JP3679243B2 - 処理装置および処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばLCD基板や半導体ウェハのような基板の乾燥処理などを行う処理装置と処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレー(LCD)や半導体などの製造においては、基板であるLCD基板や半導体ウェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフィ処理は、基板の洗浄、基板の乾燥、基板の表面へのレジスト膜の塗布、そのレジスト膜の露光、現像など、種々の処理工程を含んでいる。これらの処理工程において、例えば上記乾燥処理を行うために加熱装置が用いられている。そして、この加熱装置の一例として、基板を載置台上に載置することにより、基板を加熱するように構成されたものが知られている。この加熱装置は、基板の受取り、受渡し時に載置台から上方に突出して基板の下面を支持する複数本のピンを備えており、これらピンの昇降により、載置台の上方において基板を受け取り、その受け取った基板をピンの下降によって載置台上に受け渡すように構成されている。また、載置台上において加熱した後、その基板をピンで下方から突き上げることにより、基板を載置台の上方に持ち上げるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら特にLCD基板などのような絶縁材料からなる基板を載置台上に載置した場合は、基板と載置台上面との間で静電気が発生しやすい。このため、載置台上から基板をピンで持ち上げる際に、基板が載置台の上面と接着してスムーズに持ち上げられない場合がある。特にLCD基板などは薄いガラスの板で構成されていてたわみを生じやすく、載置台上から剥がしづらい。また、載置台の上方に基板を持ち上げた際に、分極作用によって基板の上下の面に互いに反対の極性の電荷が帯電してしまう心配がある。
【0004】
したがって、本発明の目的とするところは、載置台上から持ち上げられる基板の上下面の帯電を効果的に除去できる装置及び方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板を載置させる載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピンとを備えた処理装置において、前記載置台の側方に配置されたイオナイザと、前記ピンを昇降させる昇降機構と、前記昇降機構及びイオナイザの稼働を制御するコントローラとを具備している。そして前記コントローラは、載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、前記イオナイザによって基板の側方からイオンの供給を開始させ、前記イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、ピンを上昇させて第1の速度で基板を持ち上げ、前記イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第1の速度よりも速い第2の速度でピンを上昇させて基板を持ち上げるように、前記昇降機構及びイオナイザを制御することを特徴としている。
この処理装置において基板とは、例えばLCD基板や半導体ウェハなどである。そのような基板を載置台の上方においてピンの上端で受け取り、ピンの下降により基板を載置台上に載置させる。そして、載置台上において例えば加熱等の処理を基板に対して施す。この処理後、ピンを上昇させて、載置台上から基板を持ち上げる。この基板を持ち上げる際に、基板の側方に配置したイオナイザからイオンを吹き付け、基板の上下面の帯電を除去する。
【0006】
この請求項1の処理装置においては、請求項2に記載したように、前記イオナイザが、前記ピンによって載置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の両方に対してイオンを供給できる位置に配置されていることが好ましい。そうすれば、イオナイザで作り出したイオンを基板の上下両方の面に吹きつけることができ、基板の上下面の帯電を効果的に除去することができる。
【0007】
さらに請求項3によれば、前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
【0008】
この請求項3の処理装置は、ケーシングの外側から、載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えているので、前記請求項1と同様、基板の帯電を効果的に除去できる。ここで載置台の上面に向けて吐出するとは、上面の側方、斜め上方から吐出することをも含む意味である。
【0009】
