料例如可設為不銹鋼等。
支撐部33設置於腔室10的內部，支撐工件100。例如，支撐部33在上部加熱部與下部加熱部之間支撐工件100。支撐部 33可設置多個。多個支撐部33設置於處理區域30a的下部、及處理區域30b的下部。多個支撐部33可設為棒狀體。
多個支撐部33的其中一個端部(上方的端部)與工件100的下表面(背面)接觸。因此，多個支撐部33的其中一個端部的形狀優選為設為半球狀等。若多個支撐部33的其中一個端部的形狀為半球狀，則可抑制工件100的下表面產生損傷。另外，可減小工件100的下表面與多個支撐部33的接觸面積，因此可減少從工件100傳至多個支撐部33的熱。
工件100在較大氣壓進一步經減壓的氣體環境下，由利用放射所得的熱能加熱，因此從上部加熱部至工件100的上表面為止的距離、及從下部加熱部至工件100的下表面為止的距離成為利用放射所得的熱能可到達工件100的距離。
多個支撐部33的另一個端部(下方的端部)例如可固定於架設在一對框架31之間的多個棒狀構件或板狀構件等。在此情況下，多個支撐部33優選為能夠裝卸地設置於棒狀構件等。若如此，則維護等作業變得容易。
多個支撐部33的個數、配置、間隔等可根據工件100的大小或剛性(撓曲)等而適宜變更。
多個支撐部33的材料並無特別限定，優選為設為具有耐熱性與耐蝕性的材料。多個支撐部33的材料例如可設為不銹鋼等。
均熱部34具有：多個上部均熱板34a、多個下部均熱板34b、多個側部均熱板34c、及多個側部均熱板34d。多個上部均 熱板34a、多個下部均熱板34b、多個側部均熱板34c、及多個側部均熱板34d呈板狀。
多個上部均熱板34a在上部加熱部中設置於下部加熱部側(工件100側)。多個上部均熱板34a與多個加熱器32a遠離地設置。即，在多個上部均熱板34a的上側表面與多個加熱器32a的下表面之間設置有間隙。多個上部均熱板34a沿X方向排列設置。在多個上部均熱板34a彼此之間設置有間隙。若設置有間隙，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制上部均熱板34a彼此干擾而發生變形。另外，如上文所述，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的空間的壓力減壓。
多個下部均熱板34b在下部加熱部中設置於上部加熱部側(工件100側)。多個下部均熱板34b與多個加熱器32a遠離地設置。即，在多個下部均熱板34b的下側表面與多個加熱器32a的上側表面之間設置有間隙。多個下部均熱板34b沿X方向排列設置。在多個下部均熱板34b彼此之間設置有間隙。若設置有間隙，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制下部均熱板34b彼此干擾而發生變形。另外，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的空間的壓力減壓。
側部均熱板34c在X方向分別設置於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。側部均熱板34c可設置於罩36的內側。另外，如上文所述，側部均熱板34c與上部均熱板34a或者下部均熱板34b之間設置有間隙。可經由所述間隙將處理區域30a、處 理區域30b的空間的壓力減壓。
側部均熱板34d在Y方向分別設置於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。設置於門13側的側部均熱板34d可與罩36空開間隔地設置於門13。設置于蓋15側的側部均熱板34d可設置於罩36的內側。另外，如上文所述，側部均熱板34d與上部均熱板34a或者下部均熱板34b之間設置有間隙。可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的空間的壓力減壓。
在本實施方式中，設置於上部均熱板34a彼此之間、及下部均熱板34b彼此之間等的間隙形成為比設置於上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34c之間、及上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34d之間的間隙大。其理由將後述。
如上文所述，多個加熱器32a呈棒狀，空開規定的間隔地排列設置。在加熱器32a為棒狀的情況下，從加熱器32a的中心軸呈放射狀放射熱。在此情況下，加熱器32a的中心軸與經加熱的部分之間的距離越短，則經加熱的部分的溫度越高。因此，在以相對於多個加熱器32a相向的方式保持有工件100的情況下，位於加熱器32a的正上方或正下方的工件100的區域相較於位於多個加熱器32a彼此之間的空間的正上方或正下方的工件100的區域，溫度更高。即，若使用呈棒狀的多個加熱器32a將工件100直接加熱，則經加熱的工件100的溫度中產生面內分佈。
