JP7366086B2 - 加熱処理装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、加熱処理装置に関する。

ワークを加熱して、ワークの表面に膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置がある。
例えば、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する加熱処理装置が提案されている。この様な加熱処理装置においては、例えば、チャンバの内部空間を大気圧よりも減圧し、大気圧よりも減圧された雰囲気において、溶液が塗布された基板を１００℃～６００℃程度の温度にまで加熱する場合がある。また、ワークの表面側（上側）と、ワークの裏面側（下側）にヒータを設け、ワークの両面側から均熱板を介して加熱を行うことで、処理時間の短縮を図ることも行われている。

ここで、一般的には、加熱処理の対象となる溶液や、層などは、ワークの表面に設けられている。加熱処理の対象物の表面から化学反応が進行すると、加熱処理の対象物の基板と接する領域で反応が十分に進まないおそれがある。この場合、形成される膜や、処理された層の品質が低下するおそれがある。そのため、形成される膜や、処理された層の品質を向上させるため、ワークの表面に設けられた溶液や、層などの表面の温度をワークの裏面の温度よりも低い状態として加熱することが要求されている。
また、より高品質な膜や、層が要求されている。そのため、ワークの面内における温度分布をより均一に制御する技術が求められている。

そこで、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置の開発が望まれていた。

国際公開第２０１９／１１７２５０号

本発明が解決しようとする課題は、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置を提供することである。

実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも１つの第２のヒータを有し、前記第１の加熱部と対向する第２の加熱部と、前記第１の加熱部と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、前記第１の均熱板と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、の間であって、ワークが支持される第１の処理領域と、前記第１の均熱板に設けられた第１の温度制御部と、前記第２の均熱板に設けられた第２の温度制御部と、を備え、前記第１の温度制御部は、前記第１の均熱板と隙間を介して設けられた第１の放射部と、前記第１の放射部の、前記第１の均熱板との対向面に前記第１の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有し、前記第２の温度制御部は、前記第２の均熱板と隙間を介して設けられた第２の放射部と、前記第２の放射部の、前記第２の均熱板との対向面に前記第２の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有する。
また、実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部を排気して、前記チャンバの内部を真空にする排気部と、前記チャンバの内部に設けられ、ワークが支持される第１の処理領域と、前記第１の処理領域の上部に設けられ、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、前記第１の処理領域の下部に設けられ、少なくとも１つの第２のヒータを有する第２の加熱部と、前記第１の処理領域と、前記第１の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、前記第１の処理領域と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、前記第１の均熱板に設けられた第１の温度制御部と、を備え、前記第１の温度制御部は、前記第１の均熱板と隙間を介して設けられた第１の放射部と、前記第１の放射部の、前記第１の均熱板との対向面に前記第１の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有する。

本発明の実施形態によれば、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置が提供される。

本実施の形態に係る加熱処理装置を例示するための模式斜視図である。 温度制御部を例示するための模式断面図である。 温度制御部の平面形状を例示するための模式平面図である。 他の実施形態に係る温度制御部を例示するための模式平面図である。 他の実施形態に係る温度制御部を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る温度制御部を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る温度制御部の配置を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る温度制御部の配置を例示するための模式断面図である。 処理領域が重ねて設けられた場合の温度制御部の配置を例示するための模式断面図である。 処理領域が重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。 処理領域が重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。 処理領域が重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。 複数の温度制御部を重ねて設ける場合の形態を例示するための模式斜視図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下においては、一例として、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワークを加熱して、ワークの表面に有機膜を形成する加熱処理装置を説明する。しかしながら、本発明は、これに限定されるわけではない。例えば、本発明は、ワークを加熱して、ワークの表面に無機膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置にも適用することができる。

また、加熱前のワークは、例えば、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するものであってもよいし、基板のみであってもよい。以下においては、一例として、加熱前のワークが、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する場合を説明する。
なお、基板の表面に塗布された溶液および基板の表面に形成された層などを総じて加熱処理の対象物と呼ぶこともある。

図１は、本実施の形態に係る加熱処理装置１を例示するための模式斜視図である。
なお、図１中のＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Ｚ方向とすることができる。

加熱前のワーク１００は、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどである。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、例えば、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。

図１に示すように、加熱処理装置１には、例えば、チャンバ１０、排気部２０、処理部３０、冷却部４０、およびコントローラ５０が設けられている。
チャンバ１０は、箱状を呈している。チャンバ１０は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ１０の外観形状には特に限定はない。チャンバ１０の外観形状は、例えば、直方体や円筒とすることができる。チャンバ１０は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。

例えば、チャンバ１０の一方の端部にはフランジ１１が設けられている。フランジ１１には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１１が設けられた側の開口は、開閉扉１３により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１（シール材１２）に押し付けられることで、チャンバ１０の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉１３がフランジ１１から離隔することで、チャンバ１０の開口を介したワーク１００の搬入または搬出が可能となる。

チャンバ１０の他方の端部にはフランジ１４を設けることができる。フランジ１４には、Ｏリングなどのシール材１２を設けることができる。チャンバ１０の、フランジ１４が設けられた側の開口は、蓋１５により開閉可能となっている。例えば、蓋１５は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ１４に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋１５を取り外すことで、チャンバ１０の、フランジ１４が設けられた側の開口を露出させる。

チャンバ１０の外壁には冷却部１６を設けることができる。冷却部１６には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部１６は、例えば、ウォータージャケット（Water Jacket）とすることができる。冷却部１６が設けられていれば、チャンバ１０の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。

排気部２０は、チャンバ１０の内部を排気する。排気部２０は、第１の排気部２１と、第２の排気部２２を有する。
第１の排気部２１は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１７に接続されている。
第１の排気部２１は、排気ポンプ２１ａと、圧力制御部２１ｂを有する。
排気ポンプ２１ａは、大気圧から所定の圧力まで粗引き排気を行う排気ポンプとすることができる。そのため、排気ポンプ２１ａは、後述する排気ポンプ２２ａよりも排気量が多い。排気ポンプ２１ａは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。