請求項4の処理装置は、前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面と載置している基板の下面との間の部分に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えている。この場合も、前記請求項3の場合と同様、基板の帯電を除去してピンによる基板の載置台から離脱を容易にしている。
【0010】
イオナイザは、請求項5に記載したような、気体をイオン化する放電電極と、この放電電極に向けて気体を供給する気体供給手段とを備えていることが提案できる。さらにこの放電電極は、基板の長手方向に沿った位置に配置することが提案でき、LCD基板の場合、効果的に除電を実施することが可能である。また請求項7のように載置台側からみて、上下交互に放電電極を配置するようにすれば、偏りなくイオン化した気体を供給することが可能である。
【0011】
請求項8の発明は、載置台上から基板を持ち上げるに際し、載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、基板の側方からイオンの供給を開始し、イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、第1の速度で基板を持ち上げ、イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第1の速度よりも速い第2の速度で基板を持ち上げる処理方法である。この処理方法において、請求項9に記載したように、前記基板が載置台の上面から完全に離れた後、一定の間載置台上から基板を持ち上げる動作を停止し、その後、載置台上から基板を第2の速度で持ち上げるように構成しても良い。その場合、前記一定の間は、請求項10に記載したように、基板の振動が停止するまでの時間とするのが良い。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、LCD基板(ガラス基板)をフォトリソグラフィ技術を用いて処理する塗布現像処理システム1の斜視図であり、この塗布現像処理システム1は第1の実施の形態にかかる処理装置としての加熱装置20を備えている。
【0013】
この塗布現像処理システム1は、例えば矩形状のLCD基板Gを搬入・搬出するローダ部2と、LCD基板Gを処理する第1の処理部3と、この第1の処理部3とインターフェイス部4を介して連設された第2の処理部5と、この第2の処理部5と例えば露光装置6等との間でLCD基板Gを授受するためのインターフェイス部7から構成されている。
【0014】
ローダ部2には、カセットステーション10が設けられており、このカセットステーション10には未処理のLCD基板Gを収納するカセット11と、処理済みのLCD基板Gを収納するカセット12とがそれぞれ複数個載置自在である。またローダ部2には、未処理のLCD基板Gを搬入または搬出するためのサブ搬送アーム13が備えられている。なお、サブ搬送アーム13はY、Z方向への移動とθ方向に回転可能に構成されている。
【0015】
第1の処理部3には、LCD基板Gに対して所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム15の搬送路16を挟んで両側に配置されている。搬送路16の一方の側に、カセット11から取り出されたLCD基板Gを洗浄するためのブラシ洗浄装置17、現像装置18が並んで配置され、搬送路16を挟んで反対側に、LCD基板Gに疎水化処理を施すアドヒージョン装置19、加熱装置20、LCD基板Gを所定の温度に冷却する冷却装置21が適宜多段に配置されている。
【0016】
第2の処理部5には、メイン搬送アーム22の搬送路23の一方の側に、本実施の形態にかかる塗布・周縁部除去装置24が配置され、搬送路22を挟んで反対側には、加熱装置20、冷却装置21が適宜多段に配置されている。
【0017】
インターフェイス部7には、LCD基板Gを一時待機させるためのカセット25と、このカセット25との間でLCD基板Gの出入れを行うサブ搬送アーム26と、LCD基板Gの受渡し台27が設けられている。なお、これら第1の処理部3及び第2の処理部5の構成、各種装置の配列等は適宜変更することが可能である。
【0018】
上記のように構成される塗布現像処理システム1に組み込まれた第1の実施の形態にかかる加熱装置20の構成について説明する。この加熱装置20のケーシング41aによって囲まれた処理室41内には、LCD基板Gを載置する載置台42が配置されており、載置台42の内部には、載置台42を介してLCD基板Gを加熱するための加熱手段であるヒータ43が設置されている。載置台42は、例えばアルミニウム合金等により構成されており、載置台42には、図示しない温度センサが取り付けられており、例えば120℃〜150℃等の所定の加熱温度に温度設定可能に構成されている。
【0019】
