TWI642888B - Vacuum drying device, vacuum drying system, and vacuum drying method - Google Patents

Abstract

本發明的減壓乾燥裝置包括：支撐部，對塗布有膜的基板進行支撐；基板收容部，包含可連接分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部，將支撐於支撐部的基板收容於第1覆蓋部與第2覆蓋部之間的處理空間；連接分離驅動部，藉由使第1覆蓋部與第2覆蓋部接觸而封閉處理空間，另一方面，藉由使第1覆蓋部與第2覆蓋部分離而打開處理空間；減壓機構，藉由使經封閉的處理空間減壓，而使塗布於基板上的膜乾燥；以及排氣機構，配置在基板收容部的外側，從分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間排出處理空間內的氣化成分。

Description

減壓乾燥裝置、減壓乾燥系統、減壓乾燥方法

本發明關於一種對塗布於基板上的膜進行減壓乾燥的技術。

在專利文獻1中，記載有對塗布於基板上的薄膜進行乾燥的減壓乾燥裝置。所述減壓乾燥裝置藉由使收容基板的腔室（chamber）的內部減壓，而使薄膜中所含的溶劑氣化。由此，可以使薄膜乾燥。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-64185號公報

[發明所欲解決之課題] 然而，在塗布於基板上的膜的乾燥完成的時點，在收容基板的基板收容部（腔室）的內部殘留有由膜氣化而成的成分。因此，在打開基板收容部時，會產生所述氣化成分飛散至基板收容部的外部，使周圍污染的問題。

本發明是鑒於所述問題而完成，目的在於提供如下技術：藉由使收容基板的基板收容部的內部減壓而使塗布於基板上的膜乾燥，可以一方面抑制來自膜的氣化成分飛散至基板收容部的外部，一方面從基板收容部的內部去除所述氣化成分。 [解決問題的手段]

本發明的減壓乾燥裝置包括：支撐部，對塗布有膜的基板進行支撐；基板收容部，包括可相互連接分離的第1覆蓋（cover）部及第2覆蓋部，將支撐於支撐部的基板收容於第1覆蓋部與第2覆蓋部之間的處理空間；連接分離驅動部，藉由使第1覆蓋部與第2覆蓋部相互接觸而封閉處理空間，另一方面，藉由使第1覆蓋部與第2覆蓋部相互分離而打開處理空間；減壓機構，藉由使經封閉的處理空間減壓，而使塗布於基板上的膜乾燥；以及排氣機構，配置在基板收容部的外側，從相互分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間排出處理空間內的氣化成分。

本發明的減壓乾燥方法包括如下步驟：藉由在基板收容部所具有的第1覆蓋部與第2覆蓋部之間的處理空間內收容著塗布有膜的基板的狀態下，使第1覆蓋部與第2覆蓋部相互接觸而封閉處理空間；藉由使經封閉的處理空間減壓，而使塗布於基板上的膜乾燥；使第1覆蓋部與第2覆蓋部相互分離；以及利用配置在基板收容部的外側的排氣機構，從相互分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間排出處理空間內的氣化成分。

在如上所述構成的本發明（減壓乾燥裝置、減壓乾燥方法）中，基板收容部包括第1覆蓋部及第2覆蓋部，藉由使第1覆蓋部與第2覆蓋部接觸而封閉第1覆蓋部與第2覆蓋部之間的處理空間。然後，藉由使經第1覆蓋部及第2覆蓋部封閉的處理空間減壓，來執行收容於處理空間內的基板的膜的乾燥。在所述乾燥完成的時點，如上所述在基板收容部的內部，即在處理空間內殘留有來自膜的氣化成分。因此，如果使第1覆蓋部與第2覆蓋部分離而打開處理空間，則氣化成分有可能從第1覆蓋部與第2覆蓋部之間飛散至外部。對此，在本發明中，在基板收容部的外側配置有排氣機構。而且，排氣機構從相互分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間排出處理空間內的氣化成分。由此，將氣化成分從處理空間排出至排氣機構。其結果為，可以一方面抑制來自膜的氣化成分飛散至基板收容部的外部，一方面從基板收容部的內部去除所述氣化成分。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：更包括與排氣機構排出氣化成分同時，對處理空間供給氣體的供氣機構。在所述構成中，一方面利用供給至處理空間內的氣體置換氣化成分，一方面利用排氣機構執行氣化成分的排出。因此，可以迅速地執行氣化成分從處理空間的去除，並且可以利用已置換氣化成分的氣體來使處理空間保持潔淨。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：更包括配置在處理空間內，從第2覆蓋部之側對由支撐部支撐的基板進行加熱的加熱板（hot plate），供氣機構將氣體供給至加熱板與第2覆蓋部之間，加熱板與第2覆蓋部之間的間隙將經供氣機構供給的氣體引導至第2覆蓋部的周緣部。在所述構成中，供給至處理空間的氣體是藉由加熱板與第2覆蓋部之間的間隙而引導至第2覆蓋部的周緣部。由此，生成從處理空間向第2覆蓋部的周緣部的氣流，從而可以有效率地從處理空間去除氣化成分。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：排氣機構在處理空間的外側具有沿第2覆蓋部的周緣部延伸設置的開口，藉由經由相互分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間從開口對處理空間內進行抽吸，而排出氣化成分。藉由從如上所述設置的開口對處理空間內進行抽吸，可以一方面更確實地抑制從第1覆蓋部及第2覆蓋部各自的周緣部之間排出的氣化成分飛散至外部，一方面從處理空間排出氣化成分。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：支撐部在伴隨著第1覆蓋部與第2覆蓋部相互分離，利用排氣機構開始氣化成分的排出之後的規定期間內，將基板支撐於與開口相對向的範圍內。由此，可以在處理空間內的氣化成分的殘留量比較多的排氣開始時點，一方面使開口與作為氣化成分的產生源的基板的膜相對向，一方面從開口排出氣化成分。因此，可以一方面更確實地抑制氣化成分飛散至基板收容部的外部，一方面從處理空間排出氣化成分。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：排氣機構包括設置有開口的導管（duct），導管的上表面是朝向外側下降的的傾斜面。當如上所述使導管的上表面傾斜時，從上方抵碰至導管的上表面的氣流一邊沿所述上表面的斜度緩緩彎曲一邊流向下方。因此，即使將所述減壓乾燥裝置設置於生成有下降流（down flow）的潔淨室（clean room）等內，也可以抑制下降流因為排氣機構的導管而被打亂。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥裝置：第1覆蓋部在與支撐於支撐部的基板相對向的範圍內具有平面。由此，可以抑制塗布於基板上的膜產生乾燥不均。進一步來說，正是因為將排氣機構配置在基板收容部的外側，而不是使排氣機構例如經由第1覆蓋部與處理空間連通，所以能夠採用所述構成。

