TW202135212A - 減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法 - Google Patents

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及川純史
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Abstract

本發明之課題在於提供可提升減壓乾燥處理的均勻性之技術。 解決手段為:就依照本發明的一態樣之減壓乾燥裝置而言,減壓乾燥裝置進行將基板上的液體在減壓狀態乾燥的減壓乾燥處理。實施形態的減壓乾燥裝置具備:腔室;多個升降銷;及載置台。腔室收納基板。升降銷具有接觸基板之下表面的頂部及連接到頂部的桿部,在搬運基板之時的上升位置及進行減壓乾燥處理時的下降位置之間可升降。載置台具有桿部所插通的多個插通孔。又,頂部在上表面的至少一部分,於下降位置具有與載置台的上表面成為同一平面的平坦面。

Description

減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法
本發明的實施形態係關於減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法。
以往,例如在玻璃基板等基板上形成有機EL(Electro Luminescence)層的製造程序中,進行藉由將基板在減壓狀態乾燥,而從塗布在基板上的有機材料去除溶劑的減壓乾燥處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開第2017-73397號
[發明所欲解決之課題]
本發明提供可提升減壓乾燥處理的均勻性之技術。 [用於解決課題之手段]
依照本發明的一態樣之減壓乾燥裝置進行將基板上的液體在減壓狀態乾燥的減壓乾燥處理。實施形態的減壓乾燥裝置具備:腔室;多個升降銷;及載置台。腔室收納基板。升降銷具有接觸基板之下表面的頂部及連接到頂部的桿部,在搬運基板時的上升位置及進行減壓乾燥處理時的下降位置之間可升降。載置台具有桿部所插通的多個插通孔。又,頂部在上表面的至少一部分,於下降位置具有與載置台的上表面成為同一平面的平坦面。 [發明效果]
若依照本發明,則可提升減壓乾燥處理的均勻性。
以下,針對實施依照本發明的減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法之用的形態(以下,稱為「實施形態」),參考圖示邊詳細說明。尚且,本發明並未限定於本實施形態。又,各實施形態在不使處理內容矛盾的範圍內可適當組合。又,在以下的各實施形態,對相同的部位附加相同的符號,重複的說明予以省略。
又,在以下參考的各圖示,為了方便說明,有時表示規定彼此正交的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向,並且將Z軸正方向設為垂直向上的方向之正交座標系。又,有時會將以垂直軸設為旋轉中心的旋轉方向稱為θ方向。
又,在以下所示的實施形態,有時使用「一定」、「正交」、「垂直」或者「平行」的用語,但這些用語並未嚴格要求為「一定」、「正交」、「垂直」或者「平行」。也就是說,上述的各用語容許製造精確度、設置精確度等的偏移。
以往,在例如玻璃基板等基板上形成有機EL(Electro Luminescence)層的製造程序中,進行藉由將基板在減壓狀態乾燥,而從塗布在基板上的有機材料去除溶劑的減壓乾燥處理。
專利文獻1揭露一種減壓乾燥裝置,其具備:處理容器,其可真空吸引;載置台,其配置在處理容器內;及升降銷,其可對載置台的上表面突出收入。升降銷在減壓乾燥處理中從載置台的上表面突出,在從載置台的上表面使基板遠離的狀態支撐基板。
