JP4936567B2

JP4936567B2 - 熱処理装置

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Inventors: 俊一八尋; 徹也佐田; 誠人久保
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Description

本発明は、被処理基板を平流し搬送しながら前記被処理基板に熱処理を施す熱処理装置に関する。

例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するものである。

ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
例えば、基板を加熱し、レジスト膜の乾燥や現像処理後の乾燥を行う熱処理装置では、特許文献１に開示されるように、基板を水平方向に平流し搬送しながら、搬送路に沿って配置されたヒータによって加熱処理する構成が普及している。
このような平流し搬送構造を有する熱処理装置にあっては、複数の基板を搬送路上に連続的に流しながら熱処理を行うことができるため、スループットの向上を期待することができる。

特開２００６−２４５１１０号公報

しかしながら、特許文献１に開示されるような平流し搬送構造の熱処理装置にあっては、ロット単位で複数の基板を連続して加熱処理する際、基板面内及び基板間の加熱処理温度にばらつきが生じ、配線パターンの線幅が不均一になるという課題があった。

図５に一例を挙げて説明すると、図示する熱処理装置６０は、複数の搬送コロ６１が回転可能に敷設されてなる平流し搬送路６２と、この平流し搬送路６２の所定区間を覆うチャンバ６３とを備える。チャンバ６３内においては、各搬送コロ６１の間に、下部ヒータ６４が設けられ、天井部に上部ヒータ６５が設けられている。また、チャンバ６３には、平流し搬送路６２を搬送される基板Ｇのスリット状の搬入口６３ａと搬出口６３ｂとが形成されている。

このように構成された熱処理装置６０においては、下部ヒータ６４及び上部ヒータ６５によりチャンバ６３内が所定温度に加熱される。そして、図５（ａ）に示すように、複数の基板Ｇが連続的に搬入口６３ａからチャンバ内に搬入されて加熱処理され、搬出口６３ｂから搬出される。

しかしながら、連続的に処理される複数の基板Ｇのうち、図５（ｂ）に示すように最初の基板Ｇ（Ｆ）は、この基板Ｇ（Ｆ）より前にチャンバ６３内に搬入される基板Ｇが無いため、熱が籠もった状態のチャンバ６３に搬入されることとなる。
このため、最初の基板Ｇ（Ｆ）が全体として受ける熱量が、その後に加熱処理される基板Ｇと比べて多くなり、その結果、最初の基板Ｇ（Ｆ）の配線パターンの線幅は他の基板Ｇよりも太く形成されることがあった。
更に、前記最初の基板Ｇ（Ｆ）は、熱が籠もった状態のチャンバ６３内に、その基板前部から搬入されるため、基板前部が受ける熱量が、基板後部と比べて多くなる。その結果、最初の基板Ｇ（Ｆ）の基板面内において基板前部の配線パターンの線幅の太さが、基板後部よりも太く形成されることがあった。

また、図６に他の例を挙げて説明すると、図示する熱処理装置７０は、予備加熱を行うプレヒータ部７１と、本加熱を行うメインヒータ部７２とにより構成されている。この熱処理装置７０は、平流し搬送路６２に沿って、プレヒータ部７１のチャンバ７３と、メインヒータ部７２のチャンバ７４とが設けられている。
各チャンバ７３，７４には、下部ヒータ６４と上部ヒータ６５とが設けられ、基板Ｇはチャンバ７０において予備加熱された後、チャンバ７１において本加熱されるようになされている。

このように構成された熱処理装置７０においては、下部ヒータ６４及び上部ヒータ６５によりチャンバ７３、７４内がそれぞれ所定温度に加熱される。
そして、図６（ａ）に示すように、複数の基板Ｇが連続的にチャンバ７３の搬入口７３ａから搬入されて予備加熱され、連通口７５からチャンバ７４内に搬入されて本加熱が施される。このように２段階の加熱処理が施された複数の基板Ｇは、チャンバ７４の搬出口７４ａから順次搬出される。

ここで、チャンバ７３において予備加熱された基板Ｇの熱は、基板Ｇの移動と共にチャンバ７４内に運ばれる。このため、図６（ａ）のように連続的に基板Ｇがチャンバ７４内に搬入される状態にあっては、チャンバ７４内に安定した温度の雰囲気が形成される。

しかしながら、図６（ｂ）に示すように、チャンバ７４内に最後に搬入される基板Ｇ（Ｌ）については、後続の基板Ｇがないため、チャンバ７４内の雰囲気温度にばらつきが生じていた。そのため、配線パターンの線幅が、他の基板Ｇと比べて異なり、基板面内においても配線パターンの均一性が低下していた。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、複数の被処理基板を連続的に平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置であって、基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化することのできる熱処理装置を提供する。

前記した課題を解決するために、本発明に係る熱処理装置は、平流し搬送される複数の被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、基板搬送路を形成し、前記複数の基板を前記基板搬送路に沿って連続的に平流し搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記基板に対して熱処理を行う熱処理空間を形成する第１のチャンバと、前記第１のチャンバ内を加熱する加熱手段と、前記第１のチャンバの前段に配置され、前記基板搬送路に向けて清浄空気を送風し、第１のチャンバと内に基板搬送方向に流れる清浄空気を供給する清浄空気供給手段と、前記清浄空気供給手段による清浄空気の送風量を少なくとも制御する制御手段と、を備え、前記第１のチャンバは、前記基板搬送路上の前記基板が搬入される搬入口を有し、前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気が、前記搬入口から前記第１のチャンバ内に供給され、更に前記第１のチャンバ内を基板搬送方向に流れることに特徴を有する。

このように第１のチャンバの前段に、基板搬送路に向けて送風する清浄空気供給手段が設けられることにより、第１のチャンバ内に基板搬送方向に沿った気流が形成される。
これにより、複数の被処理基板を連続的に搬送しながら加熱処理する場合に、第１のチャンバ内に雰囲気が滞留せず、チャンバ内の雰囲気温度を安定化させることができる。その結果、基板間及び基板面内での加熱処理温度のばらつきが抑制され、基板間及び基板面内における配線パターンの線幅を均一化することができる。

本発明によれば、複数の被処理基板を連続的に平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置であって、基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化することのできる熱処理装置を得ることができる。

図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す断面図である。図２は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す平面図である。図３は、本発明の熱処理装置の動作の流れを示すフローである。図４は、本発明の熱処理装置の動作を説明するための断面図である。図５は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図である。図６は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図である。

以下、本発明の熱処理装置にかかる実施形態を、図１、２に基づいて説明する。尚、この実施形態にあっては、熱処理装置を、被処理基板であるガラス基板（以下、基板Ｇと呼ぶ）に対し加熱処理する加熱処理ユニットに適用した場合を例にとって説明する。

この加熱処理ユニット１は、図１の断面図に示すように、回転可能に敷設された複数のコロ２０によって基板ＧをＸ方向に向かって搬送する基板搬送路２を具備する。図示するように、この基板搬送路２に沿って、上流側から順に（Ｘ方向に向かって）、基板搬入部３と、予備加熱を行うプレヒータ部４と、主加熱を行うメインヒータ部５とが配置されている。

基板搬送路２は、図２の平面図に示すように、Ｙ方向に延びる円柱状のコロ２０を複数有し、それら複数のコロ２０は、Ｘ方向に間隔をあけて、それぞれ回転可能に配置されている。コロ２０はそれぞれ、その回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０に接続され、コロ駆動装置１０の駆動に連動して一方向に回転するようになされている。これら基板搬送路２及びコロ駆動装置１０によって基板搬送手段が構成されている。
また、各コロ２０は、その周面が基板Ｇの全幅にわたって接するように設けられ、加熱された基板Ｇの熱が伝達しにくいように、外周面部が樹脂等の熱伝導率の低い材料、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）で形成されている。前記コロ２０の回転軸２１は、アルミニウム、ステンレス、セラミック等の高強度かつ低熱伝導率の材料で形成されている。

