JP2682437B2 - 露光方法およびその装置 - Google Patents
露光方法およびその装置Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放射線感応材料（以下単
にレジストと呼ぶ）が塗布された基板に電子あるいは光
の放射線を投射しパターンを転写する露光方法およびそ
の装置に関し、特にパターン転写後のレジストの熱処理
方法と熱処理装置とが付加された露光方法およびその装
置に関する。
にレジストと呼ぶ）が塗布された基板に電子あるいは光
の放射線を投射しパターンを転写する露光方法およびそ
の装置に関し、特にパターン転写後のレジストの熱処理
方法と熱処理装置とが付加された露光方法およびその装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの回路パターンの高集積化に伴な
い回路パターンを基板に転写するリソグラフィ技術の進
歩は不可欠となった。このリソグラフィ技術は高解像度
を得るために投射する放射線を紫外線から遠紫外線にさ
らに波長の短かい電子線あるいはＸ線などが試行されて
きた。一方、転写され潜像が形成されるレジストも高感
度および高解像度であって高加工耐性をもつレジスト材
料の開発がなされてきた。その中でも化学増幅系のレジ
ストが最も優れたレジストであることが注目されてい
る。
い回路パターンを基板に転写するリソグラフィ技術の進
歩は不可欠となった。このリソグラフィ技術は高解像度
を得るために投射する放射線を紫外線から遠紫外線にさ
らに波長の短かい電子線あるいはＸ線などが試行されて
きた。一方、転写され潜像が形成されるレジストも高感
度および高解像度であって高加工耐性をもつレジスト材
料の開発がなされてきた。その中でも化学増幅系のレジ
ストが最も優れたレジストであることが注目されてい
る。
【０００３】一方、一筆書きのように電子線でパターン
を描画する電子線露光方法は、パターンが形成されたレ
チクルに光を投射しパターンを一括転写する光露光方法
に比べ処理速度が遅いという欠点があった。この処理速
度を早める電子線露光方法は、例えば、ジャーナル オ
ブ バキューム サイエンス アンド テクノロジイ
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎ−ｏｌｏｇｙ），Ｂ１０ Ｎｏ
ｖ／Ｄｅｃ １９９２ ｐｐ２７５９〜２７６３に開示
されている。
を描画する電子線露光方法は、パターンが形成されたレ
チクルに光を投射しパターンを一括転写する光露光方法
に比べ処理速度が遅いという欠点があった。この処理速
度を早める電子線露光方法は、例えば、ジャーナル オ
ブ バキューム サイエンス アンド テクノロジイ
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎ−ｏｌｏｇｙ），Ｂ１０ Ｎｏ
ｖ／Ｄｅｃ １９９２ ｐｐ２７５９〜２７６３に開示
されている。
【０００４】この方法は、描画すべきパターンを部分的
に分割して複数の単純な形状の部分パターンとしこの部
分パターンを形成したアパーチャを幾種類かを準備し、
それぞれのアパーチャに矩形状の電子線を透過させ、部
分パターンを描画させ繋ぎ合せて全体のパターンを完成
させる方法である。この方法で処理速度が向上し、１時
間辺り２０枚以上のウェーハを処理することができた。
しかしながら、このように早く処理できるものの、パタ
ーン転写後のベーク処理の時間がむしろ長くなりパター
ン転写工程としてのスループットを低下する恐れがあっ
た。
に分割して複数の単純な形状の部分パターンとしこの部
分パターンを形成したアパーチャを幾種類かを準備し、
それぞれのアパーチャに矩形状の電子線を透過させ、部
分パターンを描画させ繋ぎ合せて全体のパターンを完成
させる方法である。この方法で処理速度が向上し、１時
間辺り２０枚以上のウェーハを処理することができた。
しかしながら、このように早く処理できるものの、パタ
ーン転写後のベーク処理の時間がむしろ長くなりパター
ン転写工程としてのスループットを低下する恐れがあっ
た。
【０００５】また、露光装置とベーク装置とは同じ工程
にかかわらず従来距離を置いて配置されていた。このよ
うな場合、パターンが転写されたウェーハをベーク装置
に搬送される際にウェーハは大気に晒さわれることにな
る。このため、上述した化学増幅系のレジストでは、大
気中に含まれる塩基成分や水分によりレシスト表面付近
でレジストに含むレジスト反応を促進させる触媒を不活
性化にするという問題がある。この問題はレジスト膜表
面付近での溶解速度を変化させレジストに転写され形成
された潜像の形状に変形をもたらし解像度を低下させ
る。すなわち、大気への暴露時間によっては正確なパタ
ーンが得られなくなるという問題になる。
にかかわらず従来距離を置いて配置されていた。このよ
うな場合、パターンが転写されたウェーハをベーク装置
に搬送される際にウェーハは大気に晒さわれることにな
る。このため、上述した化学増幅系のレジストでは、大
気中に含まれる塩基成分や水分によりレシスト表面付近
でレジストに含むレジスト反応を促進させる触媒を不活
性化にするという問題がある。この問題はレジスト膜表
面付近での溶解速度を変化させレジストに転写され形成
された潜像の形状に変形をもたらし解像度を低下させ
る。すなわち、大気への暴露時間によっては正確なパタ
ーンが得られなくなるという問題になる。
【０００６】この触媒の不活性化は大気への暴露時間に
比例することを考慮し、露光後のベークまでの間の搬送
時間を一定制御すれば、ある程度の変形に留めることが
できると考えられるが、枚葉式に処理する露光装置と複
数枚処理するベーク装置との間では、複数枚のウェーハ
を収納するウェーハキャリアでのウェーハの待機時間が
異なることとなり潜像の形状および線幅に違を生ずるこ
とになる。
比例することを考慮し、露光後のベークまでの間の搬送
時間を一定制御すれば、ある程度の変形に留めることが
できると考えられるが、枚葉式に処理する露光装置と複
数枚処理するベーク装置との間では、複数枚のウェーハ
を収納するウェーハキャリアでのウェーハの待機時間が
異なることとなり潜像の形状および線幅に違を生ずるこ
とになる。
【０００７】この触媒の経時変化による潜像の変形を対
策した露光装置が特開平３一１５４３２４号公報に開示
されている。この露光装置は露光室とウェーハを露光室
から取り入れ取出す交換室との間にベーク装置を配置し
構成している。交換室の複数枚のウェーハを順次露光室
に入れパターンを転写し潜像を形成し、露光室から取出
しベーク装置に入れベーク処理を行なう。このように待
機しているウェーハを一枚ずつ交換室を介して露光室に
入れ、潜像を形成した後ホットプレートにウェーハを移
載しベーキングし、しかる後交換室から外側に待機して
いるウェーハカセットに収納し総べてのウェーハを処理
していた。
策した露光装置が特開平３一１５４３２４号公報に開示
されている。この露光装置は露光室とウェーハを露光室
から取り入れ取出す交換室との間にベーク装置を配置し
構成している。交換室の複数枚のウェーハを順次露光室
に入れパターンを転写し潜像を形成し、露光室から取出
しベーク装置に入れベーク処理を行なう。このように待
機しているウェーハを一枚ずつ交換室を介して露光室に
入れ、潜像を形成した後ホットプレートにウェーハを移
載しベーキングし、しかる後交換室から外側に待機して
いるウェーハカセットに収納し総べてのウェーハを処理
していた。
【０００８】すなわち、露光からベークまでの経過時間
を短くしかつ一定にすることによって転写で形成される
パターン潜像の寸法変動を解消している。そして、ベー
ク装置における加熱手段としては、上述したホットプレ
ート式以外にベルト加熱式または熱風循環式または赤外
線・遠赤外線式または高周波加熱方式が適用できること
を特徴としたものであった。
を短くしかつ一定にすることによって転写で形成される
パターン潜像の寸法変動を解消している。そして、ベー
ク装置における加熱手段としては、上述したホットプレ
ート式以外にベルト加熱式または熱風循環式または赤外
線・遠赤外線式または高周波加熱方式が適用できること
を特徴としたものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た露光装置では、露光からベークに至る経過時間を短く
一定にすることによって潜像パターンの形状および寸法