在載置台,設置使升降銷插通之用的插通孔,在升降銷與插通孔之間具有縫隙。因此,基板的下表面與載置台的上表面之間的空間(基板與載置台之間的遠離距離)在未設有插通孔的處所、及設有插通孔的處所(上述縫隙存在的處所)會變化。藉此,減壓乾燥處理中,在基板的面內,溫度的不均勻會產生,有該溫度的不均勻導致乾燥速度的不均勻產生之虞。結果,有插通孔(或者升降銷)的形狀轉印到位在插通孔的正上方之基板的上表面部分之虞。
又,也具有在減壓乾燥處理中,升降銷會縮進載置台內部的類型之減壓乾燥裝置。在這種減壓乾燥裝置,升降銷縮進比載置台的上表面還低的位置,使得升降銷的前端不從載置台的上表面突出。因此,在這種減壓乾燥裝置,不只在升降銷與插通孔之間,在載置台的上表面與升降銷的前端之間也會產生縫隙。因此,如同上述,有在基板的面內產生溫度的不均勻導致減壓乾燥處理的均勻性降低之虞。
於是,期待可使減壓乾燥處理的均勻性提升的技術。
<基板處理系統的構造> 首先,針對實施形態的基板處理系統之構造參考圖1予以說明。圖1為實施形態的基板處理系統之示意平面圖。
圖1所示的基板處理系統100例如在有機EL(Electro Luminescence)顯示器的製造過程,用於藉由外部的噴墨印刷裝置而將有機材料噴墨印刷的玻璃基板等基板S的減壓乾燥處理。在此的減壓乾燥處理係指藉由將基板S放置在大氣壓以下的減壓環境下,而將基板S上的有機材料所含有的溶劑或水分等揮發成分予以去除的處理。
如圖1所示,實施形態的基板處理系統100具有:多重腔室構造,其將多個(在此為3個)的減壓乾燥裝置1、搬運裝置2、及負載鎖定裝置3在俯視下連結成十字狀。具體而言,在中央配置搬運裝置2,以鄰接搬運裝置2的三方之側面的方式配置3個減壓乾燥裝置1。然後,以鄰接搬運裝置2之剩下的一個側面之方式配置負載鎖定裝置3。
在各減壓乾燥裝置1與搬運裝置2之間及在負載鎖定裝置3與搬運裝置2之間,設置具有開閉功能的閘閥60。閘閥60可在閉狀態將各裝置氣密密封,並且可在開狀態使裝置間連通而搬動基板S。又,在基板處理系統100的外部與負載鎖定裝置3之間也設置相同的閘閥60。以這種方式,基板處理系統100構成為將內部空間維持在減壓環境(真空狀態)。
又,實施形態的基板處理系統100具備:控制裝置50,其控制3個減壓乾燥裝置1、搬運裝置2及負載鎖定裝置3的動作。
(關於減壓乾燥裝置) 減壓乾燥裝置1對有機材料被塗布的基板進行上述的減壓乾燥處理。減壓乾燥裝置1在矩形的腔室11之內部具備載置台12。載置台12具有多個插通孔121,在各插通孔121,配置將基板S從下方支撐並且可升降的升降銷13。又,在載置台12的上表面,設置從載置台12的上表面突出並且支撐基板S的多個支撐構件14。以下將敘述減壓乾燥裝置1的詳細構造。
(關於搬運裝置) 搬運裝置2對於3個減壓乾燥裝置1及負載鎖定裝置3搬入搬出基板S。在搬運裝置2,於矩形的腔室21之內部具備搬運機構22。搬運機構22例如具備:二股狀的基板支撐部221,其將基板從下方支撐;及驅動部222,其使基板支撐部221進入、退出及轉動。搬運機構22藉由驅動部222進行的進出、退出及轉動動作之組合,而對於3個減壓乾燥裝置1及負載鎖定裝置3搬入搬出基板S。
(關於負載鎖定裝置) 負載鎖定裝置3構成為可切換大氣壓狀態及減壓狀態。負載鎖定裝置3在矩形的腔室31之內部具備載置台32。載置台32具有多個插通孔322,在各插通孔322,配置將基板S從下方支撐並且可升降的升降銷32。
(關於控制裝置) 控制裝置50具備:使用者介面51;控制器52,其具備CPU;及記憶部53。控制器52具有電腦功能,在基板處理系統100,控制減壓乾燥裝置1、搬運裝置2及負載鎖定裝置3。使用者介面51包含接受由作業者進行的輸入操作之鍵盤、或顯示基板處理系統100的運作狀況等之顯示器等。在記憶部53,保存配方,用以記錄控制程式(軟體)或處理條件資訊等,以便將在基板處理系統100所實行的各種處理藉由控制器52的控制而實現。使用者介面51及記憶部53連接到控制器52。