圧力制御部２１ｂは、排気口１７と排気ポンプ２１ａとの間に設けられている。圧力制御部２１ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２１ｂは、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。

第２の排気部２２は、チャンバ１０の底面に設けられた排気口１８に接続されている。
第２の排気部２２は、排気ポンプ２２ａと、圧力制御部２２ｂを有する。
排気ポンプ２２ａは、排気ポンプ２１ａによる粗引き排気の後、さらに低い所定の圧力まで排気を行う。排気ポンプ２２ａは、例えば、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。例えば、排気ポンプ２２ａは、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。

圧力制御部２２ｂは、排気口１８と排気ポンプ２２ａとの間に設けられている。圧力制御部２２ｂは、チャンバ１０の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ１０の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部２２ｂは、例えば、ＡＰＣなどとすることができる。

排気口１７、および排気口１８は、チャンバ１０の底面に配置されている。そのため、チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間に、チャンバ１０の底面に向かうダウンフローの気流が形成される。上記の空間にダウンフローの気流が形成されれば、ワーク１００を加熱した際に生じた、有機材料を含む昇華物が、処理部３０の内部から上記の空間へと流れ、上記の空間のダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０の外部に排出される。そのため、ワーク１００に昇華物などの異物が付着するのを抑制することができる。

なお、以上においては、排気口１７および排気口１８がチャンバ１０の底面に設けられる場合を例示したが、排気口１７および排気口１８は、例えば、チャンバ１０の天井面や側面に設けることもできる。排気口１７および排気口１８がチャンバ１０の底面、または天井面に設けられていれば、チャンバ１０の内部に、チャンバ１０の底面、または天井面に向かう気流を形成することができる。

処理部３０は、例えば、フレーム３１、加熱部３２（第１の加熱部または第２の加熱部の一例に相当する）、支持部３３、均熱部３４、均熱板支持部３５、カバー３６、および、温度制御部３７（第１の温度制御部または第２の温度制御部の一例に相当する）を有する。
処理部３０の内部には、処理領域３０ａ（第１の処理領域の一例に相当する）、および処理領域３０ｂ（第２の処理領域の一例に相当する）が設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、ワーク１００に処理を施す空間となる。ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂの内部に支持される。処理領域３０ｂは、処理領域３０ａの上に重ねて設けられている。なお、２つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。１つの処理領域のみを設けたり、３つ以上の処理領域を設けたりすることもできる。本実施の形態においては、一例として、２つの処理領域が設けられる場合を例示するが、１つの処理領域、および、３つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。

処理領域３０ａ、３０ｂは、加熱部３２と加熱部３２との間に設けられている。処理領域３０ａ、３０ｂは、均熱部３４により囲まれている。

後述するように、均熱部３４は、複数の均熱板によって構成されている。そのため、均熱部３４は、密閉構造ではない。したがって、チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧されると、処理領域３０ａ、３０ｂの内部の空間も減圧される。

チャンバ１０の内壁と処理部３０との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域３０ａ、３０ｂから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、加熱効率と蓄熱効率を向上させることができる。そのため、後述するヒータ３２ａ（第１のヒータまたは第２のヒータの一例に相当する）に印加する電力を低減できる。ヒータ３２ａに印加する電力を低減できれば、ヒータ３２ａの温度が所定の温度以上となるのを抑制できるので、ヒータ３２ａの寿命を長くすることができる。

フレーム３１は、例えば、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム３１の外観形状は、チャンバ１０の外観形状と同様とすることができる。フレーム３１の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。本実施の形態では、フレーム３１は、チャンバ１０の底面と４箇所で接触している。フレーム３１の、チャンバ１０との接触箇所には、断熱部材が設けられる。フレーム３１とチャンバ１０との接触面積を減らし、接触する部分に断熱部材を用いることで、フレーム３１の蓄熱効率を高めることができる。

加熱部３２は、複数設けられている。加熱部３２は、処理領域３０ａ、３０ｂの下部、および処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けることができる。処理領域３０ａ、３０ｂの下部に設けられた加熱部３２は、下部加熱部となる。処理領域３０ａ、３０ｂの上部に設けられた加熱部３２は、上部加熱部となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられた上部加熱部は、上側の処理領域に設けられた下部加熱部と兼用することができる。例えば、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとの間に設けられた加熱部３２が、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとで兼用されている。

加熱部３２は、チャンバ１０の内部に設けられ、ワーク１００を加熱する。
例えば、処理領域３０ａに支持されたワーク１００の裏面（下面）は、処理領域３０ａの下部に設けられた加熱部３２により加熱される。処理領域３０ａに支持されたワーク１００の表面（上面）は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。

処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の裏面は、処理領域３０ａと処理領域３０ｂとにより兼用される加熱部３２により加熱される。処理領域３０ｂに支持されたワーク１００の表面は、処理領域３０ｂの上部に設けられた加熱部３２により加熱される。
この様にすれば、加熱部３２の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。

複数の加熱部３２のそれぞれは、少なくとも１つのヒータ３２ａと、一対のホルダ３２ｂを有する。なお、以下においては、複数のヒータ３２ａが設けられる場合を説明する。
ヒータ３２ａは、棒状を呈し、一対のホルダ３２ｂの間をＹ方向に延びている。複数のヒータ３２ａは、Ｘ方向に並べて設けることができる。複数のヒータ３２ａは、等間隔に設けることができる。ヒータ３２ａは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどである。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。

なお、本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。また、「棒状」の外観形状には限定がなく、例えば、円柱状や角柱状などとすることができる。

また、ヒータ３２ａは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク１００を加熱できれば、前述したものに限定されない。すなわち、ヒータ３２ａは、放射による熱エネルギーを利用するものであればよい。

上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成（溶液の加熱温度）、ワーク１００の大きさなどに応じて適宜変更することができる。複数のヒータ３２ａの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。

