JPS62241325A - 半導体基板などのマ−キング方法 - Google Patents
半導体基板などのマ−キング方法Info
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- JPS62241325A JPS62241325A JP8455786A JP8455786A JPS62241325A JP S62241325 A JPS62241325 A JP S62241325A JP 8455786 A JP8455786 A JP 8455786A JP 8455786 A JP8455786 A JP 8455786A JP S62241325 A JPS62241325 A JP S62241325A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板などのマーキング方法に関し、
さらに詳しくは、例えば半導体装置の製造工程などにお
いて、半導体基板上に、装置の品名とか認識コード、あ
るいは基板の製造ロフトナンバーなどを、文字あるいは
数字などによってマーキングするための方法に係るもの
である。
さらに詳しくは、例えば半導体装置の製造工程などにお
いて、半導体基板上に、装置の品名とか認識コード、あ
るいは基板の製造ロフトナンバーなどを、文字あるいは
数字などによってマーキングするための方法に係るもの
である。
従来例によるこの種の半導体基板などのマーキング方法
を、第３図（Ａ）、および（Ｂ）ないしＣＦ）に示す、
第３図（Ａ）はマーキング後の半導体基板を示す平面図
、同図（Ｂ）ないしＣＦ）は同上ａ−ｂ線断面部でのマ
ーキング工程を順次に示すそれぞれ拡大断面図である。
を、第３図（Ａ）、および（Ｂ）ないしＣＦ）に示す、
第３図（Ａ）はマーキング後の半導体基板を示す平面図
、同図（Ｂ）ないしＣＦ）は同上ａ−ｂ線断面部でのマ
ーキング工程を順次に示すそれぞれ拡大断面図である。
これらの従来例各図において、符号ｌは被マーキング対
象としての半導体基板、２は基板ｌ上に塗着形成された
ポジ型フォトレジスト膜、３は露光用のマーキングパタ
ーンマスク、４は基板１上に形成されたエツチング溝で
あり、またしはレジスト照射用の紫外線である。
象としての半導体基板、２は基板ｌ上に塗着形成された
ポジ型フォトレジスト膜、３は露光用のマーキングパタ
ーンマスク、４は基板１上に形成されたエツチング溝で
あり、またしはレジスト照射用の紫外線である。
すなわち、この従来例方法においては、まず、被マーキ
ング対象としての半導体基板１上に、ポジ型フォトレジ
スト膜２を塗着形成させ（ｗＳ３図（Ｂ））た上で、こ
のポジ型フォトレジスト膜２に対して、マーキングパタ
ーンマスク３を介して紫外線りを照射、露光させ（同図
（Ｃ））、ついで、現像処理してマーキングパターン２
ａｔ−顕在化させ（同図（Ｄ））だ後、続いて、このマ
ーキングパターン２ａをエツチングブスクにして、ドラ
イまたはウェット法によりエツチング処理し、所期のマ
ーキングされたエツチング溝４を形成させ（同図（Ｅ）
）、その後、不要となったマーキングパターン２ａを適
宜に除去する。
ング対象としての半導体基板１上に、ポジ型フォトレジ
スト膜２を塗着形成させ（ｗＳ３図（Ｂ））た上で、こ
のポジ型フォトレジスト膜２に対して、マーキングパタ
ーンマスク３を介して紫外線りを照射、露光させ（同図
（Ｃ））、ついで、現像処理してマーキングパターン２
ａｔ−顕在化させ（同図（Ｄ））だ後、続いて、このマ
ーキングパターン２ａをエツチングブスクにして、ドラ
イまたはウェット法によりエツチング処理し、所期のマ
ーキングされたエツチング溝４を形成させ（同図（Ｅ）
）、その後、不要となったマーキングパターン２ａを適
宜に除去する。
すなわち、このようにして、被マーキング対象としての
半導体基板ｌ上に、エツチング溝４で表示された１文字
あるいは数字などのマーキングを形成させる（第３図（
Ａ））のである。
半導体基板ｌ上に、エツチング溝４で表示された１文字
あるいは数字などのマーキングを形成させる（第３図（
Ａ））のである。
従来のマーキング方法は１以上の各工程により処理され
ていて、その処理工程中にあっては、半導体基板の取扱
いとして、フォトレジストの塗布形成、その露光および
現像、それに処理後のレジストパターン除去などを必要
とし、工程数が多くかつ複雑で手間がかへるばかりか、
ときには、例えば、フォトレジストの除去不良などによ
って、半導体基板面を汚染する惧れがあるなどの不利を
有しており、また別の手段として、レーザ加工を用いた
ブーキング方法もあるが、この場合にあっては、゛性導
体基板に与えるダメージが大きいほかに、被加工物の飛
散による汚染とか、熱歪みなどが発生して好ましくはな
く、それに鏡面を有する半導体基板の加工は困難である
などの問題点があつ凱 この発明は従来のこのような問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的とするところは、全体の
処理工程を可及的に簡略化すると共に、汚染、熱歪みな
どを生ずる惧れが少なく、しかも鏡面に対しても加工の
容易な、この種の半導体基板などのマーキング方法を提
供することである。
ていて、その処理工程中にあっては、半導体基板の取扱
いとして、フォトレジストの塗布形成、その露光および
現像、それに処理後のレジストパターン除去などを必要
とし、工程数が多くかつ複雑で手間がかへるばかりか、
ときには、例えば、フォトレジストの除去不良などによ
って、半導体基板面を汚染する惧れがあるなどの不利を
有しており、また別の手段として、レーザ加工を用いた
ブーキング方法もあるが、この場合にあっては、゛性導
体基板に与えるダメージが大きいほかに、被加工物の飛
散による汚染とか、熱歪みなどが発生して好ましくはな
く、それに鏡面を有する半導体基板の加工は困難である
などの問題点があつ凱 この発明は従来のこのような問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的とするところは、全体の
処理工程を可及的に簡略化すると共に、汚染、熱歪みな
どを生ずる惧れが少なく、しかも鏡面に対しても加工の
容易な、この種の半導体基板などのマーキング方法を提
供することである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体基板
などのマーキング方法は、半導体基板などの被処理面の
位置制御と共に１選択制御された集束イオンビームの投
射、およびこの集束イオンビームによって活性化される
反応性ガスを用いるようにしたものである。
などのマーキング方法は、半導体基板などの被処理面の
位置制御と共に１選択制御された集束イオンビームの投
射、およびこの集束イオンビームによって活性化される
反応性ガスを用いるようにしたものである。
すなわち、この発明方法においては、半導体基板などの
被処理面の位置制御に併せて、集束イオンビームの選択
制御された投射と、この集束イオンビームによって活性
化される反応性ガスの供給とにより、被処理面上へマー
キング表示をなし得るのである。
被処理面の位置制御に併せて、集束イオンビームの選択
制御された投射と、この集束イオンビームによって活性
化される反応性ガスの供給とにより、被処理面上へマー
キング表示をなし得るのである。
以下、この発明に係る半導体基板などのマーキング方法
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
この実施例方法は、被処理半導体基板に対するマーキン
グ手段として、制御された集束イオンビームおよび反応
性ガスによるエツチングを用いるものであり、実施例図
中、第１図はこの実施例方法の概要を説明するための斜
視図、第２図は同上方法を適用するための装置システム
の概要を示す断面構成図である。
グ手段として、制御された集束イオンビームおよび反応
性ガスによるエツチングを用いるものであり、実施例図
中、第１図はこの実施例方法の概要を説明するための斜
視図、第２図は同上方法を適用するための装置システム
の概要を示す断面構成図である。
まず、第１図において、符号１１は被マーキング対象と
しての半導体基板、１２はこの半導体基板１１Ｌに加＝
〔表示されたマーキングである。また、１３は集束イオ
ンビーム光学系、１４は同光学系１３の出力部、１５は
この出力部１４から選択的制御下に射出される集束イオ
ンビーム、１６は反応性ガスのガス銃、１７はこのガス
銃１６から選択的制御下に噴射される反応性ガス、１８
は前記被処理半導体基板１１をａ置保持し、Ｘ、Ｙ方向
へ任意に制御移動操作の可能なＸＹステージである。
しての半導体基板、１２はこの半導体基板１１Ｌに加＝
〔表示されたマーキングである。また、１３は集束イオ
ンビーム光学系、１４は同光学系１３の出力部、１５は
この出力部１４から選択的制御下に射出される集束イオ
ンビーム、１６は反応性ガスのガス銃、１７はこのガス
銃１６から選択的制御下に噴射される反応性ガス、１８
は前記被処理半導体基板１１をａ置保持し、Ｘ、Ｙ方向
へ任意に制御移動操作の可能なＸＹステージである。
次に、第２図において、２１は前記集束イオンビーム光
学系１３を配設したイオン源室、２２は前記反応性ガス
銃１ＢおよびＸＹステージ１８を配設した試料処理室、
２３はこの試料処理室２２との間をロードロツタ機構３
０により開閉自在に遮断し得るようにした試料交換室、
２４は前記被処理半導体基板１１から反射されるイオン
ビーム１５の二次電子を検出する二次電子検出器、２５
は前記半導体基板１１の供給。
学系１３を配設したイオン源室、２２は前記反応性ガス
銃１ＢおよびＸＹステージ１８を配設した試料処理室、
２３はこの試料処理室２２との間をロードロツタ機構３
０により開閉自在に遮断し得るようにした試料交換室、
２４は前記被処理半導体基板１１から反射されるイオン
ビーム１５の二次電子を検出する二次電子検出器、２５
は前記半導体基板１１の供給。
収納用キャリア、２８ａ、２８ｂ、２８ｃは前記各室２
１，２２゜２？Ｉにそれぞれ専用に付設した真空ポンプ
、２７は前記試料交換室２３内に配設したキャリア移動
用のエレベータ機構、２８は前記被処理半導体基板１１
のプリアライメントが可能で、同基板１１を前記ＸＹス
テージ１８およびキャリア２５に受渡しする試料搬送系
である。
１，２２゜２？Ｉにそれぞれ専用に付設した真空ポンプ
、２７は前記試料交換室２３内に配設したキャリア移動
用のエレベータ機構、２８は前記被処理半導体基板１１
のプリアライメントが可能で、同基板１１を前記ＸＹス
テージ１８およびキャリア２５に受渡しする試料搬送系
である。
すなわち、この実施例方法においては、ｘＹステージ１
８上に載置保持された被処理半導体基板１１の被処理面
上に対して、集束イオンビーム光学系１３の出力部１４
から、選択的制御下に集束イオンビーム１５を射出、投
射させると共に、そのビームスポット点を中心にして、
ガス銃ＩＢから、選択的制御下に反応性ガス１７．例え
ば塩素ガスを噴射させることで、この反応性ガス１７を
集束イオンビーム１５により活性化させて、前記半導体
基板１１の被処理面上にマーキング１２を選択的にエツ
チング形成できる。
８上に載置保持された被処理半導体基板１１の被処理面
上に対して、集束イオンビーム光学系１３の出力部１４
から、選択的制御下に集束イオンビーム１５を射出、投
射させると共に、そのビームスポット点を中心にして、
ガス銃ＩＢから、選択的制御下に反応性ガス１７．例え
ば塩素ガスを噴射させることで、この反応性ガス１７を
集束イオンビーム１５により活性化させて、前記半導体
基板１１の被処理面上にマーキング１２を選択的にエツ
チング形成できる。
そしてこの場合、必要に応じて、 ＸＹステージ１２を
所定のｘ、Ｙ方向へ移動操作制御し、かつ集束イオンビ
ーム光学系１３の内蔵シャッタを所定通りに開閉操作制
御することにより、任意パターンによるマーキング１２
の表示が得られるのである。
所定のｘ、Ｙ方向へ移動操作制御し、かつ集束イオンビ
ーム光学系１３の内蔵シャッタを所定通りに開閉操作制
御することにより、任意パターンによるマーキング１２
の表示が得られるのである。
また、こへで集束イオンビームのイオン源としては、例
えばガリウムの液体金属であって良く。
えばガリウムの液体金属であって良く。
またスポット点でのビーム径は、処理時間短縮のために
、例えば１０ｐ■φ〜１００ｗ−程度とするのが良い。
、例えば１０ｐ■φ〜１００ｗ−程度とするのが良い。
なお、前記実施例方法においては、イオン源として、ガ
リウム液体金属を用いているが、その他（７） シ１，
１コン、ポロン、砒素、ベリラムなどであっても良く、
かつまた反応性ガスとして、塩素ガスを用いているが、
その他の四塩化炭素、フロン系のガスであっても可能で
ある。
リウム液体金属を用いているが、その他（７） シ１，
１コン、ポロン、砒素、ベリラムなどであっても良く、
かつまた反応性ガスとして、塩素ガスを用いているが、
その他の四塩化炭素、フロン系のガスであっても可能で
ある。
また、前記実施例方法においては、集束イオンビームと
反応性ガスによるエツチング表示について述べたが、例
えばピレン、六フッ化タングステン、トリメチルアルミ
ニウムなどの反応性ガスを用いることにより、炭素、タ
ングステン、アルミニウムなどの膜をマーキング表示と
して成長させ得る。
反応性ガスによるエツチング表示について述べたが、例
えばピレン、六フッ化タングステン、トリメチルアルミ
ニウムなどの反応性ガスを用いることにより、炭素、タ
ングステン、アルミニウムなどの膜をマーキング表示と
して成長させ得る。
さらに、前記実施例方法においては、半導体基板面での
マーキング加工について述べたが、半導体基板上のシリ
コンナイトライドとかシリコン酸化膜面など、あるいは
金とかアルミニウム面などの被処理面に対するマーキン
グ加工についても同様である。
マーキング加工について述べたが、半導体基板上のシリ
コンナイトライドとかシリコン酸化膜面など、あるいは
金とかアルミニウム面などの被処理面に対するマーキン
グ加工についても同様である。
なおまた、前記実施例方法においては、被処理面に対し
、反応性ガスをガス銃から噴射させて、集束イオンビー
ムのスポット点周辺にガス雰囲気を与えるようにしてい
るが、別に被処理面の周辺をガス雰囲気に保持し得るガ
ス室などを配した構成にしても、同様な作用、効果が得
られる。
、反応性ガスをガス銃から噴射させて、集束イオンビー
ムのスポット点周辺にガス雰囲気を与えるようにしてい
るが、別に被処理面の周辺をガス雰囲気に保持し得るガ
ス室などを配した構成にしても、同様な作用、効果が得
られる。
以上詳述したようにこの発明方法によれば、半導体基板
などの被処理面上に、認識ナンバーなどをマーキングす
る場合、被処理面の必要に応じた位置制御に併せて、集
束イオンビームの選択制御された投射と、この集束イオ
ンビームによって活性化される反応性ガスの供給とによ
り、被処理面上へ所定のマーキングを、エツチング溝あ
るいは成膜によって表示させることができ、前記した従
来方法とは異なって１表示加工処理のための作業工程、
処理時間を格段に短縮し得ると共に、例えば従来のレー
ザ加工に比較しても、被処理面の汚染、熱歪みなどを少
なくし、かつ被処理面が鏡面であっても加工でき、しか
も加工手段としても比較的簡単で、容易に実施できるな
どの優れた特長を有するものである。
などの被処理面上に、認識ナンバーなどをマーキングす
る場合、被処理面の必要に応じた位置制御に併せて、集
束イオンビームの選択制御された投射と、この集束イオ
ンビームによって活性化される反応性ガスの供給とによ
り、被処理面上へ所定のマーキングを、エツチング溝あ
るいは成膜によって表示させることができ、前記した従
来方法とは異なって１表示加工処理のための作業工程、
処理時間を格段に短縮し得ると共に、例えば従来のレー
ザ加工に比較しても、被処理面の汚染、熱歪みなどを少
なくし、かつ被処理面が鏡面であっても加工でき、しか
も加工手段としても比較的簡単で、容易に実施できるな
どの優れた特長を有するものである。
第１図はこの発明に係る半導体基板などのマーキング方
法の一実施例による概要を説明するための斜視図、第２
図は同上方法を適用するための装置システムの概要を示
す断面構成図であり、また第３図（Ａ）は従来例方法に
よるマーキング後の半 ′導体基板を示す平面図、
同図（Ｂ）ないしＣＦ）は同上ａ−ｂ線断面部でのマー
キング工程を順次に示すそれぞれ拡大断面図である。 １１・・・・半導体基板、１２・φ・・マーキング、
１３・・・・集束イオンビーム光学系、１５・・・・集
束イオンビーム、１Ｂ・・・・反応性ガスのガス銃、１
７・・・・反応性ガス、１８・・・・ＸＹステージ、２
１・・・・イオン源室、２２・・・・試料処理室、２３
・・・・試料交換室、２４・・・・二次電子検出器、２
５・・・・半導体基板の供給、収納用キャリア、 ２８
ａ、２８ｂ、２ｆｉｃ・・・・真空ポンプ、２７・・・
・エレベータ機構、２８・・・・試料搬送系。 代理人 大 岩 増 雄第１ 区 第３図
法の一実施例による概要を説明するための斜視図、第２
図は同上方法を適用するための装置システムの概要を示
す断面構成図であり、また第３図（Ａ）は従来例方法に
よるマーキング後の半 ′導体基板を示す平面図、
同図（Ｂ）ないしＣＦ）は同上ａ−ｂ線断面部でのマー
キング工程を順次に示すそれぞれ拡大断面図である。 １１・・・・半導体基板、１２・φ・・マーキング、
１３・・・・集束イオンビーム光学系、１５・・・・集
束イオンビーム、１Ｂ・・・・反応性ガスのガス銃、１
７・・・・反応性ガス、１８・・・・ＸＹステージ、２
１・・・・イオン源室、２２・・・・試料処理室、２３
・・・・試料交換室、２４・・・・二次電子検出器、２
５・・・・半導体基板の供給、収納用キャリア、 ２８
ａ、２８ｂ、２ｆｉｃ・・・・真空ポンプ、２７・・・
・エレベータ機構、２８・・・・試料搬送系。 代理人 大 岩 増 雄第１ 区 第３図
Claims (1)
- （１）半導体基板などの被処理面上に、認識ナンバーな
どをマーキングする方法において、前記被処理面の必要
に応じた位置制御と共に、選択制御された集束イオンビ
ームの投射、およびこの集束イオンビームによつて活性
化される反応性ガスの供給により、前記被処理面上へマ
ーキング表示をなすようにしたことを特徴とする半導体
基板などのマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8455786A JPS62241325A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体基板などのマ−キング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8455786A JPS62241325A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体基板などのマ−キング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241325A true JPS62241325A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13833943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8455786A Pending JPS62241325A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体基板などのマ−キング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129256A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正方法 |
| JPH01130158A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正方法およびその装置 |
| JPH09134000A (ja) * | 1996-09-02 | 1997-05-20 | Seiko Instr Inc | パターン膜修正装置 |
| CN101832759A (zh) * | 2010-04-06 | 2010-09-15 | 清华大学 | 一种微纳米尺度散斑的制作方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8455786A patent/JPS62241325A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129256A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正方法 |
| JPH01130158A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正方法およびその装置 |
| JPH09134000A (ja) * | 1996-09-02 | 1997-05-20 | Seiko Instr Inc | パターン膜修正装置 |
| CN101832759A (zh) * | 2010-04-06 | 2010-09-15 | 清华大学 | 一种微纳米尺度散斑的制作方法 |
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