並且，也可以在使包含聚醯亞胺前體及溶劑的膜乾燥時，使用所述減壓乾燥裝置。即，聚醯亞胺前體的膜具有例如與光阻劑的膜相比包含更多的溶劑的傾向。因此，特別適合於一方面抑制經氣化的溶劑飛散至基板收容部的外部，一方面從基板收容部的內部去除所述氣化成分。

本發明的減壓乾燥系統包括多個所述減壓乾燥裝置。因此，可以一方面抑制來自膜的氣化成分飛散至基板收容部的外部，一方面從基板收容部的內部去除所述氣化成分。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥系統：多個減壓乾燥裝置針對同一基板依次執行膜的乾燥。在所述構成中，利用多個減壓乾燥裝置分階段地執行膜的乾燥。這時，在初期執行乾燥的減壓乾燥裝置的基板收容部的內部，殘留有大量的氣化成分。對此，根據本發明，可以一方面抑制殘留於基板收容部的內部的大量的氣化成分飛散至外部，一方面去除所述氣化成分。其結果為，可以抑制其它減壓乾燥裝置因氣化成分而污染。

並且，也可以如下方式構成減壓乾燥系統：在垂直方向上並列地配置有多個減壓乾燥裝置。在如上所述的構成中，由於從減壓乾燥裝置的基板收容部飛散至外部的氣化成分滯留在下方，有可能使配置在下側的減壓乾燥裝置受到污染。對此，根據本發明，可以一方面抑制殘留於基板收容部的內部的大量氣化成分飛散至外部，一方面去除所述氣化成分。其結果為，可以抑制配置在下側的減壓乾燥裝置因氣化成分而污染。 [發明的效果]

如上所述，根據本發明，在藉由使收容基板的基板收容部的內部減壓而使塗布於基板上的膜乾燥的技術中，可以一方面抑制來自膜的氣化成分飛散至基板收容部的外部，一方面從基板收容部的內部去除所述氣化成分。

圖1是示意性地表示配備本發明的減壓乾燥裝置的一實施方式的聚醯亞胺膜生產線的圖。所述聚醯亞胺膜生產線1包括塗布裝置11、減壓乾燥裝置12、熱處理裝置13及兩台搬運機器人14、搬運機器人15。在聚醯亞胺膜生產線1中，塗布裝置11在承載玻璃板G（參照圖2）的上表面G1（參照圖2）塗布包含聚醯亞胺前體及溶劑的塗布液而形成塗布膜F（參照圖2）。作為塗布裝置11，可以使用例如使從噴出口噴出塗布液的狹縫噴嘴相對於承載玻璃板G相對移動而形成塗布膜F的所謂狹縫塗布機（slit coater）。當然，也可以利用其它塗布方式的塗布裝置。並且，在本實施方式中，當使用聚醯胺酸（polyamide acid；polyamic acid）及N-甲基-2-吡咯烷酮（N-Methyl-2-Pyrrolidone，NMP）分別作為本發明的“聚醯亞胺前體”及“溶劑”而形成所需厚度的10倍左右（例如5[μm]～20[μm]左右的聚醯亞胺膜時，50[μm]～200[μm]左右）的比較厚的塗布膜F。

形成有塗布膜F的承載玻璃板G被搬運機器人14從塗布裝置11搬運至減壓乾燥裝置12。所述減壓乾燥裝置12藉由對塗布膜F進行減壓乾燥處理，來去除塗布膜F中的溶劑而形成所需的膜厚的聚醯亞胺前體塗膜。再者，關於減壓乾燥裝置12的構成及動作，將接在聚醯亞胺膜生產線1的整體說明之後進行詳述。

形成有聚醯亞胺前體塗膜的承載玻璃板G被搬運機器人15從減壓乾燥裝置12搬運至熱處理裝置13。所述熱處理裝置13對聚醯亞胺前體塗膜實施熱處理而使聚醯亞胺前體醯亞胺化而形成聚醯亞胺膜。熱處理裝置13既可以包含對單個承載玻璃板G進行加熱的單片式的加熱部，也可以包含對多個承載玻璃板G進行統一加熱的批次式的加熱部。再者，醯亞胺化需要數個小時的加熱處理，減壓乾燥處理的節拍時間（tact time）與用於醯亞胺化的熱處理的節拍時間大不相同。因此，當利用單片式的加熱部構成熱處理裝置13時，理想的是層疊配置多台所述加熱部而進行並列處理。

