TW202305992A - 加熱處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種加熱處理裝置，即使在從工件的兩面側進行加熱的情況下，也能夠通過簡單的方法對附著有加熱處理的對象物的工件的表面溫度、背面溫度以及面內的溫度分佈的偏差進行更詳細的控制。加熱處理裝置包括：腔室；第一加熱部；第二加熱部，與第一加熱部相向；至少一個第一均熱板，設置於第一加熱部與第二加熱部之間；至少一個第二均熱板，設置於第一均熱板與第二加熱部之間；第一處理區域，為第一均熱板與第二均熱板之間且用以支撐工件；第一溫度控制部，設置於第一均熱板；以及第二溫度控制部，設置於第二均熱板。第一溫度控制部具有與第一均熱板隔開間隙而設置的第一放射部。第二溫度控制部具有與第二均熱板隔開間隙而設置的第二放射部。

Description

加熱處理裝置

本發明是有關於一種加熱處理裝置。

存在一種加熱處理裝置，對工件進行加熱並在工件的表面形成膜等，或對工件的表面進行處理。 例如，提出了一種加熱處理裝置，通過在基板上塗布包含有機材料與溶媒的溶液並對其進行加熱，從而在基板上形成有機膜。在此種加熱處理裝置中，例如，有時將腔室的內部空間減壓至比大氣壓低，並在減壓至比大氣壓低的氣體環境中，將塗布了溶液的基板加熱至100℃～600℃左右的溫度。另外，通過在工件的表面側（上側）與工件的背面側（下側）設置加熱器，從工件的兩面側經由均熱板進行加熱，也可實現處理時間的縮短。

此處，一般而言，作為加熱處理的對象的溶液、或層等設置於工件的表面。若從加熱處理的對象物的表面進行化學反應，則有反應在加熱處理的對象物的與基板相接的區域無法充分進行之虞。在此情況下，有所形成的膜或經處理的層的品質下降之虞。因此，為了提高所形成的膜、或經處理的層的品質，要求在使設置於工件表面的溶液、或層等的表面溫度低於工件的背面溫度的狀態下進行加熱。 另外，要求更高品質的膜或層。因此，謀求一種對工件的面內的溫度分佈進行更均勻的控制的技術。

因此，期望開發一種加熱處理裝置，即使在從工件的兩面側進行加熱的情況下，也能夠通過簡單的方法對附著有加熱處理的對象物的工件的表面溫度、工件的背面溫度以及工件的面內的溫度分佈的偏差進行更詳細的控制。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 國際公開第2019/117250號

[發明所欲解決之課題]

本發明所要解決的問題在於提供一種加熱處理裝置，即使在從工件的兩面側進行加熱的情況下，也能夠通過簡單的方法對附著有加熱處理的對象物的工件的表面溫度、工件的背面溫度以及工件的面內的溫度分佈的偏差進行更詳細的控制。 [解決課題之手段]

實施方式的加熱處理裝置包括：腔室；第一加熱部，設置於所述腔室的內部且具有至少一個第一加熱器；第二加熱部，設置於所述腔室的內部且具有至少一個第二加熱器，並且與所述第一加熱部相向；至少一個第一均熱板，設置於所述第一加熱部與所述第二加熱部之間；至少一個第二均熱板，設置於所述第一均熱板與所述第二加熱部之間；第一處理區域，為所述第一均熱板與所述第二均熱板之間且用以支撐工件；第一溫度控制部，設置於所述第一均熱板；以及第二溫度控制部，設置於所述第二均熱板。所述第一溫度控制部具有與所述第一均熱板隔開間隙而設置的第一放射部。所述第二溫度控制部具有與所述第二均熱板隔開間隙而設置的第二放射部。 實施方式的加熱處理裝置包括：腔室；排氣部，對所述腔室的內部進行排氣，使所述腔室的內部成為真空；第一處理區域，設置於所述腔室的內部，且用以支撐工件；第一加熱部，設置於所述第一處理區域的上部且具有至少一個第一加熱器；第二加熱部，設置於所述第一處理區域的下部具有至少一個第二加熱器；至少一個第一均熱板，設置於所述第一處理區域與所述第一加熱部之間；至少一個第二均熱板，設置於所述第一處理區域與所述第二加熱部之間；以及第一溫度控制部，設置於所述第一均熱板，所述第一溫度控制部具有與所述第一均熱板隔開間隙而設置的第一放射部。 [發明的效果]

根據本發明的實施方式，提供一種加熱處理裝置，即使從工件的兩面側進行加熱，也能夠通過簡單的方法對附著有加熱處理的對象物的工件的表面溫度、工件的背面溫度以及工件的面內的溫度分佈的偏差進行更詳細的控制。

以下，參照附圖對實施方式進行例示。此外，各附圖中，對相同的構成元件標注相同的符號並適宜省略詳細的說明。 以下，作為一例，說明在減壓至比大氣壓低的氣體環境中對工件進行加熱而在工件的表面形成有機膜的加熱處理裝置。然而，本發明並不限定於此。例如，本發明也可適用於對工件進行加熱並在工件的表面形成無機膜等、或對工件的表面進行處理的加熱處理裝置。

另外，加熱前的工件例如可具有基板以及塗布於基板表面的溶液，也可僅為基板。以下，作為一例，對加熱前的工件具有基板以及塗布於基板表面的溶液的情況進行說明。 此外，有時也將塗布於基板表面的溶液及形成於基板表面的層等統稱為加熱處理的對象物。

圖1是用以對本實施方式的加熱處理裝置1進行例示的示意立體圖。 此外，圖1中的X方向、Y方向、及Z方向表示相互正交的三個方向。本說明書中的上下方向可設為Z方向。

加熱前的工件100具有基板以及塗布於基板表面的溶液。 基板例如是玻璃基板或半導體晶片等。但是，基板並不限定於示例。 溶液例如包含有機材料與溶劑。有機材料只要能夠由溶劑溶解，則並無特別限定。溶液例如可設為包含聚醯胺酸的清漆等。但是，溶液並不限定於示例。

如圖1所示，在加熱處理裝置1例如設置有腔室10、排氣部20、處理部30、冷卻部40及控制器50。 腔室10呈箱狀。腔室10具有能夠對減壓至比大氣壓低的氣體環境進行維持的氣密結構。腔室10的外觀形狀並無特別限定。腔室10的外觀形狀例如可設為長方體或圓筒。腔室10例如可由不銹鋼等金屬形成。