然後,必要時,藉由來自使用者介面51的指示等而將任意的配方從記憶部53呼叫再由控制器52實行,藉此,在控制器52的控制下,實行利用基板處理系統100的期望之處理。前述控制程式或處理條件資料等配方係可利用儲存在電腦可讀取的記憶媒體、例如CD-ROM、硬碟、軟碟、快閃記憶體等的狀態之配方。或者,也可藉由其他的裝置,經由例如專用回路而隨時傳送並且在線上利用。
(關於減壓乾燥裝置的詳細構造) 接下來,針對減壓乾燥裝置1的詳細構造例,參考圖2及圖3予以說明。圖2及圖3為實施形態的減壓乾燥裝置1之示意剖面圖。
在此,圖2表示將多個升降銷13配置在上升位置的狀態,圖3表示將多個升降銷13配置在下降位置的狀態。上升位置為在升降銷13與搬運裝置2之間搬運基板S時的多個升降銷13之高度位置。又,下降位置為進行上述的減壓乾燥處理時的多個升降銷13(後述的頂部131)之高度位置。
如圖2及圖3所示,減壓乾燥裝置1具備:腔室11;載置台12;多個升降銷13;及多個支撐構件14。
腔室11為可維持減壓狀態的耐壓容器。在腔室11具有的多個側壁之中鄰接搬運裝置2的側壁111,設置基板S的搬入搬出口112。搬入搬出口112藉由閘閥60而開閉。
又,在腔室11的底壁113,設置排氣口114。排氣口114構成為連接到真空泵浦等排氣裝置115,藉由使該排氣裝置115驅動,而可使減壓乾燥裝置1內減壓排氣到例如數Pa的壓力。
載置台12具有平坦的上表面125。載置台12直接或者經由不圖示的支柱固定到腔室11的底壁113。載置台12可內建加熱部。作為加熱部,可使用例如電阻加熱方式的加熱器等。
在載置台12,形成上下貫通載置台12的多個插通孔121。插通孔121也可形成在腔室11的底壁113。
在載置台12的上表面125,設置多個支撐構件14。多個支撐構件14從載置台12的上表面125朝向垂直上方突出,並且在減壓乾燥處理時將基板S從下方支撐。
升降銷13配置在插通孔121,將基板S從下方支撐予以升降。尚且,在此省略圖示,於升降銷13與插通孔121之間設置軸襯,藉此,維持腔室11的氣密性。
升降銷13具備:頂部131;桿部132;上部連結機構133;升降機構134;及下部連結機構135。尚且,在此,表示多個升降銷13的各者具備升降機構134時的範例,但減壓乾燥裝置1可具備使多個升降銷13同時升降的單一升降機構134。
頂部131例如由PEEK(聚醚醚酮)等樹脂所形成。頂部131配置在腔室11內,將搬入到腔室11的基板S從下方支撐。
桿部132為沿著垂直方向延伸的構件。桿部132配置成插通在載置台12所形成的插通孔121,橫跨腔室11的內部及外部。上部連結機構133配置在腔室11內並且連接頂部131與桿部132。
升降機構134具備例如汽缸及滾珠螺桿等驅動源、及藉由該驅動源而朝向垂直方向移動的軸承。升降機構134的軸承在前端部連接到下部連結機構135。升降機構134經由下部連結機構135而連接到桿部132,使桿部132沿著垂直方向移動。藉此,升降機構134在搬運基板S時的上升位置與進行減壓乾燥處理時的下降位置之間使頂部131升降。
下部連結機構135連接桿部132與升降機構134。上部連結機構133及下部連結機構135為所謂的萬向接頭,可一邊連結2個構件,一邊使連結的2個構件之其中一者相對於另外一者沿著垂直方向相對移動。關於這一點將於以下敘述。
多個升降銷13在圖2所示的上升位置從搬運裝置2的搬運機構22承接基板S之後,使用升降機構134使頂部131下降到下降位置。在此,多個支撐構件14的前端位在比下降位置(載置台12的上表面125之高度位置)還高的位置。因此,在使頂部131下降的過程,從升降銷13朝向支撐構件14搬運基板S。之後,頂部131進一步下降而到達下降位置。