処理室41の上部には、処理室41の上部を覆い、載置台42との間で処理空間44を形成するカバー部材である処理室上壁45が配置されている。この処理室上壁45の中央部には、排気口45aが設けられている。処理室上壁45は、後述する間隔設定用突起を介してシャッター部材である開閉扉46に取り付けられている。開閉扉46の昇降により、処理室41と処理室上壁45との間の開口部47を開閉して処理空間44の形成・開放を行うことができる。
【0020】
載置台42は、例えば4つの貫通孔48が設けられており、これらの貫通孔48には、それぞれLCD基板受け渡し時にLCD基板Gを支持するために支持ピン50が遊嵌状態で貫挿されている。すなわち貫通孔48は、支持ピン50の水平移動を許容する大きさを有する。支持ピン50は、下端に脚部50aを有するステンレス鋼製のピン本体50bと、このピン本体50bの上端部に装着される、例えばPEEK(polyether−ether−ketone)製の耐蝕性を有するピン補助体とで構成されており、脚部50aが保持部材51の上面に突設された筒状の支持部材52にて水平方向に移動可能に支持されている。
【0021】
上記のように4本の支持ピン50を保持する保持部材51は、昇降機構53に連結されて昇降可能に、すなわち支持ピン50を載置台42の貫通孔48を挿通して上方に突出可能に構成されている。この場合昇降機構53は、駆動モータであるステッピングモータ54と、このステッピングモータ54により駆動される駆動プーリ55と、この駆動プーリ55の上方に配設される従動プーリ56と、これら駆動プーリ55と従動プーリ56に掛け渡され保持部材51を連結するタイミングベルト57とで構成されている。したがって、ステッピングモータ54の正逆回転によって支持ピン50と載置台42とが相対的に上下移動し得るように構成されている。
【0022】
上記開閉扉46は、角形筒状の本体46aの上端に内向き水平片46bを設けた形状となっており、処理室上壁44の下面と対向する内向き水平片46bの上面の四隅には、所定の高さ寸法h例えば1〜5mmの間隔設定用突起60が突設されている。前記開閉扉46は本体46aの下端部に突設されたブラケット46cに昇降機構、例えばエアーシリンダ61のピストンロッド61aが連結されており、エアーシリンダ61の駆動により昇降移動し、処理室41の開口部47を開閉すると共に、処理空間44を形成・解放するようになっている。
【0023】
開閉扉46が上昇して間隔設定用突起60が処理室上壁45の下面に当接することによって、処理室上壁45の下面と開閉扉46の上面との間に所定の寸法hに設定保持された空気導入口62が形成される。したがって、LCD基板Gの加熱処理時に、一定した外部の空気が空気導入口62を介して処理空間44内に流入し、排気口45aから排気される空気流量を均一にすることができ、LCD基板Gの加熱温度を均一にすることができる。
【0024】
前記処理室41の一側の開口部47は、メイン搬送アーム15が進入、退出して、支持ピン50上のLCD基板Gを受け取ったり、支持ピン50上にLCD基板Gを渡す。他側の開口部47aの外側には、除電装置としてのイオナイザ70が配置されている。このイオナイザ70は、一端部が閉口した本体71と、この本体71の一側に上下二段に配置されたノズル72、73を有している。これらノズル72、73は、等ピッチ(例えば約90mm間隔)で配置され、かつ上段のノズル72と、下段のノズル73とは、上からみて重ならないように配置されている。イオナイザ70のノズル72、73は、図5に示したように、LCD基板Gの長辺に沿って配置されている。
【0025】
本体71の他端部には、ガス導入部74が設けられて、このガス導入部74にフレッシュエアや窒素ガスその他の不活性ガスを供給すると、前記ノズル72、73から吐出される。各ノズル72、73には、針状の放電電極75が設けられている。電力ケーブル76から電力が供給されると、放電電極75が放電し、ノズル72、73から吐出される前記フレッシュエアや窒素ガスその他の不活性ガスがイオン化され、吐出される気体の流れに乗って、ノズルの吹出方向に吐出される。電力は、電源77から供給され、フレッシュエアなどは、気体供給源78から供給される。
【0026】
この電力、気体の供給、すなわちイオナイザ70の動作は、コントローラ81によって制御される。またこのコントローラ81は、開閉扉46を駆動するエアーシリンダ61の作動を行う、バルブ82、83の開閉をも制御している。バルブ82を開放すると、ガス供給源84からのガスがエアーシリンダ61内に供給され、ピストンロッド61aを押し上げる。これによって開閉扉46が上昇して、開口部62が閉鎖される。バルブ83を開放すると、ガス供給源84からのガスがエアーシリンダ61内の他の空間に供給され、ピストンロッド61aを押し下げる。これによって開閉扉46が下降して、開口部62が開放される。
【0027】
コントローラは、開閉扉46を開放する際に、イオナイザ70を作動させる。したがって、イオン化した気体は図6に示したように、ノズル72、73から処理室41内の載置台42の上面とLCD基板Gの裏面に向けて放出される。それによってLCD基板Gの電荷を中和して除去する。したがって、その後支持ピン50を上昇させてLCD基板Gを載置台42の上面から持ち上げることが円滑に行える。
【0028】
ノズル72は、LCD基板Gにおけるメイン搬送アーム15側、ノズル73はLCD基板Gの手前側に向けてイオン化した気体を吐出する。したがって、LCD基板G全体に偏りなくイオンを供給でき、効果的にLCD基板Gの除電がなされる。
【0029】
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。図7に示すレジスト処理システム101は、その一端側にカセットステーション103を備えている。このカセットステーション103にはLCD基板Gを収容した複数のカセット2が載置されている。カセットステーション103のカセット102の正面側にはLCD基板Gの搬送及び位置決めを行うと共に、LCD基板Gを保持してメインアーム104との間で受け渡しを行うための補助アーム105が設けられている。メインアーム104は、処理システム101の中央部を長手方向に移動可能に、二基直列に配置されており、その移送路の両側には、現像装置106その他の各種処理装置が配置されている。
【0030】
図示の処理システム1にあっては、カセットステーション103側の側方には、LCD基板Gをブラシ洗浄するためのブラシスクラバ107及び高圧ジェット水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機108等が並設されている。また、メインアーム104の移送路を挟んで反対側に現像装置106が二基並設され、その隣りに二基の加熱装置109が積み重ねて設けられている。
【0031】
これら各機器の側方には、接続用インターフェースユニット110を介して、LCD基板Gにレジスト膜を塗布する前にLCD基板Gを疎水処理するアドヒージョン装置111が設けられ、このアドヒージョン装置111の下方には冷却用クーリング装置112が配置されている。また、これらアドヒージョン装置111及びクーリング装置112の側方に加熱装置113が二列に二個づつ積み重ねて配置される。メインアーム104の移送路を挟んで反対側にはLCD基板Gにレジスト液を塗布することによってLCD基板Gの表面にレジスト膜(感光膜)を形成するレジスト膜塗布装置114が二台並設されている。図示はしないが、これらレジスト膜塗布装置114の側部には、LCD基板G上に形成されたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられる。
【0032】
メインアーム104はX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およびZ軸駆動機構を備えており(X軸、Y軸、Z軸の各方向は図1に示す)、更に、Z軸を中心に回転するθ回転駆動機構をそれぞれ備えている。このメインアーム104がレジスト処理システム101の中央通路に沿って適宜走行して、各処理装置106、109、111〜113の間でLCD基板Gを搬送する。そしてメインアーム104は、各処理装置106、109、111〜113内に処理前のLCD基板Gを搬入し、また、各処理装置106、109、111〜113内から処理後のLCD基板Gを搬出する機能を有している。
【0033】
これらの各装置のなかで、加熱装置109および加熱装置113は何れも同様の構成を備えているので、加熱装置109について代表して以下に説明する。図8に示すように、加熱装置109は、ケーシング120の内部に、LCD基板Gを載置するための載置台121を備えている。図示はしないが、載置台121はヒータを内蔵しており、載置台121上に載置したLCD基板Gを加熱することによって、LCD基板Gの乾燥処理を行うことができるように構成されている。
【0034】
この載置台121には、LCD基板Gの受取り、受渡し時に載置台121上面から上方に突出してLCD基板Gの下面を突き上げる複数本、例えば4本のピン122が昇降自在に嵌挿されている。これらピン122の下端部は昇降枠123を介して、ステッピングモータを内蔵した昇降機構124に支持されている。
【0035】
ケーシング120の前記メインアーム104の移送路に面する側面には、LCD基板Gの搬入出を行うための窓125が形成されており、この窓125は、シャッタ126によって開閉されるようになっている。なお、図示はしないが、このシャッタ126による開閉操作を検知するためのセンサを備えている。このシャッタ126の上昇により開放された窓125を介して、図9に示すように、LCD基板Gはメインアーム104によってケーシング120の内部に搬入される。そして、こうして搬入したLCD基板Gを、ピン122で突き上げることによりメインアーム104から受け取り、メインアーム104がケーシング120外に退出した後、ピン122が下降することにより、LCD基板Gが載置台121上に載置されるようになっている。
【0036】
図8に示すように、ケーシング120の上方には、載置台121上においてLCD基板Gを加熱した際に発生するガスを排出するための排気ダクト127が接続されている。