例如，在腔室10的其中一個端部，設置有凸緣11。在凸緣11可設置O形環等密封材12。腔室10的設置有凸緣11的一側的開口能夠通過開閉門13開閉。通過未圖示的驅動裝置，開閉門13被推壓至凸緣11（密封材12），由此腔室10的開口以成為氣密的方式閉鎖。通過未圖示的驅動裝置，開閉門13遠離凸緣11，由此能夠經由腔室10的開口搬入或搬出工件100。

在腔室10的另一個端部，可設置凸緣14。在凸緣14，可設置O形環等密封材12。腔室10的設置有凸緣14的一側的開口能夠通過蓋15開閉。例如，蓋15可使用螺杆等緊固構件而能夠裝卸地設置於凸緣14。在進行維護等時，通過卸下蓋15，使腔室10的設置有凸緣14的一側的開口露出。

在腔室10的外壁可設置冷卻部16。在冷卻部16，連接有未圖示的冷卻水供給部。冷卻部16例如可設為水套（Water Jacket）。若設置有冷卻部16，則可抑制腔室10的外壁溫度比規定的溫度高。

排氣部20對腔室10的內部進行排氣。排氣部20具有第一排氣部21以及第二排氣部22。 第一排氣部21連接於排氣口17，所述排氣口17設置於腔室10的底面。 第一排氣部21具有排氣泵21a與壓力控制部21b。 排氣泵21a可設為從大氣壓進行粗抽排氣至規定壓力的排氣泵。因此，排氣泵21a與後述的排氣泵22a相比排氣量更多。排氣泵21a例如可設為幹式真空泵等。

壓力控制部21b設置於排氣口17與排氣泵21a之間。壓力控制部21b基於檢測腔室10的內壓的、未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部21b例如可設為自動壓力控制器（Auto Pressure Controller，APC）等。

第二排氣部22連接於排氣口18，所述排氣口18設置於腔室10的底面。 第二排氣部22具有排氣泵22a以及壓力控制部22b。 排氣泵22a在利用排氣泵21a進行粗抽排氣之後，進行排氣至更低的規定壓力。排氣泵22a例如具有能夠排氣至高真空的分子流區域為止的排氣能力。例如，排氣泵22a可設為渦輪分子泵（Turbo Molecular Pump，TMP）等。

壓力控制部22b設置於排氣口18與排氣泵22a之間。壓力控制部22b基於檢測腔室10的內壓的、未圖示的真空計等的輸出，以腔室10的內壓成為規定壓力的方式進行控制。壓力控制部22b例如可設為APC等。

排氣口17及排氣口18配置於腔室10的底面。因此，在腔室10的內壁與處理部30之間的空間中，形成朝向腔室10的底面的下降流（down flow）的氣流。若在所述空間中形成下降流的氣流，則對工件100進行加熱時產生的、包含有機材料的昇華物從處理部30的內部流向所述空間，並隨著所述空間的下降流的氣流排出至腔室10的外部。因此，可抑制昇華物等異物附著在工件100。

此外，以上例示了排氣口17及排氣口18設置於腔室10的底面的情況，但排氣口17及排氣口18例如也可設置於腔室10的頂棚面或側面。若排氣口17及排氣口18設置於腔室10的底面或頂棚面，則可在腔室10的內部形成向腔室10的底面或頂棚面的氣流。

處理部30例如具有框架31、加熱部32（相當於第一加熱部或第二加熱部的一例）、支撐部33、均熱部34、均熱板支撐部35、罩36及溫度控制部37（相當於第一溫度控制部或第二溫度控制部的一例）。 在處理部30的內部設置有處理區域30a（相當於第一處理區域的一例）、及處理區域30b（相當於第二處理區域的一例）。處理區域30a、處理區域30b成為對工件100實施處理的空間。工件100支撐在處理區域30a、處理區域30b的內部。處理區域30b在處理區域30a上重疊設置。此外，雖對設置兩個處理區域的情況進行了例示，但並不限定於此。也可僅設置一個處理區域、或設置三個以上的處理區域。在本實施方式中，作為一例，對設置兩個處理區域的情況進行例示，但在設置一個處理區域、及三個以上的處理區域的情況下，也可同樣地考慮。

處理區域30a、處理區域30b設置於加熱部32與加熱部32之間。處理區域30a、處理區域30b被均熱部34包圍。

如後所述，均熱部34包含多個均熱板。因此，均熱部34並非密閉結構。因此，若將腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力減壓，則處理區域30a、處理區域30b的內部的空間也減壓。

若將腔室10的內壁與處理部30之間的空間的壓力減壓，則可抑制從處理區域30a、處理區域30b向外部釋放的熱。即，可提高加熱效率與蓄熱效率。因此，可使對後述的加熱器32a（相當於第一加熱器或第二加熱器的一例）施加的電力降低。若可使對加熱器32a施加的電力降低，則可抑制加熱器32a的溫度成為規定的溫度以上，因此可延長加熱器32a的壽命。

框架31例如具有使用細長的板材或型鋼等的骨架結構。框架31的外觀形狀可設為與腔室10的外觀形狀相同。框架31的外觀形狀例如可設為長方體。在本實施方式中，框架31在四個部位與腔室10的底面接觸。在框架31的與腔室10接觸的部位設置絕熱構件。通過減少框架31與腔室10的接觸面積，並在接觸部分使用絕熱構件，可提高框架31的蓄熱效率。

加熱部32設置有多個。加熱部32可設置於處理區域30a、處理區域30b的下部、及處理區域30a、處理區域30b的上部。設置於處理區域30a、處理區域30b的下部的加熱部32成為下部加熱部。設置於處理區域30a、處理區域30b的上部的加熱部32成為上部加熱部。下部加熱部與上部加熱部相向。此外，在沿上下方向重疊設置多個處理區域的情況下，設置於下側的處理區域的上部加熱部可兼用作設置於上側的處理區域的下部加熱部。例如，在處理區域30a與處理區域30b之間設置的加熱部32由處理區域30a與處理區域30b兼用。

加熱部32設置於腔室10的內部，對工件100進行加熱。 例如，處理區域30a中經支撐的工件100的背面（下表面）由設置於處理區域30a的下部的加熱部32加熱。處理區域30a中經支撐的工件100的表面（上表面）由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。

