CN210156353U - 基片处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。
Description
技术领域
本实用新型涉及基片处理装置。
背景技术
专利文献1中公开了对于由辊输送装置平流(日语：平流し)输送的基片，通过预加热部和主加热部加热基片的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-66318号公报
实用新型内容
实用新型想要解决的技术问题
本实用新型提供容易地测量基片温度的基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本实用新型一个方式的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。
实用新型效果
根据本实用新型，能够容易地测量基片温度。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构示意图。
图2是表示实施方式的利用辊输送装置进行基片输送的示意图。
图3是表示实施方式的第二加热单元的概略结构的示意图。
图4是表示实施方式的温度测量装置的概略结构的示意图。
图5是表示实施方式的基片温度测量方法的流程图。
附图标记说明
1 基片处理装置
41 第二加热单元
50 第一热处理部(热处理部)
51 第二热处理部(热处理部)
70 温度测量装置
71 温度测量部
72 数据记录器
73 辐射温度计
73b 透镜
74 安装部
74c 透射窗
75 连结部
76 冷却部
81 第一喷嘴(温度计冷却喷嘴)
82 第二喷嘴(透射窗冷却喷嘴)。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本实用新型公开的基片处理装置和基片温度测量方法的实施方式。但是，并不限定于以下所示的实施方式中公开的基片处理装置和基片温度测量方法。
＜整体结构＞
参照图1对实施方式的基片处理装置1进行说明。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。
基片处理装置1包括晶盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。
晶盒站2用于载置收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的晶盒C。晶盒站2包括：能够载置多个晶盒C的载置台10；和在晶盒C与第一处理站3之间以及第二处理站5与晶盒C之间进行基片S的输送的输送装置11。
输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心进行旋转。
第一处理站3对基片S进行包括光致抗蚀剂的涂敷的处理。第一处理站3包括准分子紫外光UV照射单元(e-UV)20、擦拭清洗单元(SCR)21、预加热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。这些单元20～24配置在从晶盒站2向接口站4去的方向上。具体而言，按照准分子紫外光UV照射单元20、擦拭清洗单元21、预加热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。
另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。这些单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向上按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。另外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。
准分子紫外光UV照射单元20从发出紫外光的紫外光灯向基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。
擦拭清洗单元21对被除去了有机物的基片S供给清洗液(例如，脱离子水(DIW))、并利用刷子等的清洗部件清洗基片S的表面。另外擦拭清洗单元21利用送风机等对清洗后的基片S进行干燥。
预加热单元22将由擦拭清洗单元21干燥后的基片S进一步加热，使基片S进一步干燥。
粘接单元23对干燥了的基片S喷涂六甲基己硅烷(HMDS)、对基片S进行疏水处理。
第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹送冷风来冷却基片S。
光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却了的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
减压干燥单元26使形成在基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。
第一加热单元27将对光致抗蚀剂膜进行干燥了的基片S加热，并除去光致抗蚀剂膜中含有的溶剂等。
第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹送冷风来冷却基片S。
在此，关于辊输送装置29参照图2进行说明。图2是表示利用实施方式的辊输送装置29进行的基片输送的示意图。
辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。在辊输送装置29中，通过驱动装置29b使辊29a旋转，伴随着辊29a的旋转来输送基片S。即，辊输送装置29将基片S平流地输送。驱动装置29b例如是电动机。
如图1中的箭头L所示，辊输送装置29将基片S从准分子紫外光UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，如图1中箭头M所示，辊输送装置29将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。
返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心旋转。
输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。另外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以由不同的输送臂在各个单元间进行基片S的输送。
在接口站4中，通过第一处理站3形成有光致抗蚀剂膜的基片S被输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转台(RS)32。
外部曝光装置8包括外部装置组件8A和曝光装置8B。外部装置组件8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。另外，外部装置组件8A利用打标器(TITLER)将规定的信息写入到在曝光装置8B中被曝光为电路图案的基片S。
曝光装置8B使用具有与电路图安对应的图案的光掩模将光致抗蚀剂膜曝光。
输送装置31包括输送臂31a。输送臂31a能够向水平方向和铅直方向移动，并且能够以铅直轴为中心转动。
输送装置31将基片S从第二冷却单元28输送到旋转台32。另外，输送装置31将基片S从旋转台32运动到外部装置组件8A的周边曝光装置，将外周的光致抗蚀剂膜已被除去的基片S输送到曝光装置8B。
另外，输送装置31将被曝光为电路图案的基片S从曝光装置8B输送到外部装置组件8A的打标器。然后，输送装置31将被写入了规定的信息的基片S从打标器输送到第二处理站5的显影单元(DEV)40。
第二处理站5进行包括显影在内的处理。第二处理站5包括：显影单元40、第二加热单元(HT)41、第三冷却单元(COL)42、检查单元(IP)43、辊输送装置44(参照图2)。这些单元40～43在从接口站4向晶盒站2去的方向上按照显影单元40、第二加热单元41、第三冷却单元42和检查单元43的顺序配置。
显影单元40利用显影液将曝光后的光致抗蚀剂膜显影。另外，显影单元40利用冲洗液来冲洗将光致抗蚀剂膜显影后的基片S上的显影液，并使冲洗液干燥。
第二加热单元41加热对冲洗液进行了干燥的基片S，除去光致抗蚀剂膜中残留的溶剂和冲洗液。关于第二加热单元41的结构在后文中说明。
第三冷却单元42对除去了溶剂和冲洗液的基片S吹送冷风，将基片S冷却。
检查单元43对于冷却后的基片S进行光致抗蚀剂图案(线)的界限尺寸(CD)的测定等的检查。
由检查单元43进行了检查的基片S，通过输送装置11的输送臂11a从第二处理站5被输送到晶盒站2的晶盒C中。
辊输送装置44的结构是与第一处理站3中的辊输送装置29相同的结构，在此省略说明。如箭头N所示，辊输送装置44将基片S从显影单元40输送到检查单元43。即，辊输送装置44将基片S平流地输送。
控制装置6例如是计算机，包括控制部6A和存储部6B。存储部6B例如能够由RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等的半导体存储元件、或者硬盘、光盘等的存储装置来实现。
控制部6A包括具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)、RAM、输入输出端口等的微型计算机或各种电路。微型计算机的CPU读取存储在ROM中的程序并执行该程序，由此实现各站2～5的控制。
此外，程序可以记录在计算机可读存储介质中，也可以从存储介质安装到控制装置6的存储部6B中。作为计算机可读存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。
<第二加热单元>
接着，参照图3对第二加热单元41进行说明。图3是表示实施方式的第二加热单元41的概略结构的示意图。以下，以与基片S的输送方向正交的基片S的面方向作为宽度方向进行说明。而且，宽度方向与辊输送装置44的辊44a的旋转轴平行。
第二加热单元41包括第一热处理部50和第二热处理部51。第一热处理部50和第二热处理部51相连地设置。具体而言，在基片S的输送方向上，在上游侧即在显影单元40(参照图1)侧设置第一热处理部50，在基片S的输送方向中，在下游侧即第三冷却单元42(参照图1)侧设置第二热处理部51。另外，第二加热单元41具有温度测量装置70。
第一热处理部50对被平流地输送的基片S进行热处理。第一热处理部50包括腔室60、多个第一加热部61和多个第二加热部62。
腔室60收纳辊输送装置44的一部分、第一加热部61和第二加热部62，沿着基片S的输送方向延伸地设置。
在腔室60中，在基片S的输送方向的上游侧、具体而言在显影单元40侧形成送入口60a，经由设置在显影单元40侧的导入部53从送入口60a送入基片S。
另外，在腔室60中，在基片S的输送方向的下游侧、具体而言是在第二热处理部51侧形成送出口60b，热处理后的基片S从送出口60b被送出。另外，在腔室60的顶面形成有基片温度测量用的多个贯通孔60c。
贯通孔60c沿着基片S的输送方向隔开规定的间隔地形成。另外，贯通孔60c在宽度方向上排列地形成。在腔室60的顶面，以覆盖贯通孔60c的上方的方式可拆装地设置温度测量装置70的温度测量部71。在图3中表示温度测量部71安装在腔室60的状态。此外，在没有安装温度测量部71的状态，能够将封闭贯通孔60c的盖(未图示)安装在腔室60。
另外，在腔室60，以与基片S的输送方向上的温度测量部71的位置相匹配地设置检测基片S的有无的耐热性的传感器(未图示)。耐热性的传感器例如是销被基片S按压的开关。此外，腔室60能够通过排气机构(未图示)从上方进行排气。
第一加热部61设置在相邻的辊44a之间，沿着宽度方向延伸地设置。第一加热部61是长条状的电加热器，从下方对基片S加热。第一加热部61能够在宽度方向上调节温度。即、第一加热部61能够在宽度方向上调节基片S的加热。
第二加热部62安装在腔室60的顶面。第二加热部62沿着基片S的输送方向排列设置，并沿着宽度方向延伸地设置。第二加热部62是长条状的电加热器，从上方加热基片S。第二加热部62与第一加热部61同样地能够在宽度方向上调节温度。
对第一加热部61和第二加热部62进行电流控制，以使得基片S的温度成为第一规定温度。第一规定温度为预先设定的温度。
第二热处理部51与第一热处理部50同样地对被平流地输送的基片S进行热处理。第二热处理部51位于比第一热处理部50靠下游侧，与第一热处理部50相连地设置，对被第一热处理部50实施了热处理的基片S以比第一热处理部50低的温度进行热处理。第二热处理部51包括腔室65、多个第一加热部66和多个第二加热部67。
腔室65收纳辊输送装置44的一部分、第一加热部66和第二加热部67，沿着基片S的输送方向延伸地设置。
在腔室65中，在基片基片S的输送方向的上游侧、具体而言在第一热处理部50侧形成送入口65a，基片S被从送入口65a送入。另外，在腔室65中，在基片S的输送方向的下游侧、具体而言在第三冷却单元42侧形成送出口65b，热处理后的基片S从送出口65b被送出。另外，在腔室65的顶面，与腔室60同样地形成温度测量用的多个贯通孔65c，温度测量装置70以可拆装的方式设置。此外，腔室65能够通过排气机构(未图示)从上方进行排气。
第一加热部66和第二加热部67的结构是与第一热处理部50的第一加热部61和第二加热部62同样的结构，这里省略说明。
此外，对第一加热部66和第二加热部67进行电流控制，以使得基片S的温度成为第二规定温度。第二规定温度是预先设定的温度，是比第一规定温度低的温度。
接着，参照图3和图4对温度测量装置70进行说明。图4是表示实施方式的温度测量装置70的概略结构的示意图。其中，在图4中，以安装在第一热处理部50的腔室60的温度测量装置70作为一个例子进行说明。
温度测量装置70包括多个温度测量部71、数据记录器72。温度测量部71包括辐射温度计73、安装部74、连结部75和冷却部76。
辐射温度计73基于红外线的强度测量温度，该红外线经由设置在透镜框体73a的透镜73b入射。具体而言，辐射温度计73基于从基片S辐射的红外线的强度测量基片S的温度。辐射温度计73收纳在框体77中，被连结部75的支承部75b支承，经由连结部75固定在安装部74。
安装部74为板状，与辐射温度计73隔开间隔地设置。安装部74利用螺钉(未图示)以可拆装的方式安装在腔室60。即、温度测量装置70通过安装部74以可拆装的方式安装在腔室60。在安装部74形成有贯通孔74a。安装部74以与腔室的贯通孔60c同轴的方式通过螺钉安装在腔室60。在安装部74，借助窗按压部74b安装有透射窗74c。即，安装部74具有与辐射温度计73隔开间隔的、透射红外线的透射窗74c，以可拆装的方式设置在第一热处理部50(热处理部的一例)。
透射窗74c借助截面为L字状的窗按压部74b安装在安装部74的上方。此外，在透射窗74c与窗按压部74b之间能够设置密封部件78a。另外，在透射窗74c与安装部74之间能够设置密封部件78b。
透射窗74c有透射红外线的材料构成。透射窗74c能够由锗构成。此外，透射窗74c除了锗以外，也能够由硫族化物、氟化钙、硫化锌等构成。
另外，在透射窗74c的两面成膜防反射膜(未图示)。由此，透射窗74c能够抑制红外线的反射，并提高红外线的透射率。
连结部75在使辐射温度计73相对于安装部74隔开间隔的状态下，将辐射温度计73和安装部74连结。连结部75包括多个连结棒75a和支承部75b。
连结棒75a的一个端部安装在安装部74，另一个端部安装在支承部75b，将安装部74和支承部75b连结。连结棒75a的长度是使辐射温度计73的透镜73b与透射窗74c的距离为规定距离以上的长度。规定距离是预先所设定的距离，是抑制基于热辐射导致的辐射温度计73的温度上升的距离。
支承部75b为板状。在支承部75b形成有用于插入辐射温度计73的透镜框体73a的插入孔75c，能够安装辐射温度计73。支承部75b支承辐射温度计73。
连结部75在使辐射温度计73的透镜73b的中心与设置在安装部74的透射窗74c的中心大致一致的状态下，将辐射温度计73和安装部74连结。即，辐射温度计73以透镜73b的中心与透射窗74c的中心大致一致的方式与安装部74一体化。
由此，在辐射温度计73的透镜73b的中心与透射窗74c的中心大致一致的状态下，温度测量部71被安装于腔室60。因此，温度测量装置70能够基于从基片S辐射的红外线准确地测量基片S的温度。另外，能够将辐射温度计73和安装部74在一体化了的状态下相对于腔室60拆装。因此，操作者能够容易地将温度测量装置70相对于腔室60进行拆装。
此外，安装部74和连结部75中的至少一者的外表面为黑色。例如，能够对安装部74等进行黑色的耐酸铝处理。另外，在安装部74等的外表面，能够实施磨砂处理。由此，安装部74等能够抑制红外线的反射。因此，辐射温度计73能够准确地测量基片S的温度。
冷却部76包括空气供给源80、第一喷嘴81和第二喷嘴82。
空气供给源80通过供给管83将作为冷却气体的空气供给到第一喷嘴81和第二喷嘴82。供给管83为了对第一喷嘴81和第二喷嘴82供给空气而分支地设置。在供给管83设置有调节器84、流量计85、阀86等。冷却部76能够通过调节器84调节空气的供给量。此外，调节器84可以设置在分支的供给管83，能够分别调整从第一喷嘴81和第二喷嘴82排出的空气的供给量。
从空气供给源80供给的空气是常温的，比腔室60的温度低。因此，从空气供给源80供给的空气通过第一喷嘴81或第二喷嘴82向辐射温度计73和透射窗74c排出，由此能够抑制辐射温度计73和透射窗74c的温度上升。
第一喷嘴81(温度计冷却喷嘴的一例)安装在支承部75b，向辐射温度计73排出空气。具体而言，第一喷嘴81向辐射温度计73的透镜框体73a排出空气。由第一喷嘴81将空气向透镜框体73a排出，从而抑制辐射温度计73的透镜73b的温度上升，能够将透镜73b的温度保持为规定温度以下。规定温度是能够基于辐射温度计73准确地进行温度测量的温度，例如是30℃。
此外，第一喷嘴81经由支架被安装在支承部75b，能够向斜上方排出空气，来冷却辐射温度计73的透镜73b。
第二喷嘴82(透射窗冷却喷嘴的一例)经由支架87安装在安装部74，从腔室60的外侧向透射窗74c排出空气。空气通过第二喷嘴82向透射窗74c排出，从而能够抑制透射窗74c的温度上升，将透射窗74c的温度保持在规定温度的范围内。规定温度范围是例如80℃～90℃的温度。
已知由锗构成的透射窗74c，当温度变高时，红外线透射率降低。因此，在实施方式的温度测量装置70中，通过向透射窗74c排出空气，抑制透射窗74c的温度上升。另外，当将透射窗74c过度冷却时，有可能腔室60内的升华物附着于基片S和透射窗74c。因此，在实施方式的温度测量装置70中，调节从第二喷嘴82排出的空气的流量以使得透射窗74c的温度在规定温度范围内。
数据记录器72记录由辐射温度计73所测量的基片S的温度。此外，数据记录器72将所记录的数据例如通过LAN等发送到终端装置90(例如，平板型终端、台式PC(PersonalComputer)等)。此外，数据记录器72可以将所记录的数据发送到控制装置6。
<基片温度测量>
接着，参照图5对第二加热单元41中的基片温度测量方法进行说明。图5是表示实施方式的基片温度测量方法的流程图。
温度测量装置70相对于腔室60、65能够拆装，当不测量基片S的温度的情况下，从腔室60、65拆卸。由此，在不测量基片S的温度的情况下，能够防止升华物附着在透射窗74c。因此，在测量基片S的温度的情况下，能够提高红外线的透射率，能够由辐射温度计73准确地测量基片S的温度。
在测量基片S的温度的情况下，将温度测量装置70的温度测量部71安装在腔室60、65(S1)。温度测量部71沿着基片S的输送方向和宽度方向配置。基片S以由辊输送装置44预先设定的输送速度输送，由第二加热单元41进行热处理。换言之，实施由第一热处理部50和第二热处理部51(热处理部的一例)对被平流地输送的基片S进行热处理的步骤。
接着，温度测量装置70基于从基片S辐射的红外线开始基片S的温度测量(S2)。换言之，实施由在与安装部74隔开间隔的位置所设置的辐射温度计73测量基片S的温度的步骤，上述安装部74设置有透射红外线的透射窗74c，并且相对于第一热处理部50和第二热处理部51(热处理部的一例)能够拆装。
另外，数据记录器72记录从温度测量装置70发送的温度数据、和从耐热性的传感器发送的关于基片S的有无的数据(S3)。当基片S的输送结束时，数据记录器72将所记录的数据发送到终端装置90(S4)。
终端装置90根据从数据记录器72发送的数据和基片S的输送速度显示基片S的温度分布(S5)。例如，终端装置90根据基于耐热性的传感器的基片S的检测结果和基片S的输送速度，计算基片S的输送方向上的基片S的位置坐标，并计算基片S的输送方向上的温度分布。另外，终端装置90根据在宽度方向上的温度测量装置70所测量的温度计算在宽度方向上的基片S的位置坐标，并计算宽度方向上的温度分布。并且，终端装置90显示在基片S的输送方向和宽度方向上的基片S的温度分布。
作为没有使用实施方式的温度测量装置70而测量基片S的温度的比较例，具有在基片S安装热电偶，利用热电偶测量基片S的温度的方法。
在比较例中，首先，使安装有热电偶的基片S和与热电偶连接的线缆从第二热处理部51的送出口65b逆行至第一热处理部50的送入口60a。然后，将基片S在输送方向上输送，并且为了防止线缆在腔室60、65内缠绕于辊44a或第一加热部61、66等，一边从第二热处理部51的送出口65b对应于输送速度牵拉线缆一边测量基片S的温度。
因此，比较例不能容易地进行基片S的温度测量，尤其是在对大型的基片S进行热处理的基片处理装置1中，第二加热单元41的长度变长，基片S的温度测量不容易进行。例如，有可能发生线缆在腔室60、65内缠绕于辊44a或第一加热部61、66等时会割裂基片S，或者基片处理装置1可能发生故障。
另外，比较例由于线缆和将热电偶安装于基片S的带等的影响而不能准确地测量基片S的温度。并且，在比较例中，基片S的温度数据作为相对于时间的数据输出。因此，在比较例中，将时间转换为基片S在输送方向上的距离，表示在输送方向上的基片S的温度分布。在该情况下，例如，开始测量的基片S的位置发生偏离时，就不能准确地表示出基片S的温度分布。
与此不同，实施方式的基片处理装置1通过温度测量装置70测量基片S的温度，能够是使用线缆等来测量基片S的温度。因此，实施方式的基片处理装置1能够容易地测量基片温度，能够提高操作性。另外，实施方式的基片处理装置1能够准确地测量基片S的温度，能够准确地显示基片S的温度分布。
<变形例>
接着，对于本实施方式的变形例进行说明。
变形例的基片处理装置1基于所测量的基片S的温度，在终端装置90中显示第一加热部61、66和第二加热部62、67的设定推荐温度。具体而言，变形例的基片处理装置1基于第一加热部61、66或第二加热部62、67的温度、与基片S的温度的相关关系，将第一加热部61、66和第二加热部62、67的设定推荐温度显示在终端装置90中。
变形例的基片处理装置1基于基片S的目标温度和所测量的基片S的温度之差，计算出第一加热部61、66和第二加热部62、67的设定推荐温度，将所计算出的设定推荐温度显示在终端装置90。此外，变形例的基片处理装置1将基片S的输送方向和宽度方向上的第一加热部61、66以及第二加热部62、67的设定推荐温度分别显示在终端装置90。
由此，操作者能够容易地进行第一加热部61、66和第二加热部62、67的温度调节。
另外，变形例的基片处理装置1基于所测量的基片S的温度控制第一加热部61、66和第二加热部62、67的温度。例如，比较基片S的温度分布与基片S的目标温度分布，控制第一加热部61、66和第二加热部62、67的温度，以使得各温度测量装置70中的温度分布成为目标温度分布。
由此，变形例的基片处理装置1能够使基片S的温度成为目标温度。
另外，上述的温度测量装置70能够适用于第一加热单元27。
<效果>
基片处理装置具有对平流地输送的基片S进行热处理的第一热处理部50以及第二热处理部51(热处理部的一例)、和测量基片S的温度的辐射温度计73，在第一热处理部50以及第二热处理部51具有可拆装的温度测量部71。温度测量部71具有与辐射温度计73隔开间隔的、透射红外线的透射窗74c，在第一热处理部50以及第二热处理部51具有可拆装的安装部74。
另外，基片处理装置1中的基片温度测量方法包括：由第一热处理部50和第二热处理部51对被平流地输送的基片S进行热处理的步骤；和由设置在与安装部74隔开间隔的位置的辐射温度计73测量基片S的温度的步骤，该安装部74设置有透射红外线的透射窗74c，并且相对于第一热处理部50和第二热处理部51能够拆装。
由此，通过温度测量部71安装在第一热处理部50和第二热处理部51，基片处理装置1能够测量被平流地输送的基片S的温度。因此，基片处理装置1能够不使用热电偶、线缆而容易地测量基片温度。例如，基片处理装置1能够容易地测量被平流地输送的较大的基片S的温度。另外，基片处理装置1例如能够不受线缆的影响，而准确地测量基片S的温度。
温度测量部71具有以使辐射温度计73相对于安装部74隔开间隔的状态将辐射温度计73和安装部74连结的连结部75。
由此，基片处理装置1能够抑制来自第一热处理部50和第二热处理部51的热辐射导致的辐射温度计73的温度上升。因此，基片处理装置1能够准确地测量基片S的温度。另外，在基片处理装置1中，能够以使辐射温度计73和安装部74一体化了的状态下将温度测量部71相对于热处理部拆装。因此，操作者能够容易地进行温度测量部71的拆装。
连结部75在使辐射温度计73的透镜73b的中心与设置在安装部74的透射窗74c的中心大致一致的状态下，将辐射温度计73和安装部74连结。
由此，基片处理装置1基于从基片S辐射的红外线能够准确地测量基片S的温度。
安装部74、连结部75中的至少一者的外表面为黑色。由此，基片处理装置1能够抑制红外线的反射，能够准确地测量基片S的温度。
基片处理装置1具有向辐射温度计73排出空气(冷却气体的一例)的第一喷嘴81(温度计冷却喷嘴的一例)。由此，基片处理装置1能够抑制辐射温度计73的温度上升，能够准确地测量基片S的温度。
基片处理装置1具有向透射窗74c排出空气(冷却气体的一例)的第二喷嘴82(透射窗冷却喷嘴的一例)。由此，基片处理装置1能够抑制透射窗74c的温度上升，能够准确地测量基片S的温度。
此外，本次公开的实施方式的全部内容均为例示，不应认为是限定性的内容。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体体现而获得。另外，上述实施方式只要不脱离附加的请求保护的范围及其主旨，能够在各种方式中进行省略、置换、变更。
Claims (10)
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对被平流地输送的基片进行热处理的热处理部；和
能够相对于所述热处理部拆装的温度测量部，该温度测量部具有测量所述基片的温度的辐射温度计，
所述温度测量部包括能够相对于所述热处理部拆装的安装部，所述安装部具有与所述辐射温度计隔开间隔的、透射红外线的透射窗。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述温度测量部具有连结部，所述连结部在使所述辐射温度计相对于所述安装部隔开间隔的状态下连结所述辐射温度计与所述安装部。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
在使所述辐射温度计的透镜的中心与设置在所述安装部的所述透射窗的中心大致一致的状态下，所述连结部连结所述辐射温度计与所述安装部。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述安装部、所述连结部中的至少一者的外表面为黑色。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括向所述辐射温度计排出冷却气体的温度计冷却喷嘴。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括向所述透射窗排出冷却气体的透射窗冷却喷嘴。
7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述温度测量部包括记录由所述辐射温度计所测量的所述基片的温度数据的数据记录器。
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述数据记录器包括显示从所述数据记录器发送来的所述温度数据的终端装置。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述终端装置基于所述基片的目标温度与所述温度数据的温度之差，计算设置在所述热处理部的加热部的设定推荐温度，并显示所计算出的所述设定推荐温度。
10.如权利要求7～9中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括控制所述热处理部的控制装置，
所述控制装置基于从所述数据记录器发送来的所述温度数据，比较所测量的所述基片的温度与所述基片的目标温度，并控制设置在所述热处理部的加热器的温度以使得所测量的所述基片的温度成为所述目标温度。
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