基板搬入部３は、前記基板搬送路２に沿って、その周りを覆う箱状のケーシング６を有し、その天井部には、下方の基板搬送路２に向けて清浄空気を送風するＦＦＵ（ファンフィルターユニット）７が設けられている。前記ＦＦＵ７は、図２の平面図に示すように、例えばＹ方向（基板幅方向）に２基並べて配置されている。また、これらＦＦＵ７は、それぞれ所定方向に回転駆動されるファン７ａを有し、ファン７ａの回転により上方から空気を取り入れ、フィルタ７ｂを介することによって浄化された空気（清浄空気）を生成し、下方に吹き出すユニットである。即ち、ＦＦＵ７は清浄空気供給手段として機能する。これらＦＦＵ７は、そのファン７ａの回転数（即ち送風量）を制御するファン制御部３７に接続されている。

また、プレヒータ部４は、基板搬送路２の周りを覆う薄型の箱状に形成されたチャンバ８（第１のチャンバ）を備えている。このチャンバ８によって、コロ搬送される基板Ｇに対し予備加熱を行う加熱処理空間が形成されている。
また、前記プレヒータ部４の後段に設けられたメインヒータ部５は、プレヒータ部４と同じく基板搬送路２の周りを覆う薄型箱状のチャンバ９（第２のチャンバ）を備えている。このチャンバ９によって、コロ搬送される基板Ｇに対し主加熱を行う加熱処理空間が形成されている。

図１に示すように前記チャンバ８は、前記基板搬入部３のケーシング６の後段に設けられ、チャンバ９は、前記チャンバ８の後段に設けられている。
基板搬入部３のケーシング６とプレヒータ部４のチャンバ８との間は、チャンバ８の側壁部８ａによって仕切られる。その側壁部８ａには、Ｙ方向に延びるスリット状の搬入口５１が設けられており、この搬入口５１を基板搬送路２上の基板Ｇが通過するように構成されている。尚、基板搬入部３において前記ＦＦＵ７から供給される清浄空気は、前記搬入口５１を介してプレヒータ部４のチャンバ８内に流れ込むようになされている。

また、チャンバ８とチャンバ９との間は、チャンバ８の側壁部８ｂ及びチャンバ９の側壁部９ａによって仕切られる。それら側壁部８ｂ、９ａにはチャンバ８内とチャンバ９内とを連通させると共に、基板搬送路２上の基板Ｇが通過可能なＹ方向に延びるスリット状の連通口５２が設けられている。
また、チャンバ９の後端部である側壁部９ｂには、基板搬送路２上の基板Ｇが通過可能なＹ方向に延びるスリット状の搬出口５３が設けられている。

また、チャンバ８，９の上下左右の壁部は、互いに空間をあけて設けられた内壁１２及び外壁１３を備えた二重壁構造を有しており、内壁１２及び外壁１３の間の空間１４が、チャンバ８，９内外を断熱する空気断熱層として機能する。尚、外壁１３の内側面には、断熱材１５が設けられている。
また、図２に示すように、ケーシング６及びチャンバ８，９において、Ｙ方向に対向する（前記内壁１２と外壁１３とからなる）側壁には、軸受け２２が設けられ、その軸受け２２によって、基板搬送路２のコロ２０がそれぞれに回転可能に支持されている。

また、図１に示すようにチャンバ８において、搬入口５１付近の上壁部には排気口２５が設けられ、下壁部には排気口２６が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３１，３２（第２の排気手段）に接続されている。
また、チャンバ８の側壁部８ｂとチャンバ９の側壁部９ａとの間において、上方に排気するための排気口２７と下方に排気するための排気口２８とが設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３３，３４（第１の排気手段）に接続されている。
さらに、チャンバ９において、搬出口５３付近の上壁部には排気口２９が設けられ、下壁部には排気口３０が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３５、３６（第３の排気手段）に接続されている。
前記排気装置３１〜３６が駆動することにより排気口２５〜３０を介してチャンバ８，９内の排気が行われ、チャンバ内温度をより安定化させる構成となされている。