のばらつきが少なくなるものの、一枚ずつウェーハをベ
ーク処理してから交換室より一枚ずつ取出しウェーハカ
セットに収納しているので、ウェーハを交換室から取出
しウェーハカセットに総べてのウェーハを収納する無駄
な時間がかかりスループットを低下させるという欠点が
ある。
た露光装置では、露光からベークに至る経過時間を短く
一定にすることによって潜像パターンの形状および寸法
のばらつきが少なくなるものの、一枚ずつウェーハをベ
ーク処理してから交換室より一枚ずつ取出しウェーハカ
セットに収納しているので、ウェーハを交換室から取出
しウェーハカセットに総べてのウェーハを収納する無駄
な時間がかかりスループットを低下させるという欠点が
ある。
【００１０】また、ベーク装置における加熱手段にして
も、熱風循環式を除いては真空中でベーキング処理が可
能で、触媒の経時変化が少なくなる期待がもてるもの
の、１μＴｏｒｒ程度の真空度では水分や塩基物を完全
に除去できるものではなくレジストの触媒の経時変化が
起きる不安があり高い解像度が得られない問題を含んで
いる。ましては、熱風循環式の加熱手段では、熱風中に
多くの塩基物や水分が含まれている恐れがある。
も、熱風循環式を除いては真空中でベーキング処理が可
能で、触媒の経時変化が少なくなる期待がもてるもの
の、１μＴｏｒｒ程度の真空度では水分や塩基物を完全
に除去できるものではなくレジストの触媒の経時変化が
起きる不安があり高い解像度が得られない問題を含んで
いる。ましては、熱風循環式の加熱手段では、熱風中に
多くの塩基物や水分が含まれている恐れがある。
【００１１】さらに、ホットプレートのように基板を直
接加熱する場合は、基板の材質によって時間がかかり、
露光時間とベーク時間との間にずれが生じ転写工程のス
ループットが低下する問題がある。例えば、石英製のレ
チクルなどを加熱する場合とシリコン基板であるウェー
ハを加熱する場合とは加熱時間が自ずと異なるからであ
る。
接加熱する場合は、基板の材質によって時間がかかり、
露光時間とベーク時間との間にずれが生じ転写工程のス
ループットが低下する問題がある。例えば、石英製のレ
チクルなどを加熱する場合とシリコン基板であるウェー
ハを加熱する場合とは加熱時間が自ずと異なるからであ
る。
【００１２】従って、本発明の目的は、基板に被着され
たレジストにパターンを転写し潜像を形成する工程のス
ループットを高め、より高い解像度のパターンの転写が
できる露光方法およびその装置を提供することである。
たレジストにパターンを転写し潜像を形成する工程のス
ループットを高め、より高い解像度のパターンの転写が
できる露光方法およびその装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決する手段】本発明の特徴は、電子線あるい
は光の照射により反応の触媒となる酸を発生する化学増
幅系レジスト膜が被着された基板を一枚づつ前記電子線
あるいは該光を投射してパターンを転写した後に、該パ
ターンが転写された前記基板を真空状態で保管し、しか
る後に前記化学増幅系レジスト膜の反応を起すもととな
る該酸の触媒を不活性化させる成分を含まないガスで前
記化学増幅系レジスト膜を加熱する露光方法である。ま
た、前記ガスは窒素ガスであることが望ましく、さら
に、前記パターン転写後の前記基板を複数枚を真空状態
で保管し、同時に前記ガスで加熱することである。
は光の照射により反応の触媒となる酸を発生する化学増
幅系レジスト膜が被着された基板を一枚づつ前記電子線
あるいは該光を投射してパターンを転写した後に、該パ
ターンが転写された前記基板を真空状態で保管し、しか
る後に前記化学増幅系レジスト膜の反応を起すもととな
る該酸の触媒を不活性化させる成分を含まないガスで前
記化学増幅系レジスト膜を加熱する露光方法である。ま
た、前記ガスは窒素ガスであることが望ましく、さら
に、前記パターン転写後の前記基板を複数枚を真空状態
で保管し、同時に前記ガスで加熱することである。
【００１４】本発明の他の特徴は、化学増幅系レジスト
膜が被着された基板を一枚づつ収納し電子線あるいは光
の照射によりパターンを転写する転写室と、この転写室
に隣接し開閉可能な第１のゲートバルブを介して取付け