圖2是示意性地表示減壓乾燥裝置的構成的局部截面圖，圖3是局部地表示圖2的減壓乾燥裝置的構成的立體圖，圖4是表示圖2的減壓乾燥裝置所具備的電氣構成的圖。在圖2及圖3中，表示將Z方向設為垂直方向，將X方向及Y方向分別設為水平方向的XYZ正交坐標系。減壓乾燥裝置12是使在承載玻璃板G的上表面G1上塗布塗布液而成的塗布膜F中所含的溶劑成分氣化而使塗布膜F乾燥的裝置。減壓乾燥裝置12如圖4所示，包括對裝置各部的動作進行籠統控制的控制部2。所述控制部2包括具有中央處理器（Central Processing Unit，CPU）及存儲部等的計算機。此外，減壓乾燥裝置12如圖2所示，包括腔室3、支撐部4及加熱部5。

腔室3是包含用於對承載玻璃板G進行減壓乾燥處理（＝減壓處理＋加熱處理）的處理空間30的耐壓容器。腔室3包括可以相互連接分離的底座（base）部31及蓋部32。底座部31固定設置在裝置框架（省略圖示）上。底座部31包括水平配置的矩形狀的底板部311、以及沿底板部311的各邊延伸設置的壁部312。壁部312從底板部311的各邊，即從周緣部向上方垂直地設置，底板部311的上表面與壁部312的內面藉由光滑的曲面而連接。如上所述，底座部31俯視時具有矩形狀的外形，形成為朝向上方開口的箱型。

另一方面，蓋部32包括水平配置的矩形狀的頂板部321、以及沿頂板部321的各邊延伸設置的壁部322。壁部322從頂板部321的各邊，即從周緣部向下方垂直地設置，頂板部321的下表面與壁部322的內面藉由光滑的曲面而連接。如上所述，蓋部32俯視時具有矩形狀的外形，形成為朝向下方開口的箱型。所述蓋部32配置在底座部31的上方，蓋部32的壁部322與底座部31的壁部312從Z方向相對向。這樣一來，在沿Z方向相互對向的蓋部32與底座部31之間形成處理空間30。並且，腔室3包含配置在壁部322的上表面的橡膠製的O形圈33。因此，蓋部32的壁部322與底座部31的壁部312經由O形圈33而相互接觸。

並且，減壓乾燥裝置12為了使腔室3開閉，包括圖2中概念性地表示的開閉驅動部34。所述開閉驅動部34是對蓋部32相對於底座部31沿Z方向進行驅動的致動器（actuator），藉由開閉驅動部34根據來自控制部2的升降指令來運行，而使蓋部32相對於底座部31在Z方向上升降。即，當控制部2將下降指令輸出至開閉驅動部34時，開閉驅動部34使蓋部32下降。由此，將蓋部32經由O形圈33按壓至底座部31，對處理空間30進行密閉。另一方面，當控制部2將上升指令輸出至開閉驅動部34時，開閉驅動部34使蓋部32上升。由此，蓋部32與底座部31及O形圈33分離，使處理空間30打開，從而可以相對於處理空間30搬入或搬出承載玻璃板G。

支撐部4是用於將承載玻璃板G支撐於腔室3的處理空間30內的機構。支撐部4包括多個支撐銷41、以及對支撐銷41進行支撐的支撐構件42。支撐構件42配置在腔室3的外側下方，多個支撐銷41立設於支撐構件42上。各支撐銷41貫通於底座部31及加熱板51而突設於底座部31的處理空間30內，各支撐銷41的頭部抵接於承載玻璃板G的下表面，借此水平地支撐承載玻璃板G。再者，在支撐於支撐部4的承載玻璃板G（的塗布膜F）上，形成於蓋部32的頂板部321的下表面的平滑的水平面321a從上方相對向。

並且，減壓乾燥裝置12包括圖2中概念性地表示的升降驅動部43，以使支撐部4升降。所述升降驅動部43是對支撐部4在Z方向上進行驅動的致動器，藉由升降驅動部43根據來自控制部2的升降指令來運行，而使支撐部4在Z方向上升降。即，控制部2藉由對升降驅動部43進行控制，可以對支撐於支撐部4的承載玻璃板G的高度進行調整。具體而言，當執行相對於處理空間30的承載玻璃板G的搬入或搬出時，控制部2將上升指令輸出至升降驅動部43，使支撐部4對承載玻璃板G的支撐位置上升至規定的上升位置為止。另一方面，當對搬入至處理空間30內的承載玻璃板G的塗布膜F執行減壓乾燥處理時，控制部2將下降指令輸出至升降驅動部43，使支撐於支撐部4的承載玻璃板G下降至低於上升位置的規定的下降位置為止。

加熱部5包括安裝於底座部31的加熱板51、以及安裝於蓋部32的橡膠發熱體（rubber heater）52。加熱板51是與底板部311之間空開間隙D而水平地安裝在底座部31的底板部311的上表面。並且，橡膠發熱體52配置成覆蓋著蓋部32的上表面。而且，控制部2藉由將加熱指令輸出至加熱部5，而藉由加熱板51及橡膠發熱體52的發熱來對處理空間30進行加熱。所述處理空間30的加熱是從承載玻璃板G搬入至處理空間30之前起預先持續執行，已搬入至處理空間30內的承載玻璃板G是藉由處理空間30內的環境溫度而加熱。由此，溶劑成分從塗布膜F氣化。

