JP2001210632A - ポリイミド膜の形成方法 - Google Patents
ポリイミド膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリイミド膜を低応力で形成することが可能
なポリイミド膜の形成方法を提供する。ポリイミドと基
板材料の熱膨張率の差から膜内に大きな応力が発生する
ことがある。 【解決手段】 低熱膨張性のポリイミド前駆体２を基板
１上に塗布する。ポリイミド前駆体を加熱焼成してポリ
イミド膜４を生成する加熱工程において、室温から１０
０℃に至るまで、望ましくは室温から最終加熱温度に至
るまで、温度変化時の昇温速度を１℃／分以下とする。
なポリイミド膜の形成方法を提供する。ポリイミドと基
板材料の熱膨張率の差から膜内に大きな応力が発生する
ことがある。 【解決手段】 低熱膨張性のポリイミド前駆体２を基板
１上に塗布する。ポリイミド前駆体を加熱焼成してポリ
イミド膜４を生成する加熱工程において、室温から１０
０℃に至るまで、望ましくは室温から最終加熱温度に至
るまで、温度変化時の昇温速度を１℃／分以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低熱膨張率を有す
るポリイミドを基板上に低応力で形成する絶縁膜の形成
方法に係り、特に光デバイスに好適なポリイミド膜の形
成方法に関する。
るポリイミドを基板上に低応力で形成する絶縁膜の形成
方法に係り、特に光デバイスに好適なポリイミド膜の形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド膜は、現在、電子部品の保護
膜や光学部品等に広く使用されている。このポリイミド
膜は、ポリアミック酸と溶媒からなるポリアミック酸ワ
ニスを基板上に滴下後に、加熱工程を施すことにより形
成される。この加熱工程は、通常、比較的低温で加熱保
持を行って上記溶媒を蒸発させる工程と、高温加熱保持
を行うことでポリアミック酸を硬化させる工程の少なく
とも２つの加熱保持工程を含んでいる。したがって、上
記加熱工程においては、ポリアミック酸ワニスの塗布さ
れた基板を段階的に昇温する方法がとられている。例え
ば、１００℃で３０分加熱保持の後、２００℃で３０分
加熱保持し、最後に３５０℃で６０分加熱保持するとい
う方法がとられている。
膜や光学部品等に広く使用されている。このポリイミド
膜は、ポリアミック酸と溶媒からなるポリアミック酸ワ
ニスを基板上に滴下後に、加熱工程を施すことにより形
成される。この加熱工程は、通常、比較的低温で加熱保
持を行って上記溶媒を蒸発させる工程と、高温加熱保持
を行うことでポリアミック酸を硬化させる工程の少なく
とも２つの加熱保持工程を含んでいる。したがって、上
記加熱工程においては、ポリアミック酸ワニスの塗布さ
れた基板を段階的に昇温する方法がとられている。例え
ば、１００℃で３０分加熱保持の後、２００℃で３０分
加熱保持し、最後に３５０℃で６０分加熱保持するとい
う方法がとられている。
【０００３】ところで、ポリイミド膜と一般に用いられ
る基板材料とは熱膨張率に差があるため、ポリイミド膜
の形成時における上述の加熱工程において、ポリイミド
と基板材料の熱膨張率の差からポリイミド膜内に応力が
発生する。この膜応力の増加によって、基板の反り、基
板からの膜の剥離、膜内のクラック、基板の割れ等が生
じることがある。基板が反るだけでも、その後の半導体
プロセスが困難となるため、デバイスの作製に支障が生
じる。
る基板材料とは熱膨張率に差があるため、ポリイミド膜
の形成時における上述の加熱工程において、ポリイミド
と基板材料の熱膨張率の差からポリイミド膜内に応力が
発生する。この膜応力の増加によって、基板の反り、基
板からの膜の剥離、膜内のクラック、基板の割れ等が生
じることがある。基板が反るだけでも、その後の半導体
プロセスが困難となるため、デバイスの作製に支障が生
じる。
【０００４】ポリイミド膜の応力を低減する方法とし
て、低熱膨張性のポリイミド前駆体を塗布した後、１０
０〜１６０℃の温度範囲で３０分以上加熱する工程を全
加熱工程の中に組み入れる方法が提案されている（特開
平７−３０７１１４号公報参照）。
て、低熱膨張性のポリイミド前駆体を塗布した後、１０
０〜１６０℃の温度範囲で３０分以上加熱する工程を全
加熱工程の中に組み入れる方法が提案されている（特開
平７−３０７１１４号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平７−３０７１１４号公報にて提案された従来の