られるとともに前記基板に前記パターン転写し終る毎に
前記第１のゲートバルブを開き前記パターン転写後の該
基板を前記転写室から一枚づつ移載させ収納する棚部材
を具備する真空状態の気密室と、この気密室を独立して
真空排気ができる真空排気装置と、前記パターンが転写
された前記基板の全てが前記気密室の該棚部材に収納さ
れたとき真空状態の前記気密室に前記化学増幅系レジス
ト膜の反応を起すもととなる酸の触媒を不活性化させる
成分を含まないガスを導入するガス供給装置とを備える
露光装置である。また、前記転写室の前記気密室が取付
けられた側面以外の側面に第２のゲートバルを介して取
付けられるとともに前記パターンが転写されていない複
数の前記基板を入れる前記棚部材を具備するローダ室を
備えることが望ましい。
膜が被着された基板を一枚づつ収納し電子線あるいは光
の照射によりパターンを転写する転写室と、この転写室
に隣接し開閉可能な第１のゲートバルブを介して取付け
られるとともに前記基板に前記パターン転写し終る毎に
前記第１のゲートバルブを開き前記パターン転写後の該
基板を前記転写室から一枚づつ移載させ収納する棚部材
を具備する真空状態の気密室と、この気密室を独立して
真空排気ができる真空排気装置と、前記パターンが転写
された前記基板の全てが前記気密室の該棚部材に収納さ
れたとき真空状態の前記気密室に前記化学増幅系レジス
ト膜の反応を起すもととなる酸の触媒を不活性化させる
成分を含まないガスを導入するガス供給装置とを備える
露光装置である。また、前記転写室の前記気密室が取付
けられた側面以外の側面に第２のゲートバルを介して取
付けられるとともに前記パターンが転写されていない複
数の前記基板を入れる前記棚部材を具備するローダ室を
備えることが望ましい。
【００１５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１６】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の露光装
置の一実施例を示す上面図および模式断面図でおる。こ
の露光装置は電子線露光装置であって、図１に示すよう
に、ウェーハ１５のレジスト面に電子線を投射しパター
ンを描画する転写室１と、この転写室１に隣接し開閉可
能なゲートバルブ７を介して取付けられたベーク室２
と、ベーク室２を独立して真空排気できる真空排気装置
６と、ベーク室２に加熱された窒素あるいは不活性ガス
を導入するガス供給装置５および温調器４とを備えてい
る。
置の一実施例を示す上面図および模式断面図でおる。こ
の露光装置は電子線露光装置であって、図１に示すよう
に、ウェーハ１５のレジスト面に電子線を投射しパター
ンを描画する転写室１と、この転写室１に隣接し開閉可
能なゲートバルブ７を介して取付けられたベーク室２
と、ベーク室２を独立して真空排気できる真空排気装置
６と、ベーク室２に加熱された窒素あるいは不活性ガス
を導入するガス供給装置５および温調器４とを備えてい
る。
【００１７】また、転写室１のベーク室２が取付けられ
た側面以外の側面に未処理のウェーハ１５の複数枚を収
納したウェーハカセット１４が収納されるローダ室３が
配設されている。さらに、このローダ室３には、図面に
は示してはいないが、ベーク室２のウェーハカセット１
４を上下動させるエレベータ機構１１と同じ機構が取付
けられている。すなわち、工程間のウェーハ１５の搬送
はウェーハカセット１４で行なわれているため、このウ
ェーハカセット１４をロードするローダ室３を設けたこ
とである。この複数枚のウェーハ１５を収納するローダ
室３に対しベーク室２は同時に複数のウェーハ１５を同
時にベーキングを行なうとともに転写室１からウェーハ
１５をアンローダを行なう機能をもっている。また、一
枚ずつ送られる場合には、このローダ室３は必ずしも必
要としない。さらに、このローダ室３を独立して真空排
気する真空排気装置を設けてやれば、このローダ室３を
転写室１の真空度を維持した状態でウェーハカセット１
４の出し入れができる。
た側面以外の側面に未処理のウェーハ１５の複数枚を収
納したウェーハカセット１４が収納されるローダ室３が
配設されている。さらに、このローダ室３には、図面に
は示してはいないが、ベーク室２のウェーハカセット１