如圖3所示,頂部131具有平坦的上表面131a。然後,該頂部131的上表面131a在下降位置係與載置台12的上表面125成為相同平面。
在本說明書,「同一平面」係指二個面、也就是頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125之間無段差並且平坦的狀態。頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125之間可為實質上無段差,例如容許尺寸誤差等導致的微小段差。
又,頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125為平坦係指頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125位在同一平面上。頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125係指可為實質上平坦,例如容許藉由頂部131被拉向下方而導致頂部131的上表面131a之微小彎曲等。
如上述,在減壓乾燥處理時,在基板的面內,溫度的不均勻產生的話,減壓乾燥處理的均勻性降低,藉此,插通孔或者升降銷的形狀轉印到基板的上表面之疑慮會產生。
相較之下,在實施形態的減壓乾燥裝置1,於減壓乾燥處理時,頂部131的上表面131a與載置台12的上表面125成為相同平面。也就是說,由於基板S的下表面與載置台12的上表面125之間的遠離距離在基板S的面內成為均勻,故基板S的面內之溫度的不均勻不易產生。因此,若依照實施形態的減壓乾燥裝置1,則可提升減壓乾燥處理的均勻性,進而可防止插通孔121或者升降銷13的形狀轉印到基板S上表面。
又,頂部131不只在下降位置係與載置台12成為相同平面,也在下降位置堵塞插通孔121。具體而言,載置台12在插通孔121的上端部具有口徑比插通孔121的口徑還大的凹部122。頂部131的口徑比插通孔122的口徑還大,藉由在下降位置收納到凹部122,而堵塞插通孔121。
以這種方式,藉由頂部131填滿載置台12之上表面125的插通孔121與桿部132之間的縫隙,而可進一步減少基板S的下表面與載置台12的上表面125之間的遠離距離局部變大的處所。因此,可進一步提升減壓乾燥處理的均勻性。
凹部122具有朝向載置台12的上表面125擴張口徑的錐形形狀。又,頂部131具有對應到凹部122的錐形形狀。藉由使頂部131形成為錐形,頂部131的周緣部之厚度會變薄,故頂部131位在下降位置時,可使載置台12的上表面125與頂部131的上表面131a之間不易產生段差。因此,可進一步提升減壓乾燥處理的均勻性。
(關於上部連結機構的詳細構造及動作) 接下來,針對上部連結機構133的詳細構造例參考圖4及圖5予以說明。圖4為表示上部連結機構133的構造例之示意剖面圖。又,圖5為表示上部連結機構133的其他構造例之示意剖面圖。
如圖4所示,上部連結機構133具備:第1構件301,其配置在頂部131的下部並且與頂部131為一體;及第2構件302,其配置在桿部132的上部並且與桿部132為一體。
在第1構件301的內部,形成有沿著垂直方向延伸的滑動空間301a。又,在第1構件301的下部,形成有將後述的第2構件302之軸部302b插通的插通孔301b。插通孔301b的口徑(水平方向的寬度)比滑動空間301a的口徑還小。
第2構件302具備:卡合部302a,其配置在第1構件301的滑動空間301a;及軸部302b,其連結卡合部302a與桿部132。卡合部302a的口徑(水平方向的寬度)比軸部302b及插通孔301b的口徑還大。
尚且,不限於圖4所示的構造例,例如如同圖5所示,上部連結機構133可構成為第1構件301與桿部132成為一體,第2構件302與頂部131成為一體。