プレヒータ部４は、加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に設けられた短冊状の下部面状ヒータ１７と上部面状ヒータ１８とを備える。このうち、下部面状ヒータ１７は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設され、上部面状ヒータ１８は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８は、ヒータ電源３８に接続され、このヒータ電源３８はヒータ制御部３９によって駆動電流が制御されるよう構成されている。

一方、メインヒータ部５は、加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ９内に設けられた短冊状の下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４とを備える。このうち、下部面状ヒータ２３は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設され、上部面状ヒータ２４は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ９の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４は、ヒータ電源４０に接続され、このヒータ電源４０はヒータ制御部４１によって駆動電流が制御されるよう構成されている。

また、プレヒータ部４には、チャンバ８内の雰囲気温度を検出する温度センサ４５（第１の温度検出手段）が設けられ、メインヒータ部５には、チャンバ９内の雰囲気温度を検出する温度センサ４６（第２の温度検出手段）が設けられている。
これら温度センサ４５、４６は、例えば熱電対により構成され、加熱処理ユニット１の動作制御を行うコンピュータからなる制御部５０（制御手段）に接続されている。即ち、これら温度センサ４５、４６による検出結果は、制御部５０に供給される。
尚、前記ファン制御部３７、排気装置３１〜３６、ヒータ制御部３９、４１は、それぞれ前記制御部５０に接続され、制御部５０からの制御命令に基づき動作するように構成されている。

続いて、このように構成された加熱処理ユニット１における基板Ｇに対する加熱処理の動作について、図１乃至図３に基づき説明する。
尚、この加熱処理ユニット１においては、レジスト膜の形成後、或いは現像処理後において、ロット管理された複数の基板Ｇが、順次、基板搬入部３の基板搬送路２に受け渡され、平流し搬送されながら加熱処理が施される。

先ず、プレヒータ部４では、ヒータ制御部３９によりヒータ電源３８が駆動され、下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８への電力供給がなされる。また、メインヒータ部５では、ヒータ制御部４１によりヒータ電源４０が駆動され、下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４に電力供給がなされる（図３のステップＳ１）。
また、ファン制御部３７によりＦＦＵ７が駆動されると共に、排気装置３１〜３６が駆動し、チャンバ８，９内に基板搬送方向に流れる清浄空気が供給されつつ排気口２５〜３０から排気がなされる（図３のステップＳ２）。

これにより、プレヒータ部４のチャンバ８における雰囲気温度が例えば２００℃に設定され、メインヒータ部５のチャンバ９における雰囲気温度が例えば１１０℃に設定される。
また、温度センサ４５、４６による温度の検出結果は、制御部５０に供給され、チャンバ８、９内の雰囲気温度がそれぞれ監視される（図３のステップＳ３）。

このようにプレヒータ部４及びメインヒータ部５における加熱温度の設定がなされると、基板搬入部３からプレヒータ部４のチャンバ８内に順次、基板Ｇが搬入開始される（図３のステップＳ４）。
プレヒータ部４のチャンバ８に搬入された基板Ｇは、基板搬送路２に沿って平流し搬送されながら、下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８により加熱され、そこで例えば約１１０℃まで昇温される。

プレヒータ部４で昇温された基板Ｇは、基板搬送路２上に設けられた連通口５２を通過してメインヒータ部５のチャンバ９に搬入される。そして、チャンバ９内を平流し搬送されながら、下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４により加熱され、そこで例えば約１１０℃に保温された後、搬出口５３から搬出される。

