TWI724203B - 基板加熱裝置以及基板加熱方法 - Google Patents

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TWI724203B
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Abstract

目的在於縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。 　　實施方式的基板加熱裝置，包括：減壓部，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；加熱部，配置在所述基板的一側，並且能夠加熱所述基板；紅外線加熱器，配置在所述基板的另一側，並且通過紅外線能夠加熱所述基板；反射面，配置在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間，並且反射朝向所述加熱部的所述紅外線。

Description

基板加熱裝置以及基板加熱方法
[0001] 本發明關於基板加熱裝置以及基板加熱方法。
[0002] 近年來，存在以下的市場需求：代替玻璃基板而使用具有撓性的樹脂基板作為電子元件用的基板。這樣的樹脂基板例如使用聚醯亞胺膜。聚醯亞胺膜是例如在基板上塗布聚醯亞胺的前驅體的溶液後、經過對所述基板進行加熱的工程（加熱工程）而形成的。作為聚醯亞胺的前驅體的溶液，例如存在由聚醯胺酸與溶劑構成的聚醯胺酸清漆（例如，參照專利文獻1以及專利文獻2）。 現有技術文獻 專利文獻 　　[0003] 　　專利文獻1：日本特開2001-210632號公報 　　專利文獻2：國際公開第2009/104371號
發明要解決的技術問題 　　[0004] 然而，上述的加熱工程包括：使溶劑在較低溫度下蒸發的第一工程與使聚醯胺酸在較高溫度下固化的第二工程。因此，將基板的加熱溫度從第一工程的溫度升高到第二工程的溫度為止的期間需要較長時間。另一方面，在第二工程之後以較低溫度進行處理或者對基板進行降溫的情況下，存在使對基板進行加熱的加熱部降溫的情況。但是，因為加熱部的降溫時間與基板的加熱溫度成正比，從而需要較長時間，所以如何縮短加熱部的降溫所需的節拍時間就成為了課題。 　　[0005] 鑒於以上那樣的情況，本發明的目的在於提供一種基板加熱裝置以及基板加熱方法，能夠縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。 用於解決上述技術問題的方案 　　[0006] 本發明的一方案的基板加熱裝置，其特徵在於，包括：減壓部，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；加熱部，配置在所述基板的一側，並且能夠加熱所述基板；紅外線加熱器，配置在所述基板的另一側，並且能夠通過紅外線加熱所述基板；及反射面，配置在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間，並且反射朝向所述加熱部的所述紅外線。 　　[0007] 因為根據該構成，通過包括配置在加熱部與紅外線加熱器之間並且反射朝向加熱部的紅外線的反射面，能夠避免紅外線在加熱部被吸收，所以能夠抑制紅外線引起的加熱部的升溫。因此無需考慮伴隨著紅外線引起的加熱部的升溫而導致加熱部的降溫時間變長。因此，能夠縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。此外，因為通過反射面反射的紅外線的至少一部分被基板吸收，所以能夠促進基板的加熱。另一方面，根據通過反射面反射的紅外線引起的基板的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器的輸出。然而，若是利用烤箱使熱風循環從而加熱基板的方式，則存在異物通過熱風的循環被捲入至基板的容納空間的可能性。相反，根據該構成，因為能夠在使基板的容納空間的氛圍為減壓狀態下對基板進行加熱，所以異物不會被捲入至基板的容納空間，從而優選。 　　[0008] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括具有所述反射面的紅外線反射部，所述加熱部包括能夠載置所述紅外線反射部的載置面。 　　根據該構成，在對基板的容納空間的氛圍進行減壓使其成為真空狀態的情況下，能夠對加熱部中的載置面與紅外線反射部之間進行真空隔熱。即，能夠將載置面與紅外線反射部之間的界面中的間隙作為隔熱層而起作用。因此，能夠抑制紅外線引起的加熱部的升溫。另一方面，在將氮氣供給（N2 淨化）至基板的容納空間的情況下，能夠解除載置面與紅外線反射部之間的真空隔熱。因此，能夠推定加熱部在降溫時，紅外線反射部也在降溫。 　　[0009] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述加熱部與所述紅外線反射部之間設置有拆裝結構，能夠在所述加熱部拆裝所述紅外線反射部。 　　因為根據該構成，能夠從加熱部拆裝紅外線反射部，所以能夠提高紅外線反射部的維護性。例如，即便在反射面出現傷痕的情況下，僅更換紅外線反射部即可，因此維護性優良。 　　[0010] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述拆裝結構包括：突出部，從所述載置面突出；及插入部，形成於所述紅外線反射部，並且供所述突出部插入。 　　根據該構成，通過將紅外線反射部的插入部插入至載置面的突出部，能夠容易地將紅外線反射部安裝於加熱部。此外，與僅將紅外線反射部載置在載置面的情況相比較，能夠抑制紅外線反射部在載置面的面內的位置偏移。 　　[0011] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述突出部包括：第一凸部；及第二凸部，在所述載置面的面內遠離所述第一凸部，所述插入部包括：第一凹部，供所述第一凸部插入；及第二凹部，供所述第二凸部插入，至少容許所述紅外線反射部在第一凸部與所述第二凸部相互遠離的方向上膨脹或者收縮。 　　根據該構成，將紅外線反射部的第一凹部插入至第一凸部，並且將第二凹部插入至第二凸部，由此能夠以第一凸部為基準進行紅外線反射部的定位。此外，即便紅外線反射部熱膨脹或者熱收縮，也能夠在第二凹部中至少容許紅外線反射部在第一凸部與第二凸部相互遠離的方向上膨脹或者收縮。 　　[0012] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述載置面包括在所述載置面的面內劃分的多個載置區域，所述紅外線反射部包括對應所述多個載置區域的每個而分割成的多個紅外線反射板。 　　根據該構成，能夠分別載置對應多個載置區域的每個而分割成的紅外線反射板，因此與使紅外線反射部為1片大尺寸的板構件的情況相比較，能夠容易地將紅外線反射部載置於載置面。然而，在使紅外線反射部為1片G6尺寸（縱150cm×寬185cm）以上的板構件的情況下，存在難以以原有的尺寸進行反射面的鏡面處理的可能性。相反，根據該構成，能夠在每個被分割的紅外線反射板中容易地進行反射面的鏡面處理。 　　[0013] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，相鄰的2個所述紅外線反射板隔開間隔地配置。 　　根據該構成，即便紅外線反射部熱膨脹，在間隔中也容許紅外線反射部朝向2個紅外線反射板相鄰之方向的膨脹。 　　[0014] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述反射面設置有能夠支承所述基板的多個基板支承凸部。 　　根據該構成，通過利用基板支承凸部支承基板，在反射面與基板之間形成有間隙，因此能夠避免因與基板的接觸導致反射面出現傷痕。 　　[0015] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括能夠冷卻所述加熱部的冷卻機構。 　　根據該構成，與對加熱部進行自然空氣冷卻的情況相比較，因為能夠使加熱部的降溫率變大，所以能夠在短時間內對加熱部進行降溫。因此，能夠進一步縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。 　　[0016] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述冷卻機構包括冷媒通過部，所述冷媒通過部配置在所述加熱部的內部並且能夠使冷媒通過。 　　根據該構成，與從外部對加熱部進行冷卻的情況相比較，因為能夠從內部有效地冷卻加熱部，所以能夠在短時間內對加熱部進行降溫。 　　[0017] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述冷媒通過部包括多個冷卻通路，所述多個冷卻通路在與能夠載置具有所述反射面的紅外線反射部的載置面平行的一方向上延伸、並且在與所述載置面平行且與所述一方向交叉的方向上排列。 　　根據該構成，因為能夠無遺漏地有效冷卻加熱部，所以能夠在短時間內對加熱部整體進行降溫。 　　[0018] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述多個冷卻通路包括：第一冷卻通路，使所述冷媒從所述加熱部的一端側向另一端側通過；第二冷卻通路，使所述冷媒從所述加熱部的另一端側向一端側通過。 　　根據該構成，與多個冷卻通路僅使冷媒從加熱部的一端側朝向另一端側通過的情況相比較，能夠抑制加熱部的一端側與另一端側產生的溫度差。即，因為在加熱部的一端側與另一端側的溫度差相抵消，所以能夠改善溫度分佈的平衡。因此，能夠有效地、均勻地冷卻加熱部。 　　[0019] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述第一冷卻通路與所述第二冷卻通路在與所述載置面平行且與所述一方向交叉的方向上交替地配置。 　　根據該構成，即便在與載置面平行、並且與第一方向交叉的方向上，也能夠抑制溫度差的產生。即，即便在與載置面平行、並且與第一方向交叉的方向上，溫度差也相抵消，因此能夠改善面內的溫度分佈的平衡。因此，能夠無遺漏且有效地、均勻地冷卻加熱部。 　　[0020] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述冷媒通過部還包括在所述加熱部的一端側與另一端側連結於所述多個冷卻通路的冷卻歧管，所述基板加熱裝置還包括能夠選擇性地加熱所述冷卻歧管的輔助加熱部。 　　根據該構成，因為冷媒能夠經由冷卻歧管一併流動至多個冷卻通路，所以能夠有效地冷卻加熱部。此外，即便在冷卻歧管附近要降溫的情況下，也能夠通過輔助加熱部選擇性地加熱冷卻歧管，因此能夠抑制在冷卻歧管附近的區域與其他的區域產生的溫度差。因此，能夠有效地、均勻地冷卻加熱部。 　　[0021] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括能夠容納所述基板、所述加熱部以及所述紅外線加熱器的腔。 　　根據該構成，因為能夠在腔內管理基板的加熱溫度，所以能夠有效地加熱基板。此外，因為能夠在腔內管理加熱部的溫度，所以能夠有效地對加熱部進行降溫。 　　[0022] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述基板、所述加熱部以及所述紅外線加熱器被容納於共用的所述腔。 　　根據該構成，能夠在共用的腔內一併地進行加熱部對基板的加熱處理與紅外線加熱器對基板的的加熱處理。即，無需像加熱部以及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔的情況那樣地，需要用於使基板在不同的2個腔之間輸送的時間。因此，能夠更進一步高效地進行基板的加熱處理。此外，在與具備不同的2個腔的情況相比較，能夠使裝置整體小型化。 　　[0023] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述溶液僅被塗布在所述基板的第一表面，所述加熱部被配置於與所述基板的第一表面相反的一側即第二表面的一側。 　　根據該構成，因為從加熱部產生的熱量從基板的第二表面的一側朝向第一表面的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板。此外，在利用加熱部加熱基板的期間，能夠高效地進行被塗布於基板的溶液的揮發或者醯亞胺化（例如成膜中的排氣）。 　　[0024] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方能夠階段性地加熱所述基板。 　　根據該構成，與加熱部以及紅外線加熱器僅能在恒定的溫度下加熱基板的情況相比較，能夠高效地加熱基板以適合塗布於基板的溶液的成膜條件。因此，使塗布於基板的溶液階段性地乾燥，能夠良好地固化。 　　[0025] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括位置調整部，所述位置調整部能夠調整所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方與所述基板的相對位置。 　　根據該構成，與不具備所述位置調整部的情況相比較，容易調整基板的加熱溫度。例如，能夠在要使基板的加熱溫度變高的情況下，使加熱部以及紅外線加熱器接近基板，能夠在要使基板的加熱溫度變低的情況下，使加熱部以及紅外線加熱器遠離基板。因此，容易階段性地加熱基板。 　　[0026] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述位置調整部包括能夠使所述基板在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間移動的移動部。 　　根據該構成，通過使基板在加熱部與紅外線加熱器之間移動，在將加熱部以及紅外線加熱器的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板的加熱溫度。因此，無需另外設置能夠使加熱部以及紅外線加熱器中的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板的加熱溫度。 　　[0027] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間設置有能夠輸送所述基板的輸送部，在所述輸送部中形成有能夠使所述移動部通過的通過部。 　　根據該構成，因為使基板在加熱部與紅外線加熱器之間移動的情況下，能夠使基板通過通過部，所以無需使基板繞過輸送部而移動。因此，無需另外設置用於使基板繞過輸送部而移動的裝置，能夠以簡單的構成順暢地進行基板的移動。 　　[0028] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述移動部包括多個銷，所述多個銷能夠支承與所述基板的第一表面相反一側的第二表面，並且能夠在所述第二表面的法線方向上移動，所述多個銷的前端被配置在與所述第二表面平行的面內。 　　根據該構成，因為能夠在穩定地支承基板的狀態下加熱基板，所以能夠使塗布於基板的溶液穩定地成膜。 　　[0029] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述加熱部形成有多個插通孔，使所述加熱部在所述第二表面的法線方向上開口，所述多個銷的前端能夠經由所述多個插通孔而抵接於所述第二表面。 　　根據該構成，因為能夠短時間地在多個銷與加熱部之間進行基板的交接，所以能夠高效地調整基板的加熱溫度。 　　[0030] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述加熱部是電熱板。 　　根據該構成，因為能夠在基板的面內使基板的加熱溫度均勻化，所以能夠提高膜特性。例如，在使電熱板的一表面與基板的第二表面抵接的狀態下加熱基板，由此能夠提高基板的加熱溫度的面內均勻性。 　　[0031] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括能夠檢測所述基板溫度的溫度檢測部。 　　根據該構成，能夠即時地掌握基板溫度。例如，通過基於溫度檢測部的檢測結果對基板進行加熱，能夠抑制基板溫度偏離目標值。 　　[0032] 也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括回收部，能夠回收從塗布於所述基板的所述溶液揮發的溶劑。 　　根據該構成，能夠防止從溶液揮發的溶劑向工廠側排出。此外，在將回收部連接於減壓部（真空泵）的管線的情況下，能夠防止從溶液揮發的溶劑再次液化而逆流至真空泵內。進而，從溶液揮發的溶劑能夠作為清洗液再利用。例如，清洗液能夠用於噴嘴前端的清洗、刮取附著於噴嘴的液體的部件上所附著的液體的清洗等。 　　[0033] 本發明的一方案的基板加熱方法，其特徵在於，包含以下工程：減壓工程，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；第一加熱工程，使用配置於所述基板的一側的加熱部對所述基板進行加熱；及第二加熱工程，使用配置於所述基板的另一側的紅外線加熱器，通過紅外線對所述基板進行加熱，在所述第二加熱工程中，使用配置在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間的反射面，反射朝向所述加熱部的所述紅外線。 　　[0034] 根據本方法，在第二加熱工程中，使用配置在加熱部與紅外線加熱器之間的反射面，反射朝向加熱部的紅外線，由此能夠避免紅外線在加熱部被吸收，因此能夠抑制紅外線引起的加熱部的升溫。因此無需考慮伴隨著紅外線引起的加熱部的升溫而導致加熱部的降溫時間變長。因此，能夠縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。此外，因為通過反射面反射的紅外線的至少一部分被基板吸收，所以能夠促進基板的加熱。另一方面，根據通過反射面反射的紅外線引起的基板的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器的輸出。 　　[0035] 也可以是，在上述的基板加熱方法中，在所述第二加熱工程中冷卻所述加熱部。 　　根據該方法，與在第二加熱工程後冷卻加熱部的情況相比較，能夠在短時間內對加熱部進行降溫。因此，能夠更進一步地縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。 發明效果 　　[0036] 根據本發明，能夠提供一種基板加熱裝置以及基板加熱方法，所述基板加熱裝置以及基板加熱方法能夠縮短加熱部的降溫所需的節拍時間。
[0038] 以下，參照圖式對本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中，設定XYZ直角坐標系，一邊參照該XYZ直角坐標系，一邊對各部件的位置關係進行說明。將水平面內的規定方向作為X方向，將在水平面內與X方向正交的方向作為Y方向，將分別與X方向以及Y方向正交的方向（即垂直方向）作為Z方向。 　　[0039] （第一實施方式） ＜基板加熱裝置＞ 　　圖1是第一實施方式的基板加熱裝置1的立體圖。 　　如圖1所示，基板加熱裝置1具備：腔2、減壓部3、氣體供給部4、加熱部5、紅外線加熱器6、位置調整部7、輸送部8、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12、紅外線反射部30以及控制部15。控制部15總體控制基板加熱裝置1的構成要素。為了方便，在圖1中，以雙點虛線示出腔2、減壓部3以及氣體供給部4。 　　[0040] ＜腔＞ 　　腔2能夠容納基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6。基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6被容納於共用的腔2。腔2形成為長方體的箱狀。具體而言，腔2由以下部件形成：矩形板狀的頂板21；矩形板狀的底板22，與頂板21對置；矩形框狀的周壁23，與頂板21以及底板22的外周邊緣相連。例如，在周壁23的-X方向側設置有基板搬入搬出口23a，用於相對於腔2搬入以及搬出基板10。 　　[0041] 腔2構成為能夠以密閉空間容納基板10。例如，利用熔接等無間隙地接合頂板21、底板22以及周壁23的各連接部，由此能夠提高腔2內的氣密性。 　　[0042] ＜減壓部＞ 　　減壓部3被連接於底板22的-Y方向側的靠近基板搬入搬出口23a的角部。減壓部3能夠對腔2內進行減壓。例如，減壓部3具備泵機構等的減壓機構。減壓機構具備真空泵13。另外，減壓部3的連接部位並不限定於底板22的 -Y方向側的靠近基板搬入搬出口23a的角部。減壓部3只要連接於腔2即可。 　　[0043] 減壓部3能夠對基板10的容納空間的氛圍進行減壓，所述基板10塗布有用於形成聚醯亞胺膜（聚醯亞胺）的溶液（以下稱為“聚醯亞胺形成用液”）。聚醯亞胺形成用液例如包含聚醯胺酸或者聚醯亞胺粉末。聚醯亞胺形成用液僅塗布於呈矩形板狀的基板10的第一表面10a（上表面）。另外，溶液並不限定於聚醯亞胺形成用液。溶液只要是用於在基板10上形成規定的膜的溶液即可。 　　[0044] ＜氣體供給部＞ 　　氣體供給部4被連接于周壁23的+X方向側的靠近頂板21的角部。氣體供給部4能夠調整腔2的內部氛圍的狀態。氣體供給部4向腔2內供給氮氣（N2 ）、氦氣（He）、氬氣（Ar）等的惰性氣體。另外，氣體供給部4的連接部位並不限定于周壁23的+X方向側的靠近頂板21的角部。氣體供給部4只要被連接於腔2即可。此外，也可以通過在基板降溫時供給氣體，用於基板冷卻。 　　[0045] 通過氣體供給部4能夠調整腔2的內部氛圍的氧濃度。腔2的內部氛圍的氧濃度（質量基準）優選是越低越好。具體而言，優選是將腔2的內部氛圍的氧濃度設為100ppm以下，更優選是設為20ppm以下。 　　例如，如後所述，在對塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液進行固化時的氛圍中，通過像這樣地使氧濃度為優選的上限以下，能夠容易地進行聚醯亞胺形成用液的固化。 　　[0046] ＜加熱部＞ 　　加熱部5被配置在腔2內的下方。加熱部5能夠以第一溫度加熱基板10。加熱部5能夠階段性地加熱基板10。包含第一溫度的溫度範圍，例如是20℃以上並且300℃以下的範圍。加熱部5被配置於基板10的第一表面10a的相反側即第二表面10b（下表面）的一側。 　　[0047] 加熱部5呈矩形板狀。加熱部5能夠從下方支承紅外線反射部30。加熱部5例如是電熱板。 　　[0048] 圖2示出加熱部5以及其周邊結構的側視圖。 　　如圖2所示，加熱部5具備：加熱源即加熱器5b與覆蓋加熱器5b的基體板5c。 　　加熱器5b是平行於XY平面的面狀發熱體。 　　基體板5c具備：從上方覆蓋加熱器5b的上層板5d與從下方覆蓋加熱器5b的下層板5e。上層板5d以及下層板5e呈矩形板狀。上層板5d的厚度比下層板5e的厚度厚。 　　[0049] 另外，在圖2中，圖式標記18與圖式標記19分別示出能夠檢測加熱部5中的加熱器的溫度的加熱器溫度檢測部與能夠檢測加熱部5中的上層板5d的溫度的板溫度檢測部。例如加熱器溫度檢測部18以及板溫度檢測部19是熱電偶等的接觸式溫度感測器。 　　[0050] 圖3是加熱部5的俯視圖。如圖3所示，加熱部5（即上層板5d）具備能夠載置紅外線反射部30的載置面5a（上表面）。載置面5a呈沿著紅外線反射部30的背面的平坦面。載置面5a被實施氧化鋁膜處理。載置面5a包含在載置面5a的面內劃分的多個（例如，在本實施方式中為4個）載置區域A1、A2、A3、A4。在俯視狀態下，載置區域A1、A2、A3、A4呈在X方向上具有長邊的長方形形狀。另外，載置區域A1、A2、A3、A4的數量不限定於4個，能夠進行適當變更。 　　[0051] ＜紅外線加熱器＞ 　　如圖1所示，紅外線加熱器6被配置在腔2內的上方。紅外線加熱器6能夠在比第一溫度高的第二溫度下加熱基板10。紅外線加熱器6與加熱部5分別獨立地設置。紅外線加熱器6能夠階段性地加熱基板10。包含第二溫度的溫度範圍例如是200℃以上並且600℃以下的範圍。紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側。 　　[0052] 紅外線加熱器6由頂板21支承。紅外線加熱器6被固定在腔2內的靠近頂板21的固定位置。紅外線加熱器6的峰值波長範圍例如是1.5μm以上並且4μm以下的範圍。另外，紅外線加熱器6的峰值波長範圍並不限於上述範圍，能夠根據要求規範設定為各種範圍。 　　[0053] ＜位置調整部＞ 　　位置調整部7被配置在腔2的下方。位置調整部7能夠調整加熱部5以及紅外線加熱器6與基板10的相對位置。位置調整部7具備移動部7a與驅動部7b。移動部7a是在上下方向（Z方向）上延伸的柱狀部件。移動部7a的上端被固定於加熱部5的下表面。驅動部7b能夠使移動部7a上下移動。移動部7a能夠使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動。具體而言，在基板10由紅外線反射部30支承的狀態下，移動部7a通過驅動部7b的驅動，能夠使基板10上下移動（參照圖11以及圖12）。 　　[0054] 驅動部7b配置在腔2的外部。因此，即便假設隨著驅動部7b的驅動而產生微塵，通過使腔2內為密閉空間，也能夠避免微塵向腔2內的入侵。 　　[0055] ＜輸送部＞ 　　輸送部8在腔2內被配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間。輸送部8能夠輸送基板10。在輸送部8上形成有能夠使移動部7a通過的通過部8h。輸送部8具備沿著基板10的輸送方向即X方向配置的多個輸送輥8a。 　　[0056] 多個輸送輥8a遠離地配置在周壁23的+Y方向側與-Y方向側。即，通過部8h是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a與周壁23的-Y方向側的輸送輥8a之間的空間。 　　[0057] 例如，沿著X方向，在周壁23的+Y方向側以及-Y方向側，分別地配置有在Y方向上延伸的多個軸（未圖示）。各輸送輥8a通過驅動機構（未圖示），繞各軸被驅動旋轉。 　　[0058] 圖4是用於說明輸送輥8a、基板10以及加熱部5的配置關係的圖。圖4對應於基板加熱裝置1的俯視圖。為了方便，在圖4中以雙點虛線示出腔2。 　　在圖4中，圖式標記L1是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a與周壁23的-Y方向側的輸送輥8a遠離（相距）的間隔（以下稱為“輥遠離間隔”）。此外，圖式標記L2是基板10的Y方向的長度（以下稱為“基板長度”）。此外，圖式標記L3是加熱部5的Y方向的長度（以下稱為“加熱部長度”）。另外，加熱部長度L3的長度與紅外線反射部30的Y方向的長度實質上相同。 　　[0059] 如圖4所示，輥遠離間隔L1比基板長度L2小，並且比加熱部長度L3大（L3＜L1＜L2）。輥遠離間隔L1比加熱部長度L3大，由此移動部7a能夠與加熱部5以及紅外線反射部30一起通過通過部8h（參照圖11以及圖12）。 　　[0060] ＜溫度檢測部＞ 　　如圖1所示，溫度檢測部9被配置在腔2外。溫度檢測部9能夠檢測基板10的溫度。具體而言，溫度檢測部9被設置在頂板21的上部。在頂板21中安裝有未圖示的窗戶。溫度檢測部9穿過頂板21的窗戶而檢測基板10的溫度。溫度檢測部9例如是放射溫度計等的非接觸溫度感測器。另外，雖然圖1中僅圖示了1個溫度檢測部9，但是溫度檢測部9的數量不限於1個，也可以是多個。例如，優選是將多個溫度檢測部9配置在頂板21的中央部以及四角。 　　[0061] ＜回收部＞ 　　回收部11連接於減壓部3（真空泵13）的管線。回收部11能夠回收從塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑。 　　[0062] ＜擺動部＞ 　　擺動部12在腔2內被配置於基板10的-X方向側。擺動部12能夠擺動基板10。在基板10被加熱的狀態中，擺動部12例如使基板10在沿著XY平面的方向或者沿著Z方向的方向上擺動。另外，擺動部12的配置位置並不限定於腔2內的基板10的-X方向側。擺動部12例如也可以設置於位置調整部7。 　　[0063] ＜紅外線反射部＞ 　　紅外線反射部30具備反射面30a，所述反射面30a對從紅外線加熱器6朝向加熱部5的紅外線進行反射。反射面30a被配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間。 　　[0064] 反射面30a被實施了鏡面加工。具體而言，反射面30a的表面粗糙度（Ra）為0.01μm左右，Rmax為0.1μm左右。另外，利用東京精密社製的測量機器（Surfcom 1500SD2）測量反射面30a的表面粗糙度（Ra）。 　　[0065] 圖5是紅外線反射部30的俯視圖。 　　如圖5所示，在反射面30a上設置有能夠支承基板10的多個（例如，在本實施方式中為80個）基板支承凸部35（在圖1中省略圖示）。另外，基板支承突部35的個數並不限定於80個，能夠進行適當變更。 　　[0066] 基板支承凸部35是圓柱狀的銷。另外，基板支承凸部35並不限定於圓柱狀。例如，基板支承凸部35也可以是棱柱狀，能夠進行適當變更。 　　[0067] 在反射面30a的面內，在X方向以及Y方向隔開一定間隔地配置多個基板支承凸部35。例如，使基板支承凸部35的配置間隔為50mm左右。基板支承凸部35的高度例如是1mm左右。基板支承凸部35的高度例如能夠在0.1mm～1mm的範圍內進行調整。另外，基板支承凸部35的配置間隔、基板支承凸部35的高度並不限定於上述尺寸，在反射面30a與基板10之間形成間隙的狀態下，在能夠支承基板10的範圍內能夠進行適當變更。 　　[0068] 紅外線反射部30具備對應多個（例如，在本實施方式中為4個）載置區域A1、A2、A3、A4（參照圖3）的每個而分割的多個（例如，在本實施方式中為4個）紅外線反射板31、32、33、34。另外，紅外線反射板31、32、33、34的數量並不限定於4個，能夠進行適當變更。 　　[0069] 多個紅外線反射板31、32、33、34為相互實質上相同的大小。由此，能夠共用載置在各載置區域A1、A2、A3、A4的紅外線反射板31、32、33、34。另外，也可以使紅外線反射板31、32、33、34的大小相互不同，並能夠進行適當變更。 　　[0070] 紅外線反射板31、32、33、34呈在X方向上具有長邊的長方形板狀。一個紅外線反射板31、32、33、34上，配置有5行4列（即X方向上5個、Y方向上4個）共計20個基板支承凸部35。 　　[0071] 隔開間隔S1、S2地配置相鄰的2個紅外線反射板31、32、33、34。間隔S1、S2的大小被設為能夠容許相鄰的2個紅外線反射板31、32、33、34的熱膨脹。具體而言，在X方向上相鄰的2個紅外線反射板31、32、33、34的間隔S1被設為能夠吸收紅外線反射板31、32、33、34向X方向的膨脹的大小。在Y方向上相鄰的2個紅外線反射板31、32、33、34的間隔S2被設為能夠吸收紅外線反射板31、32、33、34向Y方向的膨脹的大小。 　　另外，紅外線反射板31、32、33、34的配置結構並不限於上述內容。例如，也可以利用施力部件從側面按壓固定紅外線反射板31、32、33、34。例如，可使用能夠伸縮來吸收紅外線反射板31、32、33、34的膨脹的彈簧作為施力部件。 　　此外，在使紅外線反射部30為1片G6尺寸（縱150cm×寬185cm）以上的板構件的情況下，也可以利用彈簧等的施力部件從側面按壓固定所述板構件。然而，若所述板構件為G6尺寸以上，即便是1片所述板構件也具有相當的重量。但是，通過利用彈簧等的施力部件從側面按壓固定所述板構件，能夠容易地固定所述板構件。 　　[0072] ＜拆裝結構＞ 　　圖6是示出加熱部5與紅外線反射部30的拆裝結構40的立體圖。圖7是示出在圖2中卸下了紅外線反射部30的狀態的側視圖。另外，在圖6中示出以下狀態：在第一載置區域A1以及第二載置區域A2分別配置有第一紅外線反射板31以及第二紅外線反射板32，並準備在第三載置區域A3載置第三紅外線反射板33。 　　[0073] 如圖6所示，在加熱部5與紅外線反射部30（參照圖5）之間，設置能夠將紅外線反射部30拆裝於加熱部5的拆裝結構40。 　　拆裝結構40具備從載置面5a突出的突出部41與形成於紅外線反射部30、並且供突出部41插入的插入部42。 　　[0074] 突出部41被配置在載置區域A1、A2、A3、A4中的Y方向中央。突出部41具備：第一凸部41a；第二凸部41b，在載置面5a的面內與第一凸部41a在X方向上遠離。 　　[0075] 在每個載置區域A1、A2、A3、A4各配置有1個第一凸部41a以及第二凸部41b。第一凸部41a被配置在載置區域A1、A2、A3、A4中的-X方向側。第二凸部41b被配置在載置區域A1、A2、A3、A4中的+X方向側。如圖7所示，第一凸部41a以及第二凸部41b實質上是相同的高度。 　　[0076] 第一凸部41a以及第二凸部41b是圓柱狀的銷。另外，第一凸部41a以及第二凸部41b並不限定於所述形狀。例如，第一凸部41a以及第二凸部41b也可以是棱柱狀，並能夠進行適當變更。 　　[0077] 如圖6所示，插入部42被配置在紅外線反射板31、32、33、34中的短邊方向中央（即，在將紅外線反射板31、32、33、34向載置面5a進行載置時的Y方向中央）。插入部42具備：第一凹部42a，供第一凸部41a插入；第二凹部42b，插入有第二凸部41b，以至少容許紅外線反射部30在第一凸部41a與第二凸部41b相互遠離的方向（X方向）上膨脹或者收縮。 　　[0078] 在每個紅外線反射板31、32、33、34各配置有1個第一凹部42a以及第二凹部42b。第一凹部42a被配置在紅外線反射板31、32、33、34中的長度方向的一側（即，向載置面5a載置紅外線反射板時的-X方向側）。第二凹部42b被配置在紅外線反射板31、32、33、34中的長度方向的另一側（即，向載置面5a載置紅外線反射板31、32、33、34時的+X方向側）。 　　[0079] 第一凹部42a是在紅外線反射板31、32、33、34的厚度方向上凹陷的凹部，可拆裝地插入有所述銷。第一凹部42a具有與第一凸部41a的外部形狀實質上相同的內部形狀。第一凹部42a在俯視狀態下呈圓形狀。另外，第一凹部42a並不限定於所述形狀。例如，也可以是第一凹部42a在俯視狀態下為矩形形狀，並能夠根據所述銷的形狀適當變更。 　　[0080] 第二凹部42b是在紅外線反射板31、32、33、34的厚度方向上凹陷的凹部，可拆裝地插入有所述銷。第二凹部42b具有比第二凸部41b的X方向中的外部形狀大的內部形狀，並且具有與第二凸部41b的Y方向中的外部形狀實質上相同的內部形狀。第二凹部42b在俯視狀態下呈在X方向上具有長度的橢圓形狀。另外，第二凹部42b並不限定於所述形狀。例如，也可以是第二凹部42b在俯視狀態下為在X方向上具有長度的長方形形狀，並能夠根據所述銷的形狀適當變更。 　　[0081] ＜冷卻機構＞ 　　基板加熱裝置1還具備能夠冷卻加熱部5的冷卻機構50。 　　圖8是示出冷卻機構50的俯視圖。另外，為了方便，在圖8中省略了突出部41等的圖示。 　　如圖8所示，冷卻機構50具備冷媒通過部51，所述冷媒通過部51被配置在加熱部5的內部，並且能夠使冷媒通過。冷媒例如是空氣。另外，冷媒並不限於空氣等的氣體。冷媒，例如也可以是水等的液體。 　　[0082] 冷媒通過部51具備多條（例如，在本實施方式中為7條）冷卻通路51a、51b，所述冷卻通路51a、51b沿著與載置面5a平行的一方向延伸，並排列在與載置面5a平行、並且與所述一方向交叉的方向上。即，冷媒通過部51具備在X方向上延伸並且在Y方向上排列的多個冷卻通路51a、51b。 　　[0083] 多個冷卻通路51a、51b具備：多條（例如在本實施方式中為4條）第一冷卻通路51a，使冷媒從加熱部5的一端側向另一端側通過；多條（例如在本實施方式中為3條）第二冷卻通路51b，使冷媒從加熱部5的另一端側向一端側通過。即，通過第一冷卻通路51a的冷媒從加熱部5的-X方向側朝向+X方向側流動。通過第二冷卻通路51b的冷媒從加熱部5的+X方向側朝向-X方向側流動。 　　[0084] 第一冷卻通路51a與第二冷卻通路51b，在與載置面5a平行並且與所述第一方向交叉的方向上交替地配置各1個。即，在Y方向上交替地配置各1個的第一冷卻通路51a與第二冷卻通路51b。 　　[0085] 冷媒通過部51還具備在加熱部5的一端側與另一端側連結於多個冷卻通路51a、51b的冷卻歧管52、53。冷卻歧管52、53具備：第一歧管52，在加熱部5的-X方向側連結於多個冷卻通路51a、51b；第二歧管53，在加熱部的+X方向側連結於多個冷卻通路51a、51b。 　　[0086] 第一歧管52具備：第一上游連結通路52a，以連結多個第一冷卻通路51a的上游端（-X方向一端）的方式在Y方向上延伸；第二下游連結通路52b，以連結多個第二冷卻通路51b的下游端（+X方向一端）的方式在Y方向上延伸。在第一歧管52中設置有第一管道部54，所述第一管道部54具備：第一上游管道54a，連接於第一上游連結通路52a；第二下游管道54b，連接於第二下游連結通路52b。 　　[0087] 第二歧管53具備：第一下游連結通路53a，以連結多個第一冷卻通路51a的下游端的方式在Y方向上延伸；第二上游連結通路53b，以連結多個第二冷卻通路51b的上游端的方式在Y方向上延伸。在第二歧管53中設置有第二管道部55，所述第一管道部55具備：第一下游管道55a，連接於第一下游連結通路53a；第二上游管道55b，連接於第二上游連結通路53b。 　　[0088] 例如，空氣通過未圖示的送風機被導入至第一上游管道54a的內部空間。由此，來自送風機的空氣經過第一上游管道54a、第一上游連結通路52a分別朝向第一冷卻通路51a的+X方向側流動，之後經過第一下游連結通路53a、第一下游管道55a被排出至外部。 　　另一方面，空氣通過未圖示的送風機被導入至第二上游管道55b的內部空間。由此，來自送風機的空氣經過第二上游管道55b、第二上游連結通路53b分別朝向第二冷卻通路51b的-X方向側流動，之後經過第二下游連結通路52b、第二下游管道54b被排出至外部。 　　另外，並不限於使用送風機進行空氣的導入，也可以利用乾燥空氣的壓縮空氣進行空氣的導入。 　　[0089] ＜輔助加熱部＞ 　　基板加熱裝置1還具備能夠選擇性地加熱冷卻歧管52、53的輔助加熱部。 　　圖9是用於說明加熱部5中的加熱控制的一例的圖。 　　如圖9所示，在加熱部5中配置有多個（例如，在本實施方式中為3個）加熱區域H1、H2、H3。具體而言，在加熱部5的X方向中央部配置有在俯視狀態下呈正方形狀的第一加熱區域H1。在加熱部5的-X方向側、第一歧管52附近配置有第二加熱區域H2，在俯視狀態下呈在Y方向上具有長邊的長方形形狀。在加熱部的+X方向側、第二歧管53附近配置有與第二加熱區域H2實質上相同的形狀的第三加熱區域H3。另外，加熱區域H1、H2、H3的數量並不限定於3個，也能夠進行適當變更。 　　[0090] 加熱部5能夠選擇性地加熱第一加熱區域H1、第二加熱區域H2以及第三加熱區域H3的至少一方。控制部15（參照圖1）控制加熱部5，使其選擇性地加熱第一加熱區域H1、第二加熱區域H2以及第三加熱區域H3的至少一方。例如，在冷卻歧管52、53附近要降溫的情況下，控制部15控制加熱部5，使其對第一歧管52以及第二歧管53的至少一方的附近（即加熱部5中的第二加熱區域H2以及第三加熱區域H3的至少一方）選擇性地進行加熱。加熱部5中的第二加熱區域H2以及第三加熱區域H3，作為輔助加熱部起作用。 　　[0091] 另外，輔助加熱部並不限定於所述區域H2、H3。例如，輔助加熱部也可以是與加熱部5分體設置的加熱器，也可以是所述區域與所述加熱器的組合，並能夠進行適當變更。 　　[0092] ＜基板加熱方法＞ 　　接著對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述的基板加熱裝置1對基板10進行加熱。通過控制部15控制在基板加熱裝置1的各部件中進行的動作。 　　[0093] 圖10是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置1的動作的一例的圖。圖11是後續圖10的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。圖12是後續圖11的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。 　　[0094] 為了方便，在圖10～圖12中，省略了基板加熱裝置1的構成要素之中的減壓部3、氣體供給部4、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12、基板支承凸部35、冷卻機構50以及控制部15的圖示。 　　[0095] 本實施方式的基板加熱方法包括：減壓工程、第一加熱工程以及第二加熱工程。 　　在減壓工程中，對塗布了聚醯亞胺形成用液的基板10的容納空間的氛圍進行減壓。 　　如圖10所示，在減壓工程中，基板10被配置於輸送輥8a。此外，在減壓工程中，加熱部5位於底板22附近。在減壓工程中，加熱部5以及基板10，以加熱部5的熱量不會傳遞至基板10的程度遠離。在減壓工程中，接通加熱部5的電源。加熱部5的溫度例如是250℃左右。另一方面，在減壓工程中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　[0096] 在減壓工程中，使基板10的容納空間的氛圍從大氣壓減壓到500Pa以下。例如，在減壓工程中，使腔內壓力緩慢地從大氣壓下降到20Pa。 　　[0097] 在減壓工程中，使腔2的內部氛圍的氧濃度盡可能地低。例如，在減壓工程中，使腔2內的真空度為20Pa以下。由此，能夠使腔2內的氧濃度為100ppm以下。 　　[0098] 在減壓工程之後，在第一加熱工程中，以第一溫度加熱基板10。 　　如圖11所示，在第一加熱工程中，使加熱部5移動至上方，使基板10載置在紅外線反射部30的反射面30a。具體而言，使基板10支承於設置在反射面30a的基板支承凸部35（參照圖5）。由此，因為反射面30a接近基板10的第二表面10b，所以加熱部5的熱量經由紅外線反射部30傳遞至基板10。加熱部5的溫度例如在第一加熱工程中維持在250℃。因此，基板溫度能夠上升到250℃。另一方面，在第一加熱工程中，紅外線加熱器6的電源一直處於斷開狀態。 　　[0099] 另外，在第一加熱工程中，加熱部5位於通過部8h（參照圖1）內。為了方便，在圖11中，以雙點虛線示出移動前（減壓工程時的位置）的加熱部5，以實線示出移動後（第一加熱工程時的位置）加熱部5。 　　[0100] 在第一加熱工程中，在保持減壓工程的氛圍的狀態下，基板溫度為150℃到300℃的範圍，將基板10加熱到使得塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發或者醯亞胺化。例如，在第一加熱工程中，對基板10進行加熱的時間為10min以下。具體而言，在第一加熱工程中，將對基板10進行加熱的時間設為3min。例如，在第一加熱工程中，使基板溫度從25℃緩慢地上升到250℃。 　　[0101] 第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，以比第一溫度高的第二溫度對基板10進行加熱。在第二加熱工程中，使用紅外線加熱器6加熱基板10，所述紅外線加熱器6與第一加熱工程中使用的加熱部5分別獨立地設置。 　　[0102] 如圖12所示，在第二加熱工程中，使加熱部5移動到比第一加熱工程時的位置的更上方，使基板10接近紅外線加熱器6。例如，在第二加熱工程中，加熱部5的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工程中，接通紅外線加熱器6的電源。例如，紅外線加熱器6能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，基板溫度能夠上升到450℃。在第二加熱工程中，基板10比在第一加熱工程時更接近紅外線加熱器6，因此紅外線加熱器6的熱量被充分地傳遞至基板10。 　　[0103] 另外，在第二工程中，加熱部5位於輸送輥8a（圖1所示的通過部8h）的上方並且紅外線加熱器6的下方。為了方便，在圖12中，以雙點虛線示出移動前（第一加熱工程時的位置）的加熱部5，以實線示出移動後（第二加熱工程時的位置）加熱部5。 　　[0104] 在第二加熱工程中，在保持減壓工程的氛圍的狀態下，對基板10進行加熱，使基板溫度從第一加熱工程的溫度變為600℃以下。例如，在第二加熱工程中，使基板溫度從250℃急劇地上升到450℃。此外，在第二加熱工程中，使腔內壓力維持在20Pa以下。 　　[0105] 在第二加熱工程中，使用配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間的反射面30a反射朝向加熱部5的紅外線。由此，能夠避免紅外線被加熱部5吸收。另外，通過反射面30a被反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收。 　　[0106] 此外，在第二加熱工程中，對加熱部5進行冷卻。例如，在第二加熱工程中，使冷媒（空氣）通過配置在加熱部的內部的冷媒通過部51（參照圖8）。 　　[0107] 第二加熱工程包括使基板10冷卻的冷卻工程。例如，在冷卻工程中，在保持減壓工程的氛圍或者低氧氛圍的狀態下對基板10進行冷卻，使基板溫度從第二加熱工程的溫度變為能夠對基板10進行輸送的溫度。在冷卻工程中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　[0108] 通過經過以上的工程，進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發或者醯亞胺化，並且進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。 　　[0109] 如上所述，根據本實施方式，包括配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間、並且反射朝向加熱部5的紅外線的反射面30a，由此能夠避免紅外線被加熱部5吸收，因此能夠抑制紅外線引起的加熱部5的升溫。因此，無需考慮伴隨著紅外線引起的加熱部5的升溫而導致加熱部5的降溫時間變長。因此，能夠縮短加熱部5的降溫所需的節拍時間（takt time）。此外，因為由反射面30a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收，所以能夠促進基板10的加熱。另一方面，根據通過反射面30a反射的紅外線引起的基板10的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器6的輸出。然而，若是利用烤箱使熱風循環從而加熱基板的方式，則存在異物通過熱風的循環被捲入至基板的容納空間的可能性。相反，因為根據本實施方式，能夠在使基板10的容納空間的氛圍為減壓狀態下對基板10進行加熱，所以異物不會被捲入至基板10的容納空間，從而優選。 　　[0110] 此外，還包括具有反射面30a的紅外線反射部30，加熱部5包括能夠載置紅外線反射部30的載置面5a，由此在對基板10的容納空間的氛圍進行減壓使其成為真空狀態的情況下，能夠對加熱部5中的載置面5a與紅外線反射部30之間進行真空隔熱。即，能夠將載置面5a與紅外線反射部30之間的界面中的間隙作為隔熱層而起作用。因此，能夠抑制紅外線引起的加熱部5的升溫。另一方面，在將氮氣供給（N2 淨化）至基板10的容納空間的情況下，能夠解除載置面5a與紅外線反射部30之間的真空隔熱。因此，能夠推定加熱部5在降溫時，紅外線反射部30也在降溫。 　　[0111] 此外，在加熱部5與紅外線反射部30之間，設置有能夠將紅外線反射部30拆裝在加熱部5上的拆裝結構40，由此能夠從加熱部5拆裝紅外線反射部30，因此能夠提高紅外線反射部30的維護性。例如，即便在反射面30a出現傷痕（受損）的情況下，僅更換紅外線反射部30即可，因此維護性優良。 　　[0112] 此外，拆裝結構40包括：突出部41，從載置面5a突出；插入部42，形成於紅外線反射部30，並且供突出部41插入，由此通過將紅外線反射部30的插入部42插入至載置面5a的突出部41，能夠容易地將紅外線反射部30安裝於加熱部5。此外，與僅將紅外線反射部30載置在載置面5a的情況相比較，能夠抑制紅外線反射部30在載置面5a的面內的位置偏移。 　　[0113] 此外，突出部41包括：第一凸部41a；第二凸部41b，在載置面5a的面內遠離第一凸部41a，插入部42包括：第一凹部42a，供第一凸部41a插入；第二凹部42b，以至少容許紅外線反射部30在第一凸部41a與第二凸部41b相互遠離的方向上膨脹或者收縮的方式插入有第二凸部41b，起到以下的效果。將紅外線反射部30的第一凹部42a插入至第一凸部41a，並且將第二凹部42b插入至第二凸部41b，由此能夠以第一凸部41a為基準進行紅外線反射部30的定位。此外，即便紅外線反射部30熱膨脹或者熱收縮，也能夠在第二凹部42b中至少容許紅外線反射部30在第一凸部41a與第二凸部41b相互遠離的方向上膨脹或者收縮。 　　[0114] 此外，載置面5a包括在載置面5a的面內劃分的多個載置區域A1、A2、A3、A4，紅外線反射部30包括對應多個載置區域A1、A2、A3、A4的每個而分割成的多個紅外線反射板31、32、33、34，起到以下的效果。因為能夠分別載置對應多個載置區域A1、A2、A3、A4的每個而分割成的多個紅外線反射板31、32、33、34，所以與使紅外線反射部30為1片大尺寸的板構件的情況相比較，能夠容易地將紅外線反射部30載置於載置面5a。然而，在使紅外線反射部30為1片G6尺寸（縱150cm×寬185cm）以上的板構件的情況下，存在難以以原有的尺寸進行反射面30a的鏡面處理的可能性。相反，根據該構成，能夠在每個被分割的紅外線反射板31、32、33、34容易地進行反射面30a的鏡面處理。 　　[0115] 此外，通過隔開間隔S1、S2地配置相鄰的2個紅外線反射板31、32、33、34，即便紅外線反射部30熱膨脹，在間隔S1、S2中也容許紅外線反射部30的2個紅外線反射板31、32、33、34向相鄰方向的的膨脹。 　　[0116] 此外，在反射面30a設置有能夠支承基板10的多個基板支承凸部35，由此通過利用基板支承凸部35支承基板10，在反射面30a與基板10之間形成有間隙，因此能夠避免因與基板10的接觸導致反射面30a出現傷痕。 　　[0117] 此外，還包括能夠冷卻加熱部5的冷卻機構50，由此與對加熱部5進行自然空氣冷卻的情況相比較，因為能夠使加熱部5的降溫率變大，所以能夠在短時間內對加熱部5進行降溫。因此，能夠進一步縮短加熱部5的降溫所需的節拍時間。 　　[0118] 此外，冷卻機構50包括配置在加熱部5的內部並且能夠使冷媒通過的冷媒通過部51，由此與從外部對加熱部5進行冷卻的情況相比較，因為能夠從內部有效地冷卻加熱部5，所以能夠在短時間內對加熱部5進行降溫。 　　[0119] 此外，冷媒通過部51包括多個冷卻通路51a、51b，所述多個冷卻通路51a、51b在與載置面5a平行的一方向上延伸，並且在與載置面5a平行且與所述一方向交叉的方向上排列，由此能夠無遺漏地高效地冷卻加熱部5，因此能夠在短時間內對加熱部5整體進行降溫。 　　[0120] 此外，多個冷卻通路51a、51b包括：第一冷卻通路51a，使冷媒從加熱部5的一端側向另一端側通過；第二冷卻通路51b，使冷媒從加熱部5的另一端側向一端側通過，由此起到以下的效果。與多個冷卻通路51a、51b僅使冷媒從加熱部5的一端側朝向另一端側通過的情況相比較，能夠抑制加熱部5的一端側與另一端側產生的溫度差。即，因為在加熱部5的一端側與另一端側的溫度差相抵消，所以能夠改善溫度分佈的平衡。因此，能夠有效地、均勻地冷卻加熱部5。 　　[0121] 此外，第一冷卻通路51a與第二冷卻通路51b在與載置面5a平行且與所述一方向交叉的方向上交替地配置，由此即便在與載置面5a平行、並且與第一方向交叉的方向上，也能夠抑制溫度差的產生。即，即便在與載置面5a平行、並且與第一方向交叉的方向上，溫度差也相抵消，因此能夠改善面內的溫度分佈的平衡。因此，能夠無遺漏且有效地、均勻地冷卻加熱部5。 　　[0122] 此外，冷媒通過部51還包括在加熱部5的一端側與另一端側連結於多個冷卻通路51a、51b的冷卻歧管52、53，還包括能夠選擇性地加熱冷卻歧管52、53的輔助加熱部H2、H3，從而起到以下的效果。因為冷媒能夠經由冷卻歧管52、53一併流動至多個冷卻通路51a、51b，所以能夠有效地冷卻加熱部5。此外，即便在冷卻歧管52、53附近要降溫的情況下，也能夠通過輔助加熱部H2、H3選擇性地加熱冷卻歧管52、53，因此能夠抑制在冷卻歧管52、53附近的區域與其他的區域產生的溫度差。因此，能夠有效地、均勻地冷卻加熱部5。 　　[0123] 此外，還包括能夠容納基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6的腔2，由此能夠在腔2內管理基板10的加熱溫度，因此能夠有效地加熱基板10。此外，因為能夠在腔2內管理加熱部5的溫度，所以能夠有效地對加熱部5進行降溫。 　　[0124] 此外，基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6被容納於共用的腔2，由此能夠在共用的腔2內一併地進行加熱部5對基板10的加熱處理與紅外線加熱器6對基板10的的加熱處理。即，無需像加熱部5以及紅外線加熱器6被容納於相互不同的腔2的情況那樣地，需要用於使基板10在不同的2個腔2之間輸送的時間。因此，能夠更進一步地高效地進行基板10的加熱處理。此外，在與具備不同的2個腔2的情況相比較，能夠使裝置整體小型化。 　　[0125] 此外，聚醯亞胺形成用液僅被塗布在基板10的第一表面10a，加熱部5被配置於基板10的第一表面10a的相反側即第二表面10b的一側，由此起到以下的效果。因為從加熱部5產生的熱量從基板10的第二表面10b的一側朝向第一表面10a的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板10。此外，在利用加熱部5加熱基板10的期間，能夠高效地進行被塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或者醯亞胺化（例如成膜中的排氣）。 　　[0126] 此外，加熱部5以及紅外線加熱器6都能夠階段性地加熱基板10，由此起到以下的效果。與加熱部5以及紅外線加熱器6僅能在恒定的溫度下加熱基板10的情況相比較，能夠高效地加熱基板10以適合塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的成膜條件。因此，使塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液階段性地乾燥，能夠良好地固化。 　　[0127] 此外，還包括位置調整部7，能夠調整加熱部5以及紅外線加熱器6與基板10的相對位置，由此，與不具備位置調整部7的情況相比較，容易調整基板10的加熱溫度。例如，能夠在要使基板10的加熱溫度變高的情況下使加熱部5以及紅外線加熱器6接近基板10，在要使基板10的加熱溫度變低的情況下，使加熱部5以及紅外線加熱器6遠離基板10。因此，容易階段性地加熱基板10。 　　[0128] 此外，位置調整部7包括能夠使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動的移動部7a，從而起到以下的效果。通過使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動，在將加熱部5以及紅外線加熱器6中的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板10的加熱溫度。因此，無需另外設置能夠使加熱部5以及紅外線加熱器6的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板10的加熱溫度。 　　[0129] 此外，在加熱部5與紅外線加熱器6之間設置有能夠輸送基板10的輸送部8，在輸送部8中形成有能夠使移動部7a通過的通過部8h，從而起到以下的效果。在使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動的情況下，因為能夠使基板10通過通過部8h，所以無需使基板10繞過輸送部8而移動。因此，無需另外設置用於使基板10繞過輸送部8而移動的裝置，能夠以簡單的構成順暢地進行基板10的移動。 　　[0130] 此外，加熱部5是電熱板，由此能夠在基板10的面內使基板10的加熱溫度均勻化，因此能夠提高膜特性。例如，在使電熱板的一表面與基板10的第二表面10b抵接的狀態下加熱基板10，由此能夠提高基板10的加熱溫度的面內均勻性。 　　[0131] 此外，還包括能夠檢測基板10的溫度的溫度檢測部9，由此能夠即時地掌握基板10的溫度。例如，通過基於溫度檢測部9的檢測結果對基板10進行加熱，能夠抑制基板10溫度偏離目標值。 　　[0132] 此外，還包括回收部11，能夠回收從塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑，由此能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑向工廠側排出。此外，在將回收部11連接於減壓部3（真空泵13）的管線的情況下，能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑再次液化而逆流至真空泵13內。進而，從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑能夠作為清洗液再利用。例如，清洗液能夠用於噴嘴前端的清洗、附著於刮取部件的液體的清洗等，所述刮取部件對附著在噴嘴上的液體進行刮取。 　　[0133] 此外，紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側，由此從紅外線加熱器6產生的熱量從基板10的第一表面10a的一側傳遞至第二表面10b的一側，加熱部5的加熱與紅外線加熱器6的加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板10。 　　[0134] 此外，通過紅外線加熱器6的紅外線加熱，能夠在短時間內將基板10升溫到第二溫度。此外，因為能夠在使紅外線加熱器6與基板10遠離的狀態下，對基板10進行加熱（所謂的非接觸加熱），所以能夠保持基板10的清潔（所謂的清潔加熱）。 　　[0135] 此外，因為紅外線加熱器的峰值波長範圍是1.5μm以上並且4μm以下的範圍，而1.5μm以上並且4μm以下的範圍的波長與玻璃以及水等的吸收波長一致，因此能夠更進一步地高效地加熱基板10以及塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液。 　　[0136] 此外，還包括能夠擺動基板10的擺動部12，由此能夠一邊擺動基板10，一邊加熱基板10，因此能夠提高基板10的溫度均勻性。 　　[0137] 此外，在第二加熱工程中，使用配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間的反射面30a，反射朝向加熱部5的紅外線，能夠避免紅外線被加熱部5吸收，因此能夠抑制紅外線引起的加熱部5的升溫。因此無需考慮伴隨著紅外線引起的加熱部5的升溫而導致加熱部5的降溫時間變長。因此，能夠縮短加熱部5的降溫所需的節拍時間。此外，因為通過反射面30a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收，所以能夠促進基板10的加熱。另一方面，根據通過反射面30a反射的紅外線引起的基板10的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器6的輸出。 　　[0138] 此外，通過在第二加熱工程中冷卻加熱部5，與在第二加熱工程後冷卻加熱部5的情況相比較，能夠在短時間內對加熱部5進行降溫。因此，能夠更進一步地縮短加熱部5的降溫所需的節拍時間。 　　[0139] （第二實施方式） 　　接著使用圖13～圖15對本發明的第二實施方式進行說明。 　　圖13是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置201的動作的一例的圖。圖14是後續圖13的、第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。圖15是後續圖14的、第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。 　　為了方便，在圖13～圖15中，省略了基板加熱裝置201的構成要素之中的減壓部3、氣體供給部4、輸送部8、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12、基板支承凸部35、冷卻機構50以及控制部15的圖示。 　　[0140] 在第二實施方式中，相對於第一實施方式，位置調整部207的構成特別地不同。在圖13～圖15中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的圖式標記，省略其詳細說明。 　　[0141] ＜位置調整部＞ 　　如圖13所示，位置調整部207具備容納部270、移動部275以及驅動部279。 　　容納部270被配置在腔2的下側。容納部270能夠容納移動部275以及驅動部279。容納部270形成為長方體的箱狀。具體而言，容納部270由以下部件形成：矩形板狀的第一支承板271；與第一支承板271對置的矩形板狀的第二支承板272；包圍板273，與第一支承板271以及第二支承板272的外周邊緣相連，並且以包圍移動部275以及驅動部279的周圍的方式覆蓋移動部275以及驅動部279。另外，也可以不設置包圍板273。即，位置調整部207至少具備第一支承板271、移動部275以及驅動部279即可。例如，也可以設置有包圍裝置整體的外裝殼體。 　　[0142] 第一支承板271的外周邊緣被連接於腔2的周壁23的下端。第一支承板271也作為腔2的底板起作用。在第一支承板271上配置有加熱部205。具體而言，加熱部205在腔2內由第一支承板271支承。 　　[0143] 包圍板273與周壁23上下連續地相連。腔2構成為能夠在密閉空間內容納基板10。例如通過利用熔接等無間隙地接合頂板21、作為底板的第一支承板271以及周壁23的各連接部，能夠提高腔2內的氣密性。 　　[0144] 移動部275具備銷276、伸縮管277以及基台278。 　　銷276能夠支承基板10的第二表面10b，並且能夠向第二表面10b的法線方向（Z方向）移動。銷276是上下延伸的棒狀部件。銷276的前端（上段）能夠抵接於基板10的第二表面10b，並且能夠遠離基板10的第二表面10b。 　　[0145] 在與第二表面10b平行的方向（X方向以及Y方向）上隔開間隔地設置有多個銷276。多個銷276分別形成為大致相同的長度。多個銷276的前端配置在與第二表面10b平行的面內（XY平面內）。 　　[0146] 伸縮管277被設置在第一支承板271與基台278之間。伸縮管277是以包圍銷276的周圍的方式進行覆蓋、並且上下延伸的管狀部件。伸縮管277在第一支承板271與基台278之間上下自如地伸縮。伸縮管277例如是真空波紋管。 　　[0147] 伸縮管277設置有多個，與多個銷276的數量相同。多個伸縮管277的前端（上端）被固定于第一支承板271。具體而言，在第一支承板271上形成有使第一支承板271在厚度方向上開口的多個插通孔271h。各插通孔271h的內徑為與各伸縮管277的外徑大致相同大小。各伸縮管277的前端例如被嵌合固定于第一支承板271的各插通孔271h。 　　[0148] 基台278是與第一支承板271對置的板狀部件。基台278的上表面呈沿著基板10的第二表面10b的平坦面。在基台278的上表面固定有多個銷276的基端（下端）以及多個伸縮管277的基端（下端）。 　　[0149] 多個銷276的前端能夠插通加熱部205。在加熱部205中，在第二表面10b的法線方向上與第一支承板271的各插通孔271h（各伸縮管277的內部空間）重疊的位置，形成有使加熱部205在第二表面10b的法線方向（電熱板的厚度方向）上開口的多個插通孔205h。 　　[0150] 多個銷276的前端可插通紅外線反射部230。在紅外線反射部230中，在第二表面10b的法線方向上與第一支承板271的各插通孔271h（各伸縮管277的內部空間）重疊的位置，形成有使紅外線反射部230在第二表面10b的法線方向（紅外線反射板的厚度方向）上開口的多個插通孔230h。 　　[0151] 多個銷276的前端能夠經由各伸縮管277的內部空間、加熱部205的各插通孔205h以及紅外線反射部230的各插通孔230h，而抵接於基板10的第二表面10b。因此，多個銷276的前端能夠以平行於XY平面的方式支承基板10。多個銷276一邊支承容納在腔2內的基板10，一邊在腔2內的Z方向上移動（參照圖13～圖15）。 　　[0152] 驅動部279被配置在腔2的外部即容納部270內。因此即便假設隨著驅動部279的驅動而產生微塵，由於使腔2內為密閉空間，也能夠避免微塵向腔2內的入侵。 　　[0153] ＜基板加熱方法＞ 　　接著，對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述的基板加熱裝置201對基板10進行加熱。在基板加熱裝置201的各部件進行的動作由控制部15控制。另外，對於與第一實施方式相同的工程，省略了其詳細說明。 　　[0154] 本實施方式的基板加熱方法包括減壓工程、第一加熱工程以及第二加熱工程。 　　在減壓工程中，對塗布了聚醯亞胺形成用液的基板10進行減壓。 　　如圖13所示，在減壓工程中，基板10遠離加熱部205。具體而言，使多個銷276的前端經由各伸縮管277的內部空間、加熱部205的各插通孔205h以及紅外線反射部230的各插通孔230h而抵接於基板10的第二表面10b，並且使基板10上升，由此使基板10遠離加熱部205。在減壓工程中，加熱部205以及基板10以加熱部205的熱量不會傳遞至基板10的程度遠離（分離設置）。在減壓工程中，接通加熱部205的電源。加熱部205的溫度例如是250℃左右。另一方面，在減壓工程中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　[0155] 在減壓工程之後，在第一加熱工程中，以加熱部205的溫度加熱基板10。 　　如圖14所示，在第一加熱工程中，通過使多個銷276的前端遠離基板10的第二表面10b，使基板10載置在紅外線反射部230的反射面230a。具體而言，使基板10支承於設置在反射面230a的基板支承凸部（未圖示）。由此，因為反射面230a接近基板10的第二表面10b，所以加熱部205的熱量經由紅外線反射部230傳遞至基板10。例如在第一加熱工程中，加熱部205的溫度維持在250℃。因此，基板溫度能夠上升到250℃。另一方面，在第一加熱工程中，紅外線加熱器6的電源一直處於斷開狀態。 　　[0156] 第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，以第二溫度對基板10進行加熱。 　　如圖15所示，在第二加熱工程中，通過使基板10上升到比第一加熱工程時的位置的更高的位置，使基板10接近紅外線加熱器6。例如，在第二加熱工程中，加熱部205的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工程中，接通紅外線加熱器6的電源。例如，紅外線加熱器6能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，基板溫度能夠上升到450℃。在第二加熱工程中，基板10比在第一加熱工程時更接近紅外線加熱器6，因此紅外線加熱器6的熱量被充分地傳遞至基板10。 　　[0157] 之後，經過與第一實施方式相同的工程，進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或者醯亞胺化，並且進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。 　　[0158] 如上所述，根據本實施方式，移動部275包括能夠支承基板10的第二表面10b、並且能夠沿第二表面10b的法線方向移動的多個銷276，多個銷276的前端被配置在與第二表面10b平行的面內，由此起到以下的效果。能夠在穩定地支承基板10的狀態下對基板10進行加熱，因此能夠使塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液穩定地成膜。 　　[0159] 此外，在加熱部205中，形成有使加熱部205在第二表面10b的法線方向開口的多個插通孔205h，各銷276的前端能夠經由各插通孔205h抵接第二表面10b，由此起到以下的效果。能夠在短時間內進行基板10在多個銷276與加熱部205之間的交接，因此能夠高效地調整基板10的加熱溫度。 　　[0160] 另外，在上述的例子中示出的各構成部件的諸形狀或組合等為一例，基於設計要求等能夠進行各種變更。 　　此外，雖然在上述實施方式中，具備具有反射面的紅外線反射部，但是本發明並不限定於此。例如，也可以不具備紅外線反射部，使加熱部的上表面為反射紅外線的反射面。 　　[0161] 此外，雖然在上述實施方式中，基板、加熱部以及紅外線加熱器被容納於共用的腔，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是加熱部以及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔。 　　[0162] 此外，雖然在上述實施方式中，加熱部以及紅外線加熱器兩者都能夠階段性地加熱基板，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是加熱部以及紅外線加熱器的至少一方能夠階段性地加熱基板。此外，也可以是加熱部以及紅外線加熱器兩者都僅能以恒定的溫度加熱基板。 　　[0163] 此外，也可以在上述實施方式中，使腔的內壁能夠反射紅外線。例如，也可以使腔的內壁為由鋁等的金屬形成的鏡面（反射面）。由此，與使腔的內壁為能夠吸收紅外線的材質相比較，能夠提高腔內的溫度均勻性。 　　[0164] 此外，雖然在上述實施方式中，使用了多個輸送輥作為輸送部，但是本發明並不限定於此。例如，作為輸送部，可以使用傳送帶，也可以使用線性電機致動器。例如，也可以能夠在X方向上添加傳送帶以及線性電動機致動器。由此，能夠調整X方向中的基板的輸送距離。 　　[0165] 此外，在採用圖4所示的構成（在輸送部中形成有通過部的構成）以外的構成作為輸送部的情況下，加熱部在俯視狀態下的尺寸可以大於等於基板在俯視狀態下的尺寸。由此，與使加熱部在俯視狀態下的尺寸比基板在俯視狀態下的尺寸小的情況相比較，能夠更進一步提高基板的加熱溫度的面內均勻性。 　　[0166] 此外，雖然在上述實施方式中，在減壓工程以及第一加熱工程中，接通加熱部的電源，斷開紅外線加熱器的電源，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是，在減壓工程以及第一加熱工程中，接通加熱部以及紅外線加熱器的電源。 　　[0167] 此外，雖然在上述第二實施方式中，多個銷的前端能夠插通紅外線反射部（即，在紅外線反射部形成有多個插通孔），但是本發明並不限定於此。例如，也可以是多個銷的前端不能插通紅外線反射部。即，也可以不在紅外線反射部中形成插通孔。在這種情況下，多個銷的前端能夠經由各伸縮管的內部空間以及加熱部的各插通孔而抵接於紅外線反射部的背面。因此，利用多個銷的前端以平行於XY平面的方式支承紅外線反射部。多個銷經由紅外線反射部支承被容納於腔內的基板，並且沿腔內的Z方向移動。 　　[0168] 另外，作為上述實施方式或者其變形例而記載的各構成要素，在不脫離本發明的主旨的範圍內能夠進行適當組合，此外，也可以在組合得到的多個構成要素之中，適當地不使用一部分的構成要素。 　　[0169] 以下，通過實施例對本發明更具體地進行說明，但是本發明並不受以下的實施例的限定。 　　[0170] 本發明人通過以下的評價確認了：使用具備配置在電熱板（加熱部）以及紅外線加熱器之間、並且反射朝向電熱板的紅外線的反射面的基板加熱裝置，對聚醯亞胺膜進行成膜，由此能夠抑制由紅外線引起的電熱板的升溫。 　　[0171] （基板） 　　使用玻璃基板作為基板。 　　[0172] （比較例） 　　比較例的基板加熱裝置是使用具備減壓部、電熱板以及紅外線加熱器的裝置。即，在比較例中，在電熱板與紅外線加熱器之間不具備上述反射面。 　　[0173] （實施例1） 　　實施例1的基板加熱裝置是使用具備減壓部、電熱板、紅外線加熱器以及反射面的裝置。即，相對於比較例，實施例1的基板加熱裝置還具備反射面（圖1所述的反射面30a）。 　　[0174] （實施例2） 　　實施例2的基板加熱裝置是使用具備減壓部、電熱板、紅外線加熱器、反射面以及冷卻機構的裝置。即，相對於實施例1，實施例2的基板加熱裝置還具備冷卻機構（圖8所述的冷卻機構50）。 　　[0175] （處理條件） 　　以下，對比較例以及實施例1中的電熱板的溫度上升評價的處理條件進行說明。 　　將電熱板的溫度設為250℃。將通過紅外線對基板進行加熱的加熱時間（即，紅外線的照射時間）設為10min。 　　[0176] （電熱板的溫度上升評價結果） 　　圖16是示出比較例以及實施例1中的電熱板的溫度上升的評價結果的圖。在圖16中示出，橫軸為時間“min”，縱軸為電熱板的溫度“℃”。 　　[0177] 如圖16所示，＠在比較例的情況下，電熱板的上升溫度為29.2℃，冷卻所需時間為8min。 　　在實施例1的情況下，電熱板的上升溫度為0.1℃，冷卻所需時間為0min。 　　如上所述可知，在將電熱板的溫度設為250℃，並且紅外線的照射時間為10min的情況下，即便不具備冷卻機構，也能夠抑制由紅外線引起的電熱板的升溫。 　　[0178] （處理條件） 　　以下，對實施例1以及實施例2中的電熱板的溫度上升評價的處理條件進行說明。 　　將電熱板的溫度設為250℃。將通過紅外線對基板進行加熱的加熱時間（即，紅外線的照射時間）設為20min。 　　[0179] （電熱板的溫度上升評價結果） 　　圖17是示出實施例1以及實施例2中的電熱板的溫度上升的評價結果的圖。在圖17中示出，橫軸為時間“min”，縱軸為電熱板的溫度“℃”。 　　[0180] 如圖17所示，在實施例1的情況下，電熱板的上升溫度為10.3℃，冷卻所需時間為9min。 　　在實施例2的情況下，電熱板的上升溫度為6℃，冷卻所需時間為3min。 　　如上所述可知，在將電熱板的溫度設為250℃，並且紅外線的照射時間為20min的情況下，在照射紅外線後，通過冷卻機構對電熱板進行空氣冷卻，由此能夠在短時間內對電熱板進行降溫。
[0181]1、201‧‧‧基板加熱裝置2‧‧‧腔3‧‧‧減壓部5、205‧‧‧加熱部5a‧‧‧載置面6‧‧‧紅外線加熱器7、207‧‧‧位置調整部7a、275‧‧‧移動部8‧‧‧輸送部8h‧‧‧通過部9‧‧‧溫度檢測部10‧‧‧基板10a‧‧‧第一表面10b‧‧‧第二表面11‧‧‧回收部30、230‧‧‧紅外線反射部30a、230a‧‧‧反射面31、32、33、34‧‧‧紅外線反射板35‧‧‧基板支承凸部40‧‧‧拆裝結構41‧‧‧突出部41a‧‧‧第一凸部41b‧‧‧第二凸部42‧‧‧插入部42a‧‧‧第一凹部42b‧‧‧第二凹部50‧‧‧冷卻機構51‧‧‧冷媒通過部51a‧‧‧第一冷卻通路（冷卻通路）51b‧‧‧第二冷卻通路（冷卻通路）52、53‧‧‧冷卻歧管205h‧‧‧插通孔276‧‧‧銷A1、A2、A3、A4‧‧‧載置區域H2‧‧‧第二加熱區域（輔助加熱部）H3‧‧‧第三加熱區域（輔助加熱部）S1、S2‧‧‧間隔
[0037] 圖1是第一實施方式的基板加熱裝置的立體圖。 　　圖2是示出加熱部及其周邊結構的側視圖。 　　圖3是加熱部的俯視圖。 　　圖4是用於說明輸送輥、基板以及加熱部的配置關係的圖。 　　圖5是紅外線反射部的俯視圖。 　　圖6是示出加熱部與紅外線反射部的拆裝結構的立體圖。 　　圖7是示出在圖2中卸下了紅外線反射部的狀態的側視圖。 　　圖8是示出冷卻機構的俯視圖。 　　圖9是用於說明加熱部中的加熱控制的一例的圖。 　　圖10是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 　　圖11是後續圖10的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖12是後續圖11的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖13是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 　　圖14是後續圖13的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖15是後續圖14的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖16是示出比較例以及實施例1中的電熱板的溫度上升的評價結果的圖。 　　圖17是示出實施例1以及實施例2中的電熱板的溫度上升的評價結果的圖。
1‧‧‧基板加熱裝置
2‧‧‧腔
3‧‧‧減壓部
4‧‧‧氣體供給部
5‧‧‧加熱部
6‧‧‧紅外線加熱器
7‧‧‧位置調整部
7a‧‧‧移動部
7b‧‧‧驅動部
8‧‧‧輸送部
8a‧‧‧輸送輥
8h‧‧‧通過部
9‧‧‧溫度檢測部
10‧‧‧基板
10a‧‧‧第一表面
10b‧‧‧第二表面
11‧‧‧回收部
12‧‧‧擺動部
13‧‧‧真空泵
15‧‧‧控制部
21‧‧‧頂板
22‧‧‧底板
23‧‧‧周壁
23a‧‧‧基板搬入搬出口
30‧‧‧紅外線反射部
30a‧‧‧反射面

Claims (23)

  1. 一種基板加熱裝置，包括：減壓部，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；加熱部，配置在所述基板的一側，並且能夠加熱所述基板；紅外線加熱器，配置在所述基板的另一側，並且能夠通過紅外線加熱所述基板；反射面，配置在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間，並且反射朝向所述加熱部的所述紅外線；及能夠冷卻所述加熱部的冷卻機構；所述冷卻機構包括冷媒通過部，所述冷媒通過部配置在所述加熱部的內部並且能夠使冷媒通過；所述冷媒通過部包括：多個冷卻通路，所述多個冷卻通路在與能夠載置具有所述反射面的紅外線反射部的載置面平行的一方向上延伸、並且在與所述載置面平行且與所述一方向交叉的方向上排列；及在所述加熱部的一端側與另一端側連結於所述多個冷卻通路的冷卻歧管；所述基板加熱裝置還包括能夠選擇性地加熱所述冷卻歧管的輔助加熱部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板加熱裝置，其中，還包括具有所述反射面的所述紅外線反射部，所述加熱部包括能夠載置所述紅外線反射部的所述載置面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板加熱裝置，其中，在所述加熱部與所述紅外線反射部之間設置有拆裝結構，能夠在所述加熱部拆裝所述紅外線反射部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板加熱裝置，其中，所述拆裝結構包括：突出部，從所述載置面突出；插入部，形成於所述紅外線反射部，並且供所述突出部插入。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板加熱裝置，其中，所述突出部包括：第一凸部；第二凸部，在所述載置面的面內遠離所述第一凸部，所述插入部包括：第一凹部，供所述第一凸部插入；第二凹部，供所述第二凸部插入，至少容許所述紅外線反射部在第一凸部與所述第二凸部相互遠離的方向上膨脹或者收縮。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項所述的基板加熱裝 置，其中，所述載置面包括在所述載置面的面內劃分的多個載置區域，所述紅外線反射部包括對應所述多個載置區域的每個而分割成的多個紅外線反射板。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板加熱裝置，其中，相鄰的2個所述紅外線反射板隔開間隔地配置。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，在所述反射面設置有能夠支承所述基板的多個基板支承凸部。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，所述多個冷卻通路包括：第一冷卻通路，使所述冷媒從所述加熱部的一端側向另一端側通過；第二冷卻通路，使所述冷媒從所述加熱部的另一端側向一端側通過。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板加熱裝置，其中，所述第一冷卻通路與所述第二冷卻通路在與所述載置面平行且與所述一方向交叉的方向上交替地配置。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，還包括能夠容納所述基板、所述加熱部以及所 述紅外線加熱器的腔。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的基板加熱裝置，其中，所述基板、所述加熱部以及所述紅外線加熱器被容納於共用的所述腔。
  13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，所述溶液僅被塗布在所述基板的第一表面，所述加熱部被配置於與所述基板的第一表面相反的一側即第二表面的一側。
  14. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方能夠階段性地加熱所述基板。
  15. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，還包括位置調整部，所述位置調整部能夠調整所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方與所述基板的相對位置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的基板加熱裝置，其中，所述位置調整部還包括能夠使所述基板在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間移動的移動部。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的基板加熱裝置，其中，在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間設置有能夠輸送所述基板的輸送部，在所述輸送部中形成有能夠使所述移動部通過的通過部。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的基板加熱裝置，其中，所述移動部包括多個銷，所述多個銷能夠支承與所述基板的第一表面相反一側的第二表面，並且能夠在所述第二表面的法線方向上移動，所述多個銷的前端被配置在與所述第二表面平行的面內。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的基板加熱裝置，其中，在所述加熱部形成有多個插通孔，使所述加熱部在所述第二表面的法線方向上開口，所述多個銷的前端能夠經由所述多個插通孔而抵接於所述第二表面。
  20. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，所述加熱部是電熱板。
  21. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，還包括能夠檢測所述基板溫度的溫度檢測部。
  22. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的基板加熱裝置，其中，還包括回收部，能夠回收從塗布於所述基板的所述溶液揮發的溶劑。
  23. 一種基板加熱方法，其特徵在於，包括：減壓工程，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；第一加熱工程，使用配置於所述基板的一側的加熱部對所述基板進行加熱；及第二加熱工程，使用配置於所述基板的另一側的紅外線加熱器藉由紅外線對所述基板進行加熱，在所述第二加熱工程中，使用配置在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間的反射面，反射朝向所述加熱部的所述紅外線；在所述第二加熱工程中，使用能夠冷卻所述加熱部的冷卻機構對所述加熱部進行冷卻；所述冷卻機構包括冷媒通過部，所述冷媒通過部配置在所述加熱部的內部並且能夠使冷媒通過；所述冷媒通過部包括：多個冷卻通路，所述多個冷卻通路在與能夠載置具有所述反射面的紅外線反射部的載置面平行的一方向上延伸、並且在與所述載置面平行且與所述一方向交叉的方向上排列；及在所述加熱部的一端側與另一端側連結於所述多個冷 卻通路的冷卻歧管；還包括能夠選擇性地加熱所述冷卻歧管的輔助加熱部。
TW106123576A 2016-08-30 2017-07-14 基板加熱裝置以及基板加熱方法 TWI724203B (zh)

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