ワーク１００は、処理領域３０ａ、３０ｂにおいて、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを介して両面側から加熱される。ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク１００の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。この場合、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂは加熱されているので、昇華物が上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに付着するのが抑制される。また、昇華物は、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ１０の外に排出される。そのため、昇華物がワーク１００に付着するのを抑制できる。

一対のホルダ３２ｂは、Ｘ方向に延びている。一対のホルダ３２ｂは、Ｙ方向において、互いに対向している。一方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の、開閉扉１３側の端面に固定されている。他方のホルダ３２ｂは、フレーム３１の、開閉扉１３側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ３２ｂは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム３１に固定される。一対のホルダ３２ｂは、ヒータ３２ａの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ３２ｂは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成される。一対のホルダ３２ｂの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。

複数の支持部３３は、チャンバ１０の内部に設けられ、ワーク１００を支持する。例えば、複数の支持部３３は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク１００を支持する。複数の支持部３３は、処理領域３０ａの下部、および、処理領域３０ｂの下部に設けられている。複数の支持部３３は、棒状体とすることができる。

複数の支持部３３の一方の端部の形状は、半球状などとすることができる。複数の支持部３３の一方の端部の形状が半球状であれば、ワーク１００の下面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク１００の下面と複数の支持部３３との接触面積を小さくすることができるので、ワーク１００から複数の支持部３３に伝わる熱を少なくすることができる。

複数の支持部３３の他方の端部（下方の端部）は、例えば、一対のフレーム３１の間に架け渡された複数の棒状部材または板状部材などに固定することができる。
複数の支持部３３の数、配置、間隔などは、ワーク１００の大きさや剛性（撓み）などに応じて適宜変更することができる。

均熱部３４は、複数の上部均熱板３４ａ（第１の均熱板の一例に相当する）、複数の下部均熱板３４ｂ（第２の均熱板の一例に相当する）、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄを有する。複数の上部均熱板３４ａ、複数の下部均熱板３４ｂ、複数の側部均熱板３４ｃ、および、複数の側部均熱板３４ｄは、板状を呈している。

複数の上部均熱板３４ａは、上部加熱部において下部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。複数の上部均熱板３４ａは、Ｘ方向に並べて設けられている。複数の上部均熱板３４ａ同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により上部均熱板３４ａの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、上部均熱板３４ａ同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域３０ａ、３０ｂの雰囲気の圧力を減圧することができる。

複数の下部均熱板３４ｂは、下部加熱部において上部加熱部側（ワーク１００側）に設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、複数のヒータ３２ａと離隔して設けられている。複数の下部均熱板３４ｂは、Ｘ方向に並べて設けられている。複数の下部均熱板３４ｂ同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により下部均熱板３４ｂの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、下部均熱板３４ｂ同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域３０ａ、３０ｂの雰囲気の圧力を減圧することができる。

側部均熱板３４ｃは、Ｘ方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板３４ｃは、カバー３６の内側に設けることができる。また、少なくとも１つのヒータ３２ａを、側部均熱板３４ｃとカバー３６との間に設けることもできる。
側部均熱板３４ｄは、Ｙ方向において、処理領域３０ａ、３０ｂの両側の側部のそれぞれに設けられている。

前述したように、複数のヒータ３２ａは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ３２ａが棒状である場合、ヒータ３２ａの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ３２ａの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ３２ａに対して対向するようにワーク１００が保持された場合には、ヒータ３２ａの直上または直下に位置するワーク１００の領域は、複数のヒータ３２ａ同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク１００の領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ３２ａを用いてワーク１００を直接加熱すると、加熱されたワーク１００の面内に温度分布のばらつきが生じる。

ワーク１００の面内に温度分布のばらつきが生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分において、泡が発生したり、有機膜の組成が変化したりするおそれがある。

複数の上部均熱板３４ａ、および複数の下部均熱板３４ｂが設けられていれば、複数のヒータ３２ａから放射された熱は、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂに入射する。複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の面内に温度分布のばらつきが生じるのを抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質を向上させることができる。

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。これらの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどとすることができる。なお、アルミニウムや銅などの酸化しやすい材料を用いる場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることができる。
また、下部均熱板３４ｂの熱伝導率は、上部均熱板３４ａの熱伝導率よりも高くすることができる。この様にすれば、上部均熱板３４ａから放射される熱が少なくなるので、ワーク１００の表面に設けられる溶液や、層などの表面の温度をワーク１００の裏面の温度よりも低い状態として加熱することができる。

複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂから放射された熱の一部は、処理領域の側方に向かう。そのため、処理領域の側部には、前述した側部均熱板３４ｃ、３４ｄが設けられている。側部均熱板３４ｃ、３４ｄに入射した熱は、側部均熱板３４ｃ、３４ｄを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の加熱効率を向上させることができる。
側部均熱板３４ｃ、３４ｄの材料は、前述した上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの材料と同じとすることができる。

なお、以上においては、複数の上部均熱板３４ａおよび複数の下部均熱板３４ｂが、設けられる場合を例示したが、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。

複数の均熱板支持部３５は、Ｘ方向に並べて設けられている。均熱板支持部３５は、Ｘ方向において、上部均熱板３４ａ同士の間の直下に設けられる。複数の均熱板支持部３５は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ３２ｂに固定される。一対の均熱板支持部３５は、上部均熱板３４ａの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板３４ｂを支持する複数の均熱板支持部３５も同様の構成を有することができる。

一対の均熱板支持部３５により、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが変形するのを抑制することができる。

カバー３６は、板状を呈し、フレーム３１の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、カバー３６によりフレーム３１の内部が覆われている。ただし、開閉扉１３側のカバー３６は、例えば、開閉扉１３に設けることができる。
カバー３６は処理領域３０ａ、３０ｂを囲っているが、フレーム３１の上面と側面の境目、フレーム３１の側面と底面の境目、開閉扉１３の付近には、隙間が設けられている。