若工件100的溫度中產生面內分佈，則有所形成的有機膜的品質下降之虞。例如，有在溫度變高的部分產生泡，或在溫 度變高的部分中有機膜的組成變化之虞。
在本實施方式的有機膜形成裝置1中，設置有上文所述的多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b。因此，從多個加熱器32a放射的熱入射至多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b，並在這些均熱板的內部沿面方向傳播的同時向工件100放射。其結果，可抑制工件100的溫度中產生面內分佈，進而可提高所形成的有機膜的品質。
多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b使所入射的熱沿面方向傳播，因此這些均熱板的材料優選為設為導熱率高的材料。多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b例如可設為鋁、銅、不銹鋼等。此外，在使用鋁或銅等容易氧化的材料的情況下，優選為在表面設置包含不易氧化的材料的層。
從多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b放射的熱的一部分朝向處理區域的側方。因此，在處理區域的側部，設置有上文所述的側部均熱板34c、側部均熱板34d。入射至側部均熱板34c、側部均熱板34d的熱在側部均熱板34c、側部均熱板34d沿面方向傳播，同時其一部分向工件100放射。因此，可提高工件100的加熱效率。
側部均熱板34c、側部均熱板34d的材料可設為與上文所述的上部均熱板34a及下部均熱板34b的材料相同。
此外，以上例示了多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b沿X方向排列設置的情況，但上部均熱板34a及下部均熱 板34b的至少一者也可設為單一的板狀構件。
多個均熱板支撐部35沿X方向排列設置。均熱板支撐部35可在X方向上設置於上部均熱板34a彼此之間的正下方。多個均熱板支撐部35可使用螺杆等緊固構件固定於一對固持器32b。一對均熱板支撐部35裝卸自如地支撐上部均熱板34a的兩端。此外，支撐多個下部均熱板34b的多個均熱板支撐部35也可具有相同的結構。
若由一對均熱板支撐部35支撐上部均熱板34a及下部均熱板34b，則即便上部均熱板34a及下部均熱板34b熱膨脹，也可抑制上部均熱板34a及下部均熱板34b干擾。因此，可抑制上部均熱板34a及下部均熱板34b變形。
罩36呈板狀，覆蓋框架31的上表面、底面、及側面。即，由罩36覆蓋框架31的內部。但是，門13側的罩36例如可設置於門13。
罩36包圍處理區域30a、處理區域30b，但在框架31的上表面與側面的分界線、框架31的側面與底面的分界線、門13的附近設置有間隙。
另外，設置於框架31的上表面及底面的罩36被分割為多個。另外，在所分割的罩36彼此之間設置有間隙。即，處理部30(處理區域30a、處理區域30b)的內部空間經由這些間隙而與腔室10的內部空間連通。因此，可使處理區域30a、處理區域30b的壓力和腔室10的內壁與罩36之間的空間的壓力相同。罩36例 如可由不銹鋼等形成。
冷卻部40對設置有加熱部32的區域供給冷卻氣體。例如冷卻部40利用冷卻氣體將包圍處理區域30a、處理區域30b的均熱部34冷卻，利用經冷卻的均熱部34將處於高溫狀態的工件100間接冷卻。另外，例如冷卻部40也可對工件100供給冷卻氣體，而將處於高溫狀態的工件100直接地冷卻。
即，冷卻部40可將工件100間接及直接地冷卻。另外，冷卻部40在後述的清潔工序中可具有作為將後述的清潔氣體G供給至處理區域30a、處理區域30b的清潔部50的作用。
冷卻部40例如具有第一氣體供給路徑40a以及第二氣體供給路徑40b。
首先，對第一氣體供給路徑40a進行說明。第一氣體供給路徑40a具有：噴嘴41、氣體源42、氣體控制部43及切換閥54。
如圖1所示，噴嘴41可連接於設置有多個加熱器32a的空間。噴嘴41例如貫通罩36，從而可安裝於側部均熱板34c或框架31等。噴嘴41可在Y方向上設置多個(參照圖3)。此外，噴嘴41的數量或配置可適宜變更。例如，在X方向上，可在處理部30的其中一側設置噴嘴41，也可在處理部30的兩側設置噴嘴41。
氣體源42對噴嘴41供給冷卻氣體。氣體源42例如可設為高壓儲氣瓶、工廠配管等。另外，氣體源42也可設置多個。
冷卻氣體優選為設為不易與經加熱的工件100反應的氣 體。冷卻氣體例如可設為氮氣、稀有氣體等。稀有氣體例如為氬氣或氦氣等。若冷卻氣體為氮氣，則可實現運轉成本的降低。由於氦氣的導熱率高，因此若使用氦氣作為冷卻氣體，則可實現冷卻時間的縮短。