【0037】
また、ケーシング120の内部において載置台121上に載置されたLCD基板Gの側方には、本発明の特徴とするイオナイザ130が配置されている。また、このイオナイザ130と前述の昇降機構124の稼働は、コントローラ131によって制御される構成になっている。イオナイザ130の内部に放電極と対向電極を備えており、放電極に交流電圧を印加し、対向電極に直流電圧を印加することによって両電極間でコロナ放電を発生させた状態でイオナイザ130内に清浄な空気を供給することにより、その気流でイオンを放出することが可能である。後述するように、ピン122によってLCD基板Gが載置台121上から持ち上る際に、このイオナイザ130からイオンが放出されることにより、LCD基板Gの上面と下面の両方に対してイオンが供給されるように構成されている。
【0038】
さて、この加熱装置109を用いてLCD基板Gを加熱して乾燥処理する場合について説明すると、先ず、図7に示すようにカセットステーション103に載置されたカセット102内から補助アーム105によってLCD基板Gを取り出し、これをメインアーム104に受け渡す。メインアーム104はLCD基板Gをブラシスクラバ107に搬入し、ブラシスクラバ107はそのLCD基板Gをブラシ洗浄処理する。なお、プロセスに応じて高圧ジェット洗浄機108内にて高圧ジェット水によりLCD基板Gを洗浄するようにしてもよい。このようにして洗浄したLCD基板Gをメインアーム104で搬送して、加熱装置109内に搬入する。
【0039】
このLCD基板Gの搬入時には、図10に示すように、加熱装置109においてケーシング120の窓125は、シャッタ126の上昇により開放した状態になっている。そして、この開放された窓125を介してメインアーム104がケーシング120内部に進入し、これによりLCD基板Gが載置台121の上方に搬入された状態となる。
【0040】
この搬入後、ピン122が上昇してメインアーム104で支持していたLCD基板G下面を突き上げ、ピン122上端にLCD基板Gを受け取る。その後、図11に示すように、メインアーム104が窓125を介してケーシング120外に退出する。
【0041】
こうしてメインアーム104がケーシング120外に退出すると、図12に示すように、シャッタ126が下降してケーシング120内は密閉状態となる。なお、このシャッタ126の下降は図示しないセンサによって確認される。その確認後、ピン122が下降してLCD基板Gは載置台121上に載置される。そして、載置台121に内蔵しているヒータの熱によってLCD基板Gを加熱して、LCD基板Gの乾燥処理が行われる。また、同時に排気ダクト127からの排気が行われ、LCD基板Gを加熱した際に発生するガスがケーシング120外に排出される。
【0042】
次に、LCD基板Gの乾燥処理が終了すると、ピン122が上昇して載置台121上面から上方に突出し、LCD基板Gの下面を突き上げ始める。また、このピン122の上昇によって載置台121上からLCD基板Gを持ち上げる動作を開始するまでに、LCD基板Gの側方に配置されているイオナイザ130からイオンの供給を開始する。なお、LCD基板Gの乾燥処理が終了した後、予め定めておいたシーケンスによって、所定の時間が経過したらイオナイザ130からイオンの供給を開始するようにしても良い。
【0043】
なお、このLCD基板Gの持ち上げ動作の開始時においては、図13に示すように、LCD基板Gの一部(特に周辺部)が載置台121の上面とまだ接触した状態となっている。特に、LCD基板などは薄いガラス板で構成されていてたわみを生じやすく、周辺部が静電気によって載置台121上面に接触して剥がしづらい。かかる場合、最初からあまり速い速度でLCD基板Gを突き上げると、今まで静電気によって載置台121上面に接触していたLCD基板Gの周辺部が離れた瞬間に、反動でピン122の上でLCD基板Gが跳ね上がってしまう心配がある。このようにLCD基板Gがピン122上で跳ね上がってしまうと、ピン122上からメインアーム104に受け渡す際にLCD基板Gの位置が定まらなくなり、搬送不良を引き起こす原因となる。
【0044】
そこで、このようにピン122を上昇させて載置台121上からLCD基板Gを持ち上げるに際し、少なくともLCD基板Gの一部が載置台121の上面に接触している間は、コントローラ131の制御によって昇降機構124に内蔵されているステッピングモータの回転数を相対的に低回転にして、第1の速度でピン122を上昇させ、LCD基板Gの周辺部が離れた瞬間におけるLCD基板Gの跳ね上がりを防止する。なお、このように第1の速度で載置台121上からLCD基板Gを持ち上げている間においても、イオナイザ130からのイオンの供給を継続して行う。これにより、載置台121上面とLCD基板G下面との隙間にイオンを供給し、除電を行う。
【0045】
こうして第1の速度でピン122を上昇させることにより、LCD基板Gが載置台121の上面から完全に離れた後は、LCD基板Gがピン122上で跳ね上がる心配が無くなるので、コントローラ131の制御によって昇降機構124に内蔵されているステッピングモータの回転数を相対的に高回転にして、第1の速度よりも速い第2の速度でピン122を上昇させて良い。但し、この場合、図14に示すように、LCD基板G全体が載置台121の上面から完全に離れた直後に一定の間、コントローラ131の制御によって昇降機構124に内蔵されているステッピングモータの回転を中断させることによりピン122の上昇を一時停止し、載置台121上からLCD基板Gを持ち上げる動作を停止することが好ましい。
【0046】
即ち、前述のように載置台121上からLCD基板Gを持ち上げる初期の段階において第1の速度でピン122をゆっくりと上昇させることにより、LCD基板Gの跳ね上がりを防止することが可能となる。しかしながら、いくらゆっくりとLCD基板Gを持ち上げたとしても、LCD基板Gの周辺部が離れた瞬間におけるLCD基板Gの振動を完全に防止することは困難である。一方、LCD基板Gの振動が生じている状態で第1の速度よりも速い第2の速度ですぐにピン122を上昇させると、ピン122上端に支持しているLCD基板Gのずれが発生する心配が残ってしまう。
【0047】
そこで、図14に示すように、LCD基板G全体が載置台121の上面から完全に離れた直後にLCD基板Gの上昇動作を一時停止し、LCD基板Gの振動が無くなってから、再びLCD基板Gを上昇させるようにするのが良い。LCD基板Gの上昇動作を一時停止する操作は、コントローラ131の制御によって昇降機構124に内蔵されているステッピングモータの回転を一時的に停止させることによって行うことができるが、その停止時間は、LCD基板Gの大きさ、形状、厚さ、材質などといった種々の要因で異なり、例えば5秒間程度以上とすることができる。なお、こうしてLCD基板Gの上昇動作を一時停止させている間、および再びピン122の上昇を再開して第2の速度でLCD基板Gを持ち上げている間においても、イオナイザ130からのイオンの供給を継続して行い、LCD基板Gの除電を行う。
【0048】
こうして、図15に示すように、ピン122の上昇が終了して、除電の済んだLCD基板Gが載置台121の上方に支持された状態となると、シャッタ126が上昇し、窓125が開放させられる。このシャッタ126の上昇と窓125の開放は図示しないセンサによって検出される。そして、センサの検出により、イオナイザ130からのイオンの供給が停止する。なお安全を図るために、予め定めておいたシーケンスによって、所定の時間が経過したらイオナイザ130からのイオンの供給を停止するようにしても良い。また、このセンサの検出によって窓125の開放を確認した後、開放された窓125を介してメインアーム104がケーシング120内部に進入する。
【0049】
このメインアーム104の進入後、ピン122が下降し、ピン122上端で支持していたLCD基板Gをメインアーム104に受け渡す。そして、LCD基板Gはメインアーム104の退出に伴ってケーシング120外に搬出される。
【0050】
こうして乾燥処理の終了したLCD基板Gは、次いでアドヒージョンユニット111にてアドヒージョン処理される。更に、クーリングユニット112でLCD基板Gを冷却した後に、コーティングユニット114にてレジストをLCD基板Gの表面に塗布する。そして、LCD基板Gを加熱装置113で加熱処理した後に、露光装置(図示せず)でレジスト膜を露光処理する。そして、露光後のLCD基板Gを現像装置106内へ搬入し、現像処理が行われる。そして現像処理の終了後、LCD基板Gはメインアーム104で現像装置106から搬出され、そのLCD基板Gは加熱装置109で再び加熱されて乾燥され、さらにカセットステーション103のカセット102内に収納される。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の側方にイオナイザを配置しているので、基板の上面と下面との両方に対してイオンを供給することができ、基板の裏面も除電することがてきる。また本発明によれば、基板を載置台から持ち上げる際の跳ね上がりや位置ズレを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる加熱装置を組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態にかかる加熱装置の断面図である。
【図3】図2の加熱装置に用いたイオナイザの正面図である。
【図4】図2の加熱装置に用いたイオナイザの平面図である。
【図5】図3のイオナイザの配置を示す平面からみた説明図である。
【図6】図2の加熱装置において開閉扉が開放した状態の断面図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態にかかる加熱装置を組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態にかかる加熱装置の断面図である。