また、フレーム３１の上面および底面に設けられるカバー３６は複数に分割されている。また、分割されたカバー３６同士の間には隙間が設けられている。すなわち、処理部３０（処理領域３０ａ、処理領域３０ｂ）の内部空間は、これらの隙間を介して、チャンバ１０の内部空間に連通している。そのため、処理領域３０ａ、３０ｂの圧力が、チャンバ１０の内壁とカバー３６との間の空間の圧力と同じとなるようにすることができる。カバー３６は、例えば、ステンレスなどから形成される。

温度制御部３７は、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに設けられている。温度制御部３７は、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂから放射される熱を制御することで、加熱処理の対象物が付着しているワーク１００の表面の温度、およびワーク１００の裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきを制御する。
なお、ワーク１００の表面には、基板の表面、基板の表面に塗布された溶液の表面および基板の表面に形成された層などの表面が含まれる。
なお、温度制御部３７に関する詳細は後述する。

冷却部４０は、複数のヒータ３２ａが設けられた空間に冷却ガスを供給する。冷却部４０は、処理領域３０ａ、３０ｂにも冷却ガスを供給するようにしてもよい。冷却部４０は、冷却ガスにより、処理領域３０ａ、３０ｂを囲む均熱部３４を冷却する。均熱部３４が冷却されることで、高温状態にあるワーク１００が間接的に冷却される。また、均熱部３４が冷却されることで、均熱部３４の熱がワーク１００に伝わるのを抑制できる。冷却ガスが、処理領域３０ａ、３０ｂに供給される場合には、高温状態にあるワーク１００が直接冷却される。

なお、冷却部４０は必ずしも必要ではなく、省くこともできる。ただし、冷却部４０が設けられていれば、ワーク１００の冷却時間を短縮することができる。

冷却部４０は、ノズル４１、ガス源４２、およびガス制御部４３を有する。
ノズル４１は、複数のヒータ３２ａが設けられた空間に接続される。なお、冷却ガスを処理領域３０ａ、３０ｂに供給する場合には、ノズル４１が処理領域３０ａ、３０ｂに接続される。なお、ノズル４１の数や配置は適宜変更することができる。

ガス源４２は、ノズル４１に冷却ガスを供給する。ガス源４２は、例えば、高圧ガスボンベ、工場配管などとすることができる。また、ガス源４２は、複数設けることもできる。

冷却ガスは、加熱されたワーク１００と反応し難いガスとすることができる。冷却ガスは、例えば、窒素ガス、炭酸ガス（ＣＯ_２）、希ガスなどである。希ガスは、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどである。冷却ガスの温度は、例えば、室温（例えば、２５℃）以下とすることができる。

ガス制御部４３は、ノズル４１とガス源４２との間に設けられている。ガス制御部４３は、例えば、冷却ガスの供給と、供給の停止と、冷却ガスの流速および流量の少なくともいずれかの制御と、を行うことができる。

コントローラ５０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ５０は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ５０は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、加熱処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。

次に、温度制御部３７についてさらに説明する。
前述したように、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂが設けられていれば、加熱されたワーク１００の面内における温度分布のばらつきが生じるのを抑制することができる。しかしながら、加熱処理の対象となる溶液は、ワーク１００の表面側に設けられている。加熱処理の対象物の表面から化学反応が進行すると、加熱処理の対象物の基板と接する領域で反応が十分に進まないおそれがある。この場合、形成される膜や、処理された層の品質が低下するおそれがある。そのため、加熱処理の対象物の表面、つまり、ワークの表面の温度をワークの裏面の温度よりも低い状態として加熱することが要求されている。
また、より高品質な膜や、層が要求されている。そのため、ワーク１００の面内における温度分布をより均一に制御する技術が求められている。ワーク１００の面内における温度分布にばらつきが生じると、形成された有機膜の面内に品質のばらつきが生じるおそれがある。
そこで、ワーク１００の両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワーク１００の表面の温度、およびワーク１００の裏面の温度と、ワーク１００の面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御するために、温度制御部３７が設けられている。

図２は、温度制御部３７を例示するための模式断面図である。
図２は、ワーク１００の、周縁領域と中央領域との間に存在する領域（中間領域）に対向する上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを例示する。
図３は、温度制御部３７の平面形状を例示するための模式平面図である。
図２および図３に示すように、温度制御部３７は、ワーク１００の中央領域および中間領域と対向する複数の上部均熱板３４ａの、ワーク１００側の面、およびワーク１００側とは反対側の面（ヒータ３２ａ側の面）の少なくともいずれかに設けることができる。図２に例示をした温度制御部３７は、上部均熱板３４ａの、ワーク１００側の面に設けられている。例えば、温度制御部３７は、ワーク１００の中央領域および中間領域と対向する複数の下部均熱板３４ｂの、ワーク１００側の面、およびワーク１００側とは反対側の面（ヒータ３２ａ側の面）の少なくともいずれかに設けることができる。図２に例示をした温度制御部３７は、下部均熱板３４ｂの、ワーク１００側とは反対側の面に設けられている。

温度制御部３７は、放射部３７ａ（第１の放射部または第２の放射部の一例に相当する）、および複数の凸部３７ｂを有する。
放射部３７ａは、板状を呈している。放射部３７ａは、上部均熱板３４ａと隙間を介して設けられている。放射部３７ａは、下部均熱板３４ｂと隙間を介して設けられている。
複数の凸部３７ｂは、突起状を呈している。複数の凸部３７ｂは、放射部３７ａの、上部均熱板３４ａ側の面、または下部均熱板３４ｂ側の面に設けることができる。複数の凸部３７ｂは、放射部３７ａと上部均熱板３４ａとの間、または、放射部３７ａと下部均熱板３４ｂとの間に隙間を設けるために設けられている。