ここで、ロット単位で処理される複数の基板Ｇのうち、図４（ａ）に示すように最初の基板Ｇ（Ｆ）がチャンバ８内に搬入される前に、ＦＦＵ７から送風される清浄空気は、図中矢印に示すようにプレヒータ部４の搬入口５１からチャンバ８内に供給される。
これにより基板搬入前にプレヒータ部４のチャンバ８内に熱が籠もることがなく、所定の雰囲気温度となる。その結果、図４（ｂ）に示すように最初の基板Ｇ（Ｆ）は、後続の基板Ｇと同じ加熱温度で処理がなされる。

また、図４（ｃ）に示すようにチャンバ８及びチャンバ９に連続的に基板Ｇが搬入出されている状態にあっては、搬送される基板Ｇに伴う雰囲気の移動と、ＦＦＵ７から送風される清浄空気とにより、チャンバ８，９内に基板搬送方向に沿って安定した気流が形成される。これにより、連続して加熱処理される複数の基板間での加熱処理温度が安定した状態となされる。

更に、図４（ｄ）に示すように複数の基板Ｇのうち最後の基板Ｇ（Ｌ）がチャンバ８からチャンバ９に搬入された状態にあっては、ＦＦＵ７から送風される清浄空気がプレヒータ部４で昇温され、メインヒータ５のチャンバ９に流れ込む。
これにより、最後の基板Ｇ（Ｌ）の後に続く基板Ｇがなくても、メインヒータ部５のチャンバ９内で温度低下することなく、先に処理された基板Ｇとの加熱温度の差を小さくすることができ、また、基板面内での加熱温度を均一にすることができる。

連続搬入される複数の基板Ｇは、以上のように順次、加熱処理が施されるが、この加熱処理ユニット１にあっては、チャンバ内の温度を、より安定させるためにチャンバ内の気流制御が行われる。
前記のように制御部５０では、プレヒータ部４及びメインヒータ部５のチャンバ内温度が監視され、その雰囲気温度が所定範囲内にあるか否かが判定される。

具体的には、プレヒータ部４のチャンバ８内における雰囲気温度が温度センサ４５により検出され、上限値（例えば２２０℃）より高い場合（図３のステップＳ５）、制御部５０はファン制御部３７によりＦＦＵ７のファン回転数（送風量）を増加させる（図３のステップＳ６）。
これによりチャンバ８に流れ込む清浄空気の風量が増加し、チャンバ８内の雰囲気温度が低下する。このとき、排気装置３３，３４（第１の排気手段）によりチャンバ８からの排気量を増加させることが好ましく、より迅速にチャンバ８内の温度を低下させ、チャンバ内の温度を所定範囲内に収束させることができる。また、このとき外気を取り込み易くするため、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量は、排気装置３３，３４（第１の排気手段）の排気量より小さい設定であることが好ましく、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量を所定の排気量よりも減少させることがより好ましい。尚、排気装置３３，３４（第１の排気手段）を可変制御しない場合には、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量を減少させることにより、チャンバ８内の雰囲気温度を低下させてもよい。

また、メインヒータ部５のチャンバ９内における雰囲気温度が温度センサ４６により検出され、上限値（例えば１２０℃）より高い場合（図３のステップＳ７）、制御部５０は排気装置３３，３４（第１の排気手段）によりチャンバ８内の排気量を増加させる（図３のステップＳ８）。
これによりチャンバ８からチャンバ９に流れ込む気流量が減少し、チャンバ９内の雰囲気温度が低下する。このとき、排気装置３５，３６（第３の排気手段）の排気量は、排気装置３３，３４（第１の排気手段）の排気量より小さい設定であることが好ましく、例えば、排気装置３５，３６（第３の排気手段）の排気量を所定の排気量よりも減少させることがより好ましい。

一方、プレヒータ部４のチャンバ８内における雰囲気温度が温度センサ４５により検出され、下限値（例えば１８０℃）より低い場合（図３のステップＳ９）、制御部５０はファン制御部３７によりＦＦＵ７のファン回転数（送風量）を低下させる（図３のステップＳ１０）。
これによりプレヒータ部４のチャンバ８に流れ込む清浄空気の風量が減少し、チャンバ８内の雰囲気温度の低下が抑制される。尚、このとき、排気装置３３，３４（第１の排気手段）によりチャンバ８，９からの排気量を減少させることが好ましく、効果的にチャンバ内の温度低下が抑制され、より迅速にチャンバ内の温度を所定範囲内に収束させることができる。また、このとき外気の流入を抑制するため、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量は、排気装置３３，３４（第１の排気手段）の排気量より大きい設定であることが好ましく、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量を所定の排気量よりも増加させることが好ましい。尚、排気装置３３，３４（第１の排気手段）を可変制御しない場合には、排気装置３１，３２（第２の排気手段）の排気量を増加させることにより、チャンバ８内の雰囲気温度の低下を抑制してもよい。

また、メインヒータ部５のチャンバ９内における雰囲気温度が温度センサ４６により検出され、下限値（例えば１００℃）より低い場合（図３のステップＳ１１）、制御部５０は排気装置３５，３６（第３の排気手段）によりチャンバ９内の排気量を増加させる（図３のステップＳ１２）。
これにより高温雰囲気を有するチャンバ８からチャンバ９に流れ込む気流量が増加し、チャンバ９内の雰囲気温度の低下が抑制される。尚、このとき排気装置３３，３４（第１の排気手段）の排気量は、排気装置３５，３６（第３の排気手段）の排気量より小さい設定であることが好ましく、排気装置３５，３６（第３の排気手段）の排気量を所定の排気量よりも減少させることがより好ましい。

また、チャンバ８、９内における雰囲気温度が所定の範囲内にあるとき、ＦＦＵ７のファン回転数及びチャンバ８，９からの排気量は維持される（図３のステップＳ１３）。
以上の制御は、ロット単位で処理される最初の基板Ｇから最後の基板Ｇまで、その連続的な加熱処理の間行われる（図３のステップＳ１４）。

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、プレヒータ部４の前段に、基板搬送路２に向けて送風するＦＦＵ７が設けられ、プレヒータ部４のチャンバ８及びメインヒータ部５のチャンバ９内に基板搬送方向に沿った気流が形成される。
これにより、複数の基板Ｇを連続的に搬送しながら加熱処理する場合に、チャンバ８，９内の雰囲気は滞留せず、チャンバ８，９内の雰囲気温度を安定化させることができる。その結果、基板間及び基板面内での加熱処理温度のばらつきが抑制され、基板間及び基板面内における配線パターンの線幅を均一化することができる。
また、プレヒータ部４のチャンバ８内の温度を監視し、ＦＦＵ７の送風量及びチャンバ８，９内の排気量をフィードバック制御する構成によって、チャンバ８，９内の温度をより確実に安定化させることができる。

尚、前記実施の形態においては、チャンバ８，９内にそれぞれ温度センサ４５，４６を設け、それらの検出結果に基づき、ＦＦＵ７の送風量及びチャンバ８，９内の排気量をフィードバック制御する構成としたが、本発明の熱処理装置にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、プレヒータ部４に設けられた温度センサ４５の検出結果のみに基づいて、ＦＦＵ７の送風量及びチャンバ８，９内の排気量をフィードバック制御する構成としてもよい。
また、前記実施の形態においては、加熱処理ユニット１をプレヒータ部４とメインヒータ部５との２段構成としたが、本発明に係る熱処理装置にあっては、それに限らず１つのチャンバのみで加熱処理を行う１段の構成にも適用することができる。