４を上下動させるエレベータ機構１１と同じ機構が取付
けられている。すなわち、工程間のウェーハ１５の搬送
はウェーハカセット１４で行なわれているため、このウ
ェーハカセット１４をロードするローダ室３を設けたこ
とである。この複数枚のウェーハ１５を収納するローダ
室３に対しベーク室２は同時に複数のウェーハ１５を同
時にベーキングを行なうとともに転写室１からウェーハ
１５をアンローダを行なう機能をもっている。また、一
枚ずつ送られる場合には、このローダ室３は必ずしも必
要としない。さらに、このローダ室３を独立して真空排
気する真空排気装置を設けてやれば、このローダ室３を
転写室１の真空度を維持した状態でウェーハカセット１
４の出し入れができる。
【００１８】ガス供給装置５は窒素あるいはヘリウムな
どの不活性ガスを供給する装置であり市販のガスボンベ
で良い。理想的にはヘリウムなどの不活性ガスが良い
が、価格の点で窒素ガスを用いることが望ましい。ま
た、温調器４はガスの温度の制御と水分の除去を行なう
装置である。真空排気装置６はベーク室２の圧力を０．
０１μＴｏｒｒ以下まで排気できる能力をもっている。
そして、ベーク室２はドア８とゲートバルブ７とにより
独立した一つの気密室に構成されている。
どの不活性ガスを供給する装置であり市販のガスボンベ
で良い。理想的にはヘリウムなどの不活性ガスが良い
が、価格の点で窒素ガスを用いることが望ましい。ま
た、温調器４はガスの温度の制御と水分の除去を行なう
装置である。真空排気装置６はベーク室２の圧力を０．
０１μＴｏｒｒ以下まで排気できる能力をもっている。
そして、ベーク室２はドア８とゲートバルブ７とにより
独立した一つの気密室に構成されている。
【００１９】図２は図１の露光装置による露光方法を説
明するためのフローチャートである。次に、図１および
図２のフローチャートを参照して図１の露光装置の動作
と本発明の露光方法を説明する。
明するためのフローチャートである。次に、図１および
図２のフローチャートを参照して図１の露光装置の動作
と本発明の露光方法を説明する。
【００２０】まず、ステップＡで、ローダ室３に未処理
のウェーハ１５が収納したウェーハカセット１４を収納
し、ベーク室２には空のウェーハカセット１４を収納す
る。次に、ステップＢで、ローダ室３のドア１６を閉
じ、転写室１とローダ室３を仕切るゲートバルブ９を開
け、転写室１と繋がる真空排気装置（図示せず）で真空
排気する。これと同時にゲートバルブ７とドア８とで閉
鎖されたベーク室２を真空排気装置６で真空排気する。
のウェーハ１５が収納したウェーハカセット１４を収納
し、ベーク室２には空のウェーハカセット１４を収納す
る。次に、ステップＢで、ローダ室３のドア１６を閉
じ、転写室１とローダ室３を仕切るゲートバルブ９を開
け、転写室１と繋がる真空排気装置（図示せず）で真空
排気する。これと同時にゲートバルブ７とドア８とで閉
鎖されたベーク室２を真空排気装置６で真空排気する。
【００２１】次に、ステップＣで、転写室１およびロー
ダ室３が所定の真空度に達したら、ローダ室３のウェー
ハカセット１４よりウェーハ１５の一枚をマニプレータ
（図示せず）によりステージ１０に移載する。次に、ス
テップＤで、電子線を投射しウェーハ１５にパターンを
転写する。そして、ステップＥで、ゲートバルブ７を開
け、パターンが転写されたウェーハ１５はマニプレータ
（図示せず）によりステージ１０からウェーハカセット
１４に収納される。このとき、転写室１の真空度により
ベーク室２の圧力が上る恐れがある場合は、必要に応じ
て、ウェーハ１５を移載する毎にゲートバルブ７を閉じ
る。
ダ室３が所定の真空度に達したら、ローダ室３のウェー
ハカセット１４よりウェーハ１５の一枚をマニプレータ
（図示せず）によりステージ１０に移載する。次に、ス
テップＤで、電子線を投射しウェーハ１５にパターンを
転写する。そして、ステップＥで、ゲートバルブ７を開
け、パターンが転写されたウェーハ１５はマニプレータ
（図示せず）によりステージ１０からウェーハカセット
１４に収納される。このとき、転写室１の真空度により
ベーク室２の圧力が上る恐れがある場合は、必要に応じ
て、ウェーハ１５を移載する毎にゲートバルブ７を閉じ