放射部３７ａと上部均熱板３４ａまたは、放射部３７ａと下部均熱板３４ｂとの距離によって、ワーク１００の表面あるいは裏面に入射する熱量は変化しない。そのため、複数の凸部３７ｂの高さは、放射部３７ａと上部均熱板３４ａまたは、放射部３７ａと下部均熱板３４ｂとが接触しない高さとすればよい。例えば、複数の凸部３７ｂの高さは、０．２ｍｍ以上とすればよい。また、放射部３７ａと上部均熱板３４ａまたは、放射部３７ａと下部均熱板３４ｂとの距離を大きくすると、チャンバ１０の大型化を招く。そのため、複数の凸部３７ｂの高さは、１ｍｍ以下とすればよい。

前述したように、複数のヒータ３２ａから放射され、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク１００側に放射される。ワーク１００側に放射された熱により、ワーク１００の温度が上昇するが、ワーク１００の周縁側は、ワーク１００の中央側よりも放熱しやすい。そのため、ワーク１００の中央領域の温度は、ワーク１００の周縁領域の温度よりも高くなる。

ここで、温度制御部３７が設けられている領域においては、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂから放射された熱が温度制御部３７に入射し、温度制御部３７に入射した熱がワーク１００に向けて放射される。この場合、温度制御部３７には、複数の凸部３７ｂが設けられているので、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂから放射された熱が隙間を介して放射部３７ａに入射し、放射部３７ａからワーク１００に向けて放射される。そのため、ワーク１００の、温度制御部３７に対向する領域の温度が、ワーク１００の、温度制御部３７に対向していない領域の温度よりも低くなる。

この場合、図３に示すように、平面視において、温度制御部３７が、ワーク１００の中央領域と対向する、上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂの中央領域に設けられていれば、ワーク１００の中央領域に入射する熱を少なくすることができる。そのため、ワーク１００の面内において、ワーク１００からの放熱量と、ワーク１００に入射する熱量とのバランスをとることができる。その結果、ワーク１００の面内に温度分布のばらつきが生じるのをさらに抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質をさらに向上させることができる。

また、放射部３７ａの平面形状と、放射部３７ａの平面寸法により、ワーク１００の表面あるいは裏面に入射する熱量と、ワーク１００の面内に入射する熱量のばらつきを制御することができる。また、上部均熱板３４ａに設けられる放射部３７ａの平面寸法を、下部均熱板３４ｂに設けられる放射部３７ａの平面寸法よりも大きくすることで、ワーク１００の表面の温度をワーク１００の裏面の温度よりも低い状態として加熱することができる。この場合、ワーク１００の周縁領域に対向する上部均熱板３４ａにも温度制御部３７を設けるようにしても良い。また、上部均熱板３４ａの両側の面に温度制御部３７を設け、下部均熱板３４ｂの片側の面に温度制御部３７を設けるようにしてもよい。

なお、ワーク１００の温度の面内分布は、ワーク１００の周辺に設けられた要素や処理条件などの影響を受ける。そのため、放射部３７ａの平面形状と、放射部３７ａの平面寸法は、例えば、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することが好ましい。

放射部３７ａ、および複数の凸部３７ｂは、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。放射部３７ａ、および複数の凸部３７ｂは、例えば、エンボス加工、プレス成形などにより、一体成形することができる。

図４は、他の実施形態に係る温度制御部１３７を例示するための模式平面図である。
図４に示すように、温度制御部１３７は、放射部１３７ａ、および凸部１３７ｂ～１３７ｄを有する。

放射部１３７ａは、前述した放射部３７ａと同様とすることができる。ただし、放射部１３７ａの平面形状は長方形としている。
凸部１３７ｂ～１３７ｄは、突起状を呈している。凸部１３７ｂは、放射部１３７ａの中央領域に設けられる。凸部１３７ｄは、放射部１３７ａの周縁領域に設けられる。凸部１３７ｃは、放射部１３７ａの、凸部１３７ｂが設けられる領域と、凸部１３７ｄが設けられる領域との間の中間領域に設けられる。

また、放射部１３７ａの、凸部１３７ｂ～１３７ｄが設けられる面に平行な方向において、凸部１３７ｂの断面積は凸部１３７ｃの断面積よりも小さく、凸部１３７ｃの断面積は凸部１３７ｄの断面積よりも小さくなっている。

前述した様に、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）から放射された熱の大部分は、隙間を介して、輻射により放射部１３７ａに伝わる。しかしながら、凸部１３７ｂ～１３７ｄは上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）と接触するので、凸部１３７ｂ～１３７ｄが設けられている部分においては、熱伝導により熱が伝わる。この場合、凸部の断面積を小さくすれば熱が伝わり難くなり、凸部の断面積を大きくすれば熱が伝わり易くなる。そのため、凸部が設けられる領域に応じて、凸部の断面積を変化させれば、放射部の温度の面内分布を小さくすることができる。

例えば、放射部１３７ａの周縁領域は放熱し易いので温度が下がりやすい。一方、放射部１３７ａの中央領域は放熱し難いので温度が上がりやすい。そのため、凸部１３７ｂ～１３７ｄの配置と断面積を前述したものとすれば、熱伝導により放射部１３７ａの周縁領域に伝わる熱を最も多くし、中間領域に伝わる熱を次に多くし、中央領域に伝わる熱を最も少なくすることができる。そのため、放射部１３７ａの温度の面内分布を小さくすることができる。

なお、放射部の温度の面内分布は、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）温度、放射部の周辺に設けられた要素や処理条件などの影響を受ける。そのため、凸部の配置、数、断面積は、例えば、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することが好ましい。

また、以上に説明したものは、放射部の面内の温度分布のばらつきを小さくする場合であるが、凸部の配置、数、断面積を適宜設定することで、放射部の特定の領域における温度を制御することもできる。

図５は、他の実施形態に係る温度制御部２３７を例示するための模式断面図である。
前述した温度制御部３７は、板状の放射部３７ａと、放射部３７ａの一方の面に設けられた突起状の複数の凸部３７ｂとを有している。
これに対して、温度制御部２３７は、波板となっている。例えば、プレス成形などにより、平板を波板状に加工して、温度制御部２３７とすることができる。温度制御部２３７は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。

