JPH07176458A - 電子線直接描画方法及びその装置 - Google Patents

電子線直接描画方法及びその装置

Info

Publication number
JPH07176458A
JPH07176458A JP5318620A JP31862093A JPH07176458A JP H07176458 A JPH07176458 A JP H07176458A JP 5318620 A JP5318620 A JP 5318620A JP 31862093 A JP31862093 A JP 31862093A JP H07176458 A JPH07176458 A JP H07176458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
chamber
resist
wafer
sample chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5318620A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2655474B2 (ja
Inventor
Junko Morikawa
純子 森川
Hiroshi Nozue
寛 野末
Hiroshi Yamashita
浩 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5318620A priority Critical patent/JP2655474B2/ja
Priority to KR1019940034676A priority patent/KR0145643B1/ko
Priority to TW083111763A priority patent/TW293098B/zh
Publication of JPH07176458A publication Critical patent/JPH07176458A/ja
Priority to US08/736,294 priority patent/US5677109A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2655474B2 publication Critical patent/JP2655474B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】電子線直接描画方法およびその装置において、
電子線描画に発生するレジストの酸化発生剤の反応や大
気汚染によるレジストの反応ばらつきを無くし、レジス
トのパターン線幅の均一性向上を目的とする。 【構成】電子線直接描画装置の試料室６にゲートバルブ
１０ａ，１０ｂ，１０ｃを介して真空中でベーキングす
るベーク室１２とサブチャンバー１０を設けることによ
って、ウェーハのＥＢ直描後の引き置き時間を一定に
し、大気にさらすこと無くレジストの安定化を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジウトが塗布された
半導体基板に電子線を照射してパターンを描画するとと
もに描画されたレジストのパターンを安定なものにする
電子線直接描画方法およびその装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の電子線直接描画装置に一例
を示す模式断面図である。この種の電子線直接描画装置
は、例えば、図２に示すように、電子線を発生する電子
銃１と、電子線のスポットを整形する照射レンズ２およ
び整形レンズ３と、電子線スポットを縮小する縮小レン
ズ４と縮小された電子線でウェーハ９に像を投影する投
影レンズ５と、ウェーハ９を載置するステージ１１を収
納する試料室６と、試料室６にゲートバルプ１０を介し
て取付けられ複数枚のウェーハを収納するマガジン８を
入れるサブチャンバー７を備えている。
【０００３】この電子線直接描画装置によるウェーハに
パターンを描画する手順は、まず、ウェーハ９を収納し
たマガジン８をサブチャンバー７にセットする。次に、
サブチャンバー７内に真空に引きサブチャンバー７内の
真空度が試料室６内に真空度程度になったら、サブチャ
ンバー７と試料室６の仕切であるゲートバルブ１０を開
いてサブチャンバー７内のマガジン８からウェーハ９を
試料室６に搬入し、ゲートバルブ１０を閉める。
【０００４】この状態でウェーハに電子線を照射して電
子線描画を行う。その後、再びゲートバルブ１０を開け
てウェーハ９を試料室６からサブチャンバー７に搬出し
て、マガジン８の元の位置に戻す。次に、マガジン８を
下方を移動させて、次にウェーハ９をサブチャンバー７
から試料室６に搬入する。この後ゲートバルブを閉め
て、同様に電子描画を行う。この操作を繰り返して、セ
ットされたウェーハ９全数を電子描画する。全べてのウ
ェーハ９の描画が完了したら、サブチャンバー７内を大
気圧に戻してマガジン８を取り出し、そのマガジン８か
らウェーハを取り出す。これらのウェーハは、現像装置
内のベーキングユニットで一枚一枚描画後の安定化のた
めにベーキングを行う。さらに、その後現像を行ってい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の様に、従来の電
子線直接描画装置では、マガジンにセットしたウェーハ
を順々に取出し描画してから現像装置のベーキング炉で
ベーキングを行わなければならなかった。不安定である
酸発生剤を含むレジストを使用しているために、描画後
に大気中にさらず引き置き時間が、レジストの感度およ
び解像度等のレジストの性能に大きく影響する。すなわ
ち、描画されたウェーハ間での線幅均一性に差が生じて
しまう。例えば、描画後、すぐにベーキングを行ったも
のと比較すれば、３０分後に行ったものではレジストの
線幅に１０％程度の寸法誤差が、５〜６時間後にＰＥＢ
を行ったものでは５０％もの寸法誤差が生じる。更に、
現像装置内のベーキングは、大気中に行なうために、大
気中のゴミが付着したり、レジストが酸化したりするこ
とになり、レジスト線幅均一性を劣化させるっといった
問題が生じている。
【０００６】従って、本発明の目的は、電子線描画後に
も安定してウェーハ間にばらつきのない描画パターンが
得られる電子線直接描画方法およびその装置に提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、レジス
ト膜が被着された半導体基板に加速された電子線を照射
し該電子線で前記レジスト膜にパターンを描画する電子
線描画した後に、引続き前記半導体基板を真空中に維持
しながらパターン描画された前記レジスト膜をベーキン
グする電子線直接描画方法である。
【０００８】また他の特徴は、電子ビームを発生する電
子銃と該電子ビームを整形する電子レンズ系と半導体基
板に該電子ビームを投影する投影レンズを具備する電子
鏡筒と、前記半導体基板を載置するステージを収納する
試料室とを備える電子線直接描画装置において、前記試
料室にゲートバルブを介して付設される真空ベーキング
室を備え電子線直接描画装置である。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例を示す電子線直接
描画装置に模式断面図である。この電子線直接描画装置
は、図１に示すように、サブチャンバー７の反対側の試
料室６にゲートバルブ１０ａ，１０ｂ，１０ｃを介して
ホットプレート１３をもつベーク室１２とマガジン８ａ
と収納する真空室であるサブチャンバー１４とを設けた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
【００１１】この電子線直接描画装置による描画方法お
よびレジスト安定化方法は、まず、サブチャンバー７内
を真空引きして、サブチャンバー７内と試料室６内の真
空度が同程度になったらゲートバルブ１０を開けてサブ
チャンバー７から試料室８にウェーハ９を搬入して、真
空バルブ１０を閉める。この間にマガジン８を、次にウ
ェーハ９が取り出せる位置まで下方に移動させる。次に
試料室６内にウェーハ９に電子線描画を行う。電子線描
画を行ったウェーハ９はゲートバルブ１０ａを開けて試
料室６と同じ温度に調整された恒温真空配管に、搬入し
ゲートバルブ１０ａを閉める。ゲートバルブ１０ａが閉
まったら、ゲートバルブ１０を開けて、次にウェーハ９
を資料室６内に搬入して、電子線描画を始める。
【００１２】この開始と同時に真空バルブ１０ｂを開け
てウェーハ９をベーク室１２に搬入してゲートバルブ１
０ｂを閉める。ベーク室１２でホットプレート１３でウ
ェーハ９のベーキングを行う。この後、ゲートバルブ１
０ｃを開けてウェーハ９を搬出側のサブチャンバー１０
マガジン８ａに搬出する。
【００１３】試料室６から搬出されたウェーハ９は、一
旦恒温真空室である配管を通過してからベーク室１２に
搬入されるために、試料室６内の温度を変化させる事無
く次のウェーハに電子線描画を行う事が出来る。また、
ベーク室１２では描画済みをウェーハを、そのままホッ
トプレート１３上でベーキングを行う。ＰＥＢの後、ゲ
ートバルブ１０ｃ開けて搬出側サブチャンバー１４のマ
ガジン８ａへ搬出する。これらによって、ウェーハ９上
のレジストは完全に安定化され、大気にさらさわれて
も、酸化促進すること無くレジストの線幅均一性の向上
を図る事が可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子線直
接描画装置の試料室にベーキングユニット室をゲートバ
ルブを介して付設することにより、電子線描画後に大気
にさらさわれること無く真空中で安定化のためのベーキ
ングを行うことが出来るので、ウェーハ間にレジストの
パターン線幅均一することができるという効果がある。
【００１５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子線直接描画装置の一実施例を示す
模式断面図である。
【図２】従来の電子線直接描画装置の一例を示す模式断
面図である。
【符号の説明】
１ 電子銃 ２ 照射レンズ ３ 整形レンズ ４ 縮小レンズ ５ 投影レンズ ６ 試料室 ７，１４ サブチャンバー ８，８ａ マガジン ９ ウェーハ １０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ ゲートバルブ １１ ステージ １２ ベーク室 １３ ホットプレート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レジスト膜が被着された半導体基板に加
    速された電子線を照射し該電子線で前記レジスト膜にパ
    ターンを描画する電子線描画した後に、引続き前記半導
    体基板を真空中に維持しながらパターン描画された前記
    レジスト膜をベーキングすることを特徴とする電子線直
    接描画方法。
  2. 【請求項２】 電子ビームを発生する電子銃と該電子ビ
    ームを整形する電子レンズ系と半導体基板に該電子ビー
    ムを投影する投影レンズを具備する電子鏡筒と、前記半
    導体基板を載置するステージを収納する試料室とを備え
    る電子線直接描画装置において、前記試料室にゲートバ
    ルブを介して付設される真空ベーキング室を備えること
    を特徴とする電子線直接描画装置。
JP5318620A 1993-12-17 1993-12-17 電子線直接描画方法及びその装置 Expired - Fee Related JP2655474B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5318620A JP2655474B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 電子線直接描画方法及びその装置
KR1019940034676A KR0145643B1 (ko) 1993-12-17 1994-12-16 전자빔으로 직접 묘화하는 방법 및 장치
TW083111763A TW293098B (ja) 1993-12-17 1994-12-16
US08/736,294 US5677109A (en) 1993-12-17 1996-10-24 Method for E-beam writing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5318620A JP2655474B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 電子線直接描画方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07176458A true JPH07176458A (ja) 1995-07-14
JP2655474B2 JP2655474B2 (ja) 1997-09-17

Family

ID=18101173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5318620A Expired - Fee Related JP2655474B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 電子線直接描画方法及びその装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5677109A (ja)
JP (1) JP2655474B2 (ja)
KR (1) KR0145643B1 (ja)
TW (1) TW293098B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012084812A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Canon Inc 処理設備、保守装置、および物品の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365320B2 (ja) * 1998-09-11 2003-01-08 ウシオ電機株式会社 レジストの処理方法
US20040143446A1 (en) * 2001-03-20 2004-07-22 David Lawrence Long term care risk management clearinghouse
GB2469112A (en) * 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
WO2010094719A1 (en) * 2009-02-22 2010-08-26 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle lithography apparatus and method of generating vacuum in a vacuum chamber
FR3080372B1 (fr) * 2018-04-18 2021-11-12 Centre Nat Rech Scient Procede de bio-fonctionnalisation de surface.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06110197A (ja) * 1992-08-10 1994-04-22 Hitachi Ltd 微細パターン形成用マスク形成方法及びその装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4348473A (en) * 1981-03-04 1982-09-07 Xerox Corporation Dry process for the production of microelectronic devices
JP2926798B2 (ja) * 1989-11-20 1999-07-28 国際電気株式会社 連続処理エッチング方法及びその装置
US5106455A (en) * 1991-01-28 1992-04-21 Sarcos Group Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06110197A (ja) * 1992-08-10 1994-04-22 Hitachi Ltd 微細パターン形成用マスク形成方法及びその装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012084812A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Canon Inc 処理設備、保守装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR950021515A (ko) 1995-07-26
US5677109A (en) 1997-10-14
JP2655474B2 (ja) 1997-09-17
TW293098B (ja) 1996-12-11
KR0145643B1 (ko) 1998-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0854390B1 (en) Baking apparatus and baking method
JP3983831B2 (ja) 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
US5310624A (en) Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes
US6020107A (en) Pattern forming method through combined electron beam and light exposure utilizing multiple heat steps
KR20040030853A (ko) 광학적으로 이미징된 고성능 포토마스크의 제조 방법
JP2001345310A (ja) パターンの形成方法および修正方法、窒化物パターン並びに半導体装置
US6984472B2 (en) Exposure method and apparatus
JP2655474B2 (ja) 電子線直接描画方法及びその装置
US4806456A (en) Dry development method for a resist film and an apparatus therefor
JP4681291B2 (ja) 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法
JP2007294562A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP3490753B2 (ja) パターン描画装置
US20050221019A1 (en) Method of improving the uniformity of a patterned resist on a photomask
KR900001238B1 (ko) 레지스트막 건조현상 방법 및 장치
JPH06267833A (ja) 電子ビーム描画方法
JPH03154324A (ja) 図形露光装置とその方法
JP2624168B2 (ja) パターン形成方法および電子線描画装置
WO1989007285A1 (en) Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes
TWI844946B (zh) 帶電粒子束描繪方法以及帶電粒子束描繪裝置
JP4645029B2 (ja) 窒素循環型クリーンユニット
JP2682437B2 (ja) 露光方法およびその装置
JPS62241325A (ja) 半導体基板などのマ−キング方法
JP4206296B2 (ja) パターン評価方法および該方法を用いたデバイス製造方法
JPH08130173A (ja) 半導体装置の製造装置および製造方法
Lee et al. Global CD uniformity improvement for CAR masks by adaptive post-exposure bake with CD measurement feedback

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970422

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees