JP2003017402A - 基板の処理方法及び基板の処理システム - Google Patents
基板の処理方法及び基板の処理システムInfo
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Abstract
を用いてウェハの塗布処理を行った場合でも,塗布膜の
膜厚の面内均一性を確保する。 【解決手段】 塗布現像処理システムに,吐出ノズルと
ウェハWを相対的に移動させる移動機構を備えたレジス
ト塗布装置と,ウェハWを所定の溶剤雰囲気に曝す溶剤
雰囲気装置33と,ウェハWを減圧乾燥させる減圧乾燥
装置とを設ける。溶剤雰囲気装置33には,処理室S内
に所定濃度の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給機構11
5を設ける。減圧乾燥装置には,容器内を減圧させる減
圧機構と,減圧時に発生する気流の方向を制御する整流
板とを設ける。いわゆる一筆書きの要領で高粘度のレジ
スト液が塗布されたウェハWを,溶剤雰囲気装置33で
溶剤蒸気に曝し,ウェハWのレジスト膜表層を軟化し
て,減圧乾燥の際に発生する気流によってレジスト膜を
平坦化する。
Description
び基板の処理システムに関する。
する)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工
程では,ウェハ表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜
を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを露光
する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像
処理等が行われ,ウェハに所定の回路パターンが形成さ
れる。
回転されたウェハの中心にレジスト液を吐出して,ウェ
ハ表面にレジスト液を拡散させるスピンコーティング法
が主流をなしている。
コーティング法は,ウェハを高速で回転させるため,ウ
ェハの外縁部から大量のレジスト液が飛散し,無駄にな
るレジスト液が多い。また,レジスト液の飛散により当
該装置が汚染されるため,頻繁に洗浄しなければならな
い等の弊害が生じていた。
ィング法に代えて,レジスト液吐出部の軌跡が振幅の大
きい矩形波状となるように,ウェハとレジスト液吐出ノ
ズルを相対的に移動させながらレジスト液をウェハ上に
吐出させ,その結果,ウェハ上に複数の平行線状に満遍
なく塗布する,いわゆる一筆書きの塗布方法が考えられ
ている。この一筆書きの塗布方法の場合には,塗布後の
レジスト膜の表面がレジスト液の塗布経路に沿って盛り
上がる恐れがあるので,塗布後のウェハ上で広がりやす
い粘性の低いレジスト液を使用し,さらに塗布終了後に
塗布膜を平坦化させることが好ましい。
ずしたがって製品化できない領域であるウェハ外縁部の
エッジカット幅をより小さくすることが望まれており,
いわゆる一筆書き塗布方法についてもエッジカット幅を
小さくする技術の開発が必要になる。エッジカット幅を
小さくするためには,ウェハ外周部のレジスト液が盛り
上がらないように,レジスト液の粘性を上げることが必
要となる。しかし,一筆書き塗布方法の場合にレジスト
液の粘性を上げると,ウェハW上に吐出されたレジスト
液が広がりにくくなり,その後の平坦化処理によっても
均され難いため,レジスト液の塗布経路に沿って膜厚が
厚くなり,レジスト膜の面内均一性が低下される。すな
わち,いわゆる一筆書き塗布方法では,エッジカット幅
の狭小化を図るためのレジスト液の低粘性化とレジスト
膜の面内均一性の維持とが相反する関係にある。
であり,いわゆる一筆書きの要領でウェハ等の基板の塗
布処理を行う場合においても,高粘度の塗布液を使用し
て,エッジカット幅の狭小化を図りつつ,塗布膜の面内
均一性を維持する基板の処理方法及び当該基板の処理方
法が行われる基板の処理システムを提供することをその
目的とする。
ば,基板を処理する処理方法であって,塗布液吐出部と
基板を相対的に移動させながら,前記塗布液吐出部から
基板上に塗布液を吐出し,基板表面に塗布液を塗布する
工程と,その後,当該基板を前記塗布液の溶剤雰囲気に
曝す工程と,その後,基板が収容された容器内を減圧し
て,当該容器内に気流を形成する工程とを有することを
特徴とする基板の処理方法が提供される。
要領で塗布液を塗布した後に,基板を溶剤雰囲気に曝す
ことによって,溶剤が塗布液表面に付着し,塗布液表面
の粘性を低下させることができる。その後,基板が収容
されている容器内を減圧して,当該容器内に気流を形成
することによって,粘性の低下した基板表面が均され,
平坦化される。また同時に前記気流により前記溶剤が蒸
発し,基板が乾燥される。これによって,高粘度の塗布
液を用いて塗布液が塗布された場合においても,塗布膜
の膜厚の面内均一性が維持できる。したがって,いわゆ
る一筆書きの要領で塗布液を塗布する場合でも,高粘度
の塗布液を使用することが可能となり,エッジカット幅
の狭小化を図ることができる。
に曝すことに代えて基板が収容されている容器内を加圧
するうようにしている。かかる加圧によって,基板表面
の塗布液の揮発を抑え,塗布液をなじませることがで
き,これによってその後の減圧による乾燥の際の平坦化
が向上する。
初めとして,各種の不活性ガスを前記容器内に供給する
ことが提案できる。加圧時には基板の温度を上昇させ,
減圧時には基板の温度を下げるようにしてもよい。
処理システムであって,基板に塗布液を塗布する塗布装
置と,基板を前記塗布液の溶剤雰囲気に曝す溶剤雰囲気
装置と,前記基板を減圧して乾燥させる減圧乾燥装置と
を有し,前記塗布装置は,基板に塗布液を吐出する塗布
液吐出部と,当該塗布液吐出部と基板とを相対的に移動
させる移動機構とを有し,前記溶剤雰囲気装置は,基板
を所定の雰囲気に保持するためのチャンバーと,供給管
を通じて前記チャンバー内に所定濃度の前記塗布液の溶
剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給機構とを有し,前記減圧
乾燥装置は,前記容器内を減圧する減圧機構を有するこ
とを特徴とする基板の処理システムが提供される。
布方法を実施できる塗布装置と,基板を溶剤雰囲気に曝
すことのできる溶剤雰囲気装置と,基板を減圧して乾燥
できる減圧乾燥装置とを有することによって,上述の請
求項1に記載した基板の処理方法を好適に実施すること
ができる。したがって,いわゆる一筆書きの要領で塗布
液を塗布した場合に,粘性の高い塗布液を使用して,エ
ッジカット幅を小さくしつつ,塗布膜の基板面内の均一
性を維持することができる。
処理システムであって,基板に塗布液を塗布する塗布装
置と,基板を前記塗布液の溶剤雰囲気に曝し,その後基
板を減圧して乾燥させる溶剤雰囲気装置とを有し,前記
塗布装置は,基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部と,
当該塗布液吐出部と基板とを相対的に移動させる移動機
構とを有し,前記溶剤雰囲気装置は,基板を収容し,当
該基板を気密に閉鎖可能な容器と,供給管を通じて前記
容器内に所定濃度の前記塗布液の溶剤蒸気を供給する溶
剤蒸気供給機構と,前記容器内を減圧する減圧機構とを
有することを特徴とする基板の処理システムが提供され
る。
たいわゆる一筆書き塗布方法で塗布液を塗布する塗布装
置と,基板を溶剤雰囲気に曝し,さらに基板を減圧して
乾燥させる減圧乾燥装置を有することによって,上述の
請求項1に記載した基板の処理方法を好適に実施するこ
とができる。したがって,高粘度の塗布液を用いてエッ
ジカット幅の狭小化を図りながら,基板上に形成される
塗布膜の面内均一性を維持することができる。また,請
求項2に比べ,基板を溶剤雰囲気に曝す工程と,基板を
減圧して乾燥させる工程とを同じ減圧乾燥装置内で行う
ことができるので,基板の搬送時間を無くすことができ
る。また,その分処理システム内に多くの処理装置を搭
載することができるので,処理システムの処理能力が向
上される。
する排気管と,当該排気管からの排気によって生じる気
流の方向を制御する整流板とが設けられていてもよい。
このように,整流板を設けることによって,減圧によっ
て生じる気流の方向を制御し,基板上の塗布液の表層を
好適に平坦化することができる。また,整流板によっ
て,基板上の気流速度を平均化し,塗布液内の溶剤を均
一に蒸発させることができる。これによって,基板上に
均一な膜厚を有する塗布膜が形成れる。
板に対して平行であってもよい。整流板の基板に対向す
る面を当該基板に平行にすることによって,減圧時の気
流が基板に対して平行に流れ,基板上の塗布液の表層を
好適に平坦化すると共に,基板面内で均一に溶剤を蒸発
させることができる。
に移動させる昇降機構を有していてもよい。これによっ
て,整流板と基板との距離を調節することができる。例
えば,同じ装置内で基板を溶剤雰囲気に曝し,その後減
圧させるような場合には,初め容器内の基板近辺を溶剤
雰囲気にするために整流板と基板とを遠ざけて,基板上
に広い空間を形成して溶剤蒸気を容器内に流入し易くす
ることができる。また,減圧する場合には,整流板を近
づけて,基板上の空間を狭めることによって基板表面の
気流の流速を増大し,効率的に基板を平坦化させ,溶剤
を蒸発させることができる。
板の温度を調節する温度調節装置を有するようにしても
よい。この温度調節装置によって,整流板の温度を適宜
調節し,減圧によって容器内の溶剤蒸気等が整流板に結
露することが抑制される。
基板の中央部に対向する部分と前記基板の外縁部に対向
する部分を異なった温度に調節可能になっていてもよ
い。これによって,溶剤蒸気が結露し易い部分とそうで
ない部分の温度を変え,溶剤蒸気等の結露をより効果的
に抑制することができる。かかる場合,外縁部に対向す
る部分に近づくほど,次第に温度が高くなるように調節
可能とすることが好ましい。
記所定濃度の溶剤蒸気の温度を制御する温度制御装置を
設けるようにしてもよい。これによって,所定の温度に
調節された溶剤蒸気を,例えばチャンバー内に供給し,
基板を所定温度の雰囲気に置くことができる。したがっ
て,塗布膜の膜厚に影響を与える基板周辺の雰囲気温度
を厳格に制御することができる。
剤蒸気の濃度を制御可能な制御部を有していてもよい。
このように,前記溶剤蒸気の濃度を制御可能にすること
によって,基板上に塗布された塗布液の表面の粘性を下
げるに最も適した濃度に溶剤蒸気を調節することができ
る。
記塗布液の溶剤蒸気を流入させるための溶剤蒸気供給管
と,前記供給管に前記溶剤蒸気のキャリアガスを流入さ
せるためのガス供給管とを有し,前記溶剤蒸気供給管及
びガス供給管には,流量を調節する調節弁がそれぞれ設
けられており,前記調節弁は,前記制御部によって制御
可能に構成されていてもよい。このように,溶剤蒸気供
給管とガス供給管を別々に設け,それぞれの供給管に流
量を調節する調節弁を設け,さらに調節弁の開閉度を前
記制御部によって制御することによって,溶剤蒸気とキ
ャリアガスとの混合比率を制御できるので,例えばチャ
ンバー内に供給される溶剤蒸気の濃度を調節することが
できる。これによって,基板表面の塗布液の粘性を下げ
るのに最も適した濃度の溶剤雰囲気に基板を置くことが
できる。
態について説明する。図1は,本発明にかかる基板の処
理システムとしての塗布現像処理システム1の構成の概
略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム
1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の
背面図である。
ように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部
から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カ
セットCに対してウェハWを搬入出したりするカセット
ステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所
定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ス
テーション3と,この処理ステーション3に隣接して設
けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受
け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した
構成を有している。
るカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセット
CをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)と
カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z
方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が
搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセッ
トCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置群G3に属するエクステンション装置32に対し
てもアクセスできるように構成されている。
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム1においては,
4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第
1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム
1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセッ
トステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置
群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置13は,これらの処理装置群G1,G3,G4,
G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,
ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や
配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異な
り,処理装置群の数は,1つ以上であれば4つで無くて
もよい。
すように,上述したいわゆる一筆書きの要領でウェハW
に塗布液としてのレジスト液を塗布するレジスト塗布装
置17と,露光後にウェハWを現像処理する現像処理装
置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置
群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処
理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置3
0,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置31,ウェハWの受け渡しを行うため
のエクステンション装置32,ウェハWを所定濃度の溶
剤雰囲気に曝す溶剤雰囲気装置33,34及びウェハW
を減圧して乾燥させる減圧乾燥装置35,36が下から
順に例えば7段に重ねられている。
グ装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置41,エクステンション装
置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置44,45,現
像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置46,
47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50は
X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移
動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在
にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置41,エクス
テンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない
露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハW
を搬送できるように構成されている。
について説明する。図4は,レジスト塗布装置17の構
成を示す縦断面の説明図であり,図5は,レジスト塗布
装置17の構成を示す横断面の説明図である。
には,図4,図5に示すように,X方向(図5中の上下
方向)に長く上面が開口した略箱形の外容器61が設け
られている。外容器61内には,上面が開口した略箱状
の形態を有し,その中でウェハWの塗布処理が行われる
内容器62が設けられている。
ル63上を移動自在に設けられており,内容器62の下
部には,内容器62の移動を制御するモータ等を備えた
内容器駆動部64が設けられている。これによって,ウ
ェハWを内容器62に搬入,搬出する場合には,内容器
62が外容器61のX方向正方向側(図5中の上方)の
搬送部Lに移動し,ウェハWを塗布処理する場合には,
X方向負方向側(図5中の下方)の処理部Rに移動する
ことができる。また,ウェハWに対してレジスト液を塗
布する際にも,内容器62を所定のタイミングで所定の
距離だけX方向に移動させることが可能となり,請求項
2に記載の移動機構の要素となる。
持する保持台65が設けられている。保持台65の下方
には,当該保持台65を回転可能とするモータ等を備え
た回転駆動機構66が設けられている。これによって,
保持台65に保持されたウェハWを回転させ,アライメ
ントを行うことができる。保持台65には,例えば超音
波振動子67が取り付けられており,保持台65を高周
波数で振動させることができる。また,内容器62の底
部には,内容器62内を所定濃度の溶剤雰囲気に維持す
るための溶剤を貯留する溶剤槽68が設けられている。
ように排気口69が設けられており,排気口69から内
容器62内の雰囲気を排気することによって,ウェハW
周辺の雰囲気を所定の溶剤濃度に維持できるようになっ
ている。
(図5中の左方向)の図示しない洗浄部には,塗布時に
ウェハW上を覆いウェハWの塗布範囲を限定するマスク
部材70が待機されている。マスク部材70は,その中
央部に塗布範囲に対応した開口部70aを有している。
開口部70aは,例えば円形状に形成されており,ウェ
ハWの直径よりもわずかに小さい直径を有している。
よって内容器62内のウェハW上方に移動可能に構成さ
れている。内容器62の内側壁には,マスク部材70を
ウェハW上方で支持するマスク支持部材71が設けられ
ている。したがって,初めマスク部材70を外容器61
のY方向負方向側(図5中の左方向)の洗浄部に待機さ
せておき,ウェハWを有する内容器62が処理部Rに移
動した後に,前記図示しない搬送機構により,マスク部
材70を内容器62内のマスク支持部材71上に移動さ
せることができる。
理部R側の上面を覆う蓋80が固定して取り付けられて
いる。これによって,内容器62が処理部R側に移動し
たときに,その上方が蓋80で覆われるため,内容器6
2内の雰囲気を維持し易くなっている。蓋80には,温
度調節可能なヒータ81が内蔵されており,前記溶剤タ
ンク68内の溶剤が蓋80下面に結露することを防止し
ている。また,蓋80には,X方向に伸びるスリット8
0aが設けられている。これによって,後述する塗布液
吐出部としての吐出ノズル85が当該スリット80a内
を移動し,蓋80上方からウェハWに向かってレジスト
液を吐出できるようになっている。
ル85は,図6に示すノズル移動機構90によってウェ
ハW上方をY方向に移動自在に構成されている。ノズル
移動機構90は,吐出ノズル85を固定するホルダ91
を有し,当該ホルダ91は,スライダ92に取り付けら
れている。スライダ92は,Y方向に伸びる駆動ベルト
93の一部に固定されて設けられている。また,駆動ベ
ルト93は,蓋80上に設置されたベースプレート94
上に設けられた駆動プーリ95と従動プーリ96間に掛
けられている。駆動プーリ95は,回転駆動モータ97
によって正転・反転される。かかる構成から,回転駆動
モータ97によって駆動プーリ95が回転され,駆動ベ
ルト93が移動し,スライダ92がY方向にスライドし
て,吐出ノズル85が蓋80のスリット80a内を往復
移動することができる。
2の移動時にスライダ92の揺れを抑制するガイド軸9
8a,98bを有する。ガイド軸98a,98bは,駆