減壓乾燥裝置12包括減壓單元6，以與加熱部5的加熱處理同時執行減壓處理。所述減壓單元6包括排氣配管61（減壓機構）以及與排氣配管61連接的減壓閥62。排氣配管61安裝在腔室3的底座部31的中央，從底座部31的底板部311向下方突出。排氣配管61的一端611在底板部311的上表面開口，排氣配管61與腔室3內的處理空間30連通。而且，排氣配管61的另一端612經由減壓閥62與減壓泵P連接。減壓泵P進而與排氣動力Ue連接，即與設置有減壓乾燥裝置12的施設中所含的排氣用的動力設備連接。所述減壓泵P基本上時常運轉，控制部2藉由使減壓閥62開閉，而執行或停止處理空間30的減壓。即，當在處理空間30藉由腔室3而密閉的狀態下，控制部2對減壓閥62輸出打開指令時，減壓閥62打開，藉由減壓泵P的排氣而使處理空間30減壓。另一方面，當控制部2將關閉指令輸出至減壓閥62時，減壓閥62關閉，而使處理空間30的減壓停止。

並且，減壓乾燥裝置12包括供氣單元7，以使減壓停止後的處理空間30的氣壓恢復至大氣壓。所述供氣單元7包括多個供氣配管71（供氣機構）、以及與各供氣配管71連接的供氣閥72。各供氣配管71從底座部31的底板部311向下方突出。各供氣配管71的一端711一邊與加熱板51的下表面相對向，一邊在底板部311的上表面開口，各供氣配管71與腔室3內的處理空間30連通。而且，各供氣配管71的另一端712經由供氣閥72與供氣動力Us連接，即與設置有減壓乾燥裝置12的施設中所含的供氣用的動力設備連接。在此處的示例中，供氣動力Us是供給氮氣。然後，控制部2藉由使供氣閥72開閉，而執行或停止對處理空間30的供氣。即，當控制部2將打開指令輸出至供氣閥72時，供氣閥72打開，對處理空間30供給氮氣（氣體淨化（gas purge））。另一方面，當控制部2對供氣閥72輸出關閉指令時，供氣閥72關閉，而停止對處理空間30供給氮氣。

此外，減壓乾燥裝置12中，在所述減壓單元6之外，另包括排出處理空間30內的氣化成分的排氣單元8。所述排氣單元8是為了從處理空間30排出乾燥處理後的處理空間30內所殘留的經氣化的溶劑成分（氣化成分）而設置。所述排氣單元8包括安裝在腔室3的外側的排氣機構80、以及與排氣機構80連接的流量調整閥85。所述排氣機構80包括四個排氣導管81、以及設置於各排氣導管81上的排氣配管82。

接著，同時使用圖5，對排氣機構80的構成的詳細情況進行說明。在這裡，圖5是將排氣機構所具有的排氣導管的周邊加以放大的局部截面圖。排氣機構80所具有的四個排氣導管81是在底座部31的四邊上一一對應地設置，各排氣導管81是沿所對應的底座部31的邊在水平方向上延伸設置。如圖3所示，底座部31具有在Y方向上比X方向上更長的長方形，與此相對應地，在Y方向上延伸設置的排氣導管81長於在X方向上延伸設置的排氣導管81。

排氣導管81的上表面811是越朝向外側（腔室3的相反側）越下降的傾斜面，排氣導管81的外側的側面812是與Z方向平行的垂直面。排氣導管81的上部81a突出至比底座部31的壁部312更靠上方的位置，底座部31的下部81b（比上部81a更靠下側）安裝在壁部312的外側的側面。在排氣導管81的上部81a，朝向內側（腔室3側）設置有開口813，開口813與在排氣導管81內沿Z方向設置的中空部814連通。如圖3所示，開口813具有沿底座部31的壁部312在水平方向上延伸設置的矩形狀。在各排氣導管81中，沿底座部31設置有具有與邊相對應的長度的開口813，在Y方向上延伸設置的長條狀的排氣導管81上所形成的開口813長於在X方向上延伸設置的短條狀的排氣導管81上所形成的開口813。

此外，在圖5的狀態下，承載玻璃板G被支撐部4支撐在下降位置。而且，排氣導管81的開口813的位置相對於位於下降位置的承載玻璃板G具有規定的位置關係。即，開口813與下降位置的承載玻璃板G從水平方向相對向，換而言之，承載玻璃板G位於開口813所對向的範圍R內，即，位於Z方向上的開口813的上端與下端之間的範圍R內。

並且，排氣機構80具有從排氣導管81的底部向下方突出的排氣配管82。所述排氣配管82是在各開口813的下方沿水平方向並列設置有多個。具體而言，在Y方向上延伸設置的長條狀的排氣導管81中在Y方向上並列設置有三個排氣配管82，在X方向上延伸設置的短條狀的排氣導管81中在X方向上並列設置有兩個排氣配管82。排氣配管82的一端821相對於排氣導管81的中空部814而開口，排氣配管82與排氣導管81的中空部814連通。而且，排氣配管82的另一端822經由流量調整閥85與排氣動力Ue連接。再者，控制部2基本上時常打開流量調整閥85。因此，伴隨著排氣動力Ue的排氣，排氣導管81時常從開口813抽吸外部氣體。

如上所述，排氣機構80的排氣導管81在從底座部31的壁部312向上方突出的位置上具有開口813，從開口813時常抽吸外部氣體。因此，在腔室3經封閉的狀態下，開口813與腔室3的蓋部32相對向，另一方面，在腔室3經打開的狀態下，開口813可以從底座部31與蓋部32之間排出經打開的處理空間30內的溶劑成分。

以上是減壓乾燥裝置12的構成的概要。接著對減壓乾燥裝置12所執行的減壓乾燥處理的流程進行說明。圖6是表示減壓乾燥處理的流程圖，圖7是示意性地表示按照圖6的流程圖而執行的動作的圖。圖6的流程圖是藉由控制部2的控制來執行。再者，在所述流程圖開始前，減壓閥62及供氣閥72關閉，流量調整閥85打開。

在步驟S11中，在支撐部4將承載玻璃板G支撐於下降位置的狀態下，蓋部32朝向底座部31下降，而封閉腔室3。由此，蓋部32經由O形圈33抵接於底座部31，從而將腔室3內的處理空間30加以封閉而密閉。

接著，減壓閥62打開，開始利用與減壓泵P連通的排氣配管61排出處理空間30內的環境氣體（步驟S12）。伴隨於此，處理空間30的壓力變為負壓，從而促進形成於承載玻璃板G的上表面G1的塗布膜F中所含的溶劑成分的氣化。同時，藉由利用加熱部5進行加熱，也使所述溶劑成分的氣化得到促進。而且，在處理空間30的壓力抵達至規定的負壓的時點，減壓閥62封閉，處理空間30的排氣結束。這樣一來，塗布膜F的乾燥完成，塗布膜F中所含的溶劑成分減少至乾燥前的10%～20%左右（即，變為80%～90%左右的溶劑成分經氣化的狀態）。

在步驟S12中的減壓結束時，供氣閥72打開，開始從供氣配管71向處理空間30供給氮氣（步驟S13）。這時，在圖7的步驟S13的欄中，如以虛線箭頭示意性地表示，從供氣配管71供給至處理空間30的氮氣的一部分氣流La與加熱板51的下表面發生碰撞而向水平方向改變方向，被引導至加熱板51與底座部31之間的間隙D，而流向底座部31的周緣部（壁部312）。

在步驟S14中，判斷伴隨著處理空間30的氮氣的供給，處理空間30的壓力是否達到大氣壓以上。當處理空間30的壓力未達大氣壓時（步驟S14中為“否（NO）”），判斷是否從氮氣的供給開始起經過了規定時間（步驟S19）。這樣一來，如果在規定時間內處理空間30的壓力未達大氣壓以上（步驟S19中為“是（YES）”），則將警報通知給操作者而異常結束（步驟S20）。另一方面，如果在規定時間內處理空間30的壓力達到大氣壓以上（步驟S14中為“是（YES）”），則蓋部32開始上升，而打開處理空間30（步驟S15）。其結果為，蓋部32的壁部322遠離底座部31的壁部312及O形圈33，在蓋部32的壁部322與底座部31的壁部312之間形成空間35，排氣導管81的開口813與所述空間35相對向。即，排氣導管81的開口813與打開處理空間30的空間35相對向。因此，在步驟S15以後，排氣導管81從開口813經由空間35時常抽吸處理空間30，處理空間30藉由排氣導管81而持續地排氣。這時，承載玻璃板G被支撐部4支撐於下降位置，位於排氣導管81的開口813的對向範圍R。

此外，從蓋部32開始上升之前起，排氣導管81持續執行從開口813的抽吸。因此，蓋部32上升，可以從蓋部32與底座部31之間形成有空間35的時點起立即開始處理空間30的排氣，從而可以迅速執行從處理空間30的溶劑成分（氣化成分）Lb的排出。並且，在蓋部32開始上升後也繼續執行在步驟S13中開始的對處理空間30的氮氣的供給。因此，蓋部32上升後的處理空間30的壓力多少變為正壓，由此也促進了溶劑成分從處理空間30排出。

而且，在步驟S16中判斷腔室3是否已全開。當腔室3沒有全開時（步驟S16中為“否（NO）”時），將警報通知給操作者而異常結束（步驟S20）。另一方面，當腔室3全開時（步驟S16中為“是（YES）”），關閉供氣閥72，停止對處理空間30供給氮氣（步驟S17）。接著，支撐部4使承載玻璃板G上升至比排氣導管81更上方的上升位置為止（步驟S18）。由此，搬運機器人15可以從排氣導管81的上方進入至承載玻璃板G的下側，將承載玻璃板G從處理空間30搬出。這樣一來，圖6的流程圖結束。

如上所述在本實施方式中，將承載玻璃板G支撐於經腔室3的底座部31及蓋部32密閉的處理空間30內，對承載玻璃板G的塗布膜F執行減壓乾燥處理。而且，當減壓乾燥處理完成時，蓋部32與底座部31分離，而使腔室3打開。這時，配置在腔室3的外側的排氣機構80從底座部31的壁部312與蓋部32的壁部322之間排出處理空間30內的氣化成分（溶劑成分）。因此，在減壓乾燥處理完成時殘留於處理空間30內的來自塗布膜F的氣化成分（溶劑成分）藉由排氣機構80而從處理空間30排出，並收集至排氣動力Ue。其結果為，可以一方面抑制由塗布膜F氣化的溶劑成分飛散至腔室3的外部，一方面從腔室3的內部去除所述溶劑成分。

並且，與排氣機構80排出處理空間30內的溶劑成分同時，供氣配管71將氮氣供給至處理空間30。因此，一邊利用供給至處理空間30的氮氣置換溶劑成分，一邊利用排氣機構80執行溶劑成分的排出。因此，可以迅速地執行溶劑成分從處理空間30的去除，並且可以利用已置換溶劑成分的氮氣來使處理空間30保持潔淨。

這時，供氣配管71將氮氣供給至配置在處理空間30內的加熱板51與底座部31之間的間隙D。而且，氮氣藉由間隙D而導向底座部31的壁部312（周緣部）。由此，生成從處理空間30向底座部31的壁部312的氣流，從而可以有效率地利用排氣機構80從處理空間30排出溶劑成分。

特別是如NMP等的溶劑成分容易因為重力而滯留在底座部31的底部。因此，在加熱板51與底座部31的間隙D內生成所述氣流的構成可以從處理空間30有效率地排出所滯留的溶劑成分，從而較佳。