冷卻氣體的溫度例如可設為室溫(例如，25℃)以下。
氣體控制部43設置於噴嘴41與氣體源42之間。氣體控制部43例如可進行冷卻氣體的供給與停止、或冷卻氣體的流速及流量的至少任一個的控制。
另外，冷卻氣體的供給時機可設為對工件100的加熱處理完成之後。此外，所謂加熱處理的完成，可設為將形成有機膜的溫度維持規定時間之後。
切換閥54是用於切換第一氣體供給路徑40a與第二氣體供給路徑40b的閥。切換閥54設置於噴嘴41與氣體控制部43之間且為腔室10的外部。
接著，對第二氣體供給路徑40b進行說明。第二氣體供給路徑40b是為了在後述的清潔工序中清潔腔室10的內部而設置。第二氣體供給路徑40b經由腔室10的開口11a將處於腔室10的內部的粒子等異物排出至腔室10的外部。例如，第二氣體供給路徑40b向處理區域30a、處理區域30b的內部供給清潔氣體G，而形成向腔室10的開口11a的氣流。
在本實施方式中，第二氣體供給路徑40b也作為本發明的“清潔部”發揮功能。以下，有時也將第二氣體供給路徑40b稱 為清潔部50。
清潔部50例如具有：噴嘴41、氣體源52、氣體控制部53、及切換閥54。在此情況下，清潔部50經由切換閥54與第一氣體供給路徑40a連接。
氣體源52向多個噴嘴41供給清潔氣體G。氣體源52例如可設為高壓儲氣瓶、工廠配管等。另外，氣體源52也可設置多個。
清潔氣體G優選為設為不易與處於經加熱的腔室10的內壁、或腔室10的內部的元件反應的氣體。清潔氣體G例如可設為清潔乾燥空氣、氮氣、二氧化碳(CO2)、稀有氣體等。稀有氣體例如為氬氣或氦氣等。在此情況下，若清潔氣體G為清潔乾燥空氣或氮氣，則可實現運轉成本的降低。
清潔氣體G可設為與上文所述的冷卻氣體相同，也可設為不同。在將清潔氣體G設為與冷卻氣體相同的情況下，也可設置氣體源52及氣體源42的任一個。
清潔氣體G的溫度例如可設為室溫(例如，25℃)。
氣體控制部53設置於切換閥54與氣體源52之間。氣體控制部53例如可控制清潔氣體G的供給與供給的停止。另外，氣體控制部53例如也可進行清潔氣體G的流速及流量的至少任一個的控制。清潔氣體G的流速或流量可根據腔室10的大小、或噴嘴41的形狀、數量、配置等適宜變更。清潔氣體G的流速或流量例如可藉由進行實驗或模擬來適宜求出。
接著，對有機膜形成裝置1的動作進行例示。
圖2是用於例示工件100的處理工序的圖表。
如圖2所示，有機膜的形成工序包括：工件的搬入工序、升溫工序、加熱處理工序、冷卻工序、工件的搬出工序、以及清潔工序。
首先，在工件的搬入工序中，開閉門13遠離凸緣11，將工件100搬入至腔室10的內部空間。當向腔室10的內部空間搬入工件100後，由排氣部20將腔室10的內部空間減壓至規定壓力為止。
當將腔室10的內部空間減壓至規定壓力為止後，對加熱器32a施加電力。於是，如圖2所示，工件100的溫度上升。將工件100的溫度上升的工序稱為升溫工序。在本實施方式中，升溫工序實施兩次(升溫工序(1)、升溫工序(2))。此外，規定壓力只要為溶液中的聚醯胺酸不與殘留於腔室10的內部空間的氧反應而被氧化的壓力即可。規定壓力例如只要設為1×10-2Pa~100Pa即可。即，未必需要利用第二排氣部22進行排氣，也可在利用第一排氣部21開始排氣之後，當腔室10的內部空間成為10Pa~100Pa的範圍內的壓力時，開始加熱部32對工件100的加熱。
在升溫工序之後，進行加熱處理工序。加熱處理工序為將規定的溫度維持規定時間的工序。在本實施方式中，可設置加熱處理工序(1)及加熱處理工序(2)。
加熱處理工序(1)例如可設為下述工序，即：以第一溫度將 工件100加熱規定時間，使溶液中所含的水分或氣體等排出。第一溫度例如只要設為100℃~200℃即可。
藉由實施加熱處理工序(1)，而可防止溶液中所含的水分或氣體包含于作為成品的有機膜。此外，根據溶液的成分等不同，第一加熱處理工序可改變溫度來實施多次，也可省略第一加熱處理工序。
加熱處理工序(2)為下述工序，即：將塗布有溶液的基板(工件100)以規定的壓力及溫度維持規定時間，形成有機膜。第二溫度只要設為引起醯亞胺化的溫度即可，例如只要設為300℃以上即可。在本實施方式中，為了獲得分子鏈的填充度高的有機膜，在400℃~600℃下實施加熱處理工序。
冷卻工序為使形成了有機膜的工件100的溫度下降的工序。在本實施方式中，在加熱處理工序(2)之後進行。工件100被冷卻至能夠搬出的溫度。例如，若所搬出的工件100的溫度為常溫，則工件100的搬出容易。但是，在有機膜形成裝置1中，工件100連續進行加熱處理。因此，若每次搬出工件100時將工件100的溫度設為常溫，則使下一工件100升溫的時間變長。即，有生產性下降之虞。要搬出的工件100的溫度例如只要設為50℃~90℃即可。將此搬出溫度設為第三溫度。