動ベルト93の上下に平行に設けられており,スライダ
92内を貫通し,駆動プーリ95,従動プーリ96のブ
ラケット99及び100に連結されている。スライダ9
2とガイド軸98a,99bとの接触面には,エアが供
給できる図示しない隙間が設けられており,当該隙間に
エアを供給することによって,スライダ92とガイド軸
98a,98bとの接触抵抗を低減し,スライダ92が
滑らかにスライドされるようになっている。
ト93には,スライダ92と重量的にバランスの取れた
バランスウェイト101が設けられており,スライダ9
2の移動時に発生する揺れを最小限に抑制できるように
なっている。
ル85をY方向に移動させながら,ウェハW上にレジス
ト液を吐出し,さらに内容器62がY方向に間欠的に移
動させることにより,いわゆる一筆書きの要領でウェハ
W全面にレジスト液を塗布することができる。なお,こ
の本実施の形態では,請求項3で記載されたウェハWと
吐出ノズル85を相対的に移動させる移動機構は,内容
器駆動部64とノズル移動機構90によって構成されて
いる。
て説明する。図7は,溶剤雰囲気装置33の構成の概略
を示す縦断面の説明図である。
内に上側に位置して上下動自在な蓋体110と,下側に
位置してウェハWを載置するための載置台111とを有
している。蓋体110は,上面が閉口し下面が開口した
略筒状の形態を有し,載置台111は,厚みのある略円
盤状の形態を有している。また,載置台111の外形
は,蓋体110の外形よりも大きく形成されており,蓋
体110が下降した時に,蓋体110と載置台111と
が一体となって,ウェハWを所定の雰囲気に保持可能な
チャンバーとしての処理室Sを形成できるようになって
いる。なお,蓋体110の下端部に,処理室S内の雰囲
気を厳密に制御するためにOリング等を設けてもよい。
また,蓋体110は,シリンダ等を備えた図示しない蓋
体昇降機構によって上下動可能である。
の雰囲気を排気するための排気管112が設けられてい
る。排気管112は,例えば吸引ポンプ113に接続さ
れており,この吸引ポンプ113の稼動によって,後述
するように処理室S内に充満している溶剤雰囲気を排気
し,処理室S内をパージできるようになっている。
突出自在で,ウェハWを昇降可能な昇降ピン114が設
けられている。これによって,ウェハWが載置台111
上に載置自在となっている。
に所定濃度のレジスト液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気
供給機構115を有している。以下,溶剤蒸気供給機構
115について説明する。
の上面に複数の供給口116を形成し,処理室Sに連通
する供給管117を有している。
7内を流れる所定濃度の溶剤蒸気を所定温度に制御する
温度制御装置118が設けられている。温度制御装置1
18は,例えば供給管117の外周を覆い,温度調節さ
れた熱交換流体を流通可能な管路119と,当該管路1
19に温度調節された熱交換流体,例えば恒温水を供給
する供給部120とを有している。これによって,供給
部120から所定温度の熱交換流体を管路119内に供
給し,管路119から供給管117に熱を伝導させるこ
とによって,供給管117内を通過する溶剤蒸気を所定
温度に温度制御できるようになっている。
の溶剤蒸気を供給管117に供給する溶剤蒸気供給管1
21と当該溶剤蒸気のキャリアガスとなる,例えば窒素
ガスを供給するガス供給管122とに分岐されている。
供給管121内を流れる溶剤蒸気の流量を調節する第1
調節弁123が設けられている。ガス供給管122に
も,キャリアガスの流量を調節する第2調節弁124が
設けられている。これによって,供給管117に流入す
る溶剤蒸気とキャリアガスとの混合比率が調節され,処
理室S内に供給される溶剤蒸気が所定の濃度に調節され
る。第1調節弁123と第2調節弁124は,その開閉
度を制御部125によって制御されており,溶剤蒸気が
設定濃度になるように制御される。
るタンク126の上部に連通されており,当該タンク1
26には,液化された溶剤が貯留されている。タンク1
26の上部には,タンク126内の気相領域に気体,例
えば窒素ガス,不活性気体を供給する気体供給管127
が設けられている。かかる気体供給管127からの気体
の供給によって,タンク126内で蒸発した溶剤蒸気が
圧送され,タンク126から溶剤蒸気供給管121内に
溶剤蒸気が流れるようになっている。また,ガス供給管
122は,キャリアガスの供給源となる,例えば高圧の
ガスタンク128に連通されている。
剤蒸気供給管121,ガス供給管122,第1調節弁1
23,第2調節弁124,制御部125,タンク126
及びガスタンク128によって,請求項2,10及び1
1に記載の溶剤蒸気供給機構115が構成されている。
説明する。減圧乾燥装置35は,図8に示すように例え
ば上下動自在で,下面が開口した略筒状の蓋体130
と,蓋体130の下方に位置し,ウェハWを載置するた
めの載置部131とを有している。載置部131は,厚
みのある略円盤状に形成されている。蓋体130の外形
は,載置部131の外形よりも小さく形成されており,
蓋体130が下降することによって,蓋体130の下端
部と載置部131とが密着し,ウェハWを収容する容器
132が形成されるようになっている。蓋体130の下
端部には,容器132内を気密にするためのOリング1
30aが外側と内側に2重に設けられており,容器13
2内は,減圧室Gとして用いられる。なお,蓋体130
は,例えばモータ等を内蔵した蓋体駆動機構(図示を省
略)によって上下に移動自在である。
を減圧するための減圧機構133を有している。減圧機
構133は,容器132内の雰囲気を排気するための排
気管134と,当該排気管134に通じて容器132内
の雰囲気を所定の圧力で吸引する真空ポンプ135と,
当該真空ポンプ135を制御するポンプ制御部136と
を有している。排気管134は,蓋体130の上面中央
部に取り付けられている。これによって,ポンプ制御部
136で吸引圧力が制御された真空ポンプ135が作動
することによって,容器132内の雰囲気を吸引して容
器132内を減圧し,容器132内に気流を発生させる
ことができる。
4を介して容器132内に気体を供給する供給部137
が接続されている。これによって,減圧乾燥処理後に容
器132内に気体を供給し,減圧状態を回復させたり,
容器132内の雰囲気をパージしたりすることができ
る。
の上方には,減圧時に発生する気流の方向を制御するた
めの整流板139が設けられている。整流板139は,
例えば薄い円盤状の形状を有し,ウェハWに対向する面
がウェハWに対して平行になるように形成されている。
動可能とする昇降機構140を有している。昇降機構1
40は,例えばシリンダ等の駆動部141と,当該駆動
部141の駆動を制御する昇降制御部142とを有して
いる。これによって,所定のタイミングで整流板139
を上下に移動させ,整流板139とウェハWとの距離を
調節できるようになっている。
突出自在で,ウェハWを昇降可能な昇降ピン143が設
