JPH05343312A - 半導体基板用熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱処理時の温度制御を高精度に行う。 【構成】 半導体基板２を収容する加熱室１９を有しか
つプロキシミティ制御用ピン４で半導体基板２を支承す
る熱処理槽１を備える。加熱室１９の上部に恒温窒素ガ
スを供給する恒温ガス供給装置１１を備える。前記加熱
室１９の下部からガスを吸引して排出する排気装置１５
とを備えた。半導体基板２は恒温窒素ガスに晒されるか
ら、恒温窒素ガスによって加熱室１９内が換気されると
共に半導体基板２が加熱される。したがって、加熱室１
９を換気してパーティクルを排出しつつ加熱室１９内の
温度制御を高精度に行えるようになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レジストが塗布された
半導体基板を電子線，Ｘ線，紫外線等のエネルギー線に
よって露光する以前や露光後などで加熱する際に使用す
る半導体基板用熱処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の加工寸法はサブミクロ
ンからクォータミクロンへと微細化が進み、リソグラフ
ィー工程でＸ線，電子線および紫外線等を露光させると
きに使用するレジスト材料は、現像時の膨潤等によって
解像性劣化の問題が少なく、かつ高感度であるノボラッ
ク樹脂を母材とする化学増幅系レジストが用いられる。

【０００３】この化学増幅系レジストは、エネルギー線
によって発生した酸を触媒として次工程のポスト・エッ
クスポージャー・ベーク（以下、単にＰＥＢという）に
よりネガ型レジストでは架橋反応、ポジ型レジストでは
分解反応が増幅されるために、極めて高い感度を有す
る。すなわち、化学増幅系レジストはレジスト塗布後の
プリベーク、エネルギー線の選択的照射後のＰＥＢによ
って感度，解像性等が大きく変動する。なお、化学増幅
系レジストでない従来型レジストはエネルギー線で露光
することによって直接架橋や分解を起こすために、露光
後のＰＥＢは必要はない。

【０００４】従来、上記プリベーク、ＰＥＢ等の熱処理
は自動塗布装置に設備されたホットプレート型半導体基
板用熱処理槽、あるいは手動用の箱型半導体基板用熱処
理槽が使用されていた。前記ホットプレート型の半導体
基板用熱処理槽はレジスト塗布後に連続して熱処理を行
えるために作業性，量産性に優れている。箱型半導体基
板用熱処理槽は多量の半導体基板を一括処理でき、窒素
ガス等のガス導入装置や、熱処理によってレジストから
発生したパーティクルをフィルタ等で除去する設備を容
易に設けることができるなどの特徴がある。

【０００５】しかし、ホットプレート型は熱処理によっ
て発生したパーティクルを強制的にダクトから吸引した
り、窒素ガス等のガスを導入して除去しようとすると、
槽内温度が低下して温度精度が低下してしまう。これ
は、ホットプレート型半導体基板用熱処理槽が前記箱型
半導体基板用熱処理槽と比較して熱容量が小さく外部温
度の影響を受け易いことに起因する。さらに、温度精度
を向上するために密閉構造とすると、パーティクルが半
導体基板の表面および裏面に再付着し、歩留りが低下す
る。また、箱型半導体基板用熱処理槽は上述したように
手動で使用するために作業性，量産性が低いという問題
があった。本発明は、上述したホットプレート型半導体
基板用熱処理槽の改良に関する。

【０００６】ここで、従来のホットプレート型半導体基
板用熱処理槽を図５によって説明する。図５は従来のホ
ットプレート型半導体基板用熱処理槽の概略構成を示す
断面図で、同図は半導体基板が熱処理槽内部に設置され
て熱処理されている状態を示す。

【０００７】図５において、１は半導体基板２を熱処理
する熱処理槽で、この熱処理槽１内の底部には、熱処理
槽１内の温度を高めて半導体基板２を加熱するための加
熱体３が設置されている。この加熱体３上に半導体基板
２を支承するプロキシミティ制御用のピン４が立設され
ている。通常はこの種の熱処理槽は半導体基板２を出し
入れする部分（図示せず）が開放されているが、熱処理
槽１内の温度が外部温度に影響されて変化することを防
いで温度制御を高精度で行うことができるように、図５
に示す熱処理槽１は半導体基板２を出し入れする部分が
密閉されるような構造とされている。

【０００８】そして、この熱処理槽１は、ロボット搬送
等の手段（図示せず）を介して半導体基板２が出し入れ
されるように構成されている。

【０００９】前記プロキシミティ制御用ピン４は、半導
体基板２を加熱体３から離間させて支承するように構成
されている。半導体基板２と加熱体３との間隔を所定の
間隔とすることによって、加熱体３の面内温度ばらつき
の影響を低減し、半導体基板２の面内温度分布を均一化
することができる。

【００１０】５は熱処理槽１内に窒素ガス等を供給する
ガス供給ダクト、６は熱処理槽１内のガスを排出するた
めのガス排出ダクトである。前記ガス供給ダクト５は熱
処理槽１の上部に開口し、不図示のガス供給装置に連通
されている。また、ガス排出ダクト６は熱処理槽１の下
部に開口し、不図示のガス吸引装置に連通されている。

【００１１】次に、このように構成された従来の熱処理
槽１を使用してレジスト塗布後の半導体基板２に熱処理
を施す手順について説明する。

【００１２】レジストが塗布された半導体基板２は、ロ
ボット搬送等の手段によって熱処理槽１内に自動搬送さ
れてプロキシミティ制御用のピン４上に設置され、その
状態で予め定めた時間だけ加熱される。このとき、熱処
理槽１内の温度は、加熱体３によって所定の温度になる
ように制御される。

【００１３】熱処理中はガス供給ダクト５から窒素ガス
を熱処理槽１内に供給すると共に、ガス排出ダクト６か
ら熱処理槽１内のガスを吸引する。このようにすること
で、熱処理槽１内にレジストから生じるパーティクルが
窒素ガスと共に熱処理槽１内から強制的に吸引排気され
る。

【００１４】熱処理が終了した後は、半導体基板２は熱
処理槽１から搬出されて露光装置等へ移載される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように構成さ
れた熱処理槽１では、熱処理中に槽内が密閉状態となる
ことに起因して槽内に生じたパーティクルが半導体基板
１の表面および裏面に再付着して歩留りが低下するのを
防ぐために、槽内を窒素ガスを用いて換気していたが、
その窒素ガスを熱処理槽１内に導入することが問題であ
った。

【００１６】すなわち、窒素ガスを熱処理槽１中に導入
することで熱処理槽１内部の温度が不安定となり、温度
制御を高精度に行うことができなくなってしまう。

【００１７】熱処理槽１内の温度を高精度に制御できな
いと、図６に示すようにレジストの感度にばらつきを生
じてしまう。図６は化学増幅系ネガ型レジストにShiply
社製のSAL601・ER7を用いた場合のＰＥＢ温度とＳＯＲ露
光に対するレジスト感度との関係を示すグラフである。
同図においてレジスト感度はレジスト残膜特性から得ら
れる残膜５０％（Ｄ₅₀）となるＳＯＲ露光量（蓄積電流
×露光時間）で示した。また、ＰＥＢ時間は２分間一定
とした。

【００１８】図２から明らかなように、化学増幅系レジ
ストはＰＥＢ温度によって感度が大きく変動する。ＰＥ
Ｂ温度によって感度が大きく変動すると、形成したパタ
ーンの寸法も変動してしまい、高精度なパターン形成が
困難であった。０．５ミクロン以下領域の微細パターン
を±５％の精度で形成するには、ＰＥＢ温度を１００±
０．３℃以下に制御する必要がある。

【００１９】しかし、図５に示したような従来のホット
プレート型半導体基板用熱処理槽では、温度制御が高々
１００±０．８℃出あり、高精度なパターン形成が困難
であった。

【００２０】本発明の目的は、従来のプリベークおよび
ＰＥＢ等の半導体基板の熱処理工程での温度精度が低
く、またパーティクル除去性などが低い問題点を解決
し、作業性，量産性が高く、しかも、温度精度とパーテ
ィクル除去性の高い半導体基板用熱処理装置を提供する
ことにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体基板
用熱処理装置は、レジストが塗布された半導体基板を収
容する加熱室が形成されかつ前記半導体基板の下面を加
熱室底面から離間させた状態で支承する支承部材を備え
た熱処理槽と、前記加熱室の上部に連通され加熱室内換
気用ガスを熱処理温度に加熱して加熱室内に供給する恒
温ガス供給装置と、前記加熱室の下部に連通され加熱室
内のガスを吸引して排出する排気装置とを備えたもので
ある。