處理區域30b中經支撐的工件100的背面由處理區域30a與處理區域30b兼用的加熱部32加熱。處理區域30b中經支撐的工件100的表面由設置於處理區域30b的上部的加熱部32加熱。 若如此，則可減少加熱部32的數量，因此可實現消耗電力的降低、製造成本的降低、省空間化等。

多個加熱部32分別具有至少一個加熱器32a以及一對固持器32b。此外，以下對設置多個加熱器32a的情況進行說明。 加熱器32a呈棒狀，並在一對固持器32b之間沿Y方向延伸。多個加熱器32a可沿X方向排列設置。多個加熱器32a可等間隔地設置。加熱器32a例如為鎧裝式加熱器（sheathed heater）、遠紅外線加熱器、遠紅外線燈、陶瓷加熱器、筒式加熱器（cartridge heater）等。另外，也可由石英罩覆蓋各種加熱器。

此外，在本說明書中，也包括經石英蓋覆蓋的各種加熱器在內而稱為“棒狀的加熱器”。另外，“棒狀”的外觀形狀並無限定，例如可設為圓柱狀或棱柱狀等。

另外，加熱器32a只要可在減壓至比大氣壓低的氣體環境下對工件100進行加熱，則並不限定於以上所述的情況。即，加熱器32a只要利用由放射所得的熱能即可。

上部加熱部及下部加熱部中的多個加熱器32a的規格、數量、間隔等可根據要加熱的溶液的組成（溶液的加熱溫度）、工件100的大小等而適宜變更。多個加熱器32a的規格、數量、間隔等可通過進行模擬或實驗等而適宜決定。

在處理區域30a、處理區域30b中，工件100經由上部均熱板34a及下部均熱板34b而從兩面側被加熱。此處，對溶液進行加熱時產生的包含昇華物的蒸汽容易附著在溫度比作為加熱對象的工件100的溫度低的物體。在此情況下，由於上部均熱板34a及下部均熱板34b被加熱，因此可抑制昇華物附著在上部均熱板34a及下部均熱板34b。另外，昇華物隨著以上所述的下降流的氣流而被排出至腔室10外。因此，可抑制昇華物附著在工件100。

一對固持器32b沿X方向延伸。一對固持器32b在Y方向上相互相向。其中一個固持器32b固定於框架31的開閉門13側的端面。另一個固持器32b固定於框架31的與開閉門13側為相反側的端面。一對固持器32b例如使用螺杆等緊固構件固定於框架31。一對固持器32b保持加熱器32a的端部附近的非放熱部。一對固持器32b例如由細長的金屬板材或型鋼等形成。一對固持器32b的材料例如可設為不銹鋼等。

多個支撐部33設置於腔室10的內部，支撐工件100。例如，多個支撐部33在上部加熱部與下部加熱部之間支撐工件100。多個支撐部33設置於處理區域30a的下部、及處理區域30b的下部。多個支撐部33可設為棒狀體。

多個支撐部33的其中一個端部的形狀可設為半球狀等。若多個支撐部33的其中一個端部的形狀為半球狀，則可抑制工件100的下表面產生損傷。另外，可減小工件100的下表面與多個支撐部33的接觸面積，因此可減少從工件100傳遞至多個支撐部33的熱。

多個支撐部33的另一個端部（下方的端部）例如可固定於架設在一對框架31之間的多個棒狀構件或板狀構件等。 多個支撐部33的數量、配置、間隔等可根據工件100的大小或剛性（撓曲）等而適宜變更。

均熱部34具有多個上部均熱板34a（相當於第一均熱板的一例）、多個下部均熱板34b（相當於第二均熱板的一例）、多個側部均熱板34c、及多個側部均熱板34d。多個上部均熱板34a、多個下部均熱板34b、多個側部均熱板34c、及多個側部均熱板34d呈板狀。

多個上部均熱板34a在上部加熱部中設置於下部加熱部側（工件100側）。多個上部均熱板34a與多個加熱器32a遠離地設置。多個上部均熱板34a沿X方向排列設置。在多個上部均熱板34a彼此之間設置有間隙。若設置有間隙，則可吸收上部均熱板34a的尺寸因熱膨脹而增加的量。因此，可抑制上部均熱板34a彼此干擾而發生變形。另外，如上所述，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的氣體環境的壓力減壓。

多個下部均熱板34b在下部加熱部中設置於上部加熱部側（工件100側）。多個下部均熱板34b與多個加熱器32a遠離地設置。多個下部均熱板34b沿X方向排列設置。在多個下部均熱板34b彼此之間設置有間隙。若設置有間隙，則可吸收下部均熱板34b的尺寸因熱膨脹而增加的量。因此，可抑制下部均熱板34b彼此干擾而發生變形。另外，如上所述，可經由所述間隙將處理區域30a、處理區域30b的氣體環境的壓力減壓。

側部均熱板34c在X方向上分別設置於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。側部均熱板34c可設置於罩36的內側。另外，也可將至少一個加熱器32a設置於側部均熱板34c與罩36之間。 側部均熱板34d在Y方向上分別設置於處理區域30a、處理區域30b的兩側的側部。

如上所述，多個加熱器32a呈棒狀，空開規定的間隔地排列設置。在加熱器32a為棒狀的情況下，從加熱器32a的中心軸呈放射狀放射熱。在此情況下，加熱器32a的中心軸與經加熱的部分之間的距離越短，則經加熱的部分的溫度越高。因此，在以相對於多個加熱器32a相向的方式保持有工件100的情況下，位於加熱器32a的正上方或正下方的工件100的區域與位於多個加熱器32a彼此之間的空間的正上方或正下方的工件100的區域相比，溫度變得更高。即，若使用呈棒狀的多個加熱器32a將工件100直接加熱，則在經加熱的工件100的面內產生溫度分佈的偏差。

若在工件100的面內產生溫度分佈的偏差，則有所形成的有機膜的品質下降之虞。例如，有在溫度變高的部分產生泡，或者有機膜的組成變化之虞。

若設置有多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b，則從多個加熱器32a放射出的熱入射至多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b。入射至多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b的熱在這些均熱板的內部沿面方向傳播，同時朝向工件100放射。因此，可抑制在工件100的面內產生溫度分佈的偏差，進而可提高所形成的有機膜的品質。

多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b的材料優選為設為導熱率高的材料。這些材料例如可設為鋁、銅、不銹鋼等。此外，在使用鋁或銅等容易氧化的材料的情況下，可在表面設置包含不易氧化的材料的層。 另外，下部均熱板34b的導熱率可高於上部均熱板34a的導熱率高。若如此，則與從下部均熱板34b放射的熱相比，從上部均熱板34a放射的熱變少，因此可在使設置於工件100的表面的溶液、或層等的表面溫度低於工件100的背面溫度的狀態下進行加熱。

從多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b放射出的熱的一部分朝向處理區域的側方。因此，在處理區域的側部，設置有以上所述的側部均熱板34c、側部均熱板34d。入射至側部均熱板34c、側部均熱板34d的熱在側部均熱板34c、側部均熱板34d沿面方向傳播，同時其一部分向工件100放射。因此，可提高工件100的加熱效率。 側部均熱板34c、側部均熱板34d的材料可設為與以上所述的上部均熱板34a及下部均熱板34b的材料相同。

此外，以上對設置多個上部均熱板34a及多個下部均熱板34b的情況進行了例示，但上部均熱板34a及下部均熱板34b的至少一者也可設為單一的板狀構件。

多個均熱板支撐部35沿X方向排列設置。均熱板支撐部35在X方向上設置於上部均熱板34a彼此之間的正下方。多個均熱板支撐部35使用螺杆等緊固構件固定於一對固持器32b。一對均熱板支撐部35裝卸自如地支撐上部均熱板34a的兩端。此外，支撐多個下部均熱板34b的多個均熱板支撐部35也可具有相同的結構。

若由一對均熱板支撐部35支撐上部均熱板34a及下部均熱板34b，則可吸收由熱膨脹所致的尺寸差。因此，可抑制上部均熱板34a及下部均熱板34b變形。

罩36呈板狀，覆蓋框架31的上表面、底面、及側面。即，由罩36覆蓋框架31的內部。但是，開閉門13側的罩36例如可設置於開閉門13。 罩36包圍處理區域30a、處理區域30b，但在框架31的上表面與側面的分界線、框架31的側面與底面的分界線、開閉門13的附近設置有間隙。

另外，設置於框架31的上表面及底面的罩36被分割為多個。另外，在所分割的罩36彼此之間設置有間隙。即，處理部30（處理區域30a、處理區域30b）的內部空間經由這些間隙而與腔室10的內部空間連通。因此，可使處理區域30a、處理區域30b的壓力和腔室10的內壁與罩36之間的空間的壓力相同。罩36例如由不銹鋼等形成。

溫度控制部37設置於上部均熱板34a及下部均熱板34b。溫度控制部37通過對從上部均熱板34a及下部均熱板34b放射的熱進行控制，從而對附著有加熱處理的對象物的工件100的表面溫度及工件100的背面溫度、以及工件的面內的溫度分佈的偏差進行控制。 此外，工件100的表面包括基板的表面、塗布於基板表面的溶液的表面及形成於基板表面的層等的表面。 此外，與溫度控制部37相關的詳細情況將在下文進行敘述。

冷卻部40對設置有多個加熱器32a的空間供給冷卻氣體。冷卻部40也可向處理區域30a、處理區域30b供給冷卻氣體。冷卻部40利用冷卻氣體對包圍處理區域30a、處理區域30b的均熱部34進行冷卻。通過對均熱部34進行冷卻，處於高溫狀態的工件100被間接地冷卻。另外，通過對均熱部34進行冷卻，可抑制均熱部34的熱傳遞至工件100。在冷卻氣體被供給至處理區域30a、處理區域30b的情況下，處於高溫狀態的工件100被直接冷卻。

此外，冷卻部40並不一定為必需，也可省略。但是，若設置有冷卻部40，則可縮短工件100的冷卻時間。

冷卻部40具有噴嘴41、氣體源42、及氣體控制部43。 噴嘴41連接於設置有多個加熱器32a的空間。此外，在將冷卻氣體供給至處理區域30a、處理區域30b的情況下，噴嘴41連接於處理區域30a、處理區域30b。此外，噴嘴41的數量或配置可適宜變更。

氣體源42對噴嘴41供給冷卻氣體。氣體源42例如可設為高壓儲氣瓶、工廠配管等。另外，氣體源42也可設置多個。

冷卻氣體可設為不易與經加熱的工件100反應的氣體。冷卻氣體例如為氮氣、二氧化碳（CO _{2 ）}、稀有氣體等。稀有氣體例如為氬氣或氦氣等。冷卻氣體的溫度例如可設為室溫（例如，25℃）以下。

氣體控制部43設置於噴嘴41與氣體源42之間。氣體控制部43例如可進行冷卻氣體的供給、供給的停止、冷卻氣體的流速及流量中的至少任一者的控制。

控制器50例如包括中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等運算部以及存儲器等存儲部。控制器50例如為計算機等。控制器50基於存儲部中所保存的控制程序，對設置於加熱處理裝置1的各元件的動作進行控制。

接著，進一步對溫度控制部37進行說明。 如上所述，若設置有上部均熱板34a及下部均熱板34b，則可抑制經加熱的工件100的面內產生溫度分佈的偏差。然而，作為加熱處理的對象的溶液設置於工件100的表面側。若從加熱處理的對象物的表面進行化學反應，則有反應在加熱處理的對象物的與基板相接的區域無法充分進行之虞。在此情況下，有所形成的膜或經處理的層的品質下降之虞。因此，要求在使加熱處理的對象物的表面、即工件的表面的溫度低於工件的背面溫度的狀態下進行加熱。 另外，要求更高品質的膜或層。因此，謀求一種對工件100的面內的溫度分佈進行更均勻的控制的技術。若工件100的面內的溫度分佈產生偏差，則有在所形成的有機膜的面內產生品質的偏差之虞。 因此，即使在從工件100的兩面側進行加熱的情況下，為了通過簡單的方法對附著有加熱處理的對象物的工件100的表面溫度及工件100的背面溫度、以及工件100的面內的溫度分佈的偏差進行更詳細的控制，也設置有溫度控制部37。