けられている。これによって,ウェハWが載置部131
上に載置自在となっている。
像処理システム1で行われるウェハ処理のプロセスにつ
いて説明する。
処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に
属するエクステンション装置32に搬送する。次いでウ
ェハWは,主搬送装置13によってアドヒージョン装置
31に搬入され,ウェハW上にレジスト液の密着性を向
上させる,例えばHMDSが塗布される。次にウェハWは,
クーリング装置30に搬送され,所定の温度に冷却され
る。そして,所定温度に冷却されたウェハWは,主搬送
装置13によってレジスト塗布装置17又は19に搬送
される。
いて詳しく説明すると,先ず,ウェハWが主搬送装置1
3によってレジスト塗布装置17のケーシング60内に
搬入される。このとき内容器62は予め搬送部Lで待機
しており,ウェハWは,主搬送装置13により直接保持
台65に載置され,吸着保持される。ここで,回転駆動
機構66によって,図示しないアライメント機構により
ウェハWのノッチ又はオリフラを検出し,ウェハWは所
定の位置に位置決めされる。次に,内容器駆動部64に
よって内容器62が処理部Rに移動される。その後,図
示しない洗浄部に待機されていたマスク部材70が外容
器61外から内容器62内に搬送され,マスク支持部材
71上に載置される。
気を排気し,内容器62内を所定の溶剤雰囲気に維持す
る。そして,吐出ノズル85がノズル移動機構90によ
って,ウェハW上の所定位置,すなわち塗布が開始され
るSTART位置まで移動され,いわゆる一筆書きの要
領のレジスト液の塗布が行われる。なお,レジスト液に
は,エッジカット幅を小さくするために粘度の高い,例
えば0.005〜0.030Pa・sのものが用いられ
る。
する。例えば,図9に示すように,先ず吐出ノズル85
が,START位置からY方向正方向(図9の右方向)
に所定の速度で移動しながら,レジスト液をウェハW上
に吐出する。そして,吐出ノズル85は,ウェハWの直
径分よりも長い距離,すなわちウェハW端部より外側に
出た位置まで進み,マスク部材70上で一旦停止する。
このときもレジスト液は吐出され続け,このウェハW以
外の場所に吐出されたレジスト液はマスク部材70によ
り受け止められ排液される。そして,内容器駆動部64
により内容器62がX方向に所定距離ずらされ,ウェハ
WもX方向にずらされる。その後,吐出ノズル85は,
折り返して,引き続きレジスト液を塗布しながら,Y方
向負方向に移動し,ウェハW外方まで進んで停止する。
そして,ウェハWが所定距離X方向にずらされ,再び吐
出ノズル85は,折り返しウェハW上にレジスト液を塗
布する。
が,図9に示すEND位置まで来たところで吐出を停止
し,塗布が終了する。これによって,吐出ノズル85の
軌跡は図9に示した通りになり,ウェハWの全面にいわ
ゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布される。
保持台65に取り付けられている高周波振動子67によ
り,ウェハWが振動し,ウェハW上のレジスト液が均さ
れ平坦化され,ウェハW上にレジスト膜Rが形成され
る。しかし,本実施の形態では,粘性の高いレジスト液
が使用されているため,図10に示すように,レジスト
液が十分に均されず,レジスト膜Rの表面に凹凸が現れ
る。
材70が図示しない搬送機構により,外容器61内から
搬出され,その後,内容器62が内容器駆動部64によ
り,搬送部Lに移動される。そして,主搬送装置13に
より,ウェハWがケーシング60内から搬出され,溶剤
雰囲気装置33に搬送される。
明する。レジスト膜Rが形成されたウェハWが主搬送装
置13によってケーシング33a内に搬入される。この
とき蓋体110は,図示しない蓋体昇降機構によって上
昇しており,ウェハWは,予め上昇して待機していた昇
降ピン114に受け渡される。そして,ウェハWは,載
置台111上に載置され,蓋体110が下降して処理室
Sが形成される。
処理室S内に所定濃度の溶剤蒸気が供給され始める。こ
のとき,第1調節弁123と第2調節弁124が,制御
部125によって制御された開閉度でそれぞれ開放さ
れ,高圧のタンク126から溶剤蒸気供給管121に溶
剤蒸気が,高圧のガスタンク128からガス供給管12
2に窒素ガスが,それぞれ所定の流量で供給される。
とガス供給管122の窒素ガスとが,供給管117で所
定の混合比率で混合され,所定濃度,例えば10%の濃
度の溶剤蒸気となって,処理室S内に供給される。この
際,供給管117において,温度制御装置118によっ
て,所定の温度,例えば常温に制御される。これによっ
て,処理室S内が常温で10%の濃度の溶剤雰囲気に置
換される。そして,この溶剤雰囲気内にウェハWが所定
時間,例えば1分間曝される。このとき,図11に示す
レジスト膜Rの表面に溶剤蒸気が接触し,レジスト膜R
の表面の粘性が低下し,柔らかくなる。
及び第2調節弁124が閉鎖され,溶剤蒸気の供給が停
止される。そして,吸引ポンプ113が稼動され,処理
室S内の溶剤蒸気が排気管112から排気される。次
に,蓋体110が再び上昇し,処理室Sが開放される。
そして,ウェハWが昇降ピン114によって上昇し,主
搬送装置13に受け渡され,溶剤雰囲気装置33外に搬
出される。続いてウェハWは,減圧乾燥処理が行われる
減圧乾燥装置35に搬送される。
説明する。先ず,溶剤雰囲気装置33においてレジスト
膜Rの表面が柔らかくされたウェハWが,減圧乾燥装置
35内に搬入される。このとき,蓋体130は,図示し
ない蓋体駆動機構によって上昇しており,ウェハWは,
載置部131上で予め上昇して待機していた昇降ピン1
43に受け渡される。そして,昇降ピン143が下降
し,ウェハWが載置部131上に載置される。
の下端部が載置部131の上面に密着して,容器132
及び減圧室Gが形成される。このとき昇降機構140に
よって整流板139が下降され,整流板139がウェハ
W表面に近づけられる。
が作動され,減圧室Gの雰囲気が所定の圧力,例えば
0.013KPaで吸引され始める。これに伴い減圧室
Gに気流が発生し,図12に示すようにウェハW上面
に,ウェハWの中心部から外縁部に向けて強い気流が発
生する。これによって,ウェハW表面のレジスト膜Rの
表層が均され,平坦化される。また,当該減圧によって
レジスト膜R内の溶剤が蒸発し,レジスト膜Rが乾燥さ
れる。
た後,真空ポンプ135が停止され,減圧室Gの減圧が
終了する。次いで,供給部137から排気管134を介
して,例えば窒素ガスが減圧室Gに供給され,減圧室G
の圧力が回復される。その後,減圧室Gが大気圧にまで
回復されると,窒素ガスの供給が停止され,次いで蓋体
130が上昇され,減圧室Gが開放される。そして,搬
入時と同様にして,ウェハWが昇降ピン143から主搬
送装置13に受け渡され,減圧乾燥装置35から搬出さ
れる。
ステンション・クーリング装置41に搬送され,次いで
ウェハ搬送体50によって,周辺露光装置51,露光装
置(図示せず)に順次搬送される。露光処理の終了した
ウェハWは,ウェハ搬送体50によってエクステンショ
ン装置42に搬送され,次いで主搬送装置13によっ
て,ポストエクスポージャーベーキング装置44又は4
5,クーリング装置40に順次搬送され,各処理装置で
所定の処理が施された後,現像処理装置18又は20に
搬送される。
搬送装置13によってポストベーキング装置46又は4
7,クーリング装置43と順次搬送され,各処理装置に
おいて所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エ
クステンション装置32を介して,ウェハ搬送体7によ
ってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が
終了する。
システム1に,いわゆる一筆書きの要領でレジスト液を
塗布するレジスト塗布装置17と,ウェハWを所定濃度
の溶剤雰囲気に曝す溶剤雰囲気装置33と,ウェハWを
減圧乾燥する減圧乾燥装置35とを設けたので,いわゆ
る一筆書きの要領でレジスト液を塗布した後に,ウェハ
Wを溶剤蒸気に曝し,レジスト膜Rの表面の粘性を低下
させることができる。そして,当該レジスト膜Rの表面
の粘性が低下されたウェハWを減圧乾燥処理し,レジス
ト膜Rの表面を平坦化することができる。これによっ
て,エッジカット幅を小さくできる比較的粘性の高いレ
ジスト液を使用した場合においても,所定の膜厚を有す
る均一なレジスト膜Rを形成することができる。
15に,第1調節弁123と第2調節弁124の開閉度
を調節して溶剤蒸気の濃度を制御する制御部125を設
けたので,処理室S内に適切な濃度の溶剤蒸気が供給さ
れ,ウェハW上のレジスト膜Rに適量の溶剤蒸気を供給
することができる。これによって,ウェハW上のレジス
ト膜Rの表面のみを適切に軟化させることができる。ま
た,供給管117に温度制御装置118を設けたので,
溶剤の蒸発量に影響を与える処理室S内の温度を適温に
維持することができ,安定した処理を行うことができ
る。
たので,ウェハW表面に対して平行な気流が形成され,
ウェハW上のレジスト膜Rの平坦化をより効果的に行う
ことができる。また,整流板139を上下に移動させる
昇降機構140を設けたので,減圧乾燥処理時に整流板
139をウェハWに近づけて,ウェハW上に形成される
気流の流速を増大させることができる。これによって,
より確実にレジスト膜Rの平坦化が図られる。
溶剤雰囲気に曝す処理と減圧乾燥する処理を溶剤雰囲気
装置33と減圧乾燥装置35との2つの装置を用いて行
っていたが,かかる双方の処理を両方とも行える装置を
用いて行ってもよい。具体的には,減圧乾燥装置35に
溶剤雰囲気装置33の溶剤供給機能を取り付けることが
提案される。以下,かかる場合を第2の実施の形態とし
て説明する。
すように減圧乾燥装置150に,第1の実施の形態と同
様の構成を有する溶剤蒸気供給機構151を取り付け
る。すなわち,減圧乾燥装置150には,容器132内
に所定濃度の溶剤蒸気を供給する供給管152が設けら
れている。当該供給管152は,載置部131の上面に
複数の供給口153を有しており,載置部131上面か
ら上方に向けて所定濃度の溶剤蒸気が噴出されるように
なっている。
ら供給管152に溶剤蒸気を流入させる溶剤蒸気供給管
154と,キャリアガス供給源から供給管152にキャ
リアガスを流入させるガス供給管155とが接続されて
いる。溶剤蒸気供給管154には,第1調節弁156が
設けられており,ガス供給管155には,第2調節弁1
57が設けられている。また,これらの第1調節弁15
6と第2調節弁157は,制御部158によってその開
閉度が制御されるようになっている。
159が設けられており,タンク159には,タンク1
59内の溶剤蒸気を溶剤蒸気供給管154に圧送するた
めの気体供給管160が設けられている。キャリアガス
の供給源には,例えばガスタンク161が設けられてい
る。また,供給管152には,供給管152内を通る溶
剤の温度を制御する温度制御装置162が設けられてい
る。温度制御装置162は,例えば供給管152を覆
い,熱交換流体,例えば恒温水を流通可能な管路163
と,熱交換流体の温度を調節して管路163内に供給す
る供給部164とで構成されている。
は,第1の実施の形態で記載した減圧乾燥装置35の構
成と同じである。
り付けた減圧乾燥装置150の作用を説明する。先ず,
第1の実施の形態で記載したようにいわゆる一筆書きの
要領でレジスト液が塗布されたウェハWが,主搬送装置
13によって減圧乾燥装置150に搬入される。そし
て,ウェハWが昇降ピン114によって載置部131に
載置されると,蓋体130が下降し,蓋体130と載置
部131とが一体となって容器132が形成され,容器
132内に減圧室Gが形成される。
9が上昇され,溶剤蒸気が流入しやすいようにウェハW
上に広い空間を形成する。そして,溶剤蒸気供給機構1
51が稼動され,容器132内に溶剤蒸気が供給され始
める。このとき,制御部158によって第1調節弁15
6と第2調節弁157が制御され,所定濃度,例えば1
0%の濃度の溶剤蒸気が供給される。また,当該溶剤蒸
気は,温度制御装置162によって所定温度,例えば常
温に制御される。
132内が充満され,ウェハWが所定時間,例えば1分
間溶剤雰囲気に曝される。そして,1分経過後に溶剤蒸
気供給機構151が停止され,溶剤蒸気の供給が終了す
る。かかる処理によって,ウェハW上のレジスト膜Rの
表面に適量の溶剤蒸気が付着し,粘性が低下する。
9が下降され,ウェハW表面に近づけられる。続いて,
第1の実施の形態と同様に,真空ポンプ135が作動さ
れ,減圧室Gの雰囲気が所定の圧力,例えば0.013
KPaで吸引され始める。これに伴って減圧室Gに気流
が発生し,ウェハW上面にも,ウェハWの中心部から外
縁部に向けて強い気流が発生する。これによって,ウェ
ハW上のレジスト膜Rの表面が平坦化される。また,同
時にレジスト膜R内の溶剤が蒸発され,レジスト膜Rが
乾燥される。
空ポンプ135が停止され,減圧室Gの減圧が終了す
る。次いで,供給部137から減圧室Gに,例えば窒素
ガスが供給され,容器132内の圧力が回復される。そ
の後,減圧室Gの圧力が大気圧にまで回復されると,窒
素ガスの供給が停止され,次いで蓋体130が上昇さ
れ,減圧室Gが開放される。そして,ウェハWは,昇降
ピン114から主搬送装置13に受け渡され,減圧乾燥
装置150から搬出される。
を溶剤雰囲気に曝す工程と,ウェハWを減圧乾燥する工
程とを一つの処理装置で行うことができるので,かかる
処理時間が短縮される。また,かかる工程に必要な処理
装置の数を少なくすることができるので,塗布現像処理
システム1内により多くの処理装置を搭載し,処理能力
を向上させることができる。
に温度調節機能を設けるようにしてもよい。例えば図1
4に示すように整流板139に,円盤状の整流板139
内を通過する循環管路170と,循環管路170に熱交
換流体を供給する供給部171と,熱交換流体の温度を
調節する調節部172とを有する温度調節装置173を