【図9】メインアームによる載置台上へのLCD基板の受け渡しを示す斜視図である。
【図10】メインアームによってケーシング内へLCD基板を搬入した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図11】ピンの上端にLCD基板を受け取った状態を示す加熱装置の断面図である。
【図12】LCD基板を載置台上に載置した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図13】LCD基板を載置台上から持ち上げ始める状態を示す拡大断面図である。
【図14】LCD基板の上昇を一時停止した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図15】メインアームによってケーシング内からLCD基板を搬出する状態を示す加熱装置の断面図である。
【符号の説明】
1 処理システム
20 加熱装置
41 処理室
41a ケーシング
42 載置台
50 支持ピン
70 イオナイザ
78 気体供給源
G LCD基板
Claims (10)
- 基板を載置させる載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピンとを備えた処理装置において、
前記載置台の側方に配置されたイオナイザと、
前記ピンを昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構及びイオナイザの稼働を制御するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、
載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、前記イオナイザによって基板の側方からイオンの供給を開始させ、
前記イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、ピンを上昇させて第1の速度で基板を持ち上げ、
前記イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第1の速度よりも速い第2の速度でピンを上昇させて基板を持ち上げるように、
前記昇降機構及びイオナイザを制御することを特徴とする、処理装置。 - 前記イオナイザが、前記ピンによって載置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の両方に対してイオンを供給できる位置に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の処理装置。
- 前記載置台を収納するケーシングをさらに備え、
前記イオナイザは前記ケーシングの外側に配置され、少なくとも前記載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出することを特徴とする、請求項1に記載の処理装置。 - 前記載置台を収納するケーシングをさらに備え、
前記イオナイザは前記ケーシングの外側に配置され、少なくとも前記載置台の上面と、載置している基板の下面との間の部分に向けてイオン化した気体を吐出することを特徴とする、請求項1に記載の処理装置。 - 前記イオナイザは、気体をイオン化する放電電極と、この放電電極に向けて気体を供給する気体供給手段とを備えていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の処理装置。
- 前記放電電極は、基板の長手方向に沿った位置に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載の処理装置。
- 前記放電電極は、載置台側からみて、上下交互に配置されていることを特徴とする、請求項6に記載の処理装置。
- 載置台上から基板を持ち上げるに際し、
載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、基板の側方からイオンの供給を開始し、
イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、第1の速度で基板を持ち上げ、
イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第1の速度よりも速い第2の速度で基板を持ち上げることを特徴とする、処理方法。 - 前記基板が載置台の上面から完全に離れた後、一定の間載置台上から基板を持ち上げる動作を停止し、
その後、載置台上から基板を第2の速度で持ち上げることを特徴とする、請求項8に記載の処理方法。 - 前記一定の間は、基板の振動が停止するまでの時間であることを特徴とする、請求項9に記載の処理方法。
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