圖2是用以對溫度控制部37進行例示的示意剖面圖。 圖2對與工件100的存在于周緣區域與中央區域之間的區域（中間區域）相向的上部均熱板34a及下部均熱板34b進行例示。 圖3是用以對溫度控制部37的平面形狀進行例示的示意平面圖。 如圖2及圖3所示，溫度控制部37可設置於與工件100的中央區域及中間區域相向的多個上部均熱板34a的、工件100側的面及與工件100側為相反側的面（加熱器32a側的面）中的至少任一者。圖2中進行了例示的溫度控制部37設置於上部均熱板34a的工件100側的面。另外，例如，溫度控制部37可設置於與工件100的中央區域及中間區域相向的多個下部均熱板34b的、工件100側的面及與工件100側為相反側的面（加熱器32a側的面）中的至少任一者。圖2中進行了例示的溫度控制部37設置於下部均熱板34b的與工件100側為相反側的面。

溫度控制部37具有放射部37a（相當於第一放射部或第二放射部的一例）及多個凸部37b。 放射部37a呈板狀。放射部37a與上部均熱板34a隔開間隙地設置。另外，放射部37a與下部均熱板34b隔開間隙地設置。多個凸部37b呈突起狀。多個凸部37b可設置於放射部37a的上部均熱板34a側的面、或下部均熱板34b側的面。另外，多個凸部37b是為了在放射部37a與上部均熱板34a之間、或放射部37a與下部均熱板34b之間設置間隙而設置。

入射至工件100的表面或者背面的熱量不會因放射部37a與上部均熱板34a或放射部37a與下部均熱板34b的距離而變化。因此，多個凸部37b的高度只要設為放射部37a與上部均熱板34a或放射部37a與下部均熱板34b不接觸的高度即可。例如，多個凸部37b的高度只要設為0.2 mm以上即可。另外，若增大放射部37a與上部均熱板34a或放射部37a與下部均熱板34b的距離，則會導致腔室10的大型化。因此，多個凸部37b的高度只要設為1 mm以下即可。

如上所述，從多個加熱器32a放射並入射至上部均熱板34a及下部均熱板34b的熱在這些均熱板的內部沿面方向傳播，同時向工件100側放射。工件100的溫度會因放射至工件100側的熱而上升，但工件100的周緣側與工件100的中央側相比更容易散熱。因此，工件100的中央區域的溫度高於工件100的周緣區域的溫度。

此處，在設置有溫度控制部37的區域中，從上部均熱板34a放射出的熱入射至溫度控制部37，入射至溫度控制部37的熱朝向工件100放射。在此情況下，由於在溫度控制部37設置有多個凸部37b，因此從上部均熱板34a放射出的熱經由間隙而入射至放射部37a，並從放射部37a朝向工件100放射。另外，在下部均熱板34b側，從溫度控制部37放射出的熱入射至下部均熱板34b，入射至下部均熱板34b的熱朝向工件100放射。在此情況下，由於在溫度控制部37設置有多個凸部37b，因此從放射部37a放射出的熱經由間隙而入射至下部均熱板34b，並從下部均熱板34b朝向工件100放射。即，在設置有溫度控制部37的區域中，通過介隔存在溫度控制部37，放射熱的傳播效率下降。因此，工件100的與溫度控制部37相向的區域的溫度低於工件100的不與溫度控制部37相向的區域的溫度。

在此情況下，若如圖3所示，在俯視時溫度控制部37設置於與工件100的中央區域相向的上部均熱板34a及下部均熱板34b的中央區域，則可減少入射至工件100的中央區域的熱。因此，在工件100的面內，可取得來自工件100的散熱量與入射至工件100的熱量的平衡。其結果，可進一步抑制在工件100的面內產生溫度分佈的偏差，進而可進一步提高所形成的有機膜的品質。

另外，通過放射部37a的平面形狀與放射部37a的平面尺寸，可對入射至工件100的表面或者背面的熱量、與入射至工件100的面內的熱量的偏差進行控制。另外，通過使設置於上部均熱板34a的放射部37a的平面尺寸大於設置於下部均熱板34b的放射部37a的平面尺寸，可在使工件100的表面溫度低於工件100的背面溫度的狀態下進行加熱。在此情況下，也可在與工件100的周緣區域相向的上部均熱板34a也設置溫度控制部37。另外，也可在上部均熱板34a的兩側的面設置溫度控制部37，在下部均熱板34b的單側的面設置溫度控制部37。

此外，工件100的溫度的面內分佈受到設置於工件100的周邊的元件或處理條件等的影響。因此，放射部37a的平面形狀與放射部37a的平面尺寸例如優選為通過進行實驗或模擬來適宜決定。

放射部37a及多個凸部37b例如可由不銹鋼等金屬形成。放射部37a及多個凸部37b例如可通過壓花加工、壓制成形等一體成形。

圖4是用以對另一實施方式的溫度控制部137進行例示的示意平面圖。 如圖4所示，溫度控制部137具有放射部137a、及凸部137b～凸部137d。

放射部137a可設為與以上所述的放射部37a相同。但是，放射部137a的平面形狀設為長方形。 凸部137b～凸部137d呈突起狀。凸部137b設置於放射部137a的中央區域。凸部137d設置於放射部137a的周緣區域。凸部137c設置於放射部137a的、用來設置凸部137b的區域與用來設置凸部137d的區域之間的中間區域。

另外，在與放射部137a的用來設置凸部137b～凸部137d的面平行的方向上，凸部137b的剖面積小於凸部137c的剖面積，凸部137c的剖面積小於凸部137d的剖面積。

如上所述，從上部均熱板34a（下部均熱板34b）放射出的熱的大部分經由間隙並通過輻射而傳遞至放射部137a。然而，由於凸部137b～凸部137d與上部均熱板34a（下部均熱板34b）接觸，因此在設置有凸部137b～凸部137d的部分，熱通過熱傳導而傳遞。在此情況下，若減小凸部的剖面積，則熱難以傳遞，若增大凸部的剖面積，則熱容易傳遞。因此，若根據用來設置凸部的區域來改變凸部的剖面積，則可減小放射部137a的面內的溫度分佈的偏差。

例如，放射部137a的周緣區域由於容易散熱，因此溫度容易降低。另一方面，放射部137a的中央區域由於難以散熱，因此溫度容易上升。因此，若將凸部137b～凸部137d的配置與剖面積設為以上所述的情況，則可使通過熱傳導而傳遞至放射部137a的周緣區域的熱最多，使傳遞至中間區域的熱其次多，使傳遞至中央區域的熱最少。因此，可減小放射部137a的面內的溫度分佈的偏差。