【００２２】

【作用】半導体基板は換気用ガスに晒されるから、換気
用ガスによって加熱室内が換気されると共に半導体基板
が加熱される。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
よって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体基板
用熱処理装置の概略構成を示す正面断面図、図２は同じ
く側面断面図である。これらの図において前記図５で説
明したものと同一もしくは同等部材については、同一符
号を付し詳細な説明は省略する。

【００２４】これらの図において、１１は熱処理槽１内
にガス供給ダクト５を介して換気用ガスとしての窒素ガ
スを供給するための恒温ガス供給装置である。この恒温
ガス供給装置１１は、フィルタ１２を介して窒素ガス供
給源１３に連通されており、その窒素ガス供給源１３か
ら供給された窒素ガスを所定温度に加熱して熱処理槽１
内に供給するように構成されている。１４はこの恒温ガ
ス供給装置１１と熱処理槽１との間に介装された自動開
閉バルブである。

【００２５】１５は熱処理槽１内のガスをガス排出ダク
ト６を介して吸引排気するための排気装置である。この
排気装置１５と熱処理槽１との間には自動開閉バルブ１
６が介装されている。

【００２６】１７は前記恒温ガス供給装置１１から供給
された恒温窒素ガスが半導体基板２の上面全面にわたっ
て略均一に当たるようにするための仕切板で、この仕切
板１７は熱処理槽１内を上下に２分するように熱処理槽
１に支持固定されている。そして、この仕切板１７には
恒温窒素ガスが流される微細孔１７ａが多数穿設されて
いる。すなわち、熱処理槽１内の上部に導入された恒温
窒素ガスをこの仕切板１７の微細孔１７ａに通すことに
よって、その恒温窒素ガスは半導体基板２の上面に全面
にわたって略均一の流量と流速をもって当たるようにな
る。

【００２７】１８は前記仕切板１７と共に熱処理槽１内
に加熱室１９を形成する側壁で、この側壁１８の下部に
は加熱室内外を連通するガス流出用複数微細孔１８ａが
穿設されている。この複数微細孔１８ａの開口高さは、
加熱室１９内に設置された状態の半導体基板２の表面よ
り下側とされている。

【００２８】２０は熱処理槽１の半導体基板出し入れ口
を塞ぐための蓋で、この蓋２０は熱処理槽１に枢支され
て開閉自在に設けられており、半導体基板２の搬出入時
のみに自動的に開くように構成されている。そして、こ
の蓋２０の下方となる部分には、蓋２０が開いたときに
加熱室１９内の恒温窒素ガスや加熱室開口付近の外気を
吸引する吸引ダクト２１が配設されている。

【００２９】この吸引ダクト２１は上方（加熱室開口
側）へ向けて開口する吸引口２１ａが穿設されており、
自動開閉バルブ２２を介して排気装置１５に連通されて
いる。本実施例の熱処理装置では、前記蓋２０が閉じて
いるときには前記自動開閉バルブ１６が開かれると共に
この吸引ダクト２１側の自動開閉バルブ２２が閉じら
れ、蓋２０が開くと、自動開閉バルブ１６が閉じられる
と共に自動開閉バルブ２２が開かれるように構成されて
いる。

【００３０】すなわち、蓋２０が閉じているときには排
気装置１５によって熱処理槽１内のガスが吸引排気され
ることになり、蓋２０が開くと、加熱室開口側のガス
（加熱室１９内のガスや外気）が排気装置１５によって
吸引排気されることになる。

【００３１】２３は加熱室１９内の温度を熱処理温度に
制御するための制御装置で、この制御装置２３は、加熱
室１９内の温度を検出する温度センサ２４と、プロキシ
ミティ制御用ピン４に内蔵された温度センサ（図示せ
ず）とによって検出された温度に基づいて加熱体３や恒
温ガス供給装置１１での加熱温度や排気装置１５での吸
引排気量を制御するように構成されている。なお、温度
センサ２４は検出部が熱処理槽１の外壁および側壁１８
を貫通して加熱室１９内に臨んでいる。

【００３２】すなわち、温度センサ２４およびプロキシ
ミティ制御用ピン４内の温度センサによって加熱室１９
内の温度を検出し、その加熱室内温度が予め定めた熱処
理温度になるように、加熱体３および恒温ガス供給装置
１１での加熱温度と、排気装置１５での吸引排気量とを
制御して微調整することになる。