控制器60將第一排氣部21的閥25閉合。然後，控制冷卻部40，而向設置有多個加熱器32a的空間供給冷卻氣體，由此間接及直接地使工件100的溫度下降。
因此，設置於上部均熱板34a彼此之間、及下部均熱板34b彼此之間等的間隙比設置於上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34c之間、及上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34d之間的間隙大。由此，在冷卻部40供給冷卻氣體的情況下，可增加向工件100的冷卻氣體的量。另外，可減少從處理區域30a、處理區域30b排出的冷卻氣體的量。因此，可有效率地將工件100冷卻。
另外，在剛剛形成了有機膜後，腔室10的內壓比大氣壓低，即成為腔室10的內部氣體少的狀態。因此，即便將冷卻氣體供給至腔室10的內部，也可抑制昇華物中所含的成分因所供給的冷卻氣體而成為固體的成分飛散。
在檢測腔室10的內壓的、未圖示的真空計的輸出成為與大氣壓相同的壓力後，控制器60將第二排氣部22的閥25閉合，打開第三排氣部23的閥25，始終排出冷卻氣體。
控制器60也可在未圖示的溫度計的檢測值成為200℃以下後，控制切換閥54，向設置有多個加熱器32a的空間供給清潔氣體G。在清潔氣體G為清潔乾燥空氣(Clean Dry Air，CDA)、冷卻氣體為N2或稀有氣體的情況下，可降低N2或稀有氣體的使用量。
在工件的搬出工序中，在形成了有機膜的工件100的溫度成為第三溫度後，停止導入至腔室10內的冷卻氣體或者清潔氣體G的供給。然後，開閉門13遠離凸緣11，從而搬出所述工件 100。
如上文所述，當昇華物與溫度比經加熱的工件100低的元件接觸時，昇華物中所含的成分有時會成為固體而附著於所述元件。
然而，由於上部均熱板34a及下部均熱板34b被加熱，因此可抑制昇華物中所含的成分附著於上部均熱板34a及下部均熱板34b。另外，如上文所述，由於在腔室10的內部形成有向設置有排氣口17或排氣口18的腔室10的底面(或頂棚面)的氣流，因此昇華物隨著所述氣流而被排出至腔室10外。
如上文所述，由於考慮到昇華物會被排出至腔室10外，因此認為可抑制昇華物中所含的成分附著於工件100。因此，以往，在將所述工件100搬出之後，下一工件100被搬入至腔室10內，並反復進行所述工序。
但是最終發現，實際上少量的昇華物附著於腔室10的內壁。藉由反復進行有機膜的形成工序，少量的昇華物也反復附著於腔室10的內壁。其結果，從昇華物產生的固體變大。從昇華物產生的固體當以某種程度變大後，從腔室10的內壁剝落。從腔室10的內壁剝落的固體有成為粒子等異物而附著於工件100的表面之虞。
一般而言，設置用於防止昇華物附著於腔室的內壁的防粘板，並定期地更換防粘板。但是，所述方法的更換作業繁雜。因此，本發明者等人對將從昇華物產生的固體從腔室10的內壁等 去除的清潔進行了研究。
接著，一併對清潔部50的作用及本實施方式的有機膜形成裝置的清潔方法進行說明。
圖3是用於例示清潔部50的作用的示意剖面圖。
此外，為了避免變得繁雜，省略了設置於腔室10的內部的元件等來描述。
如圖3所示，清潔部50在將腔室10的開口11a開放時(門13遠離凸緣11時)，向腔室10的內部供給清潔氣體G。例如，在將腔室10的開口11a開放時，控制器60控制氣體控制部53，而使清潔氣體G從噴嘴41向加熱部32內流動。清潔氣體G被從加熱部32內供給至腔室10的內部。
如上文所述，設置於上部均熱板34a彼此之間、及下部均熱板34b彼此之間等的間隙比設置於上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34c之間、及上部均熱板34a(下部均熱板34b)與側部均熱板34d之間的間隙大。因此，在清潔部50供給清潔氣體G的情況下，可增加向處理區域30a、處理區域30b供給的清潔氣體G的量。
供給至腔室10的內部的清潔氣體G經由腔室10的開口11a被排出至腔室10的外部。此時，處於腔室10的內部的昇華物或粒子等異物隨著清潔氣體G的氣流而被排出至腔室10的外部。此外，加熱器32a、固持器32b、均熱部34及均熱板支撐部35因熱膨脹而摩擦。由於這些構件摩擦，而產生微小的金屬片。所述 金屬片也包含在異物中。另外，若在腔室10的內部形成氣流，則可使附著於腔室10的內壁、或設置於腔室10的內部的元件的昇華物的成分(固體)剝離，並且使其排出至腔室10的外部。
在此情況下，可定期地或者視需要向腔室10的內部供給清潔氣體G。即，可與進行工件100的處理的工序分開設置清潔工序，在清潔工序中向腔室10的內部供給清潔氣體G。
另外，在將處理完畢的工件100從腔室10搬出，並將接下來進行處理的工件100搬入至腔室10之前的期間，也可向腔室10的內部供給清潔氣體G。即，即便是進行工件100的處理的一系列工序，在腔室10的內部無工件100的情況下，也可利用清潔部50進行清潔。