此外，放射部的溫度的面內分佈受到上部均熱板34a（下部均熱板34b）的溫度、設置於放射部的周邊的元件或處理條件等的影響。因此，凸部的配置、數量、剖面積例如優選為通過進行實驗或模擬來適宜決定。

另外，以上所說明的情況為可減少放射部的面內的溫度分佈的偏差的情況，但通過適宜設定凸部的配置、數量、剖面積，也可對放射部的特定區域的溫度進行控制。

圖5是用以對另一實施方式的溫度控制部237進行例示的示意剖面圖。 以上所述的溫度控制部37具有板狀的放射部37a以及設置於放射部37a的其中一個面的突起狀的多個凸部37b。 與此相對，溫度控制部237為波紋板。例如，可通過壓制成形等將平板加工成波紋板狀來作為溫度控制部237。溫度控制部237例如可由不銹鋼等金屬形成。

在此情況下，如圖5所示，溫度控制部237的上部均熱板34a（下部均熱板34b）側的部分237b作為以上所述的多個凸部37b發揮功能，溫度控制部237的、與上部均熱板34a（下部均熱板34b）側為相反側的部分237a作為放射部37a發揮功能。 即，溫度控制部只要具有隔開間隙地設置於上部均熱板34a（下部均熱板34b）的放射部即可。

圖6是用以對另一實施方式的溫度控制部337、及溫度控制部437進行例示的示意剖面圖。 如圖6所示，溫度控制部337可設置於上部均熱板34a的工件100側的面及與工件100側為相反側的面中的至少任一者。圖6中進行了例示的溫度控制部337設置於上部均熱板34a的工件100側的面。與溫度控制部37相比，溫度控制部337可減少向工件100放射的熱。

溫度控制部337具有放射部37a、多個凸部37b、及反射膜37c。 反射膜37c設置於溫度控制部337的加熱器32a側的面（在圖6中進行了例示的溫度控制部337中為上部均熱板34a側的面）。反射膜37c由比放射部37a更不易吸收熱的材料形成。例如，反射膜37c可由金形成。若設置有反射膜37c，則在圖6中進行了例示的溫度控制部337中，可抑制從上部均熱板34a放射出的熱入射至溫度控制部337的放射部37a。因此，由於可減少從溫度控制部337的放射部37a放射至工件100的熱，因此容易使工件100的與溫度控制部337相向的區域（例如，工件100的中央區域）的溫度下降。

另外，在由虛線所示的溫度控制部37中，可抑制從加熱器32a放射出的熱入射至溫度控制部337的放射部37a。因此，可抑制從溫度控制部337向上部均熱板34a放射的熱。因此，由於可減少從上部均熱板34a放射至工件100的熱，因此容易使工件100的與安裝有溫度控制部337的上部均熱板34a相向的區域（例如，工件100的中央區域）的溫度下降。

溫度控制部437可設置於下部均熱板34b的工件100側的面及與工件100側為相反側的面中的至少任一者。圖6中進行了例示的溫度控制部437設置於下部均熱板34b的與工件100側為相反側的面。與溫度控制部37相比，溫度控制部437可增多向工件100放射的熱。

溫度控制部437具有放射部37a、多個凸部37b、及吸收膜37d。 吸收膜37d設置於溫度控制部437的加熱器32a側的面（在圖6進行了例示的溫度控制部437中為放射部37a的表面）。吸收膜37d由比放射部37a更容易吸收熱的材料（容易放射熱的材料）形成。例如，吸收膜37d可設為使表面粗糙度變大的氧化膜或氮化膜或黑色的膜等。若設置有吸收膜37d，則溫度控制部437可更有效率地吸收從加熱器32a放射出的熱。因此，可增多從下部均熱板34b的與溫度控制部437相向的區域放射至工件100的熱。

如以上所說明那樣，若設置反射膜37c或吸收膜37d，則工件100的與溫度控制部337、溫度控制部437相向的區域的溫度控制變得更容易。因此，可對工件100的表面溫度與背面溫度進行更詳細的控制。 此外，溫度控制部437也可設置反射膜37c來代替吸收膜37d。在增多從設置有反射膜37c的溫度控制部437放射至工件100的熱的情況下，只要在與設置有吸收膜37d的一側為相反側的面設置反射膜37c即可。

圖7是用以對另一實施方式的溫度控制部37的配置進行例示的示意剖面圖。 如圖7所示，也可在上部均熱板34a的至少其中一個面重疊設置多個溫度控制部37（相當於第三溫度控制部的一例）。例如，如圖7所示，可在上部均熱板34a的工件100側的面重疊設置兩個溫度控制部37。

若重疊設置有多個溫度控制部37，則容易使工件100的與多個溫度控制部37相向的區域的溫度（例如，工件100的中央區域的溫度）下降。

在以上所述的具有反射膜37c的溫度控制部337的情況下，可在上部均熱板34a的至少其中一個面重疊設置多個。 另外，在以上所述的具有吸收膜37d的溫度控制部437的情況下，例如可在下部均熱板34b的至少其中一個面重疊設置多個。 此外，視需要，也可將溫度控制部37、溫度控制部337、溫度控制部437加以組合並重疊多個。

圖8是用以對另一實施方式的溫度控制部37的配置進行例示的示意剖面圖。 如上所述，在設置有凸部37b的部分，熱通過熱傳導而傳遞。在重疊設置多個溫度控制部37（相當於第三溫度控制部的一例）的情況下，若在俯視時凸部37b彼此重疊，則存在放射部37a的設置有凸部37b的部分的溫度變得過高的情況。 在此情況下，若如圖8所示，在俯視時凸部37b彼此不重疊，則可抑制在放射部37a的面內，溫度分佈的偏差變大。

圖9是用以對處理區域30a與處理區域30b重疊設置時的溫度控制部的配置進行例示的示意剖面圖。 如圖1所示，存在處理區域30a與處理區域30b重疊設置的情況。在此種情況下，如上所述，設置於下側的處理區域30a的上部加熱部可兼用作設置於上側的處理區域30b的下部加熱部。在此情況下，為了不過度對工件100的表面進行加熱，考慮使對處理區域30a內的工件100的表面側的加熱器32a施加的電力減小。但是，若如此，則處理區域30b內的工件100的背面側的溫度也下降。因此，在重疊設置多個處理部30且從兩面側對工件100進行加熱的情況下，僅通過控制對加熱器32a施加的電力，難以對加熱處理的對象物的溫度進行更詳細的控制。