設ける。循環管路170は,整流板139の温度が斑な
く調節されるように,例えば整流板139の一端部から
進入して,整流板139内を蛇行して進み,整流板13
9の他端部に貫通するように設けられる。そして,例え
ば減圧乾燥装置150において,ウェハWが減圧乾燥処
理される際に,整流板139の温度を上昇させるように
する。これによって,蒸発された溶剤が整流板139に
接触して結露することが防止できる。
は,整流板139面内において均一な温度に昇温可能で
あったが,整流板139におけるウェハWの中心部に対
向する部分とウェハWの外縁部に対向する部分とを異な
った温度に昇温できるようにしてもよい。このような場
合,例えば図15に示すように,整流板139に,2つ
の別個の温度調節装置180及び181を設ける。温度
調節装置180は,整流板139の中心部を環状に通過
する循環管路183と,循環管路183に熱交換流体を
供給する供給部184と,当該熱交換流体の温度を調節
する調節部185とを有する。また,温度調節装置18
1は,整流板139の外縁部を環状に通過する循環管路
186と,温度調節装置180と同じ供給部187及び
調節部188とを有する。
温度調節装置180の設定温度よりも高く設定し,整流
板139の外縁部の温度を整流板139の中心部の温度
よりも高くする。これによって,蒸発した溶剤が接触し
やすい整流板139の外縁部において,溶剤の結露を効
果的に防止できる。
ンク126の上部に気体供給管127を設け,タンク1
26内の気相部に気体を供給して,タンク126内の溶
剤蒸気を溶剤蒸気供給管121に圧送していたが,他の
方法で溶剤供給を行ってもよい。
の底部には,例えば多孔質の部材からなる気泡発生部材
191を設け,当該気泡発生部材191に所定の気体,
例えば窒素ガスを供給する継手192を設ける。そし
て,継手192から窒素ガスが気泡発生部材191に供
給されると,細かい窒素ガスの気泡が液体溶剤内に発生
し,当該液体溶剤が気泡内に溶解する。そして,溶剤が
溶解した気泡がタンク190上部に浮上し,タンク19
0上部に集まった気泡からなる溶剤蒸気が溶剤蒸気供給
管153に供給される。これによって,窒素ガスをタン
クの上部に供給する場合に比べて窒素ガスと液体溶剤と
の接触面積が増大されるため,より多くの溶剤蒸気を効
率よく供給することができる。さらに,図17に示すよ
うにタンク190に加熱部材195を設け,液体溶剤の
気泡への溶解を促進させるようにしてもよい。
機能を有する整流板139に代えて,図18に示した整
流板201を使用してもよい。この整流板201内に
は,同心円状に,例えば温度調節用のヒータ202,2
03,204,205が設けられている。各ヒータ20
2,203,204,205は,制御装置206によっ
て各々独立して制御される。
ば,図19に示したように,ウエハW中央部に対向する
部分と,ウエハWの外縁部に対向する部分を異なった温
度に調節することが可能であって,かつ外縁部に対向す
る部分に近づくほど,次第に温度が高くなるように調節
することができる。それによってウエハWの周縁部のレ
ジスト膜からの蒸発を多くして全体としてウエハW上の
レジスト膜を均一にすることができる。ヒータ202,
203,204,205には制御が容易なペルチェ素子
を使用してもよい。
レジスト液を塗布した後,レジスト液の溶剤雰囲気に曝
し,その後ウエハWを減圧乾燥するようにしていたが,
当該溶剤雰囲気に曝すことに代えて,容器内で一旦加圧
するようにしてもよい。
るための減圧乾燥装置211が描かれている。この減圧
乾燥装置211は,供給管152を通じて容器132内
に不活性ガス,例えば窒素ガスを供給するガス供給源2
12,流量をコントロールするマスフローコントローラ
213,バルブ214を備えている。
ついて説明すると,ウエハW表面にレジスト液を塗布し
た後,そのウエハWを容器132内に搬入した後,容器
132内に窒素ガスを供給して容器132内を加圧す
る。例えば2気圧程度に加圧する。加圧の程度は,マス
フローコントローラ213と真空ポンプ135の制御に
よって任意な値に実現できる。
閉鎖して,容器132内を減圧してウエハW上のレジス
ト膜を減圧乾燥させる。このように一旦加圧する工程を
採用すると,ウエハW上に塗布されたレジスト液がウエ
ハWによくなじみ,その後減圧乾燥した際に,レジスト
膜Rの表面を平坦化することができる。したがってエッ
ジカット幅を小さくできる比較的粘性の高いレジスト液
を使用した場合においても,所定の膜厚を有する均一な
レジスト膜を形成することができる。
内やウエハWを加熱するようにしてもよい。この場合,
前記した温度調節機能を有する整流板139,201を
使用することができる。また載置部131内にヒータや
ペルチェ素子を設けてウエハWの温度を制御するように
してもよい。
132内の温度を保ったり,ウエハWの温度を制御する
とよい。これによってウエハW上に塗布されたレジスト
液の粘性が低下して,加圧による作用と相俟って,後の
減圧乾燥の際の平坦化にとって都合がよい。
えば下面,すなわちウエハWと対向する面に,熱伝導率
が良好な材質,例えばアルミニウムやステンレス鋼を使
用し,その上層には熱伝導率が低い,例えば石英ガラス
を用いるとよい。それによってヒータパターンに起因す
る熱の輻射の偏りを抑えることができ,レジスト膜の均
一性に悪影響を防止することができる。
使用すれば,例えば次のようなプロセスを実施できる。
すなわち,ウエハWを容器132内に搬入した後,減圧
乾燥中に整流板139を上下させて,レジスト膜の膜厚
の均一性を向上させる方法である。
減圧を開始した直後は,整流板139の下面とウエハW
表面との間のギャップdを相対的に長く,例えば5mm
程度に維持する。これによって未だ乾燥途中にあるウエ
ハW表面のレジスト膜の膜厚が調整される。次いで整流
板139を下降させて,先ほどよりは相対的にギャップ
dを短く,例えば1mm程度にする。これによってウエ
ハW上のレジスト膜を端に追いやって全体的に薄膜化
し,かつ平坦にして乾燥させることができる。かかるプ
ロセスでは前記した,一旦加圧する工程は不要である。
132内の圧力は,0.2×133.322Pa〜5×
133.322Pa程度(0.2Torr〜5.0To
rr),より好ましくは1.0×133.322Pa
(1Torr)前後が好ましい。
前記した温度調節可能な整流板139,201を使用し
て,温度を制御してもよい。この場合ギャップdを相対
的に長く維持している間は,ウエハWの温度を常温より
も低い温度,例えば15℃程度して,レジスト膜からの
溶剤の揮発を抑える。ギャップdを相対的に短くした際
には,ウエハWの温度を常温,例えば23℃に制御する
ことが好ましい。したがってかかるプロセスに使用する
整流板は,ウエハWをそのような温度に制御できる温度
調節機能を有している必要がある。あるいは,載置部1
31内にそのような範囲にウエハWの温度を制御できる
温度調整装置,例えばペルチェ素子を設けておけばよ
い。
整流板319を上下させる昇降機構140が,整流板1