若設置有清潔部50，則可使處於腔室10的內部的昇華物或粒子等異物隨著清潔氣體G的氣流，而排出至腔室10的外部。另外，可使附著於腔室10的內壁等的昇華物的成分(固體)剝離，並且使其排出至腔室10的外部。
即，若設置有清潔部50，則能夠充分去除處於腔室10的內部的異物。
接著，進一步對清潔部50的效果進行說明。
圖4是將利用排氣部20的粒子的排出與利用清潔部50的粒子的排出進行組合時的圖表。
在利用排氣部20的粒子的排出時，反復進行了10次以下作業：對腔室10的內部進行減壓，並將減壓後的腔室10的內部恢 復至大氣壓。
在利用清潔部50的粒子的排出時，在利用排氣部20的粒子的排出之後，從多個噴嘴41同時供給清潔氣體G。即，在利用清潔部50的粒子的排出之前，預先進行利用排氣部20的粒子的排出。
根據圖4可知，若能夠進行利用排氣部20的粒子的排出與利用清潔部50的粒子的排出，則可排出各種尺寸的粒子。
圖5是僅進行利用清潔部50的粒子的排出時的圖表。
在利用清潔部50的粒子的排出時，從多個噴嘴41同時供給清潔氣體G。
根據圖5可知，即便僅進行利用清潔部50的粒子的排出，也可排出各種尺寸的粒子。
此處，進行圖4與圖5的比較。根據圖4與圖5的比較可知，無論預先進行還是不預先進行利用排氣部20的粒子的排出，在剛剛利用清潔部50開始粒子的排出後排出的粒子的數量都無大的不同。這意味著難以利用排氣部20充分去除粒子。即，若在將腔室10密閉的狀態下，能夠進行依次執行腔室10的內部排氣與氣體向腔室10的內部的供給的清潔，則即便可以某種程度將粒子等異物去除，也無法充分去除粒子等異物。
與此相對，若能夠利用清潔部50進行清潔，則根據圖5可知，能夠充分去除處於腔室10的內部的異物。
此處，在圖4與圖5中對從利用清潔部50開始粒子的 排出起的經過時間為3min至5min之間的各種尺寸的粒子的檢測量進行比較。根據圖4與圖5的比較可知，在從利用清潔部50開始粒子的排出起的經過時間為3min至5min之間，圖4的粒子檢測量更少。因此，可縮短利用清潔部50的粒子的排出時間。即，更優選為進行利用排氣部20的粒子的排出與利用清潔部50的粒子的排出。但是，若在工件100處於腔室10內的狀態下利用排氣部20的粒子的排出，則有粒子附著於工件100的表面之虞。進行利用排氣部20的粒子的排出與利用清潔部50的粒子的排出優選為在有機膜形成裝置1的待機中進行。
圖6也是僅進行利用清潔部50的粒子的排出時的圖表。
但是，在圖6的情況下，從多個噴嘴41依次供給清潔氣體G。例如，從任意的多個噴嘴41以規定的時間供給清潔氣體G，在停止來自所述多個噴嘴41的清潔氣體G的供給之後，從其他多個噴嘴41以規定的時間供給清潔氣體G。在此情況下，可從設置于上方的多個噴嘴41依序供給清潔氣體G，可從設置于下方的多個噴嘴41依序供給清潔氣體G，也可從任意的多個噴嘴41依序供給清潔氣體G。另外，在供給清潔氣體G時使用的噴嘴41也可為一個。
根據圖6可知，在從利用清潔部50開始粒子的排出起的經過時間為3min的期間內，粒子的檢測量減少。但是，在從利用清潔部50開始粒子的排出起的經過時間為4min時，粒子的檢測量增加。認為其原因在於：藉由將清潔氣體的供給從所述多個 噴嘴41變更為其他多個噴嘴41，而腔室10內的清潔氣體G的氣流發生了變化。可認為，藉由腔室10內的清潔氣體G的氣流發生變化，利用之前的清潔氣體G的氣流無法排出的粒子被排出至腔室10的外部。
因此，根據圖5與圖6的比較可知，若從所述多個噴嘴41至其他多個噴嘴41依次供給清潔氣體G，則可大幅增加所排出的粒子的數量。這意味著可更有效果地將處於腔室10的內部的異物去除。
圖7是用於例示另一實施方式的清潔部50a的示意剖面圖。
與上文所述的清潔部50同樣地，清潔部50a例如具有多個噴嘴41、氣體源52、及氣體控制部53。
另外，如圖6所示，清潔部50a還可具有檢測部56。
檢測部56可設置於與腔室10的開口11a相向的位置。檢測部56檢測從腔室10的開口11a排出的清潔氣體G中所含的粒子等異物。檢測部56例如可設為粒子計數器等。
若設置有檢測部56，則可檢測清潔的終點。例如，在由檢測部56檢測出的異物的數量成為規定值以下的情況下，控制器60可控制氣體控制部53，而停止清潔氣體G的供給，結束清潔作業。
若可檢測出清潔的終點，則與藉由時間管理等結束清潔的情況相比，能夠降低清潔氣體G的消耗量。另外，可更適當地將處 於腔室10的內部的異物去除。
圖8是用於例示另一實施方式的清潔部50b的示意剖面圖。
與上文所述的清潔部50同樣地，清潔部50b例如具有多個噴嘴41、氣體源52、及氣體控制部53。
另外，如圖8所示，清潔部50b還可具有檢測部56、及框體55。