この場合、図５に示すように、温度制御部２３７の、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）側の部分２３７ｂが、前述した複数の凸部３７ｂとして機能し、温度制御部２３７の、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）側とは反対側の部分２３７ａが放射部３７ａとして機能する。
すなわち、温度制御部は、隙間を介して、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）に設けられた放射部を有していればよい。

図６は、他の実施形態に係る温度制御部３３７、および温度制御部４３７を例示するための模式断面図である。
図６に示すように、温度制御部３３７は、上部均熱板３４ａの、ワーク１００側の面、およびワーク１００側とは反対側の面の少なくともいずれかに設けることができる。図６に例示をした温度制御部３３７は、上部均熱板３４ａの、ワーク１００側の面に設けられている。温度制御部３３７は、温度制御部３７と比べて、ワーク１００に放射される熱を少なくすることができる。

温度制御部３３７は、放射部３７ａ、複数の凸部３７ｂ、および反射膜３７ｃを有する。
反射膜３７ｃは、温度制御部３３７のヒータ３２ａ側の面（図６に例示した温度制御部３３７では、上部均熱板３４ａ側の面）に設けられている。反射膜３７ｃは、放射部３７ａよりも熱を吸収しにくい材料から形成される。例えば、反射膜３７ｃは、金から形成することができる。反射膜３７ｃが設けられていれば、図６で例示した温度制御部３３７では、上部均熱板３４ａから放射された熱が温度制御部３３７の放射部３７ａに入射するのを抑制することができる。そのため、温度制御部３３７の放射部３７ａからワーク１００に放射される熱を少なくすることができるので、ワーク１００の、温度制御部３３７と対向する領域（例えば、ワーク１００の中央領域）の温度を低下させるのが容易となる。

また、破線で示した温度制御部３７では、ヒータ３２ａから放射された熱が温度制御部３３７の放射部３７ａに入射するのを抑制することができる。そのため、温度制御部３３７から上部均熱板３４ａへ放射される熱を抑制することができる。したがって、上部均熱板３４ａからワーク１００に放射される熱を少なくすることができるので、ワーク１００の、温度制御部３３７が取り付けられた上部均熱板３４ａと対向する領域（例えば、ワーク１００の中央領域）の温度を低下させるのが容易となる。

温度制御部４３７は、下部均熱板３４ｂの、ワーク１００側の面、およびワーク１００側とは反対側の面の少なくともいずれかに設けることができる。図６に例示をした温度制御部４３７は、下部均熱板３４ｂの、ワーク１００側とは反対側の面に設けられている。温度制御部４３７は、温度制御部３７と比べて、ワーク１００に放射される熱を多くすることができる。

温度制御部４３７は、放射部３７ａ、複数の凸部３７ｂ、および吸収膜３７ｄを有する。
吸収膜３７ｄは、温度制御部４３７のヒータ３２ａ側の面（図６に例示した温度制御部４３７では放射部３７ａの表面）に設けられている。吸収膜３７ｄは、放射部３７ａよりも熱を吸収しやすい材料（熱を放射し易い材料）から形成される。例えば、吸収膜３７ｄは、表面粗さを粗くした、酸化膜や窒化膜や黒色の膜などとすることができる。吸収膜３７ｄが設けられていれば、ヒータ３２ａから放射された熱を温度制御部４３７がより効率的に吸収することができる。そのため、下部均熱板３４ｂの、温度制御部４３７に対向する領域から、ワーク１００に放射される熱を多くすることができる。

以上に説明した様に、反射膜３７ｃや吸収膜３７ｄを設ければ、ワーク１００の、温度制御部３３７、４３７に対向する領域の温度制御がさらに容易となる。したがって、ワーク１００の表面温度と裏面温度をより詳細に制御することができる。
なお、温度制御部４３７は、吸収膜３７ｄに代えて反射膜３７ｃを設けるようにしてもよい。反射膜３７ｃが設けられた温度制御部４３７からワーク１００に放射される熱を多くする場合には、吸収膜３７ｄが設けられた側とは反対の面に反射膜３７ｃを設けるようにすればよい。

図７は、他の実施形態に係る温度制御部３７の配置を例示するための模式断面図である。
図７に示すように、上部均熱板３４ａの少なくとも一方の面に、複数の温度制御部３７（第３の温度制御部の一例に相当する）を重ねて設けることもできる。例えば、図７に示すように、上部均熱板３４ａのワーク１００側の面に、２つの温度制御部３７を重ねて設けることができる。

複数の温度制御部３７が重ねて設けられていれば、ワーク１００の、複数の温度制御部３７と対向する領域の温度（例えば、ワーク１００の中央領域の温度）を低下させるのが容易となる。

前述した反射膜３７ｃを有する温度制御部３３７の場合は、上部均熱板３４ａの少なくとも一方の面に重ねて複数設けることができる。
また、前述した吸収膜３７ｄを有する温度制御部４３７の場合は、例えば、下部均熱板３４ｂの少なくとも一方の面に、重ねて複数設けることができる。
なお、必要に応じて、温度制御部３７、３３７、４３７を組み合わせて複数重ねたりしてもよい。

図８は、他の実施形態に係る温度制御部３７の配置を例示するための模式断面図である。
前述したように、凸部３７ｂが設けられている部分においては、熱伝導により熱が伝わる。複数の温度制御部３７（第３の温度制御部の一例に相当する）を重ねて設ける場合に、平面視において、凸部３７ｂ同士が重なっていると、放射部３７ａの、凸部３７ｂが設けられている部分の温度が高くなり過ぎる場合がある。
この場合、図８に示すように、平面視において、凸部３７ｂ同士が重ならないようにすれば、放射部３７ａの面内において温度分布のばらつきが大きくなるのを抑制することができる。