39を上方から上下させる構成を有していたが,図21
に示したように,整流板139を下方から上下させる構
成のものでもよい。なお昇降機構140の駆動系は,例
えばパルス制御されるモータを採用すれば,前記したよ
うなmm単位での整流板139の上下動が容易である。な
おこの例においては,容器132へのウエハWの搬入出
は,側部に設けられたゲートバルブ132aを通じて行
われる。
スト液を適用し,レジスト膜を形成する塗布現像処理シ
ステムについて適用したものであったが,本発明は,他
の塗布液,例えば絶縁材料等を使用し,SOD(Spi
n on Dielectric),SOG(spin
on glass),Low―k膜(有機シリコン酸
化膜)等の層間絶縁膜を形成する膜形成処理システムに
おいても適用できる。
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの塗布現像処理システムについて適
用したものであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基
板例えばLCD基板,レチクル基板等の処理システムに
おいても適用できる。
領の塗布方法を使用することによって,塗布液の少量化
が図られる。また,当該塗布方法で基板の塗布処理を行
う場合であっても,高粘度の塗布液を用いてエッジカッ
ト幅を小さくしつつ,基板の面内均一性も確保できるの
で,歩留まりの向上が図られる。
構成の概略を示す平面図である。
布装置の構成を示す縦断面の説明図である。
る。
図である。
装置の構成を示す縦断面の説明図である。
置の構成を示す縦断面の説明図である。
る。
スト膜の状態を示す説明図である。
レジスト膜の状態を示す説明図である。
スト膜の状態を示す説明図である。
明図である。
の平面図である。
流板の平面図である。
の構成を示す説明図である。
場合のタンクの構成を示す説明図である。
る。
る。
の説明図である。
燥装置の縦断面の説明図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 基板を処理する処理方法であって,塗布
液吐出部と基板を相対的に移動させながら,前記塗布液
吐出部から基板上に塗布液を吐出し,基板表面に塗布液
を塗布する工程と,その後,当該基板を前記塗布液の溶
剤雰囲気に曝す工程と,その後,基板が収容された容器
内を減圧する工程とを有することを特徴とする,基板の
処理方法。 - 【請求項2】 基板を処理する処理方法であって,塗布
液吐出部と基板を相対的に移動させながら,前記塗布液
吐出部から基板上に塗布液を吐出し,基板表面に塗布液
を塗布する工程と,その後,基板が収容された容器内を
加圧する工程と,その後,基板が収容された容器内を減
圧する工程とを有する。 - 【請求項3】 不活性ガスを前記容器内に供給すること
で容器内を加圧することを特徴とする,請求項2に記載
の基板の処理方法。 - 【請求項4】 加圧時には基板の温度を上昇させ,減圧
時には基板の温度を下げることを特徴とする,請求項2
又は3に記載の基板の処理方法。 - 【請求項5】 基板を処理する処理システムであって,
基板に塗布液を塗布する塗布装置と,基板を前記塗布液
の溶剤雰囲気に曝す溶剤雰囲気装置と,前記基板を減圧
して乾燥させる減圧乾燥装置とを有し,前記塗布装置
は,基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部と,当該塗布
液吐出部と基板とを相対的に移動させる移動機構とを有
し,前記溶剤雰囲気装置は,基板を所定の雰囲気に保持
するためのチャンバーと,供給管を通じて前記チャンバ
ー内に所定濃度の前記塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤
蒸気供給機構とを有し,前記減圧乾燥装置は,基板が収
容された容器内を減圧する減圧機構を有することを特徴
とする,基板の処理システム。 - 【請求項6】 基板を処理する処理システムであって,
基板に塗布液を塗布する塗布装置と,基板を前記塗布液
の溶剤雰囲気に曝し,その後基板を減圧して乾燥させる
減圧乾燥装置とを有し,前記塗布装置は,基板に塗布液
を吐出する塗布液吐出部と,当該塗布液吐出部と基板と
を相対的に移動させる移動機構とを有し,前記減圧乾燥
装置は,基板を収容し,当該基板を気密に閉鎖可能な容
器と,供給管を通じて前記容器内に所定濃度の前記塗布
液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給機構と,前記容器
内を減圧する減圧機構とを有することを特徴とする,基
板の処理システム。 - 【請求項7】 前記容器には,当該容器内の雰囲気を排
気する排気管と,当該排気管からの排気によって生じる
気流の方向を制御する整流板とが設けられていることを
特徴とする,請求項5又は6のいずれかに記載の基板の
処理システム。 - 【請求項8】 前記整流板の基板に対向する面は,前記
基板に対して平行であることを特徴とする,請求項7に
記載の基板の処理システム。 - 【請求項9】 前記整流板を上下に移動させる昇降機構
を有することを特徴とする,請求項7又は8のいずれか
に記載の基板の処理システム。 - 【請求項10】 前記整流板の温度を調節する温度調節
装置を有することを特徴とする,請求項7,8又は9の
いずれかに記載の基板の処理システム。 - 【請求項11】 前記温度調節装置は,前記整流板の前
記基板の中央部に対向する部分と前記基板の外縁部に対
向する部分を異なった温度に調節可能に構成されている
ことを特徴とする,請求項10に記載の基板の処理シス
テム。 - 【請求項12】 前記温度調節装置は,前記整流板の前
記基板の中央部に対向する部分と前記基板の外縁部に対
向する部分を異なった温度に調節可能であって,かつ外
縁部に対向する部分に近づくほど,次第に温度が高くな
るように調節可能であることを特徴とする,請求項10
に記載の基板の処理システム。。 - 【請求項13】 前記供給管には,当該供給管内を通る
前記所定濃度の溶剤蒸気の温度を制御する温度制御装置
が設けられていることを特徴とする,請求項5,6,
7,8,9,10,11又は12のいずれかに記載の基
板の処理システム。 - 【請求項14】 前記溶剤蒸気供給機構は,前記塗布液
の溶剤蒸気の濃度を制御可能な制御部を有することを特
徴とする,請求項5,6,7,8,9,10,11,1
2又は13のいずれかに記載の基板の処理システム。 - 【請求項15】 前記溶剤蒸気供給機構は,前記供給管
に前記塗布液の溶剤蒸気を流入させるための溶剤蒸気供
給管と,前記供給管に前記溶剤蒸気のキャリアガスを流
入させるためのガス供給管とを有し,前記溶剤蒸気供給
管及びガス供給管には,流量を調節する調節弁がそれぞ
れ設けられており,前記調節弁は,前記制御部によって
制御可能に構成されていることを特徴とする,請求項1
4に記載の基板の処理システム。
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