框體55具有氣密結構，可設置於與腔室10的開口11a相向的位置。檢測部56可設置於框體55的內部。框體55例如可設為微環境(mini-environment)(局部潔淨環境)。
如上文所述，在從腔室10排出的清潔氣體G中包含粒子等異物。因此，從腔室10排出的異物有時會擴散至設置了有機膜形成裝置1的氣體環境下。若所擴散的粒子等異物到達處於有機膜形成裝置1的周邊的裝置或元件，則有產生污染或故障等之虞。另外，有時也欠佳的是作業者吸入粒子等異物或清潔氣體G。
若設置有框體55，則可抑制從腔室10排出的異物或清潔氣體G擴散至設置了有機膜形成裝置1的氣體環境下。
圖9是用於例示另一實施方式的有機膜形成裝置1a的示意立體圖。
與上文所述的清潔部50同樣地，清潔部150例如具有多個噴嘴41、氣體源52、及氣體控制部53。
另外，如圖9所示，清潔部150還可具有另一個清潔部50c。
清潔部50c具有噴嘴51、氣體源52、及氣體控制部53。
如圖9所示，噴嘴51可連接於腔室10的側面。噴嘴51可在腔室10的側面設置多個。本實施方式的噴嘴51呈前端被封閉的筒狀。噴嘴51的封閉的前端延伸至與設置有噴嘴51的腔室10的側面相向的腔室10的側面。在噴嘴51的側面設置有多個噴嘴孔51a。此外，噴嘴51的數量或配置可適宜變更。例如，也可在腔室10的側面沿Y方向排列設置多個噴嘴51。也可在腔室10的相向的側面此兩者設置噴嘴51。也可設置貫通腔室10的相向的側面此兩者的噴嘴51。也可將多個噴嘴51沿X方向排列設置于蓋15。
圖10是用於例示另一實施方式的清潔部150的示意剖面圖。
如圖10所示，可將清潔氣體G從噴嘴51的噴嘴孔51a導入至腔室10內。藉由設置清潔部50c，可加強由噴嘴41形成的清潔氣體G的氣流。或者，可產生與由噴嘴41形成的清潔氣體G的氣流不同的氣流。因此，利用由噴嘴41形成的清潔氣體G的氣流無法排出的粒子被排出至腔室10的外部。因此，可大幅增加所排出的粒子的數量。這意味著可更有效果地將處於腔室10的內部的異物去除。
另外，在冷卻工序中，也可將冷卻氣體從清潔部50c供給至腔室內。若冷卻氣體的供給時機設為剛剛形成了有機膜後，或將腔室10的內壓恢復至大氣壓的途中，則可使冷卻時間與恢復至大氣壓的時間重疊。即，可實現實質性的冷卻時間的縮短。此 外，在腔室10的內壁，附著有昇華物。因此，為了防止昇華物從腔室10的內壁剝落而流入至處理區域30a、處理區域30b的內部，來自清潔部50c的冷卻氣體的供給量優選為比來自冷卻部40的冷卻氣體的供給量少。
此外，在本實施方式中，在一個噴嘴51設置有多個噴嘴孔，但不限定於此。例如，一個噴嘴51中可形成一個噴嘴孔。在此情況下，噴嘴51呈在經開口的前端設置有凸緣的筒狀。而且，噴嘴51與腔室10的側面的孔氣密地連接。即，腔室10的側面的孔可作為噴嘴孔51a發揮功能。或者，在噴嘴51與設置于蓋15的孔氣密地連接的情況下，設置于蓋15的孔也可作為噴嘴孔51a發揮功能。
圖11是用於例示另一實施方式的有機膜形成裝置1b的示意立體圖。
與上文所述的清潔部150同樣地，清潔部250例如具有多個噴嘴41、氣體源52、清潔部50c、及氣體控制部53。
另外，如圖11所示，清潔部250還可具有另一個冷卻部140。
冷卻部140向處於處理區域30a、處理區域30b的內部的工件100供給冷卻氣體。即，冷卻部140將處於高溫狀態的工件100直接地冷卻。
冷卻部140與冷卻部40的不同之處在於，代替噴嘴41而具有噴嘴141。
噴嘴141可在處理區域30a、處理區域30b的內部設置 至少一個(參照圖12)。噴嘴141例如貫通蓋15及罩36，從而可安裝於側部均熱板34d或框架31等。在本實施方式中，在可向工件100的背面供給冷卻氣體的位置安裝噴嘴141。另外，噴嘴141可在X方向上設置多個。或者，噴嘴141可設為前端被封閉的筒狀。而且，也可在噴嘴141的側面設置多個孔，並從腔室10的側面插入。
在冷卻工序中，從噴嘴141相對于工件100平行地噴出冷卻氣體。此外，在圖12中，門13成為打開的狀態，但在接下來敘述的冷卻工序中，門13成為關閉的狀態。從噴嘴141相對於工件100的背面(即，由支撐部33支撐的面)大致平行地供給冷卻氣體。由此，工件100與支撐部33之間充滿冷卻氣體，從而可將工件100直接地冷卻。另外，從噴嘴141供給並經由工件100的背面的冷卻氣體從未圖示的排出口被排出至腔室10外。排出口在腔室10的頂棚部分設置多個(例如四個)。當在冷卻工序中向腔室10供給冷卻氣體時，腔室10內的熱向腔室10的上方移動，因此可藉由設置於頂棚部分的排出口有效率地進行排熱。進而，藉由從多個噴嘴141中位於腔室10內的下方側的噴嘴141依序供給冷卻氣體，而在腔室10內形成向腔室10的頂棚側的氣流。由此，可效率良好地從排出口排出腔室10內的粒子。