並且，排氣機構80在處理空間30的外側具有沿底座部31的壁部312延伸設置的開口813。而且，排氣機構80經由相互分離的蓋部32的壁部322與底座部31的壁部312之間，從開口813抽吸處理空間30的內部。藉由從如上所述而設置的開口813抽吸處理空間30的內部，可以一方面更確實地抑制從蓋部32的壁部322與底座部31的壁部312之間排出的溶劑成分飛散至腔室3的外部，一方面從處理空間30排出溶劑成分。

並且，支撐部4在伴隨著腔室3打開，利用排氣機構80開始進行腔室3的排氣之後的規定期間（即，執行步驟S18之前的期間）內，將承載玻璃板G支撐在與排氣機構80的開口813相對向的範圍R內。由此，在處理空間30內的溶劑成分的殘留量比較多的排氣開始時點，可以一邊使開口813與作為溶劑成分的產生源的承載玻璃板G的塗布膜F相對向，一邊從開口813排出處理空間30內的溶劑成分。因此，可以一方面更確實地抑制溶劑成分飛散至腔室3的外部，一方面從處理空間30排出溶劑成分。

並且，塗布於承載玻璃板G上的塗布膜F包含聚醯亞胺前體及溶劑。這種塗布膜F具有例如與光阻劑的膜相比包含更多的溶劑的傾向。因此，特別優選的是藉由使用包含所述排氣機構80的減壓乾燥裝置12，來一方面抑制經氣化的溶劑成分飛散至腔室3的外部，一方面從腔室3的內部去除所述溶劑成分。

並且，排氣機構80的排氣導管81的上表面811是朝向外側下降的傾斜面。當如上所述，使排氣導管81的上表面811傾斜時，從上方抵碰至排氣導管81的上表面811的氣流一邊沿所述排氣導管81的上表面811的斜度緩緩彎曲，一邊沿排氣導管81的側面812流向下方。因此，在生成有下降流的潔淨室等內設置所述減壓乾燥裝置12，也可以抑制下降流被排氣機構80的排氣導管81打亂。

並且，蓋部32在與支撐於支撐部4的承載玻璃板G相對向的範圍內具有水平面321a。由此，可以抑制塗布於承載玻璃板G上的塗布膜F中產生乾燥不均。進而言之，正是因為將排氣機構80配置在腔室3的外側，而不是使排氣機構80例如經由蓋部32與處理空間30連通，所以能夠採用所述構成。

如上所述，在本實施方式中，減壓乾燥裝置12相當於本發明的“減壓乾燥裝置”的一例，支撐部4相當於本發明的“支撐部”的一例，腔室3相當於本發明的“基板收容部”的一例，蓋部32相當於本發明的“第1覆蓋部”的一例，底座部31及O形圈33構成本發明的“第2覆蓋部”的一例，蓋部32的壁部322相當於本發明的“第1覆蓋部的周緣部”的一例，底座部31的壁部312相當於本發明的“第2覆蓋部的周緣部”的一例，開閉驅動部34相當於本發明的“連接分離驅動部”的一例，排氣配管61相當於本發明的“減壓機構”的一例，排氣機構80相當於本發明的“排氣機構”的一例（再者，排氣機構80不含排氣動力Ue），排氣導管81相當於本發明的“導管”的一例，開口813相當於本發明的“開口”的一例，排氣導管81的上表面811相當於本發明的“導管的上表面”的一例，多個供氣配管71相當於本發明的“供氣機構”的一例，加熱板51相當於本發明的“加熱板”的一例，間隙D相當於本發明的“間隙”的一例，承載玻璃板G相當於本發明的“基板”的一例，塗布膜F相當於本發明的“膜”的一例，氮氣相當於本發明的“氣體”的一例。

再者，本發明並不限定於所述實施方式，在不脫離其主旨的範圍內，除所述情況以外可以進行各種變更。例如，在所述實施方式中，設置有一台減壓乾燥裝置12。但是，也可以利用多台減壓乾燥裝置12構成減壓乾燥系統S。在所述減壓乾燥系統S中，減壓乾燥裝置12包含所述排氣機構80，所以可以一方面抑制由塗布膜F氣化的溶劑成分飛散至腔室3的外部，一方面從腔室3的內部去除所述溶劑成分。這時，減壓乾燥系統S的具體構成可以進行各種變形。

圖8是示意性地表示包含減壓乾燥系統的第1例的聚醯亞胺膜生產線的一例的圖。所述圖8的聚醯亞胺膜生產線1所包含的減壓乾燥系統S包括串聯排列的兩台減壓乾燥裝置12、以及在兩台減壓乾燥裝置12之間搬運承載玻璃板G的搬運機器人16。兩台減壓乾燥裝置12均具備與所述減壓乾燥裝置12相同的構成。

減壓乾燥系統S利用前段（圖8左側）的減壓乾燥裝置12對經搬運機器人14從塗布裝置11搬運而來的承載玻璃板G進行減壓乾燥處理。接著，減壓乾燥系統S利用搬運機器人16將在前段的減壓乾燥裝置12中已完成減壓乾燥處理的承載玻璃板G搬運至後段（圖8右側）的減壓乾燥裝置12，並利用後段的減壓乾燥裝置12執行承載玻璃板G的減壓乾燥處理。再者，前段的減壓乾燥裝置12及後段的減壓乾燥裝置12是在不同的溫度下利用加熱部5執行加熱處理，前段的減壓乾燥裝置12中的加熱處理的溫度低於後段的減壓乾燥裝置12的加熱處理的溫度。這樣一來，藉由在加熱處理的前半部分降低加熱溫度，來抑制在加熱處理的初期容易產生的塗布膜F的乾燥不均或膜破損，並且藉由在加熱處理的後半部分提高加熱溫度，來縮短減壓乾燥處理所需要的時間。