即使在此種情況下，通過設置以上所述的溫度控制部37、溫度控制部137、溫度控制部237、溫度控制部337、溫度控制部437，也可減小工件100的面內的溫度分佈的偏差。 例如，如圖9所示，在下側的處理區域30a中，可在上部均熱板34a的工件100側的面設置溫度控制部37。在上側的處理區域30b中，可在下部均熱板34b的與工件100側為相反側的面（加熱器32a側的面）設置溫度控制部37。若如此，則與以上所述情況同樣地，可享有能夠減小工件100的面內的溫度分佈的偏差的效果。此時，優選為選擇各溫度控制部37、137、237、337、437或對溫度控制部的平面尺寸進行調節，以使工件100表面側的溫度低於工件100的背面側的溫度。

圖10是用以對處理區域30a與處理區域30b重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 在圖10中，對與工件100的中央區域及中間區域相向的多個上部均熱板34a及下部均熱板34b進行例示。 如上所述，在對工件100進行加熱時，優選為工件100的表面側的溫度低於工件100的背面側的溫度。 因此，例如，如圖10所示，可使設置於下側的處理區域30a的上部均熱板34a上的溫度控制部537的平面尺寸大於設置於上側的處理區域30b的下部均熱板34b上的溫度控制部37的平面尺寸。

溫度控制部537例如可經由凸部37b而設置於圖1所示的五個上部均熱板34a。凸部37b可設置於上部均熱板34a的外緣周邊。另外，溫度控制部537的放射部37a在X方向上的長度為未達與工件100的外緣區域相向的上部均熱板34a的中央區域的長度。

若如此，則在下側的處理區域30a中，可使工件100的表面側的溫度低於工件100的背面側的溫度。另外，由於將溫度控制部537以規定的間隔經由凸部37b而設置於上部均熱板34a，因此可防止溫度控制部537撓曲。另外，由於將溫度控制部537的放射部37a在X方向上的長度設為未達與工件100的外緣區域相向的上部均熱板34a的中央區域的長度，因此工件100背面側的外緣的溫度容易上升，從而可對工件100的面內的溫度分佈進行更均勻的控制。

此外，若將溫度控制部537的放射部37a的平面形狀設為菱形，則可使入射至容易因散熱而產生溫度下降的工件100的周緣區域的熱增多，並且使入射至不易因散熱而產生溫度下降的工件100的中央區域的熱減少。

圖11是用以對處理區域30a與處理區域30b重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 如圖11所示，在溫度控制部537還可設置以上所述的反射膜37c。在此情況下，反射膜37c在俯視時，可設置於放射部的中央區域。若設置有反射膜37c，則在下側的處理區域30a中，更容易使工件100的表面側的溫度低於工件100的背面側的溫度。

另外，反射膜37c可設置於與工件100的表面的中央區域相向的位置。如上所述，由於工件100的中央區域不易散熱，因此溫度容易變高。因此，若反射膜37c設置於與工件100的表面的中央區域相向的位置，則可減小工件100的表面的面內的溫度分佈偏差。

圖12是用以對處理區域30a與處理區域30b重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 如圖12所示，可在溫度控制部537重疊設置以上所述的溫度控制部37（相當於第三溫度控制部的一例）。例如，可重疊設置放射部的平面尺寸不同的溫度控制部。在此情況下，溫度控制部37可設置於與工件100的表面的中央區域相向的位置。如上所述，由於工件100的中央區域不易散熱，因此溫度容易變高。因此，若溫度控制部37設置於與工件100的表面的中央區域相向的位置，則可減小工件100的面內的溫度分佈偏差。

以上進行了例示的溫度控制部37、溫度控制部137、溫度控制部237、溫度控制部337、溫度控制部437、溫度控制部537只要與上部均熱板34a（下部均熱板34b）熱連接即可。例如，可將這些溫度控制部焊接於上部均熱板34a（下部均熱板34b），或使用螺杆等緊固構件而接合於上部均熱板34a（下部均熱板34b）。

圖13是用以對重疊設置多個溫度控制部時的形態進行例示的示意立體圖。 如圖13所示，可在下側的溫度控制部637a（相當於第三溫度控制部的一例）設置凸狀的定位部637a1，在上側的溫度控制部637b設置供定位部637a1插入的定位部637b1。定位部637b1例如可設為切口或孔等。 若如此，則由於溫度控制部637a、溫度控制部637b的裝卸變得容易，因此可實現維護性的提高。

以上，對實施方式進行了例示。但是，本發明並不限定於這些記述。 本領域技術人員對以上所述的實施方式適宜施加設計變更而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含于本發明的範圍。 例如，加熱處理裝置1的形狀、尺寸、配置等並不限定於示例，可適宜變更。

另外，以上所述的各實施方式所包括的各元件可盡可能地組合，將這些組合而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含于本發明的範圍。 在圖7及圖12所示的其他實施方式中，對重疊設置溫度控制部的情況進行了說明。但是，溫度控制部並不限定於重疊設置。例如，也可將溫度控制部537設置於上部均熱板34a的加熱器32a側的面，將溫度控制部37設置於與工件100的中央區域相向的上部均熱板34a的工件100側的面。

另外，也可使溫度控制部37的個數從工件100的中央區域朝向外緣區域變化。例如，可配置成溫度控制部37的個數從中央區域朝向外緣區域減少。由此，可減小工件100的面內的溫度分佈的偏差。

另外，也可並用溫度控制部37與溫度控制部337。例如，可在與工件100的中央區域相向的上部均熱板34a設置溫度控制部337，在配置於其兩側的上部均熱板34a設置溫度控制部37。由此，可減小工件100的面內的溫度分佈的偏差。

另外，溫度控制部37的形狀並不限定於矩形。例如，也可預先求出僅利用均熱部進行加熱時的工件100的面內的溫度分佈，並且根據溫度分佈來決定溫度控制部37的形狀。在此情況下，溫度控制部37例如可設為三角形、橢圓、葫蘆形狀或扇形形狀等各種形狀。 另外，在具有多個加熱部32的加熱處理裝置中，也可針對每個加熱部32來改變溫度控制部37的形狀或結構。例如，設置於上部均熱板34a的溫度控制部37的形狀或結構也可針對每個加熱部32而不同。另外，最下層與最上層的加熱部32與其他加熱部32不同，熱容易散發。因此，關於最下層與最上層的加熱部32，也可不在設置於加熱部32的、與工件100側相反的一側的均熱部34設置溫度控制部37。由此，可使設置於最下層與最上層的處理部30的工件100的面內的溫度分佈偏差減小。

1:加熱處理裝置 10:腔室 11、14:凸緣 12:密封材 13:開閉門 15:蓋 16:冷卻部 17、18:排氣口 20:排氣部 21:第一排氣部 21a、22a:排氣泵 21b、22b:壓力控制部 22:第二排氣部 30:處理部 30a、30b:處理區域 31:框架 32:加熱部 32a:加熱器 32b:固持器 33:支撐部 34:均熱部 34a:上部均熱板 34b:下部均熱板 34c、34d:側部均熱板 35:均熱板支撐部 36:罩 37、137、237、337、437、537:溫度控制部 37a、137a:放射部 37b、137b、137c、137d:凸部 37c:反射膜 37d:吸收膜 40:冷卻部 41:噴嘴 42:氣體源 43:氣體控制部 50:控制器 100:工件 237a、237b:部分 637a、637b:溫度控制部 637a1、637b1:定位部 X、Y、Z:方向

圖1是用以對本實施方式的加熱處理裝置進行例示的示意立體圖。 圖2是用以對溫度控制部進行例示的示意剖面圖。 圖3是用以對溫度控制部的平面形狀進行例示的示意平面圖。 圖4是用以對另一實施方式的溫度控制部進行例示的示意平面圖。 圖5是用以對另一實施方式的溫度控制部進行例示的示意剖面圖。 圖6是用以對另一實施方式的溫度控制部進行例示的示意剖面圖。 圖7是用以對另一實施方式的溫度控制部的配置進行例示的示意剖面圖。 圖8是用以對另一實施方式的溫度控制部的配置進行例示的示意剖面圖。 圖9是用以對處理區域重疊設置時的溫度控制部的配置進行例示的示意剖面圖。 圖10是用以對處理區域重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 圖11是用以對處理區域重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 圖12是用以對處理區域重疊設置時的溫度控制部的另一實施方式進行例示的示意剖面圖。 圖13是用以對重疊設置多個溫度控制部時的形態進行例示的示意立體圖。

32a:加熱器

33:支撐部

34a:上部均熱板

34b:下部均熱板

35:均熱板支撐部

37:溫度控制部

37a:放射部

37b:凸部

100:工件

Claims (12)

1. 一種加熱處理裝置，其特徵在於，包括： 腔室； 第一加熱部，設置於所述腔室的內部且具有至少一個第一加熱器； 第二加熱部，設置於所述腔室的內部且具有至少一個第二加熱器，並且與所述第一加熱部相向； 至少一個第一均熱板，設置於所述第一加熱部與所述第二加熱部之間； 至少一個第二均熱板，設置於所述第一均熱板與所述第二加熱部之間； 第一處理區域，為所述第一均熱板與所述第二均熱板之間且用以支撐工件； 第一溫度控制部，設置於所述第一均熱板；以及 第二溫度控制部，設置於所述第二均熱板， 所述第一溫度控制部具有與所述第一均熱板隔開間隙而設置的第一放射部， 所述第二溫度控制部具有與所述第二均熱板隔開間隙而設置的第二放射部。
2. 如請求項1所述的加熱處理裝置，其特徵在於，所述第一放射部的平面尺寸比所述第二放射部的平面尺寸大。
3. 如請求項1所述的加熱處理裝置，其特徵在於，在所述第一放射部，設置有比所述第一放射部更不易吸收熱的反射膜。
4. 如請求項3所述的加熱處理裝置，其特徵在於，所述反射膜在俯視時設置於所述第一放射部的中央區域。
5. 如請求項1所述的加熱處理裝置，其特徵在於，所述第二均熱板的導熱率比所述第一均熱板的導熱率高。
6. 如請求項1所述的加熱處理裝置，其特徵在於，還包括與所述第一溫度控制部重疊設置的第三溫度控制部。
7. 如請求項6所述的加熱處理裝置，其特徵在於，所述第三溫度控制部具有與所述第一溫度控制部隔開間隙而設置的第三放射部， 所述第三放射部的平面尺寸與設置於所述第一溫度控制部的所述第一放射部的平面尺寸不同。
8. 如請求項1至4中任一項所述的加熱處理裝置，其特徵在於，還具有第二處理區域，所述第二處理區域在所述第一處理區域上重疊設置， 設置於所述第一處理區域與所述第二處理區域之間的所述第一加熱部由所述第一處理區域與所述第二處理區域兼用。
9. 一種加熱處理裝置，其特徵在於，包括： 腔室； 排氣部，對所述腔室的內部進行排氣，使所述腔室的內部成為真空； 第一處理區域，設置於所述腔室的內部，且用以支撐工件； 第一加熱部，設置於所述第一處理區域的上部且具有至少一個第一加熱器； 第二加熱部，設置於所述第一處理區域的下部具有至少一個第二加熱器； 至少一個第一均熱板，設置於所述第一處理區域與所述第一加熱部之間； 至少一個第二均熱板，設置於所述第一處理區域與所述第二加熱部之間；以及 第一溫度控制部，設置於所述第一均熱板， 所述第一溫度控制部具有與所述第一均熱板隔開間隙而設置的第一放射部。
10. 如請求項9所述的加熱處理裝置，其特徵在於，還包括設置於所述第二均熱板的第二溫度控制部， 所述第二溫度控制部具有與第二均熱板隔開間隙而設置的第二放射部。
11. 如請求項10所述的加熱處理裝置，其特徵在於，所述第一放射部的平面尺寸比所述第二放射部的平面尺寸大。
12. 如請求項9至11中任一項所述的加熱處理裝置，其特徵在於，還具有第二處理區域，所述第二處理區域在所述第一處理區域上重疊設置， 設置於所述第一處理區域與所述第二處理區域之間的所述第一加熱部由所述第一處理區域與所述第二處理區域兼用。

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