此處，當開始冷卻工序時，藉由供給冷卻氣體，比大氣壓低的腔室10的內壓逐漸接近大氣壓。此時，若腔室10的內壓急劇接近大氣壓，則被支撐部33支撐的工件100會因壓力變動而 移動，而與支撐部33摩擦從而產生粒子。因此，首先，在冷卻工序開始後，在腔室10的內壓成為規定壓力之前的期間，僅從噴嘴41供給冷卻氣體，將工件100間接地冷卻。從噴嘴41供給的冷卻氣體不直接供給至工件100，而是供給至均熱部34。由此，腔室10的內壓在避免工件100附近的壓力急劇變化的同時逐漸上升。其後，在腔室10的內壓成為規定壓力後，也從噴嘴141供給冷卻氣體，而將工件100直接冷卻。規定壓力是工件100不會因從噴嘴141供給冷卻氣體引起的壓力變動而移動的壓力，且預先藉由實驗等求出。從噴嘴141供給冷卻氣體是在腔室10的內壓以某種程度上升之後，因此工件100不會因壓力變動而移動。由此，可有效果地抑制由工件100與支撐部33摩擦而產生粒子。
另外，也可在腔室10的開口11a側端部設置多個從腔室10的底面向頂棚吹出空氣的未圖示的噴嘴。若如此，則可形成從腔室10的底面向頂棚的氣流，因此可將被噴嘴141及噴嘴41吹走的粒子有效率地搬運至排出口並排出。此外，由所述未圖示的噴嘴形成的氣流還發揮作為在門13打開時防止粒子從腔室10外侵入的氣簾的作用。
此外，也可設置多個從腔室10的頂棚向底面吹出空氣的未圖示的噴嘴。而且，在作為氣簾使用時(門13打開時)，也可形成從腔室10的頂棚向底面的氣流。在此情況下，可形成空氣沿與有機膜形成裝置1的所設置的潔淨室內的下降流(down flow)相同的方向流動的氣簾，因此可更有效果地防止粒子向腔室10內 侵入。
另外，從腔室10的底面向頂棚吹出空氣的未圖示的噴嘴不僅可設置於開口11a側，也可設置于蓋15側。從冷卻噴嘴141噴出的冷卻氣體在被噴出之後經由工件100的背面進入門13側，並且流速逐漸減速。冷卻氣體及門13碰撞，在與蓋15側碰撞時，冷卻氣體的流速變得相當慢，冷卻氣體容易在蓋15側的壁面上滯留。於是，成為在蓋15側的壁面上附著有粒子的狀態，從而附著于所述蓋15側壁面的粒子附著於接下來要處理的工件。藉由設置沿著蓋15側的壁面從腔室10的底面向頂棚吹出空氣的噴嘴，可將附著於壁面的粒子有效率地從排出口排出。
在將工件100間接及直接地冷卻的情況下，在冷卻工序中，從冷卻部40及冷卻部140供給冷卻氣體。即，可使用冷卻部140的噴嘴141將工件100直接地冷卻。由此，可實現實質性的冷卻時間的縮短。
圖12是用於例示另一實施方式的清潔部250的示意剖面圖。
藉由設置冷卻部140，可還從噴嘴141向處理區域30a、處理區域30b的內部供給清潔氣體G。因此，可加強由噴嘴41形成的清潔氣體G的氣流。因此，利用由噴嘴41形成的清潔氣體G的氣流無法排出的粒子被排出至腔室10的外部。因此，可大幅增加所排出的粒子的數量。這意味著可更有效果地將處於腔室10的內部的異物去除。
如以上所說明那樣，本實施方式的有機膜形成裝置的清潔方法是具有腔室10的有機膜形成裝置的清潔方法，所述腔室10具有搬入或搬出工件100的開口11a，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境。
在本實施方式的有機膜形成裝置的清潔方法中，在將腔室10的開口11a開放時，在腔室10的內部形成向腔室10的開口11a流動的清潔氣體G的流動。
另外，藉由從多個噴嘴41依次供給清潔氣體G，而形成清潔氣體G的流動。
另外，在從腔室10的開口11a排出的清潔氣體G中所含的異物的數量為規定值以下的情況下，停止清潔氣體G的流動的形成。
在形成向腔室10的開口11a流動的清潔氣體G的流動時，工件100未被支撐於腔室10的內部。
另外，也可藉由從多個噴嘴51、或多個噴嘴141或者此兩者依次供給清潔氣體G，而加強藉由從多個噴嘴41依次供給清潔氣體G而形成的清潔氣體G的流動。或者，也可藉由從多個噴嘴51、或多個噴嘴141或者此兩者依次供給清潔氣體G，而形成與藉由從多個噴嘴41依次供給清潔氣體G而形成的清潔氣體G的流動不同的流動。
以上，對實施方式進行了例示。但是，本發明並不限定於這些記述。
本領域技術人員對上文所述的實施方式適宜施加設計變更而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含于本發明的範圍。
例如，有機膜形成裝置1的形狀、尺寸、配置等不限定於例示，可適宜變更。
另外，上文所述的各實施方式所包括的各元件可盡可能地組合，將這些組合而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含于本發明的範圍。
10:腔室
11:凸緣
11a:開口
13:門(開閉門)
16:冷卻部
20:排氣部
32:加熱部
36:罩
41:噴嘴
50:清潔部
G:清潔氣體
X、Y、Z:方向

Claims (16)