図９は、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが重ねて設けられた場合の温度制御部の配置を例示するための模式断面図である。
図１に示すように、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが重ねて設けられる場合がある。この様な場合には、前述したように、下側の処理領域３０ａに設けられた上部加熱部は、上側の処理領域３０ｂに設けられた下部加熱部と兼用することができる。この場合、ワーク１００の表面を加熱し過ぎないようにするために、処理領域３０ａ内のワーク１００の表面側のヒータ３２ａに加える電力を小さくすることが考えられる。しかし、このようにすると、処理領域３０ｂ内のワーク１００の裏面側の温度も低下してしまう。したがって、複数の処理部３０が重ねて設けられ、かつ、ワーク１００を両面側から加熱する場合には、ヒータ３２ａに加える電力を制御するだけでは、加熱処理の対象物の温度をより詳細に制御するのは困難である。

この様な場合にも、前述した温度制御部３７、１３７、２３７、３３７、４３７を設けることで、ワーク１００の面内における温度分布のばらつきが小さくなる様にすることができる。
例えば、図９に示すように、下側の処理領域３０ａにおいて、上部均熱板３４ａの、ワーク１００側の面に温度制御部３７を設けることができる。上側の処理領域３０ｂにおいて、下部均熱板３４ｂの、ワーク１００側とは反対側の面（ヒータ３２ａ側の面）に温度制御部３７を設けることができる。この様にすれば、前述した場合と同様の効果を享受することができる。

図１０は、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図１０では、ワーク１００の中央領域および中間領域と対向する複数の上部均熱板３４ａおよび下部均熱板３４ｂを例示する。
前述したように、ワーク１００を加熱した際に、ワーク１００の表面側の温度が、ワーク１００の裏面側の温度よりも低くなるようにすることが好ましい。
そのため、例えば、図１０に示すように、下側の処理領域３０ａの上部均熱板３４ａに設けられる温度制御部５３７の平面寸法を、上側の処理領域３０ｂの下部均熱板３４ｂに設けられる温度制御部３７の平面寸法よりも大きくすることができる。

温度制御部５３７は、例えば、図１に示す５つの上部均熱板３４ａに凸部３７ｂを介して設けることができる。凸部３７ｂは、上部均熱板３４ａの外縁周辺に設けることができる。また、温度制御部５３７の放射部３７ａのＸ方向における長さは、ワーク１００の外縁領域と対向する上部均熱板３４ａの中央領域には届かない長さとなっている。

この様にすれば、下側の処理領域３０ａにおいて、ワーク１００の表面側の温度が、ワーク１００の裏面側の温度よりも低くなるようにすることができる。また、温度制御部５３７を所定の間隔で上部均熱板３４ａに凸部３７ｂを介して設けているので、温度制御部５３７が撓むことを防止することができる。また、温度制御部５３７の放射部３７ａのＸ方向における長さをワーク１００の外縁領域と対向する上部均熱板３４ａの中央領域には届かない長さとしているので、ワーク１００裏面側の外縁の温度が上昇し易くなり、ワーク１００の面内における温度分布をより均一に制御することができる。

なお、温度制御部５３７の放射部３７ａの平面形状をひし形とすれば、放熱による温度低下が生じ易いワーク１００の周縁領域に入射する熱を多くし、放熱による温度低下が生じ難いワーク１００の中央領域に入射する熱を少なくすることができる。

図１１は、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図１１に示すように、温度制御部５３７には、前述した反射膜３７ｃをさらに設けることができる。この場合、反射膜３７ｃは、平面視において、放射部の中央領域に設けることができる。反射膜３７ｃが設けられていれば、下側の処理領域３０ａにおいて、ワーク１００の表面側の温度が、ワーク１００の裏面側の温度よりも低くなるようにすることがさらに容易となる。

また、反射膜３７ｃは、ワーク１００の表面の中央領域に対向する位置に設けることができる。前述したように、ワーク１００の中央領域は放熱し難いため温度が高くなりやすい。そのため、反射膜３７ｃが、ワーク１００の表面の中央領域に対向する位置に設けられていれば、ワーク１００の表面の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。

図１２は、処理領域３０ａおよび処理領域３０ｂが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図１２に示すように、温度制御部５３７には、前述した温度制御部３７（第３の温度制御部の一例に相当する）を重ねて設けることができる。例えば、放射部の平面寸法が異なる温度制御部を重ねて設けることができる。この場合、温度制御部３７は、ワーク１００の表面の中央領域に対向する位置に設けることができる。前述したように、ワーク１００の中央領域は放熱し難いため温度が高くなりやすい。そのため、温度制御部３７が、ワーク１００の表面の中央領域に対向する位置に設けられていれば、ワーク１００の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。

以上に例示をした温度制御部３７、１３７、２３７、３３７、４３７、５３７は、上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）に熱的に接続されていれば良い。例えば、これらの温度制御部を上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）に溶接したり、ネジなどの締結部材を用いて上部均熱板３４ａ（下部均熱板３４ｂ）に接合したりすることができる。

図１３は、複数の温度制御部を重ねて設ける場合の形態を例示するための模式斜視図である。
図１３に示すように、下側の温度制御部６３７ａ（第３の温度制御部の一例に相当する）に凸状の位置決め部６３７ａ１を設け、上側の温度制御部６３７ｂに位置決め部６３７ａ１が挿入される位置決め部６３７ｂ１を設けることができる。位置決め部６３７ｂ１は、例えば、切り欠きや孔などとすることができる。
この様にすれば、温度制御部６３７ａ、６３７ｂの着脱が容易となるので、メンテナンス性の向上を図ることができる。

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、加熱処理装置１の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
図７および図１２に示した他の実施の形態では、温度制御部を重ねて設ける場合を説明した。しかし、温度制御部は、重ねて設けることに限定されない。例えば、温度制御部５３７を上部均熱板３４ａのヒータ３２ａ側の面に設け、温度制御部３７をワーク１００の中央領域と対向する上部均熱板３４ａのワーク１００側の面に設けるようにしてもよい。