如上所述，第1例的減壓乾燥系統S是兩台減壓乾燥裝置12對同一承載玻璃板G依次進行減壓乾燥處理。這時，在前段的減壓乾燥裝置12的腔室3的內部，殘留有大量的溶劑成分。對此，減壓乾燥裝置12配備有所述排氣機構80，因此可以一方面抑制殘留於腔室3的內部的大量的溶劑成分飛散至外部，一方面去除所述溶劑成分。其結果為，可以抑制後段的減壓乾燥裝置12因溶劑成分而污染。

圖9是示意性地表示包含減壓乾燥系統的第2例的聚醯亞胺膜生產線的一例的圖。所述圖9的聚醯亞胺膜生產線1所含的減壓乾燥系統S包含並列地排列的兩台減壓乾燥裝置12。兩台減壓乾燥裝置12均具備與所述減壓乾燥裝置12相同的構成，在垂直方向上並排地配置。

減壓乾燥系統S將經搬運機器人14從塗布裝置11搬運而來的承載玻璃板G，接收至兩台減壓乾燥裝置12之中承載玻璃板G所不在的另一個減壓乾燥裝置12，利用所述減壓乾燥裝置12執行減壓乾燥處理。然後，利用搬運機器人15，將所述減壓乾燥裝置12中的減壓乾燥處理已完成的承載玻璃板G搬運至熱處理裝置13。

如上所述，當在垂直方向上並排地配置有兩台減壓乾燥裝置12時，如果溶劑成分從各減壓乾燥裝置12的腔室3飛散至外部，那麼所述溶劑成分有可能滯留於下方，使下側的減壓乾燥裝置12受到污染。對此，各減壓乾燥裝置12配備有所述排氣機構80，因此可以一方面抑制殘留於腔室3的內部的大量的溶劑成分飛散至外部，一方面去除所述溶劑成分。其結果為，可以抑制配置在下側的減壓乾燥裝置12因溶劑成分而污染。

此外，關於減壓乾燥裝置12的具體構成，也可以進行各種變更。例如，腔室3的底座部31形成為朝向上方開口的箱型。但是，也可以不設置壁部312，而將底座部31形成為平板形狀。這時，也可以藉由利用排氣機構80從蓋部32及底座部31各自的周緣部之間（即，空間35）排出處理空間30內的溶劑成分，來一方面抑制殘留於腔室3的內部的溶劑成分飛散至外部，一方面去除所述溶劑成分。

並且，也可以對腔室3進行其它變形。例如，藉由使蓋部32升降而使腔室3開閉。但是，也可以藉由使底座部31升降而使腔室3開閉。

並且，關於排氣導管81的形狀或安裝位置，也可以適當變更，例如也可以將排氣導管81安裝於蓋部32。這時，也可以使排氣導管81上下顛倒而安裝於蓋部32，在蓋部32及底座部31各自的周緣部之間使排氣導管81的開口813相對向。

並且，下降位置上的承載玻璃板G與排氣導管81的開口813的位置關係也並不限於所述示例。即，即使承載玻璃板G與開口813未相對向，也可以藉由利用排氣導管81排出處理空間30內的溶劑成分，而一方面抑制殘留於腔室3的內部的溶劑成分飛散至外部，一方面去除所述溶劑成分。

並且，相互分離的蓋部32與底座部31之間的空間35和開口813的位置關係也可以適當變更。例如，也可以朝向上方形成開口813，設置成與蓋部32的壁部322的上表面齊平。

並且，不一定需要在底座部31的各邊設置排氣導管81。

並且，腔室3的外形並不限於所述示例，例如也可以俯視時具有圓形形狀。這時，排氣機構80的形狀也可以根據腔室3設為圓形。

並且，在減壓乾燥處理完成後使承載玻璃板G上升的時機也不限於所述示例。因此，也可以與蓋部32的上升聯動地使承載玻璃板G上升。

並且，排氣機構80時常從開口813抽吸外部氣體。但是，也可以構成為只在底座部31打開期間利用排氣機構80執行抽吸。

並且，從供氣配管71供給至處理空間30的氣體並不限於氮氣。因此，也可以對處理空間30供給空氣等其它氣體。

並且，在承載玻璃板G的搬運中使用有搬運機器人。但是，也可以利用其它搬運方式，例如也可以利用輸送機（conveyor）方式的搬運單元來搬運承載玻璃板G。

並且，在所述實施方式中，使用承載玻璃板G作為本發明的“基板”，但是也可以使用除此以外的平板狀構件作為“基板”。

並且，減壓乾燥裝置12的減壓乾燥處理的對象並不限於包含聚醯亞胺前體及溶劑的塗布膜F，例如也可以為抗蝕劑的薄膜。 [產業上的可利用性]