  1. 一種有機膜形成裝置，包括：腔室，具有搬入或搬出工件的開口，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境；門，能夠使所述腔室的開口開閉；排氣部，能夠對所述腔室內部進行排氣；支撐部，設置於所述腔室的內部，能夠支撐所述工件；加熱部，設置於所述腔室的內部，能夠將所述工件加熱；以及多個噴嘴，設置於所述腔室的內部，能夠向所述腔室的開口供給清潔氣體，所述多個噴嘴依序供給所述清潔氣體。
  2. 如請求項1所述的有機膜形成裝置，還包括：氣體控制部，連接於所述噴嘴，能夠控制所述清潔氣體的供給與供給的停止；以及控制器，能夠控制所述氣體控制部，在將所述腔室的開口開放時，所述控制器控制所述氣體控制部，而使所述清潔氣體從所述噴嘴向所述腔室的開口流動。
  3. 如請求項1所述的有機膜形成裝置，還包括：冷卻部，向所述加熱部的內部供給冷卻氣體；第一清潔部，連接於所述噴嘴；切換閥，設置於所述噴嘴與所述清潔部之間；以及 控制器，能夠控制所述切換閥，所述冷卻部與所述切換閥連接，所述控制器藉由控制所述切換閥，能夠選擇從所述噴嘴向所述加熱部的內部供給所述冷卻氣體還是供給所述清潔氣體。
  4. 如請求項3所述的有機膜形成裝置，還包括：至少一個第二噴嘴，設置於所述腔室的側面，能夠向所述腔室內供給清潔氣體；以及第二清潔部，與所述第二噴嘴連接，所述控制器能夠選擇從所述噴嘴或所述第二噴嘴或者此兩者供給清潔氣體。
  5. 如請求項3所述的有機膜形成裝置，還包括氣體控制部，所述氣體控制部連接於所述噴嘴，能夠控制所述清潔氣體的供給與供給的停止，所述控制器能夠控制所述氣體控制部，在將所述腔室的開口開放時，所述控制器控制所述氣體控制部，而使所述清潔氣體從所述噴嘴向所述腔室的開口流動。
  6. 如請求項4所述的有機膜形成裝置，還包括氣體控制部，所述氣體控制部連接於所述噴嘴，能夠控制所述清潔氣體的供給與供給的停止，所述控制器能夠控制所述氣體控制部， 在將所述腔室的開口開放時，所述控制器控制所述氣體控制部，而使所述清潔氣體從所述噴嘴向所述腔室的開口流動。
  7. 如請求項3所述的有機膜形成裝置，還包括檢測部，所述檢測部檢測從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所含的異物，在由所述檢測部檢測出的所述異物的數量成為規定值以下的情況下，所述控制器控制所述氣體控制部，而停止所述清潔氣體的供給。
  8. 如請求項4所述的有機膜形成裝置，還包括檢測部，所述檢測部檢測從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所含的異物，在由所述檢測部檢測出的所述異物的數量成為規定值以下的情況下，所述控制器控制所述氣體控制部，而停止所述清潔氣體的供給。
  9. 如請求項5所述的有機膜形成裝置，還包括檢測部，所述檢測部檢測從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所含的異物，在由所述檢測部檢測出的所述異物的數量成為規定值以下的情況下，所述控制器控制所述氣體控制部，而停止所述清潔氣體的供給。
  10. 如請求項6所述的有機膜形成裝置，還包括檢測部，所述檢測部檢測從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所 含的異物，在由所述檢測部檢測出的所述異物的數量成為規定值以下的情況下，所述控制器控制所述氣體控制部，而停止所述清潔氣體的供給。
  11. 如請求項1至請求項10中任一項所述的有機膜形成裝置，還包括框體，所述框體具有氣密結構，設置於與所述腔室的開口相向的位置。
  12. 一種有機膜形成裝置的清潔方法，是具有腔室的有機膜形成裝置的清潔方法，所述腔室具有搬入或搬出工件的開口，能夠維持較大氣壓進一步經減壓的氣體環境，且所述有機膜形成裝置的清潔方法中，在將所述腔室的開口開放時，在所述腔室的內部形成向所述腔室的開口流動的清潔氣體的流動。
  13. 如請求項12所述的有機膜形成裝置的清潔方法，其中，藉由從多個噴嘴依序供給所述清潔氣體，而形成所述清潔氣體的流動。
  14. 如請求項12所述的有機膜形成裝置的清潔方法，其中，在從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所含的異物的數量成為規定值以下的情況下，停止所述清潔氣體的流動的形成。
  15. 如請求項13所述的有機膜形成裝置的清潔方法，其中，在從所述腔室的開口排出的所述清潔氣體中所含的異 物的數量成為規定值以下的情況下，停止所述清潔氣體的流動的形成。
  16. 如請求項12至請求項15中任一項所述的有機膜形成裝置的清潔方法，其中，在形成向所述腔室的開口流動的清潔氣體的流動時，所述工件未被支撐於所述腔室的內部。
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