接下來,針對上部連結機構133的動作參考圖6及圖7予以說明。圖6及圖7為表示上部連結機構133的動作例之圖。尚且,圖6及圖7表示圖4所示的上部連結機構133之動作例,也表示圖5所示的上部連結機構133之動作例。
如上述,頂部131藉由升降機構134(參考圖2)而下降到抵接載置台12的凹部122之位置。然而,藉由升降機構134的精確度,無法使頂部131在適當的位置停止,而有在頂部131抵接凹部122之後,也持續將頂部131朝向下方下拉之虞。此時,假設將頂部131及桿部132固定在剛體的話,頂部131及桿部132會承受負載而使升降銷13有損傷之虞。
於是,在實施形態的減壓乾燥裝置1,將頂部131與桿部132經由上部連結機構133連結。上部連結機構133在頂部131抵接凹部122之後,可僅使桿部132下降。具體而言,相較於頂部131藉由抵接凹部122而限制朝向下方的移動(參考圖6),桿部132可持續下降到上部連結機構133的卡合部302a碰觸到滑動空間301a的下部(參考圖7)。
以這種方式,若藉由實施形態的減壓乾燥裝置1,則可避免在使升降銷13下降到使頂部131抵接載置台12的過程中,升降銷13受損。
(關於下部連結機構的詳細構造) 接下來,針對下部連結機構的詳細構造及動作參考圖8予以說明。圖8為表示下部連結機構的構造例之示意剖面圖。
如圖8所示,下部連結機構135具備:本體部501;上側抵接構件502;下側抵接構件503;及彈性構件504。
本體部501連接到升降機構134的軸承401之前端部。本體部501在上表面具有凹部501a。上側抵接構件502固定到本體部501並且與本體部501同時升降。上側抵接構件502在比本體部501的上表面更上方具有與本體部501的上表面對向配置的平板部502a。在平板部502a,形成有使桿部132插通之用的插通孔502b。
下側抵接構件503配置在比本體部501的上表面更靠上方並且比上側抵接構件502的平板部502a更靠下方。下側抵接構件503為具有口徑比桿部132的口徑還大的板狀構件,固定到桿部132並且與桿部132同時升降。
彈性構件504例如為線圈彈簧,配置在上側抵接構件502的平板部502a與下側抵接構件503之間。彈性構件504的上端部固定到上側抵接構件502的平板部502a,彈性構件504的下端部固定到下側抵接構件503。彈性構件504朝向使上側抵接構件502的平板部502a及下側抵接構件503遠離的方向推壓。
接下來,針對下部連結機構135的動作參考圖9及圖10予以說明。圖9及圖10為表示下部連結機構135的動作例之圖。
如圖9所示,藉由升降機構134使下部連結機構135朝向上方移動的話,桿部132的下端部會碰觸到在下部連結機構135的本體部501所形成的凹部501a。在此狀態,藉由升降機構134使下部連結機構135進一步朝向上方移動,藉此,頂部131、桿部132及上部連結機構133會上升。
又,在圖9所示的狀態,藉由升降機構134而使下部連結機構135朝向下方移動的話,桿部132的下端部會遠離本體部501的凹部501a。然而,由於桿部132及本體部501係藉由上側抵接構件502、下側抵接構件503及彈性構件504而連接,故頂部131、桿部132及上部連結機構133會伴隨下部連結機構135的下降而下降。
然後,如圖10所示,頂部131抵接載置台12的凹部122之後,藉由升降機構134進一步將下部連結機構135下拉。此時,下側抵接構件503的位置不改變,僅上側抵接構件502朝向下方移動,此時,上側抵接構件502一邊使彈性構件504壓縮,一邊朝向下方移動。
以這種方式,實施形態的減壓乾燥裝置1具備下部連結機構135,故例如即使在將桿部132下拉到上部連結機構133的可動區域以上之情況,也可抑制升降銷13的損傷。也就是說,即使在桿部132的下降受到限制的狀態,也可容許升降機構134(軸承401)進一步下降達上側抵接構件502的平板部502a與下側抵接構件503之間的餘隙量。
又,下部連結機構135具備彈性構件504,一邊抗拒彈性構件504的推壓力,一邊下降,故可避免對頂部131等的負載遽增。
尚且,升降銷13可構成為僅具備上部連結機構133及下部連結機構135之中的任一者。也就是說,升降銷13可構成為僅具備上部連結機構133及下部連結機構135之中的上部連結機構133,也可構成為僅具備下部連結機構135。又,下部連結機構135未必要具備彈性構件504。即使在這種情況,下部連結機構135也可容許升降機構134(軸承401)進一步下降達上側抵接構件502的平板部502a與下側抵接構件503之間的餘隙量。
(關於減壓乾燥裝置的具體動作) 接下來,針對實施形態的減壓乾燥裝置1之具體動作參考圖11予以說明。圖11為表示實施形態的減壓乾燥裝置1所實行之處理的順序之流程圖。尚且,圖11所示的處理順序係依照控制裝置50進行的控制而實行。
首先,作為前面階段,在外部的噴墨印刷裝置對基板S上將有機材料以規定的圖案印刷。有機材料被印刷的基板S藉由不圖示的搬運裝置而被搬入到負載鎖定裝置3。之後,基板S藉由搬運裝置2具備的搬運機構22而從負載鎖定裝置3被搬出,然後被搬入到3個減壓乾燥裝置1的任一者。
在減壓乾燥裝置1,首先,進行搬入處理(步驟S101)。在搬入處理,將多個升降銷13配置到上升位置(參考圖2),使用該等多個升降銷13而從搬運機構22承接基板S。具體而言,使搬運機構22的基板支撐部221位在多個升降銷13的上方之後,藉由使基板支撐部221下降,而將由基板支撐部221所支撐的基板S搬運到多個升降銷13。
接著,在減壓乾燥裝置1,進行下降處理(步驟S102)。下降處理藉由使多個升降銷13下降而使基板S下降。具體而言,在下降處理,使多個升降銷13下降到頂部131到達與載置台12成為相同平面的下降位置。在這個過程中,基板S從多個升降銷13搬運到設置在載置台12的多個支撐構件14。
接著,在減壓乾燥裝置1,進行減壓乾燥處理(步驟S103)。在減壓乾燥處理,藉由排氣裝置115而使腔室11的內部排氣。藉此,腔室11的內部減壓到規定的真空度,而從基板S上的有機材料去除溶劑或水分等揮發成分。
接著,在減壓乾燥裝置1,進行上升處理(步驟S104)。在上升處理,使排氣裝置115停止,使腔室11內返回大氣壓狀態之後,使多個升降銷13上升到上升位置。
減壓乾燥處理係在基板S由多個支撐構件14所支撐的狀態,也就是說從載置台12的上表面125遠離基板S的狀態進行。因此,可避免基板S由於減壓而沾黏載置台12的上表面125。使沾黏載置台12的基板S藉由多個升降銷13上升時,基板S有損傷之虞。因此,可在藉由多個支撐構件14而支撐基板S的狀態進行減壓乾燥處理,藉此,避免在上升處理時基板S受損。基板S在上升處理的過程,從多個支撐構件14搬運到多個升降銷13。
然後,在減壓乾燥裝置1,進行搬出處理(步驟S105)。在搬出處理,從多個升降銷13將基板S搬運到搬運機構22,搬運到搬運機構22的基板S藉由搬運機構22而從減壓乾燥裝置1搬出。之後,基板S藉由搬運機構22而搬入到負載鎖定裝置3,藉由外部的搬運裝置而從負載鎖定裝置3搬出。
(關於變形例) 頂部131的上表面131a未必要整體平坦。例如,頂部131可在平坦的上表面131a之一部分形成凸部或者凹部。以這種方式,頂部131可在上表面131a的至少一部分,在下降位置具有與載置台12的上表面125成為相同平面的平坦面。又,頂部131未必要具有錐形形狀。
在上述的實施形態,說明藉由噴墨印刷裝置對基板S上將有機材料噴墨印刷時的範例,但基板S上的有機材料未必要採用噴墨印刷。又,在上述的實施形態,說明基板為玻璃基板時的範例,但基板可為半導體晶圓等。
又,在上述的實施形態,說明使用減壓乾燥裝置1而將對基板S上噴墨印刷的有機材料予以乾燥的範例。不限定於此,減壓乾燥裝置1例如可用於平板顯示器(FPD)製造的光刻工序。此時,減壓乾燥裝置1係用於將在玻璃基板等基板上所塗布的光阻液之塗布膜在預烘烤之前予以適當乾燥。
如上述,實施形態的減壓乾燥裝置進行減壓乾燥處理,以便將基板上的液體在減壓狀態予以乾燥。實施形態的減壓乾燥裝置具備:腔室;多個升降銷;及載置台。腔室收納基板。升降銷具有桿部,其連接到接觸基板的下表面之頂部及頂部,在搬運基板時的上升位置與進行減壓乾燥處理時的下降位置之間可升降。載置台具有桿部所插通的多個插通孔。又,頂部在上表面的至少一部分,於下降位置具有與載置台的上表面成為同一平面的平坦面。
藉此,可避免在減壓乾燥處理時,於基板的面內產生溫度的不均勻。因此,若依照實施形態的減壓乾燥裝置,則可提升減壓乾燥處理的均勻性。具體而言,可避免對基板的上表面轉印插通孔或者升降銷的形狀。
頂部可在下降位置堵塞插通孔。例如,載置台在插通孔的上端部具有口徑比插通孔的口徑還大的凹部,頂部的口徑比插通孔的口徑還大,在下降位置可收納到凹部。可藉由將插通孔與桿部之間的縫隙以頂部填滿,而進一步減少基板的下表面與載置台的上表面之間的遠離距離局部變大的處所。因此,可進一步提升減壓乾燥處理的均勻性。
凹部可具有朝向載置台的上表面擴張口徑的錐形形狀。此時,頂部可具有對應到凹部的錐形形狀。藉由使頂部形成為錐形,頂部的周緣部之厚度會變薄,頂部位在下降位置時,可使載置台的上表面與頂部的上表面之間不易產生段差。因此,可進一步提升減壓乾燥處理的均勻性。
升降銷可具備上部連結機構。上部連結機構以相對於頂部可沿著垂直方向相對移動桿部的方式,連結頂部及桿部。藉此,可避免在使升降銷下降到使頂部抵接載置台的過程中,升降銷受損。
升降銷可具備:升降機構;及下部連結機構。升降機構使頂部及桿部升降。下部連結機構以相對於桿部可沿著垂直方向移動升降機構的方式,連結桿部及升降機構。藉此,可避免在使升降銷下降到使頂部抵接載置台的過程中,升降銷受損。
實施形態的減壓乾燥裝置可具備多個支撐構件,其從載置台的上表面突出,並且在減壓乾燥處理時支撐基板。可在藉由多個支撐構件而支撐基板的狀態進行減壓乾燥處理,藉此,避免在減壓乾燥處理後使用多個升降銷而使基板上升時,造成基板受損。
在此揭露的實施形態應視為完全為例示並且並非限制性。實際上,上述的實施形態能夠以多樣的形態具體呈現。又,上述的實施形態可在不脫離附加的專利申請範圍及其趣旨的前提,以各種形態省略、置換、變更。
1:減壓乾燥裝置 2:搬運裝置 3:負載鎖定裝置 11:腔室 12:載置台 13:升降銷 14:支撐構件 100:基板處理系統 111:側壁 112:搬入搬出口 113:底壁 114:排氣口 115:排氣裝置 121:插通孔 122:凹部 125:上表面 131:頂部 131a:上表面 132:桿部 133:上部連結機構 134:升降機構 135:下部連結機構 S:基板
[圖1]為實施形態的基板處理系統之示意平面圖。 [圖2]為實施形態的減壓乾燥裝置之示意剖面圖。 [圖3]為實施形態的減壓乾燥裝置之示意剖面圖。 [圖4]為表示上部連結機構的構造例之示意剖面圖。 [圖5]為表示上部連結機構的其他構造例之示意剖面圖。 [圖6]為表示上部連結機構的動作例之圖。 [圖7]為表示上部連結機構的動作例之圖。 [圖8]為表示下部連結機構的構造例之示意剖面圖。 [圖9]為表示下部連結機構的動作例之圖。 [圖10]為表示下部連結機構的動作例之圖。 [圖11]為表示實施形態的減壓乾燥裝置所實行之處理的順序之流程圖。
1:減壓乾燥裝置
11:腔室
12:載置台
13:升降銷
14:支撐構件
60:閘閥
111:側壁
112:搬入搬出口
113:底壁
114:排氣口
115:排氣裝置
121:插通孔
122:凹部
125:上表面
131:頂部
131a:上表面
S:基板

Claims (8)

  1. 一種減壓乾燥裝置,其為進行將基板上的液體在減壓狀態乾燥的減壓乾燥處理之減壓乾燥裝置,其特徵為:具備: 腔室,其收納前述基板; 多個升降銷,其具有接觸前述基板之下表面的頂部及連接到前述頂部的桿部,在進行前述基板的搬運時的上升位置及進行前述減壓乾燥處理時的下降位置之間可升降;及 載置台,其具有前述桿部所插通的多個插通孔, 前述頂部在上表面的至少一部分,於前述下降位置具有與前述載置台的上表面成為同一平面的平坦面。
  2. 如請求項1的減壓乾燥裝置,其中 前述頂部在前述下降位置堵塞前述插通孔。
  3. 如請求項2的減壓乾燥裝置,其中 前述載置台在前述插通孔的上端部具有凹部,該凹部的口徑比前述插通孔之口徑還大, 前述頂部之口徑比前述插通孔之口徑還大,在前述下降位置收納到前述凹部。
  4. 如請求項3的減壓乾燥裝置,其中, 前述凹部具有朝向前述載置台的上表面擴張口徑的錐形形狀, 前述頂部具有對應到前述凹部的錐形形狀。
  5. 如請求項3或4的減壓乾燥裝置,其中, 前述升降銷具有上部連結機構,其以相對於前述頂部可沿著垂直方向相對移動前述桿部的方式,連結前述頂部及前述桿部。
  6. 如請求項3或4的減壓乾燥裝置,其中, 前述升降銷具備: 升降機構,其使前述頂部及前述桿部升降; 下部連結機構,其以相對於前述頂部可沿著垂直方向相對移動前述升降機構的方式,連結前述桿部及前述升降機構。
  7. 如請求項1或2的減壓乾燥裝置,其具備多個支撐構件,其從前述載置台的上表面突出,並且在前述減壓乾燥處理時支撐前述基板。
  8. 一種減壓乾燥方法,其為將基板上的液體在減壓狀態乾燥的減壓乾燥處理之減壓乾燥方法,其包含: 使用可升降的多個升降銷而承接前述基板,該升降銷具有:桿部,其插通在載置台所形成的插通孔;及頂部,其連接到前述桿部,並且接觸前述基板的下表面的工序; 使前述多個升降銷下降到在前述頂部的上表面之至少一部分所設置的平坦面與前述載置台的上表面為同一平面的下降位置的工序;及 前述下降的工序之後,進行前述減壓乾燥處理的減壓乾燥工序。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003100732A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Nec Yamagata Ltd プラズマcvd装置のプリコート方法
JP3989384B2 (ja) * 2003-02-07 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007073833A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置及び基板乾燥方法
JP5089288B2 (ja) * 2007-01-26 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 減圧乾燥装置
JP4850811B2 (ja) * 2007-11-06 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置および処理システム
JP3177614U (ja) * 2012-05-31 2012-08-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP6476215B2 (ja) 2017-01-12 2019-02-27 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム

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