る。
【００２２】この一枚ずつパターン転写しベーク室２に
収納する動作を繰返して行ない。ステップＦでウェーハ
カセット１４に収納された未処理のウェーハ１５のパタ
ーン転写が完了し、総べてのウェーハ１５がベーク室２
のウェーハカセット１４に収納されれば、ゲートバルブ
９が閉じるとともにゲートバルブ７を閉じる。そして、
ベーク室２の真空度が、例えば、０．１μＴｏｒｒ以内
であることを確認してから、バルブ１２を閉じバルブ１
３を開け、例えば、１２０°Ｃに加熱された乾燥窒素を
ベーク室２に導入する。そして、ステップＧで、数分間
ベーキングした後、バルブ１３を閉じ、ステップＨで、
ドア８を開き、ウェーハカセット１４をベーク室２より
取出す。
収納する動作を繰返して行ない。ステップＦでウェーハ
カセット１４に収納された未処理のウェーハ１５のパタ
ーン転写が完了し、総べてのウェーハ１５がベーク室２
のウェーハカセット１４に収納されれば、ゲートバルブ
９が閉じるとともにゲートバルブ７を閉じる。そして、
ベーク室２の真空度が、例えば、０．１μＴｏｒｒ以内
であることを確認してから、バルブ１２を閉じバルブ１
３を開け、例えば、１２０°Ｃに加熱された乾燥窒素を
ベーク室２に導入する。そして、ステップＧで、数分間
ベーキングした後、バルブ１３を閉じ、ステップＨで、
ドア８を開き、ウェーハカセット１４をベーク室２より
取出す。
【００２３】このように、パターンが転写されたウェー
ハカセット１４に集積して収納された複数枚のウェーハ
１５は、一度にベーキング処理され、ウェーハカセット
１４に収納された状態で次工程の現像工程送られる。ま
た、ローダ室の空のウェーハカセット１４はベーキング
室２に搬送されエレベータ機構１１に搭載される。一
方、ローダ室３のエレベータ機構には前工程から送られ
未処理ウェーハを収納したウェーハカセット１４が乗せ
らる。そして、再び、上述したように、図２のステップ
Ｂから開始する。
ハカセット１４に集積して収納された複数枚のウェーハ
１５は、一度にベーキング処理され、ウェーハカセット
１４に収納された状態で次工程の現像工程送られる。ま
た、ローダ室の空のウェーハカセット１４はベーキング
室２に搬送されエレベータ機構１１に搭載される。一
方、ローダ室３のエレベータ機構には前工程から送られ
未処理ウェーハを収納したウェーハカセット１４が乗せ
らる。そして、再び、上述したように、図２のステップ
Ｂから開始する。
【００２４】このようにパターンが転写されたウェーハ
１５の複数枚を一時的に水分や塩基物が無い高真空下で
保管し、水分や塩基物が含まないガスで加熱処理を行な
うことである。試みに、１ロットのウェーハを流したと
ころ、従来の解像度のばらつきが半分以下に納めること
ができた。また、ベーキング処理能力も、３０％向上す
ることができた。
１５の複数枚を一時的に水分や塩基物が無い高真空下で
保管し、水分や塩基物が含まないガスで加熱処理を行な
うことである。試みに、１ロットのウェーハを流したと
ころ、従来の解像度のばらつきが半分以下に納めること
ができた。また、ベーキング処理能力も、３０％向上す
ることができた。
【００２５】以上説明した実施例では、電子線露光装置
として説明したが、光露光装置にも適用できる。この場
合は真空状態でパターンを転写する必要がなくなるの
で、、気密にするローダ室が不要となる。従って、ウェ
ーハカセットを搭載するエレベータ機構とウェーハカセ
ットからウェーハを取り出すマニプレータを配設するだ
けで良い。そして、図１に示すように、転写室１にゲー
トバルブ７を介してベーク室２と、この転写室１を真空
排気する真空排気装置６と、水分や塩基物が含まない加
熱ガスを転写室１に供給するガス供給装置５と温調器４
を設けることである。
として説明したが、光露光装置にも適用できる。この場
合は真空状態でパターンを転写する必要がなくなるの
で、、気密にするローダ室が不要となる。従って、ウェ
ーハカセットを搭載するエレベータ機構とウェーハカセ
ットからウェーハを取り出すマニプレータを配設するだ
けで良い。そして、図１に示すように、転写室１にゲー
トバルブ７を介してベーク室２と、この転写室１を真空
排気する真空排気装置６と、水分や塩基物が含まない加
熱ガスを転写室１に供給するガス供給装置５と温調器４
を設けることである。
【００２６】また、本発明によれば、半導体基板である
ウェーハへのパターン転写だけではなく光露光装置の石
英製のレチクルや複写プリンタのマスクなどにも適用で
きる。さらに、本発明の加熱手段は、レジストが塗布さ
れる基板の材質が変っても、基板自体を伝熱で加熱する
加熱手段と違いレジスト表面を直接加熱することができ
るので、ベーキング処理時間が基板によって変ることが
ないし、極めて省資源の加熱手段である。
ウェーハへのパターン転写だけではなく光露光装置の石
英製のレチクルや複写プリンタのマスクなどにも適用で
きる。さらに、本発明の加熱手段は、レジストが塗布さ
れる基板の材質が変っても、基板自体を伝熱で加熱する
加熱手段と違いレジスト表面を直接加熱することができ
るので、ベーキング処理時間が基板によって変ることが
ないし、極めて省資源の加熱手段である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一枚ずつ
基板にパターンを転写する転写室に隣接して配設される
とともに転写済みの複数の前記基板を集積し高真空下で
保管する気密室と、この気密室に水分や塩基物の含まな
い加熱ガスを供給するガス供給手段とを設けることによ
って、パターン転写後に起きるレジストの触媒の活性能
力の低下を防止しパターンの解像度が向上できるという
効果ある。また、加熱手段がレジスト面を加熱する加熱
手段であるので、基板自体を加熱するのではなく複数の
基板の表面のレジストのみ同時に加熱できるので、従来
のヒータで行なわれたベーキング処理時間より短くて済
むという効果もある。
基板にパターンを転写する転写室に隣接して配設される
とともに転写済みの複数の前記基板を集積し高真空下で
保管する気密室と、この気密室に水分や塩基物の含まな
い加熱ガスを供給するガス供給手段とを設けることによ
って、パターン転写後に起きるレジストの触媒の活性能
力の低下を防止しパターンの解像度が向上できるという
効果ある。また、加熱手段がレジスト面を加熱する加熱
手段であるので、基板自体を加熱するのではなく複数の
基板の表面のレジストのみ同時に加熱できるので、従来
のヒータで行なわれたベーキング処理時間より短くて済
むという効果もある。
【図１】本発明の露光装置の一実施例を示す上面図およ
び模式断面図でおる。
び模式断面図でおる。
【図２】図１の露光装置による露光方法を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
１ 転写室 ２ ベーク室 ３ ローダ室 ４ 温調器 ５ ガス供給装置 ６ 真空排気装置 ７，９ ゲートバルブ ８，１６ ドア １０ ステージ １１ エレベータ機構 １２，１３ バルブ １４ ウェーハカセット １５ ウェーハ
Claims (6)
- 【請求項１】 電子線あるいは光の照射により反応の触
媒となる酸を発生する化学増幅系レジスト膜が被着され
た基板を一枚づつ前記電子線あるいは該光を投射してパ
ターンを転写した後に、該パターンが転写された前記基
板を真空状態で保管し、しかる後に前記化学増幅系レジ
スト膜の反応を起すもととなる該酸の触媒を不活性化さ
せる成分を含まないガスで前記化学増幅系レジスト膜を
加熱することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記ガスは窒素ガスであることを特徴と
する請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記パターン転写後の前記基板を複数枚
を真空状態で保管し、同時に前記ガスで加熱することを
特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項４】 化学増幅系レジスト膜が被着された基板
を一枚づつ収納し電子線あるいは光の照射によりパター
ンを転写する転写室と、この転写室に隣接し開閉可能な
第１のゲートバルブを介して取付けられるとともに前記
基板に前記パターン転写し終る毎に前記第１のゲートバ
ルブを開き前記パターン転写後の該基板を前記転写室か
ら一枚づつ移載させ収納する棚部材を具備する真空状態
の気密室と、この気密室を独立して真空排気ができる真
空排気装置と、前記パターンが転写された前記基板の全
てが前記気密室の該棚部材に収納されたとき真空状態の
前記気密室に前記化学増幅系レジスト膜の反応を起すも
ととなる酸の触媒を不活性化させる成分を含まないガス
を導入するガス供給装置とを備えることを特徴とする露
光装置。 - 【請求項５】 前記転写室の前記気密室が取付けられた
側面以外の側面に第２のゲートバルを介して取付けられ
るとともに前記パターンが転写されていない複数の前記
基板を入れる前記棚部材を具備するローダ室を備えるこ
とを特徴とする請求項４記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記ローダ室と前記気密室に収納され複
数の前記基板を収納する棚部材を備えることを特徴とす
る請求項５記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084233A JP2682437B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 露光方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084233A JP2682437B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 露光方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297096A JPH07297096A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2682437B2 true JP2682437B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13824763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084233A Expired - Fee Related JP2682437B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 露光方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682437B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343708A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Toshiba Corp | 基板処理装置および熱処理方法 |
| JP6020344B2 (ja) | 2013-05-10 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | レジストパターン形成方法、塗布、現像装置、記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57142637A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of negative type resist |
| JPS62142320A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Fujitsu Ltd | 真空処理装置 |
| JP3020523B2 (ja) * | 1989-11-13 | 2000-03-15 | 株式会社日立製作所 | 図形露光装置とその方法 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6084233A patent/JP2682437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07297096A (ja) | 1995-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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