【００３３】なお、本実施例では、半導体基板２として
６インチシリコンウエハを使用し、その半導体基板２上
にShiply社製化学増幅系レジスト材料SAL601・ER7を１．
５μｍの膜厚となるように塗布した。さらに、半導体基
板２を支承するプロキシミティ制御用ピン４の長さは、
半導体基板２を設置した状態で半導体基板２と加熱体３
との間隔が１００μｍとなるように設定した。

【００３４】次に、このように構成された半導体基板用
熱処理装置の動作について説明する。レジストが塗布さ
れた半導体基板２は、従来と同様にしてロボット搬送等
の手段によって熱処理槽１内部の加熱室１９に自動的に
搬送され、プロキシミティ制御用ピン４上に設置され
る。そして、半導体基板２は加熱室１９内で所定時間加
熱される。なお、熱処理を行うときには蓋２０が閉じら
れ、それと共に吸引ダクト２１側の自動開閉バルブ２２
も制御装置２３によって閉動作される。また、ガス供給
ダクト５に設けられた自動開閉バルブ１４は常時開いた
状態とされる。

【００３５】熱処理中は、自動開閉バルブ１４，１６が
制御装置２３によって開動作され、恒温ガス供給装置１
１から恒温窒素ガスが熱処理槽１内に供給されると共
に、排気装置１５によって熱処理槽１内のガスが強制的
に吸引排気される。すなわち、ガス供給ダクト５から熱
処理槽１内に供給された恒温窒素ガスは、仕切板１７の
微細孔１７ａを通過して加熱室１９内に流され、半導体
基板２の上面全面にわたって略均一な流量と流速をもっ
て吹きかけられることになる。そして、熱処理によって
半導体基板２のレジスト面から生じたパーティクルは前
記恒温窒素ガスによってトラップされ、このパーティク
ルを含有する窒素ガスが側壁１８の複数微細孔１８ａお
よびガス排出ダクト６，自動開閉バルブ１６を介して排
気装置１５に吸引される。

【００３６】熱処理は、加熱体３の熱と、恒温ガス供給
装置１１から仕切板１７を介して加熱室１９内に導入さ
れる恒温窒素ガスの熱を熱源として行われる。そして、
熱処理中は、温度センサ２４やプロキシミティ制御用ピ
ン４内の温度センサによって検出される温度が予め定め
た熱処理温度となるように、制御装置２３が加熱体３お
よび恒温ガス供給装置１１での加熱温度と、排気装置１
５での吸引排気量とを制御する。

【００３７】熱処理が終了した後は、半導体基板２は熱
処理槽１から搬出されて露光装置等へ移載される。この
とき、蓋２０が開かれると、制御装置２３によって排気
経路中の自動開閉バルブ１６が閉動作されると共に、吸
引ダクト２１側の自動開閉バルブ２２が開かれる。この
ようにすると、吸引ダクト２１の吸引口２１ａに熱処理
槽開口部のガスが吸引されるようになる。すなわち、熱
処理槽１内のパーティクルを含んだ窒素ガスが開口部か
ら流出して外部が汚染されるのを防ぐことができると共
に、外部空気が開口部から熱処理槽１内に流入すること
を防ぐことができる。

【００３８】したがって、上述したように構成された半
導体基板用熱処理装置によれば、半導体基板２は換気用
ガスとしての恒温窒素ガスに晒されるから、その恒温窒
素ガスによって加熱室１９内が換気されると共に半導体
基板２が加熱される。そのため、加熱室１９内の温度を
高精度に制御できるようになる。

【００３９】本実施例に示した熱処理槽１を使用したと
ころ、半導体基板２の表面での温度精度が１００±０．
３℃以下で半導体基板２を高精度に熱処理することがで
き、半導体基板２の表面および裏面にパーティクルが再
付着してパターン形成の歩留りが低下するなどの問題は
皆無であった。

【００４０】なお、本実施例では、恒温ガス種に窒素ガ
スを用いた例を示したが、熱伝導率の高いヘリウムや、
アルゴン，酸素，空気，水素等のガスを使用しても本実
施例と同様の効果が得られる。

【００４１】また、前記実施例では熱処理を行うときの
熱源として恒温窒素ガスの熱と加熱体３の熱を用いた例
を示したが、図３に示すように恒温窒素ガスの熱のみに
よって熱処理を行うようにすることもできる。

【００４２】図３は換気用ガスによって熱処理を行う半
導体基板用熱処理装置の他の実施例を示す正面断面図
で、同図において前記図１および図２で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。

【００４３】図３に示す熱処理槽１は、加熱体を備えて
いない点を除けば図１および図２に示した熱処理槽と同
等の構成とされている。また、半導体基板２を加熱室１
９内に搬入するときの蓋２０，自動開閉バルブ１４，１
６，２２等の操作も前記実施例と同様に行った。そし
て、プリベークおよびＰＥＢを行うときには、恒温ガス
供給装置１１から熱処理槽１に供給される恒温窒素ガス
の温度，供給量と、排気装置１５での吸引排気量とによ
って加熱室１９内の温度を制御した。

【００４４】本実施例で使用したプロキシミティ制御用
ピン４は、半導体基板２を設置した状態で半導体基板２
と加熱室底面との間隔が５mmとなるようその長さが設定
されている。すなわち、このようにプロキシミティ制御
用ピンを長く設定すると、恒温窒素ガスを半導体基板２
の上面側と下面側とに略均等に流すことができるように
なり、半導体基板２の面内温度分布を均一化することが
できるようになる。

【００４５】このように構成された熱処理装置では、熱
処理槽１内の温度が主に恒温窒素ガスの温度によって決
まるため、温度制御をきわめて容易に行うことができ
る。本実施例の熱処理槽１で半導体基板２のプリベー
ク，ＰＥＢを行ったところ、半導体基板面内および半導
体基板間の温度精度を１０５±０．３℃以下とし、半導
体基板面内および半導体基板間の感度変動を±５％以下
にすることができた。また、熱処理後に半導体基板２の
表面および裏面に付着した０．３μｍ以上のパーティク
ル数は１０個以下であった。

【００４６】また、上述した各実施例では恒温ガス供給
装置に自ら熱源を備えたものを使用した例を示したが、
図４に示すように熱処理槽下部に設けられた加熱体の熱
を利用するようにすることもできる。

【００４７】図４は加熱体によって換気用ガスを加熱す
る半導体基板用熱処理装置の他の実施例を示す正面断面
図である。同図において前記図１および図２で説明した
ものと同一もしくは同等部材については、同一符号を付
し詳細な説明は省略する。

【００４８】図４に示す熱処理槽１は、加熱体上にガス
熱交換器が設置されている以外は図１および図２に示し
た熱処理槽と同等の構成とされている。また、半導体基
板２およびレジスト種等も図１および図２で示した実施
例と同様のものを使用した。さらに、半導体基板２を加
熱室１９内に搬入するときの蓋２０，自動開閉バルブ１
４，１６，２２等の操作も前記実施例と同様に行った。

【００４９】図４において、符号３１は換気ガスを加熱
体３の熱を利用して加熱するためのガス熱交換器であ
る。このガス熱交換器３１は加熱体３上に配置されてお
り、ガス流入側は自動開閉バルブ１４およびフィルタ１
２を介して不図示の窒素ガス供給源に連通され、ガス流
出側は熱処理槽１内の仕切板１７上方空間に開口してい
る。

【００５０】図４に示した熱処理槽１では、ガス熱交換
器３１を窒素ガスが通って熱処理槽１へ流れ込むとき
に、加熱体３の熱によって窒素ガスが加熱されることに
なる。すなわち、この実施例では、ガス熱交換器３１お
よび加熱体３によって恒温ガス供給装置が構成されるこ
とになる。そして、加熱された恒温窒素ガスが仕切板１
７の微細孔１７ａを通過して加熱室１９内に流され、半
導体基板２の上面全面にわたって略均一な流量と流速を
もって吹きかけられることになる。

【００５１】このように構成された熱処理槽１によれ
ば、加熱体３と窒素ガスとは常に同一温度となり熱処理
時の温度制御が容易になる。

【００５２】本実施例で示した熱処理槽１を使用したと
ころ、プリベーク時の半導体基板２５枚の面内および半
導体基板間の温度変動量は何れも１０５±０．３℃以下
であった。そして、パターンを形成するために以下のよ
うに各種処理を行った。

【００５３】プリベーク後の露光はＳＯＲ光をエネルギ
線に用いて行った。このときの半導体基板２とＸ線用マ
スクとの距離は３０μｍ、露光量は３５００ｍＡ・ｓｅ
ｃ（蓄積電流×露光時間）とした。露光後、ＳＯＲ露光
した半導体基板２を前記プリベークと同様に本実施例の
半導体基板用熱処理装置で１０５℃、２分間ＰＥＢし
た。半導体基板２５枚の面内および半導体基板間の温度
変動量は何れもプリベークと同様に１０５±０．３℃以
下であった。現像は、０．２７Ｎのテトラメチルアンモ
ニュウムハイドロオキサイドで１０分間処理を行い、現
像後のリンスは純水で１分間行った。

【００５４】以上の方法でパターン形成した結果、半導
体基板面内でのパターン寸法変動が０．２±０．０２μ
ｍ以下であった。これは、本実施例の熱処理装置でプリ
ベークおよびＰＥＢを実施したために半導体基板面内お
よび半導体基板間の温度精度を１０５±０．３℃以下に
でき、半導体基板面内および半導体基板間の感度変動が
低減したためである。

【００５５】また、上述した熱処理装置で処理した半導
体基板２の表面および裏面に付着した０．３μｍ以上の
パーティクル数は１０個以下であった。なお、本実施例
では、ガス熱交換器３１の加熱体３上部に設置したが、
加熱体３の周辺部に配置してもよく、加熱体３と混在さ
せてもよい。そのようにしても本実施例と同等の効果が
得られる。

【００５６】さらに、実施例では恒温窒素ガスが半導体
基板２の表面に均一の流量と流速で当たるようにガス流
入用複数微細孔１７ａを用いたが、その微細孔１７ａの
代わりにフィルターを使用しても同様の効果が期待でき
る。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
基板用熱処理装置は、レジストが塗布された半導体基板
を収容する加熱室が形成されかつ前記半導体基板の下面
を加熱室底面から離間させた状態で支承する支承部材を
備えた熱処理槽と、前記加熱室の上部に連通され加熱室
内換気用ガスを熱処理温度に加熱して加熱室内に供給す
る恒温ガス供給装置と、前記加熱室の下部に連通され加
熱室内のガスを吸引して排出する排気装置とを備えたた
め、半導体基板は換気用ガスに晒されるから、換気用ガ
スによって加熱室内が換気されると共に半導体基板が加
熱される。

【００５８】したがって、加熱室を換気してパーティク
ルを排出しつつ加熱室内の温度制御を高精度に行えるよ
うになるので、化学増幅系レジストを用いてパターンを
形成するに当たり寸法誤差を可及的少なく抑えることが
できるようになった。

【００５９】本発明に係る半導体基板用熱処理装置を使
用すると、熱処理時の温度精度が半導体基板面内および
半導体基板間で従来の１００±０．８℃と比較して１０
０±０．３℃となり２倍程度向上した。その結果、化学
増幅系レジストを用いてパターンを形成するに当たり寸
法誤差を±０．０２μｍ以下とすることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体基板用熱処理装置の概略構
成を示す正面断面図である。

【図２】本発明に係る半導体基板用熱処理装置の概略構
成を示す側面断面図である。

【図３】換気用ガスによって熱処理を行う半導体基板用
熱処理装置の他の実施例を示す正面断面図である。

【図４】加熱体によって換気用ガスを加熱する半導体基
板用熱処理装置の他の実施例を示す正面断面図である。

【図５】従来のホットプレート型半導体基板用熱処理槽
の概略構成を示す断面図である。

【図６】ＰＥＢ温度とＳＯＲ露光に対するレジスト感度
との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 熱処理槽 ２ 半導体基板 ３ 加熱体 １１ 恒温ガス供給装置 １５ 排気装置 １７ 仕切板 １８ 側壁 １９ 加熱室 ２３ 制御装置 ２４ 温度センサ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが塗布された半導体基板を収容
   する加熱室が形成されかつ前記半導体基板の下面を加熱
   室底面から離間させた状態で支承する支承部材を備えた
   熱処理槽と、前記加熱室の上部に連通され加熱室内換気
   用ガスを熱処理温度に加熱して加熱室内に供給する恒温
   ガス供給装置と、前記加熱室の下部に連通され加熱室内
   のガスを吸引して排出する排気装置とを備えたことを特
   徴とする半導体基板用熱処理装置。