Claims

平流し搬送される複数の被処理基板に対し熱処理を施す熱処理装置であって、
基板搬送路を形成し、前記複数の基板を前記基板搬送路に沿って連続的に平流し搬送する基板搬送手段と、
前記基板搬送路の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される前記基板に対して熱処理を行う熱処理空間を形成する第１のチャンバと、
前記第１のチャンバ内を加熱する加熱手段と、
前記第１のチャンバの前段に配置され、前記基板搬送路に向けて清浄空気を送風し、第１のチャンバと内に基板搬送方向に流れる清浄空気を供給する清浄空気供給手段と、
前記清浄空気供給手段による清浄空気の送風量を少なくとも制御する制御手段と、を備え、
前記第１のチャンバは、前記基板搬送路上の前記基板が搬入される搬入口を有し、
前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気が、前記搬入口から前記第１のチャンバ内に供給され、更に前記第１のチャンバ内を基板搬送方向に流れることを特徴とする熱処理装置。
前記第１のチャンバ内の雰囲気温度を検出し、検出結果を前記制御手段に供給する第１の温度検出手段を備え、
前記制御手段は、前記第１のチャンバ内の雰囲気温度が所定の上限値より高い場合には、前記清浄空気供給手段による清浄空気の送風量を増加させ、所定の下限値より低い場合には、前記清浄空気供給手段による清浄空気の送風量を減少させることを特徴とする請求項１に記載された熱処理装置。
前記第１のチャンバの基板搬出口付近から前記第１のチャンバ内の排気を行うと共に、排気量を可変させる第１の排気手段を備え、
前記制御手段は、前記第１のチャンバ内の雰囲気温度が所定の上限値より高い場合には、前記第１の排気手段により排気量を増加させ、所定の下限値より低い場合には、前記第１の排気手段により排気量を減少させることを特徴とする請求項２に記載された熱処理装置。
前記第１のチャンバの基板搬入口付近から前記第１のチャンバ内の排気を行うと共に、排気量を可変させる第２の排気手段を備え、
前記制御手段は、前記第１のチャンバ内の雰囲気温度が所定の上限値より高い場合には、前記第２の排気手段により排気量を減少させ、所定の下限値より低い場合には、前記第２の排気手段により排気量を増加させることを特徴とする請求項２または請求項３に記載された熱処理装置。
前記基板搬送路において前記第１のチャンバの後段に配置され、前記第１のチャンバ内で加熱処理された前記基板に対し、さらに加熱処理を行うための第２のチャンバを備え、
前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気は、前記第１のチャンバ内を経由して前記第２のチャンバ内に供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された熱処理装置。
前記基板搬送路において前記第１のチャンバの後段に配置され、前記第１のチャンバ内で加熱処理された前記基板に対し、さらに加熱処理を行うための第２のチャンバと、前記第２のチャンバ内の雰囲気温度を検出し、検出結果を前記制御手段に供給する第２の温度検出手段と、前記第２のチャンバの基板搬入口付近から前記第２のチャンバ内の排気を行うと共に、排気量を可変させる第１の排気手段とを備え、
前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気は、前記第１のチャンバ内を経由して前記第２のチャンバ内に供給され、
前記第２のチャンバ内の雰囲気温度より前記第１のチャンバ内の雰囲気温度が高く設定され、
前記制御手段は、前記第２のチャンバ内の雰囲気温度が所定の上限値より高い場合には、前記第１の排気手段により排気量を増加させ、所定の下限値より低い場合には、前記第１の排気手段により排気量を減少させることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された熱処理装置。
前記基板搬送路において前記第１のチャンバの後段に配置され、前記第１のチャンバ内で加熱処理された前記基板に対し、さらに加熱処理を行うための第２のチャンバと、前記第２のチャンバ内の雰囲気温度を検出し、検出結果を前記制御手段に供給する第２の温度検出手段と、前記第２のチャンバの基板搬出口付近から前記第２のチャンバ内の排気を行うと共に、排気量を可変させる第３の排気手段とを備え、
前記清浄空気供給手段により送風された清浄空気は、前記第１のチャンバ内を経由して前記第２のチャンバ内に供給され、
前記第２のチャンバ内の雰囲気温度より前記第１のチャンバ内の雰囲気温度が高く設定され、
前記制御手段は、前記第２のチャンバ内の雰囲気温度が所定の上限値より高い場合には、前記第３の排気手段により排気量を減少させ、所定の下限値より低い場合には、前記第３の排気手段により排気量を増加させることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された熱処理装置。