本發明可以應用於對塗布於基板上的膜進行減壓乾燥的所有技術。

1‧‧‧聚醯亞胺膜生產線

2‧‧‧控制部

3‧‧‧腔室

4‧‧‧支撐部

5‧‧‧加熱部

6‧‧‧減壓單元

7‧‧‧供氣單元

8‧‧‧排氣單元

11‧‧‧塗布裝置

12‧‧‧減壓乾燥裝置

13‧‧‧熱處理裝置

14、15、16‧‧‧搬運機器人

30‧‧‧處理空間

31‧‧‧底座部（第2覆蓋部）

32‧‧‧蓋部（第1覆蓋部）

33‧‧‧O形圈（第2覆蓋部）

34‧‧‧開閉驅動部

35‧‧‧空間

41‧‧‧支撐銷

42‧‧‧支撐構件

43‧‧‧升降驅動部

51‧‧‧加熱板

52‧‧‧橡膠發熱體

61‧‧‧排氣配管（減壓機構）

62‧‧‧減壓閥

71‧‧‧供氣配管（供氣機構）

72‧‧‧供氣閥

80‧‧‧排氣機構（排氣機構）

81‧‧‧排氣導管（導管）

81a‧‧‧上部

81b‧‧‧下部

82‧‧‧排氣配管

85‧‧‧流量調整閥

311‧‧‧底板部

312‧‧‧壁部（周緣部）

321‧‧‧頂板部

321a‧‧‧水平面

322‧‧‧壁部（周緣部）

611‧‧‧排氣配管61的一端

612‧‧‧排氣配管61的另一端

711‧‧‧供氣配管71的一端

712‧‧‧供氣配管71的另一端

811‧‧‧上表面（導管的上表面）

812‧‧‧側面

813‧‧‧開口

814‧‧‧中空部

821‧‧‧排氣配管82的一端

822‧‧‧排氣配管82的另一端

D‧‧‧間隙

F‧‧‧塗布膜（膜）

G‧‧‧承載玻璃板（基板）

G1‧‧‧上表面

La‧‧‧氣流

Lb‧‧‧溶劑成分（氣化成分）

P‧‧‧減壓泵

R‧‧‧範圍

S‧‧‧減壓乾燥系統

S11～S20‧‧‧步驟

Ue‧‧‧排氣動力

Us‧‧‧供氣動力

X、Y、Z‧‧‧方向

圖1是示意性地表示配備本發明的減壓乾燥裝置的一實施方式的聚醯亞胺膜生產線的圖。 圖2是示意性地表示減壓乾燥裝置的構成的局部截面圖。 圖3是局部地表示圖2的減壓乾燥裝置的構成的立體圖。 圖4是表示圖2的減壓乾燥裝置所具備的電氣構成的圖。 圖5是將排氣機構所具有的排氣導管的周邊加以放大的局部截面圖。 圖6是表示減壓乾燥處理的流程圖。 圖7是示意性地表示按照圖6的流程圖而執行的動作的圖。 圖8是示意性地表示包含減壓乾燥系統的第1例的聚醯亞胺膜生產線的一例的圖。 圖9是示意性地表示包含減壓乾燥系統的第2例的聚醯亞胺膜生產線的一例的圖。

Claims (11)

1. 一種減壓乾燥裝置，包括：支撐部，對塗布有膜的基板進行支撐；基板收容部，包含可相互連接分離的第1覆蓋部及第2覆蓋部，將支撐於所述支撐部的所述基板收容於所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部之間的處理空間；連接分離驅動部，藉由使所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部相互接觸而封閉所述處理空間，另一方面，藉由使所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部相互分離而打開所述處理空間；減壓機構，藉由使經封閉的所述處理空間減壓，而使塗布於所述基板上的所述膜乾燥；以及排氣機構，配置在所述基板收容部的外側，從相互分離的所述第1覆蓋部及所述第2覆蓋部各自的周緣部之間排出所述處理空間內的氣化成分，所述排氣機構在所述處理空間的外側具有沿所述第2覆蓋部的周緣部延伸設置且朝向所述處理空間的開口，藉由經由相互分離的所述第1覆蓋部及所述第2覆蓋部各自的周緣部之間從所述開口，在所述支撐部所支撐的所述基板位於所述開口相對向的範圍的狀態，對所述處理空間內進行抽吸，而排出所述氣化成分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中更包括：供氣機構，與所述排氣機構排出所述氣化成分同時，對所述處理空間供給氣體。
3. 如申請專利範圍第2項所述的減壓乾燥裝置，其中更包括：加熱板，配置在所述處理空間內，對由所述支撐部支撐的所述基板從所述第2覆蓋部之側進行加熱；並且所述供氣機構將氣體供給至所述加熱板與所述第2覆蓋部之間，所述加熱板與所述第2覆蓋部之間的間隙將所述供氣機構所供給的氣體引導至所述第2覆蓋部的周緣部。
4. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：所述支撐部在伴隨著所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部相互分離，利用所述排氣機構開始排出所述氣化成分之後的規定期間，將所述基板支撐於與所述開口相對向的範圍內。
5. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中：所述排氣機構包含設置有所述開口的導管，所述導管的上表面是朝向外側下降的傾斜面。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的減壓乾燥裝置，其中：所述第1覆蓋部在與支撐於所述支撐部的所述基板相對向的範圍內具有平面。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的減壓乾燥裝置，其中：所述膜包含聚醯亞胺前體及溶劑。
8. 一種減壓乾燥系統，其包括多個如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的減壓乾燥裝置。
9. 如申請專利範圍第8項所述的減壓乾燥系統，其中：所述多個減壓乾燥裝置針對同一所述基板依次執行所述膜的乾燥。
10. 如申請專利範圍第8項所述的減壓乾燥系統，其中：所述多個減壓乾燥裝置在垂直方向上並列地配置。
11. 一種減壓乾燥方法，包括如下步驟：藉由在基板收容部所具有的第1覆蓋部與第2覆蓋部之間的處理空間內收容著塗布有膜的基板的狀態下，使所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部相互接觸而封閉所述處理空間；藉由使經封閉的所述處理空間減壓，而使塗布於所述基板上的所述膜乾燥；使所述第1覆蓋部與所述第2覆蓋部相互分離；以及利用配置在所述基板收容部的外側的排氣機構，從相互分離的所述第1覆蓋部及所述第2覆蓋部各自的周緣部之間，從朝向所述處理空間的開口，在所述基板位於所述開口相對向的範圍的狀態，排出所述處理空間內的氣化成分。