また、ワーク１００の、中央領域から外縁領域に向かって、温度制御部３７の個数を変化させてもよい。例えば、中央領域から外縁領域に向かって、温度制御部３７の個数が減るように配置することができる。このようにすることで、ワーク１００の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。

また、温度制御部３７および温度制御部３３７を併用してもよい。例えば、ワーク１００の中央領域と対向する上部均熱板３４ａに温度制御部３３７を設け、その両側に配置された上部均熱板３４ａに温度制御部３７を設けるようにすることができる。このようにすることで、ワーク１００の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。

また、温度制御部３７の形状は、矩形に限定されない。例えば、均熱部のみで加熱した場合の、ワーク１００の面内における温度分布を予め求めておき、温度分布に合わせて温度制御部３７の形状を決定するようにしてもよい。この場合、温度制御部３７は、例えば、三角形や、楕円、ひょうたん形状や扇形状など、様々な形状とすることができる。
また、複数の加熱部３２を有する加熱処理装置では、加熱部３２ごとに温度制御部３７の形状や構成を変えるようにしてもよい。例えば、上部均熱板３４ａに設けられた温度制御部３７の形状や構成が加熱部３２ごとに異なるようにしてもよい。また、最下段と最上段の加熱部３２は、他の加熱部３２と異なり、熱が逃げやすい。そのため、最下段と最上段の加熱部３２については、加熱部３２の、ワーク１００側とは反対側に設けられた均熱部３４に温度制御部３７を設けなくてもよい。このようにすることで、最下段と最上段の処理部３０に設けられたワーク１００の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。

１ 加熱処理装置、１０ チャンバ、２０ 排気部、３０ 処理部、３０ａ 処理領域、３０ｂ 処理領域、３２ 加熱部、３３ 支持部、３４ａ 上部均熱板、３４ｂ 下部均熱板、３７ 温度制御部、３７ａ 放射部、３７ｂ 凸部、３７ｃ 反射膜、１００ ワーク、１３７ 温度制御部、２３７ 温度制御部、３３７ 温度制御部、４３７ 温度制御部、５３７ 温度制御部

Claims (12)

1. チャンバと、
   前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも１つの第２のヒータを有し、前記第１の加熱部と対向する第２の加熱部と、
   前記第１の加熱部と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、
   前記第１の均熱板と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、
   前記第１の均熱板と、前記第２の均熱板と、の間であって、ワークが支持される第１の処理領域と、
   前記第１の均熱板に設けられた第１の温度制御部と、
   前記第２の均熱板に設けられた第２の温度制御部と、
   を備え、
   前記第１の温度制御部は、
   前記第１の均熱板と隙間を介して設けられた第１の放射部と、
   前記第１の放射部の、前記第１の均熱板との対向面に前記第１の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有し、
   前記第２の温度制御部は、
   前記第２の均熱板と隙間を介して設けられた第２の放射部と、
   前記第２の放射部の、前記第２の均熱板との対向面に前記第２の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有する加熱処理装置。
2. チャンバと、
   前記チャンバの内部を排気して、前記チャンバの内部を真空にする排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、ワークが支持される第１の処理領域と、
   前記第１の処理領域の上部に設けられ、少なくとも１つの第１のヒータを有する第１の加熱部と、
   前記第１の処理領域の下部に設けられ、少なくとも１つの第２のヒータを有する第２の加熱部と、
   前記第１の処理領域と、前記第１の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第１の均熱板と、
   前記第１の処理領域と、前記第２の加熱部との間に設けられた少なくとも１つの第２の均熱板と、
   前記第１の均熱板に設けられた第１の温度制御部と、
   を備え、
   前記第１の温度制御部は、
   前記第１の均熱板と隙間を介して設けられた第１の放射部と、
   前記第１の放射部の、前記第１の均熱板との対向面に前記第１の均熱板に接触するように設けられる凸部と、を有する加熱処理装置。
3. 前記第２の均熱板に設けられた第２の温度制御部を備え、
   前記第２の温度制御部は、第２の均熱板と隙間を介して設けられた第２の放射部を有する請求項２に記載の加熱処理装置。
4. 前記第１の放射部の平面寸法は、前記第２の放射部の平面寸法よりも大きい請求項１または３に記載の加熱処理装置。
5. 前記第１の放射部には、前記第１の放射部よりも熱を吸収しにくい反射膜が設けられている請求項１～４のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
6. 前記反射膜は、平面視において、前記第１の放射部の中央領域に設けられている請求項５記載の加熱処理装置。
7. 前記第２の均熱板の熱伝導率は、前記第１の均熱板の熱伝導率よりも高い請求項１～６のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
8. 前記凸部は複数設けられ、
   前記複数の前記凸部は、前記第１の放射部の中央領域に設けられる前記凸部の断面積を周縁領域に設けられる前記凸部の断面積よりも小さくすることを特徴とする請求項１～７のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
9. 前記凸部は複数設けられ、
   前記複数の前記凸部は、前記第２の放射部の中央領域に設けられる前記凸部の断面積を周縁領域に設けられる前記凸部の断面積よりも小さくすることを特徴とする請求項１または３記載の加熱処理装置。
10. 前記第１の温度制御部に重ねて設けられた第３の温度制御部をさらに備えた請求項１～９のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
11. 前記第３の温度制御部は、前記第１の温度制御部と隙間を介して設けられた第３の放射部を有し、
    前記第３の放射部の平面寸法は、前記第１の温度制御部に設けられた前記第１の放射部の平面寸法とは異なる請求項１０記載の加熱処理装置。
12. 前記第１の処理領域の上に重ねて設けられた第２の処理領域をさらに有し、
    前記第１の処理領域と、前記第２の処理領域と、の間に設けられた前記第１の加熱部が前記第１の処理領域と前記第２の処理領域とで兼用されている請求項１～１１のいずれか１つに記載の加熱処理装置。

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