方法では、充分な膜応力の低下が必ずしも図れないと言
う問題があった。特に、５０μｍを超える厚膜の形成の
際には、１００℃〜１６０℃の温度範囲で３０分以上加
熱する工程を全加熱工程中に加えても、膜応力の低減は
不十分であり、基板の反り、膜層の基板からの剥離を抑
えることができなかった。
た特開平７−３０７１１４号公報にて提案された従来の
方法では、充分な膜応力の低下が必ずしも図れないと言
う問題があった。特に、５０μｍを超える厚膜の形成の
際には、１００℃〜１６０℃の温度範囲で３０分以上加
熱する工程を全加熱工程中に加えても、膜応力の低減は
不十分であり、基板の反り、膜層の基板からの剥離を抑
えることができなかった。
【０００６】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、ベーク工程（加熱工程）
を改善するだけで、確実にポリイミド膜を低応力で形成
することが可能なポリイミド膜の形成方法を提供するこ
とを目的としている。
決すべくなされたものであり、ベーク工程（加熱工程）
を改善するだけで、確実にポリイミド膜を低応力で形成
することが可能なポリイミド膜の形成方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明のポリイミド
膜の製造方法は、基板上にポリアミック酸ワニス塗布
し、この塗膜に加熱工程を施すことによりポリイミド膜
を形成するポリイミド膜の形成方法において、上記加熱
工程において少なくとも温度が１００℃に到達するまで
は、温度変化させる際の昇温速度を１℃／分以下とする
ことを特徴とする。
膜の製造方法は、基板上にポリアミック酸ワニス塗布
し、この塗膜に加熱工程を施すことによりポリイミド膜
を形成するポリイミド膜の形成方法において、上記加熱
工程において少なくとも温度が１００℃に到達するまで
は、温度変化させる際の昇温速度を１℃／分以下とする
ことを特徴とする。
【０００８】第２の発明のポリイミド膜の製造方法は、
第１の発明のポリイミド膜の形成方法において、前記加
熱工程における最終加熱温度に到達するまで、温度変化
させる際の昇温速度を１℃／分以下とすることを特徴と
する。
第１の発明のポリイミド膜の形成方法において、前記加
熱工程における最終加熱温度に到達するまで、温度変化
させる際の昇温速度を１℃／分以下とすることを特徴と
する。
【０００９】第３の発明のポリイミド膜の製造方法は、
第１の発明または第２の発明のポリイミド膜の形成方法
において、前記加熱工程における最終加熱温度に到達す
るまで、一定温度での加熱保持期間を設けないことを特
徴とする。
第１の発明または第２の発明のポリイミド膜の形成方法
において、前記加熱工程における最終加熱温度に到達す
るまで、一定温度での加熱保持期間を設けないことを特
徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１１】まず、ポリイミド膜の成膜法について説明
する。図４は、ポリイミド成膜の各工程を説明する断面
図である。
する。図４は、ポリイミド成膜の各工程を説明する断面
図である。
【００１２】ここでは、４インチシリコンウェハ（結晶
面１００、厚さ０．５２５ｍｍ）からなる基板１を用い
た。まず最初に、基板１上に、接着性の向上を図るため
にカプラを塗布し、大気中で２００℃で２０分間加熱処
理する。
面１００、厚さ０．５２５ｍｍ）からなる基板１を用い
た。まず最初に、基板１上に、接着性の向上を図るため
にカプラを塗布し、大気中で２００℃で２０分間加熱処
理する。
【００１３】次に、図４（ａ）に示すように、基板１上
に、ポリアミック酸と溶媒を主成分とするポリアミック
酸ワニス２を垂らし、ブレード３によって引き伸ばす。
これにより、図４（ｂ）に示されるように、基板上に一
定厚みのポリアミック酸ワニス層２’が形成される。こ
の塗布方法をアプリケート法と呼ぶ。ポリアミック酸ワ
ニス層２’の厚みは、ブレード３と基板１の間隔ｇを調
整することにより決めることができ、スピンコート法で
は困難な１００μｍを超える厚い膜も形成できる。
に、ポリアミック酸と溶媒を主成分とするポリアミック
酸ワニス２を垂らし、ブレード３によって引き伸ばす。
これにより、図４（ｂ）に示されるように、基板上に一
定厚みのポリアミック酸ワニス層２’が形成される。こ
の塗布方法をアプリケート法と呼ぶ。ポリアミック酸ワ
ニス層２’の厚みは、ブレード３と基板１の間隔ｇを調
整することにより決めることができ、スピンコート法で
は困難な１００μｍを超える厚い膜も形成できる。
【００１４】続いて、図４（ｃ）に示されるように、こ
のポリアミック酸ワニス層２’が塗布された基板１に対
して、後述する様々な条件（＜実施例１＞〜＜比較例５
＞）による加熱工程を施し、溶媒を蒸発させて、図４
（ｃ）に示されるようにポリイミド膜４へと硬化させ
る。このようにして形成したポリイミド膜４の厚みは、
本例ではポリアミック酸ワニス層２’の厚みの１／１０
程度に縮んだ。
のポリアミック酸ワニス層２’が塗布された基板１に対
して、後述する様々な条件（＜実施例１＞〜＜比較例５
＞）による加熱工程を施し、溶媒を蒸発させて、図４
（ｃ）に示されるようにポリイミド膜４へと硬化させ
る。このようにして形成したポリイミド膜４の厚みは、
本例ではポリアミック酸ワニス層２’の厚みの１／１０
程度に縮んだ。
【００１５】ポリイミド厚膜を形成する際には、上述し
た図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程を複数回繰り返し行
う。
た図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程を複数回繰り返し行
う。
【００１６】なお、本実施の形態においては、ポリアミ
ック酸ワニス２として、少なくとも分子内に直線構造を
有する低熱膨張性のポリアミック酸を用いたもの、具体
的にはフッ素化ポリイミドＯＰＩ−Ｎ２００５を使用し
た。
ック酸ワニス２として、少なくとも分子内に直線構造を
有する低熱膨張性のポリアミック酸を用いたもの、具体
的にはフッ素化ポリイミドＯＰＩ−Ｎ２００５を使用し
た。
【００１７】次に、図４（ｃ）における加熱工程（＜実
施例１＞〜＜比較例４＞）について説明する。
施例１＞〜＜比較例４＞）について説明する。
【００１８】＜実施例１＞図４（ｂ）の状態から、基板
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から３５０℃に至るまで１℃／分の昇温速度で
基板１を加熱していって３５０℃（最終到達温度）で６
０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス２’を硬化
した。
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から３５０℃に至るまで１℃／分の昇温速度で
基板１を加熱していって３５０℃（最終到達温度）で６
０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス２’を硬化
した。
【００１９】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、反り量δを測定し、膜応力σを算出したところ、膜
厚８０μｍで膜応力σは３．４ＭＰａ、膜厚１９０μｍ
で膜応力σは１０ＭＰａであった。
て、反り量δを測定し、膜応力σを算出したところ、膜
厚８０μｍで膜応力σは３．４ＭＰａ、膜厚１９０μｍ
で膜応力σは１０ＭＰａであった。
【００２０】なお、ここで用いた膜応力σの測定法につ
いて、以下に説明する。まず、ポリイミド膜４が形成さ
れた基板１の反り量δをタリサーフで測定し、反り量δ
から以下のストーニの式［Proc.R.Soc.Ser.London,A82,
172(1909)］を用いてポリイミド膜４に働く応力（膜応
力）σを求めた。
いて、以下に説明する。まず、ポリイミド膜４が形成さ
れた基板１の反り量δをタリサーフで測定し、反り量δ
から以下のストーニの式［Proc.R.Soc.Ser.London,A82,
172(1909)］を用いてポリイミド膜４に働く応力（膜応
力）σを求めた。
【００２１】
【数１】
【００２２】ここで、σ：膜応力、Ｅ：基板１のヤング
率、ν：基板１のポアッソン比、ｄ：基板１の厚さ、
ｔ：薄膜（ポリイミド膜４）の厚さ、Ｌ：反り測定長、
δ：基板１の反り量、である。また、（数１）中、基板
１が結晶面１００のシリコンウェハである場合のＥ／
（１−ν）＝１８０．５ＧＰａである。
率、ν：基板１のポアッソン比、ｄ：基板１の厚さ、
ｔ：薄膜（ポリイミド膜４）の厚さ、Ｌ：反り測定長、
δ：基板１の反り量、である。また、（数１）中、基板
１が結晶面１００のシリコンウェハである場合のＥ／
（１−ν）＝１８０．５ＧＰａである。
【００２３】（数１）に見られるように、基板１と薄膜
（ポリイミド膜４）の厚さがそれぞれ一定であれば、膜
応力σは反り量δに比例する。またこの膜応力σは薄膜
（ポリイミド膜４）の全膜厚ｔで割った値であるので、
単位膜厚当たりの応力と言えるものである。
（ポリイミド膜４）の厚さがそれぞれ一定であれば、膜
応力σは反り量δに比例する。またこの膜応力σは薄膜
（ポリイミド膜４）の全膜厚ｔで割った値であるので、
単位膜厚当たりの応力と言えるものである。
【００２４】＜実施例２＞図４（ｂ）の状態から、基板
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から３５０℃に至るまで０．７５℃／分の昇温
速度で基板１を加熱していって、３５０℃（最終到達温
度）で６０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス
２’を硬化した。
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から３５０℃に至るまで０．７５℃／分の昇温
速度で基板１を加熱していって、３５０℃（最終到達温
度）で６０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス
２’を硬化した。
【００２５】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは３．２ＭＰａであった。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは３．２ＭＰａであった。
【００２６】＜実施例３＞図４（ｂ）の状態から、基板
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から１００℃に至るまで１℃／分の昇温速度で
基板１を加熱し、１００℃から３５０℃に至るまで２℃
／分の昇温速度で基板１を加熱していって、３５０℃で
６０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス２’を硬
化した。
１を図１の温度プロファイルに従って加熱した。すなわ
ち、室温から１００℃に至るまで１℃／分の昇温速度で
基板１を加熱し、１００℃から３５０℃に至るまで２℃
／分の昇温速度で基板１を加熱していって、３５０℃で
６０分間加熱保持して、ポリアミック酸ワニス２’を硬
化した。
【００２７】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは６．３ＭＰａであった。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは６．３ＭＰａであった。
【００２８】＜比較例１＞実施例１の加熱工程の温度プ
ロファイルを、図２に示す温度プロファイルに変えて行
った。すなわち、図４（ｂ）の状態から昇温して、１０
０℃で３０分、２００℃で３０分、３５０℃で６０分加
熱保持するという段階的な加熱工程を行った。溶媒の蒸
発を促進するため、２００℃に至るまでの昇温勾配は５
℃／分とした。なお、この加熱手順（温度プロファイ
ル）は、ワニスメーカー推奨の加熱手順であり、ポリア
ミック酸ワニスの一般的な硬化手順である。
ロファイルを、図２に示す温度プロファイルに変えて行
った。すなわち、図４（ｂ）の状態から昇温して、１０
０℃で３０分、２００℃で３０分、３５０℃で６０分加
熱保持するという段階的な加熱工程を行った。溶媒の蒸
発を促進するため、２００℃に至るまでの昇温勾配は５
℃／分とした。なお、この加熱手順（温度プロファイ
ル）は、ワニスメーカー推奨の加熱手順であり、ポリア
ミック酸ワニスの一般的な硬化手順である。
【００２９】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１８．１ＭＰａであった。この膜応力σの値は実施
例１での応力値の５倍以上であり、＜実施例１＞の方法
が膜応力σの低減に極めて効果的であることがわかる。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１８．１ＭＰａであった。この膜応力σの値は実施
例１での応力値の５倍以上であり、＜実施例１＞の方法
が膜応力σの低減に極めて効果的であることがわかる。
【００３０】＜比較例２＞図４（ｂ）の状態から昇温し
て、１００℃で３０分、２００℃で３０分、３５０℃で
６０分加熱保持するという段階的な加熱工程を行った。
溶媒の蒸発を促進するため、２００℃に至るまでの昇温
勾配は２℃／分とした。
て、１００℃で３０分、２００℃で３０分、３５０℃で
６０分加熱保持するという段階的な加熱工程を行った。
溶媒の蒸発を促進するため、２００℃に至るまでの昇温
勾配は２℃／分とした。
【００３１】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１４ＭＰａであった。昇温速度を下げた結果、比較
例１よりも応力値は小さくなったが、実施例１との比較
では、応力値は＜実施例１＞の約４倍と大きかった。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１４ＭＰａであった。昇温速度を下げた結果、比較
例１よりも応力値は小さくなったが、実施例１との比較
では、応力値は＜実施例１＞の約４倍と大きかった。
【００３２】＜比較例３＞図４（ｂ）の状態から昇温し
て、図３の温度プロファイルで加熱工程を行った。室温
から３５０℃（最高到達温度）まで２℃／分の昇温速度
で加熱した。
て、図３の温度プロファイルで加熱工程を行った。室温
から３５０℃（最高到達温度）まで２℃／分の昇温速度
で加熱した。
【００３３】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１３．７ＭＰａであった。応力値は＜実施例１＞の
約４倍と大きかった。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは１３．７ＭＰａであった。応力値は＜実施例１＞の
約４倍と大きかった。
【００３４】＜比較例４＞図４（ｂ）の状態から昇温し
て、図３に示す温度プロファイルで加熱工程を行った。
すなわち、室温から１００℃まで２℃／分の昇温速度で
加熱し、１００℃から３５０℃まで１℃／分の昇温速度
で加熱した。
て、図３に示す温度プロファイルで加熱工程を行った。
すなわち、室温から１００℃まで２℃／分の昇温速度で
加熱し、１００℃から３５０℃まで１℃／分の昇温速度
で加熱した。
【００３５】得られた試料（ポリイミド膜４）につい
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは９．１ＭＰａであった。
て、＜実施例１＞にて述べた方法により、反り量δを測
定し膜応力σを算出したところ、膜厚８０μｍで膜応力
σは９．１ＭＰａであった。
【００３６】以上示した＜実施例１＞〜＜比較例４＞の
加熱工程により生成したポリイミド膜４の膜厚８０μm
での膜応力σを以下の表にまとめる。
加熱工程により生成したポリイミド膜４の膜厚８０μm
での膜応力σを以下の表にまとめる。
【００３７】
【表１】
【００３８】＜実施例１＞、＜実施例２＞と＜比較例３
＞は、最終加熱温度まで連続的に昇温するという加熱工
程を採用したものであるが、それぞれの昇温速度が異な
っている。昇温速度２℃／分の条件で形成したポリイミ
ド膜（比較例３）の膜応力は、昇温速度１℃／分の条件
で形成したポリイミド膜（実施例１）、昇温速度を０．
７５℃／分の条件で形成したポリイミド膜（実施例２）
の応力の約４倍であり、この比較結果から昇温速度を１
℃／分以下に下げることが応力緩和に効果的であること
がわかる。昇温速度が０．７５℃／分であるポリイミド
膜（実施例２）の応力と、１℃／分であるポリイミド膜
（実施例１）とを比べると、わずかに応力が小さくなる
が顕著な改善は見られない。したがって、工程短縮の点
を考慮すると昇温速度は１℃／分程度が良い。
＞は、最終加熱温度まで連続的に昇温するという加熱工
程を採用したものであるが、それぞれの昇温速度が異な
っている。昇温速度２℃／分の条件で形成したポリイミ
ド膜（比較例３）の膜応力は、昇温速度１℃／分の条件
で形成したポリイミド膜（実施例１）、昇温速度を０．
７５℃／分の条件で形成したポリイミド膜（実施例２）
の応力の約４倍であり、この比較結果から昇温速度を１
℃／分以下に下げることが応力緩和に効果的であること
がわかる。昇温速度が０．７５℃／分であるポリイミド
膜（実施例２）の応力と、１℃／分であるポリイミド膜
（実施例１）とを比べると、わずかに応力が小さくなる
が顕著な改善は見られない。したがって、工程短縮の点
を考慮すると昇温速度は１℃／分程度が良い。
【００３９】また、＜実施例３＞と＜比較例４＞は、昇
温を連続的に行い、途中で昇温速度を変化させた加熱工
程を採用したものである。＜実施例３＞は１００℃以下
の温度領域での昇温速度を１℃／分と低くしており、＜
比較例４＞では１００℃以上の温度領域での昇温速度を
低くしている。＜比較例４＞の加熱の所要時間は、実施
例３より長く、全体としては緩やかに昇温を行っている
ことになるが、膜応力は実施例３の方が小さい。この結
果から、１００℃以下の低温領域での昇温速度を１℃／
分以下に下げることが、応力緩和に効果的であることが
わかる。実施例１の条件を満たすような加熱時間がとれ
ない場合は、１００℃以下の温度域での昇温速度を下げ
ると良い。短いベーク時間で、効果的に応力の緩和を図
ることができる。
温を連続的に行い、途中で昇温速度を変化させた加熱工
程を採用したものである。＜実施例３＞は１００℃以下
の温度領域での昇温速度を１℃／分と低くしており、＜
比較例４＞では１００℃以上の温度領域での昇温速度を
低くしている。＜比較例４＞の加熱の所要時間は、実施
例３より長く、全体としては緩やかに昇温を行っている
ことになるが、膜応力は実施例３の方が小さい。この結
果から、１００℃以下の低温領域での昇温速度を１℃／
分以下に下げることが、応力緩和に効果的であることが
わかる。実施例１の条件を満たすような加熱時間がとれ
ない場合は、１００℃以下の温度域での昇温速度を下げ
ると良い。短いベーク時間で、効果的に応力の緩和を図
ることができる。
【００４０】以上の結果から、ポリアミック酸ワニスの
加熱工程において、少なくとも１００℃に到達するまで
は温度の上昇を１℃／分以下の速度で行うことが必要で
あり、望ましくは全加熱工程において温度の上昇を１℃
／分以下の速度で行うのが良いこことが分かる。
加熱工程において、少なくとも１００℃に到達するまで
は温度の上昇を１℃／分以下の速度で行うことが必要で
あり、望ましくは全加熱工程において温度の上昇を１℃
／分以下の速度で行うのが良いこことが分かる。
【００４１】なお、＜実施例１＞〜＜実施例３＞では最
高到達温度に達するまで一定温度での加熱保持期間を設
けていないが、少なくとも１００℃に達するまでは温度
を上昇させる際の昇温速度を１℃／分以下で行いさえす
れば、加熱保持期間を設けても良い。但し、加熱工程時
間を短縮するためには、＜実施例１＞〜＜実施例３＞の
ように一定温度での加熱保持期間を設けない方が良い。
高到達温度に達するまで一定温度での加熱保持期間を設
けていないが、少なくとも１００℃に達するまでは温度
を上昇させる際の昇温速度を１℃／分以下で行いさえす
れば、加熱保持期間を設けても良い。但し、加熱工程時
間を短縮するためには、＜実施例１＞〜＜実施例３＞の
ように一定温度での加熱保持期間を設けない方が良い。
【００４２】＜実施例１＞〜＜実施例３＞において具体
的に示したように、本実施の形態では少なくとも１００
℃に至るまでの温度変化時における昇温速度を１℃／分
以下にするため、従来に比して膜応力を大幅に低減で
き、基板の反り、基板からの膜の剥離、膜内のクラッ
ク、基板の割れ等を抑制できる。この結果は、本実施の
形態で比較例と比較した膜厚８０μｍの場合以外におい
ても同様であり、特に膜応力が問題となる厚膜（例えば
３０μｍ以上）のポリイミド膜の生成時に効果を発揮す
る。
的に示したように、本実施の形態では少なくとも１００
℃に至るまでの温度変化時における昇温速度を１℃／分
以下にするため、従来に比して膜応力を大幅に低減で
き、基板の反り、基板からの膜の剥離、膜内のクラッ
ク、基板の割れ等を抑制できる。この結果は、本実施の
形態で比較例と比較した膜厚８０μｍの場合以外におい
ても同様であり、特に膜応力が問題となる厚膜（例えば
３０μｍ以上）のポリイミド膜の生成時に効果を発揮す
る。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に形成するポリ
イミド膜の膜応力を低減できる。
イミド膜の膜応力を低減できる。
【図１】本発明の＜実施例１＞〜＜実施例３＞の加熱工
程における温度プロファイルを示す図である。
程における温度プロファイルを示す図である。
【図２】本発明の＜比較例１＞，＜比較例２＞の加熱工
程における温度プロファイルを示す図である。
程における温度プロファイルを示す図である。
【図３】本発明の＜比較例３＞，＜比較例４＞の加熱工
程における温度プロファイルを示す図である。
程における温度プロファイルを示す図である。
【図４】ポリイミド膜の形成方法を説明する工程断面図
である。
である。
１ 基板 ２ ポリアミック酸ワニス ３ ブレード ４ ポリイミド膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にポリアミック酸ワニス塗布し、
この塗膜に加熱工程を施すことによりポリイミド膜を形
成するポリイミド膜の形成方法において、 上記加熱工程において少なくとも温度が１００℃に到達
するまでは、温度変化させる際の昇温速度を１℃／分以
下とすることを特徴とするポリイミド膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のポリイミド膜の形成方
法において、 前記加熱工程における最終加熱温度に到達するまで、温
度変化させる際の昇温速度を１℃／分以下とすることを
特徴とするポリイミド膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のポリイ
ミド膜の形成方法において、 前記加熱工程における最終加熱温度に到達するまで、一
定温度での加熱保持期間を設けないことを特徴とするポ
リイミド膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019833A JP2001210632A (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | ポリイミド膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019833A JP2001210632A (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | ポリイミド膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210632A true JP2001210632A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18546479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019833A Pending JP2001210632A (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | ポリイミド膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210632A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180025177A (ko) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 적외선 히터 |
| KR20180025176A (ko) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법 |
| KR20180110587A (ko) | 2017-03-29 | 2018-10-10 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 가열 방법 |
-
2000
- 2000-01-28 JP JP2000019833A patent/JP2001210632A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180025177A (ko) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 적외선 히터 |
| KR20180025176A (ko) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법 |
| KR20210100054A (ko) | 2016-08-30 | 2021-08-13 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 적외선 히터 |
| KR20220109367A (ko) | 2016-08-30 | 2022-08-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 적외선 히터 |
| KR20180110587A (ko) | 2017-03-29 | 2018-10-10 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 가열 방법 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |