JPS59195829A - レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、レジストの感度をｌｊｊ　％’Ａ＋　して高
精度のレジ２ト・やターンを形成する方法及びレジスト
処理装置トｔに関する。

〔発明の技術的背景〕

超ＬＳＩを始めとして、半導体素子の集積度が筒−止る
につれて、微細にして且つ高精度のパターン形成技術が
要求されている。このため、許容される寸法精度は非常
に厳しいものとなシ、最先端分野ではロインチロマスク
或いは５インチ径ウェー・内で３σ≦０．１〔μｍ〕（
但し、σはウェハの平均寸法値に対するばらつきを示す
）の寸法精度が要求されている。また、量産ラインで使
用されるためにはマスク間或いはウエノ・間での寸法変
動を３σ≦０．１５　（ｔｂｍ　：］に抑えることが必
要であシ、一方量産効果を高めるために、レジストの感
度としては高いものが要求されている。しかし、一般に
高感度のレジストは解像性が劣るだめ所望のノ’？ター
ン寸法精度を得ることが困難であり、逆に高解像性を有
するレジストは低感度であるために量産ラインにおいて
高スルーグツトが得られない等の問題があった。

第１図は従来技術によるレジストパターン形成プロセス
を示すフローチャートである。まず被処理基板上にスピ
ン塗布法により所定の膜厚にレジストを塗布する。次い
で、塗布溶媒の除去並びにレジストと基板との密着性を
向上させるために、オーブン等を用いレジストに応じた
所定の温度（Ｔｂ）でレジストのベーク（プリベーク）
を行なう。この後、オーブンから取シ出されだレジスト
膜付被処理基板を大気中で自然放冷することによシ、室
温まで２０〜３０分かけて冷却する。冷却の完了したレ
ジスト膜付被処理基板に対して、し・シストの種類に応
じた所定の服射量で所定波長域の電磁波、例えば柴外光
或いは所定エネルギーの粒子線、例えば電子線を選択的
に照射する。その後、現像・リンス処理工程を経て所望
のレジストパターンが形成されることになる。上記レジ
ストの自然放冷工程における被処理基板の温度変化の様
子を第２図に示す。第２図から、従来のプロセスではレ
ジスト膜付被処理基板、す外わちレジストが伶めて緩や
かに冷却されていることが判る。

ところで、本発明者等はレジストの冷却速度と感度との
関係について着目し、種々実験、研究を重ねた結果、従
来のプロセスにより長時間かけて徐冷されたレジストの
感Ｄ！は低いが、レジストをベークした後急速に冷却し
た場合のレジスト感度は飛躍的に高まることを見い出し
た。

さらに鋭意研究を進めた結果、ベーキング後の冷却時間
（冷却速度）を副側ｊすることによってレジストの感度
を完全に竹つ再現性良く制御できることを見い出した。

加えて、不均一なレジストの冷却はレジストの感度むら
を生せしめ、これがレジストパターン精度に悪影響を及
ぼすので、高精度レジストツクターンを形成するにはレ
ジスト膜の均一冷却が必須であることも見い出しだ。な
お、これらのプロセスを紅だレジストの解像性（ツ：い
ささかも劣化していないことも確認している。

〔発り１」の目的〕 本発明の目的は、電磁波や粒子線等に対するレジストの
感度を任意に制御し、高′精度のレジストパターンを効
率良く形成し得るレジストノ々ターン形成力法及びその
だめのレジスト処理装置を提供することにある。

〔発明の概仮〕

本シロ明の骨子は、レジストのベーク及び冷却を同一の
場所で連続的に行うことにある。本発明によるレジスト
膜やターン形成の概要を第３図に示す。この発明では、
まず被処理基板上にレジスト膜を塗布形成する。次いで
、このレジスト膜のベーク後、レジスト膜付被処理基板
を移動させずベークの場所と同一場所で、冷却時間若し
くは冷却速度を制御し橙からレジスト膜全体にわたる均
一な冷却を行なう。その後、該レジストに対して所定波
長の電磁波或いは所定エネルギーの粒子線を選択的に照
射し、これを現像・リンス処理することによシレジスト
ノやターンを形成する。

すなわち本発明は、被処理基板上にレジストを塗布し、
ベークした後冷却し、さらに所定波長の電磁波或いは所
定エネルギーの粒子線を上記レジストに選択的に照射し
、現像処理を施すことによシレジストパターンを形成す
るレジスト膜やターン形成方法において、上記レジスト
のベーク終了後膣レジスト付基板を移動することなく上
記ベークの場所と同一場所で、冷却時間若しくは冷却速
度を制御して上記レジストを均一に冷却するようにした
方法である。

また本発明は、被処理基板上に塗布されたレジストをベ
ークしたのち冷却するレジスト処理装置において、上記
基板を支持する基板支持具と、この支持具の上方に設け
られ該支持具に支持された基板上に赤外線を照射或いは
熱風を吹き付けて基板上のレジストをベークするベーク
機構と、上記支持具の上方に設けられ該支持具に支持さ
れた基板上に冷風を吹き付けて基板上のし・シストを冷
却する冷却機構とを具備し、上記レジストのベーク及び
冷却を連続して行うようにしたものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、電磁波若しくは粒子線照射に対するレ
ジストの感度を、そ°の解像性を劣下させることなく任
意に設定することができる。

例えば低感度のレジストを用いる場合でも、本発明の方
法によシ解像性を劣下させることなく高感度化できるの
で、電磁波若しくは粒子線による照射処理時間等を短縮
し、レジスト・クターン形成の処理時間の大幅な短縮化
をはかシ得る。

また、レジストのベーク及び冷却は被処理基板を移動さ
せることなく行なうので、これらの処理を連続的に且つ
迅速に進めることができる。

しかも、ベーク→冷却工程中に被処理基板を移！ｉυさ
せる必要がないので、外部からの不要な熱接触を招くこ
となくベーク→冷却へのプロセス処理が均一に進められ
る結果、被処理基板上の塗布レジストに冷却むら、すな
わち感度むらが生じるのを未然に防止することができる
。したがって、得られるレジス）　／？ターンの寸法均
一性は極めて高いものとなる。

〔発明の実施例〕

〈実施例１〉 本実施例ではポリ（２，２，２−）リフルオロエチル−
α−クロロアクリレート）よシなるポジ型電子線感応レ
ジストを用いた場合のレジストパターン形成方法につい
て述べる。まず、上記レジストを周知の回転塗布法によ
シ被処理基板上に塗布する。このとき、塗布膜厚は０．
３〜１〔μｍ〕程度でよい。被処理基板としては、半導
体ウエノ・やガラス基板等梱々あるが、ここでは金属膜
付ガラス基板を用いた。次に後述するよう力レジスト処
理装置を用いて、レジスト膜のベーク、冷却処理を行な
った。ベーク温度Ｔｂは上記レジストのガラス転移温度
Ｔｇ（〜１３３℃）を越える例えば１９０〔℃〕に設定
した。

約１時間のベークの後、室温までの冷却を冷却時間（冷
却速度）を変えて行なった。Ｔｂから室温までの冷却時
間は例えば■３０分、■５分。

■１分、■１０秒、■５秒となるように冷却処理を操作
した。第４図はこれらの冷却処理時における基板温度変
化について示したものである。

これらのベーク・冷却プロセスを経たレジスト試料につ
いて電子線感度特性を調べた結果、第５図に示す如き感
度曲線が得られた。第５図の感度特性は、上記ベーク・
冷却プロセスを経たレジスト膜に加速電圧（ＫｅＶ　：
）の電子線を照射後、室温でメチルイソブチルケトン（
ＭＩＢＫ　）：イソプロビルアルコール（ＩＰＡ）＝７
　：　３現象液で１０分間の現像処理を施し、次いでＩ
ＰＡにて３０秒間のリンス処理を施してイ５１らねたも
ので入棺４図の夫々の冷却プロセスに対応するレジスト
感度（残膜率ゼロとなる電子線照射量）は■４　Ｘ　１
０”６（Ｃ／　ｃｍｚ）　、■２　Ｘ　１０−６（：　
Ｃ／　ａｎ２）　、■９　Ｘ　１０−７［Ｃ／　ｃｍ２
〕ｔ■５Ｘ　１０”−’　［Ｃ／ａ、＋２〕、■３　Ｘ
　１０−’　（Ｃ／ｃｍ２）であった。一方、これら■
、■、■、■、■と同様のベーク・冷却プロセスを経た
レジスト伺被処理基板（金属膜付６インチロガラス基板
）へ、加速電圧２０　（ＫｅＶ　）の電子線描画装置に
よシ、夫々に対応する感度（照射量）で選択的に・母タ
ーン露光を行ない、室温におけるＭＩＢＩ（／ＩＰＡ（
＝７／３）現象、ＩＰＡリンス処理を行乃ってレノスト
パターンを形成した。■〜■いずれのプロセスを経たレ
ジストパターンも解像性は良好であった。また、例えば
絽ｒｌ］　０．５〜２．０〔μｍ〕のｆｆ１ｔ＋　Ｉ′
ｆＵのレジストパターンの寸法精度で基板面内の寸法変
動誤差３σ＜ｏ、ｉ（μｍ〕を十分に満足させるもので
あった。

〈実施例２〉 本実施例ではレジストとしてポリメチルメタクリレート
を用いた。その他の条件は先に説明した実施例１と略同
様である。ベーク時のＴｂは、本レジストのガラス転移
温度Ｔｇ〜１１０〔℃〕を越える１８０［℃：）に設定
した。約１時間のベーク後、本発明の均一制御冷却によ
シ室温までの冷却時間を■３０分、■５分、■１分、■
１０秒、０５秒と変えた。これらのレジスト試料に加速
電圧２０　（ＫｅＶ　：］の電子線を照射後、室温で１
３分間のＭＩ　ＢＫ現象、３０秒間のＩＰＡリンスを行
なって、夫々に対応する感度を調べた結果、■９　Ｘ　
１０−６（Ｃ／　ｃｍ”　）　、■６、５　Ｘ　１０−
６（Ｃ／ｃｍ２〕ｐ■５　Ｘ　１０−６（Ｃ／α２〕、
■３．５　Ｘ　１０”−’　［Ｃ／α２〕、■２．５×
１０＝　（Ｃ／　ｃｍ”〕であった。さらに、上記■。

■、■、■、■と同様のベーク・冷却プロセスを経たレ
ジスト付被処理基板（金属膜内６インチロガウス基板）
へ、加速電圧２０　［ＫｅＶ　］電子線描画装置を用い
て、夫々に対応する感度（照射量）で選択的にパターン
露光を行ない、室温におけるＭＩＢＫ現象、ＩＰＡ　Ｉ
Ｊンス処理を施してレノストパターンを形成した。■〜
■いずれのプロセスを経たレジストｉＪ？ターンも解像
性ハ良好であった。また、先の実施例１と同様に線巾０
．５〜２．０〔μｍ〕の範囲のレジス）　ｔＪ？ターン
の寸法精度を評価した結果、５いずれのレジストパター
ンも高精度で基板面内の寸法変動誤差３σ〈０．１［μ
ｍ〕を充分に満足するものであった。

なお、本発明の主眼は、被処理基板上のレジスト膜をベ
ーク・冷却する過程で、ベークの膜全体に亘る均一制御
もさることながら、特にベーク温度Ｔ５から室温付近ま
での冷却時間（冷却速度）を精密且つ均一に制御するこ
とによって、塗布レジストに任意の感度を均一に与える
点にある。したがって本発明の方法を用いれば、例えば
種々のレジスト照射（露光）装置の性能に適合するよう
に、レジストの感度を任意に且つ均一に設定することが
できる。本発明者等の研究結果によると、ベーク温度Ｔ
ｂから室温付近までの冷却時間を短く（冷却速度を大き
く）すればするほどレジストの感度は向上することが判
っている。逆に、冷却時間を述ばす（冷却速度を小さく
する）とレジストの感度は下がることが判っている。し
たがって、情況に応じて、上記実施例とは異なる冷却時
間（冷却速度）を設定して、し・シストの感度を所望の
値に設定できることは云うまでもない。また、上記実施
例では二種類のレジストに関してのレジストパターン形
成例について述べたが、レジストの種類、レジスト膜が
被着される基板材料、レジストの溶媒、現像液、さらに
はベーク温度等についても上述した実施例に限定される
ものではなく、公知の種々の材料、現像液及びベーク温
度についても本発明の効果が達成されることを確認して
いる。また、レジストの露光方法についても、上述した
電子線以外に光線、Ｘ線、イオンビーム等の所定波長域
の電磁波や所定エネルギーの粒子線を用いても本発明の
意図する効果が得られる。

〈実施例３〉 次に、本発明の方法を実施するのに適合する装置の一例
について第６図を参照して説明する。

第６図の装置は基板に対するレジスト塗布から露光前進
の一連の工程を全自動で行なうものである。まず、レノ
ストが塗布されるべき被処理基板６１ａが、予めカセッ
）６２ａに収納されておシ、所定の搬送シーケンスの下
に、ベルトコンベア６３ｈによってレジスト塗布前の所
定位置へ順次搬送される。次いで回転・上下動機構を有
する真空チャック搬送器６４ａによって該被処理基板６
１ａはレジスト塗布用回転台６５上に移される。次に、
レジスト滴下ノズル６６よシ溶媒に溶解させたレジスト
が被処理基板６１ｂ上に滴下され、回転台６５によシ被
処理基板６１ｂは回転し、その結果被処理基板６１ｂ上
にレジスト膜が形成される。レジスト回転塗布中、被処
理基板６１ｂは回転台６５へ真空チャック等の手段で固
定されていることは云うまでもない。次に、レジスト塗
布法被処理板６１ｂは、回転・上下動機構を有する真空
チャック搬送器６４ｂによって、ベーク・冷却器（レジ
スト処理装置）６７０基板支持具６８上に移される。こ
こにおいてレジスト膜付被処理基板６１ｃには所定のベ
ーク・冷却処理が施されるが、本発明の効果を引き出す
だめのレジスト処理装置のポイントはこのベーク・冷却
器６７の構造にある。すなわち、本発明のレジスト処理
・装置は、少なくともレジスト膜付被処理基板６１ｂを
移動することなく、同一場所でベーク→冷却処理を他の
部分からの不要な熱接触なく均一制御しながら連続的に
実行する機能を有していなければならない。

第７図は前記機能を持たせたベーク・冷却器の一例でそ
の構造は次のようになっている。すなわち、本例ではレ
ジスト膜付被処理基板７１が支持具７２上に載置された
状態で、平面状の加熱・冷却源７３が該基板７１のレジ
スト塗布面と平行対面するように所定の間隔で配置され
ている。平面状加熱・冷却源７３は加熱源（ベーク機構
）７４と冷却源（冷却機構）７５とを交互に配列した構
造になっている。レジスト塗布面から見た平面状加熱・
冷却源７３の具体例を第８図及び第９図に示した。第８
図に示す例は、小孔８１を所定の間隔で画一的に多数設
けた清浄材料例えば石英から成る管を、小孔群がすべて
レジスト面に対向するように、平面状に複数個配列した
ものである。この場合、清浄な加熱ガス（熱風）を噴出
させる管（熱風導入管）８２と、清浄な冷却ガス（冷風
）を噴出させる管（冷風導入管）８３とを交互に配列し
であるので所望の効果を生ぜしめるように操作すること
ができる。第９図に示す例は、第８図に示す例と同様に
、小孔を所定間隔で画一的に多数設けた清浄材料例えば
石英から成る管９１と、ヒーターを内包した例えば石英
から成る管９２とを交互に複数個平面状に配列したもの
である。

この場合、後者を加熱源、前者を第８図に示す例と同様
にして冷却源として使用する。上記機能を持たせたベー
ク・冷却器の他の例を第１０図に示す。本例では、レゾ
スト膜付被処理基板１０１が支持具１０２上に載置され
た状態で、開口端を略平面状に配置させた管群から成る
加熱・冷却源１０３を該基板１０１のレジスト塗布面と
平行対面する態様で所定の間隔にて配置している。この
場合、加熱・冷却源１０３は加熱源用管１０４と冷却源
用管１０５とを交互に配列した構造になっている。レジ
スト塗布面から見た平面状加熱・冷却器１０３の一具体
例を第１１図に示した。第１１図に示す例は、加熱源用
開口（熱風吹出口）１１１と冷却源用開口（冷風吹出口
）１１２とを交互にマトリクス状に配列したものである
。なお、これら第１０図及び第１１図に示した例では、
加熱源用管には加熱ガスを導入し、冷却源用管には冷却
用ガスを導入して、夫々の開口部から加熱ガス、冷却ガ
スを噴出させることによって、所定のベーク・冷却処理
を行なうことができる。また、ぺ一り処理に関しては上
記加熱源用管に赤外線を導大して、開口部からレジスト
面へ赤外線を照射させる方法を採ってもよい。

さて、本発明の効果を生せしめるには上述した第７図乃
至第１１図に示す例の如きベーク・冷却器を第６図のベ
ーク・冷却器６７として使用する。ベーク温度Ｔ、およ
び冷却時間（冷却速度）の制御は、加熱ガスや冷却ガス
の温度、噴出口からのガス流量、赤外線量、ヒータ一温
度、平面状ベーク・冷却器と被処理基板との間隔などを
ノぐラメータとした、予めプログラムされた所定のシー
ケンスに従って行なえばよい。また、本発明ではベーク
後のレジストの冷却を被処理基板上にて均′−に行なう
ことも重をなポイントなので、これを乱すよう力不要な
熱接触は極力避けなければならない。このために被処理
基板６１ｃの支持具６８としては例えばテフロン（デュ
ポン社商品名）の如き熱伝導率の小さい材料を使用する
ことが望ましく、さらには該基板と該支持具との接触は
できるだけ点接触状態にする方が望ましい。このように
して所定のペ−り・冷却処理を終えた被処理基板６１ｃ
は、次に回転・上下動機構を有する真空チャック搬送器
６４ｃによって、ベルトコンベア６３ｂ上の所定位置へ
移される。そしてベーク・冷却源レゾスト膜付被処理基
板６１ｄは、所定のシーケンスの”ＦＫ、ベルトコンベ
ア６３　ｂ　ＶＣよってカセット６２ｂに順次収納され
、本装置の工程は完了する。

なお、本装置は枚葉式の処理方法を採用しているので、
情況によってはベーク・冷却部分における処理時間が長
くなって、他の部分との処理時間のバランスを崩し、高
スルーグツト化がはかれない場合も生じる。このような
場合には、該ベーク・冷却器を例えばサークル状若しく
は並列状に複数個配置し、他の部分の処理時間およびベ
ーク・冷却時間を考慮した適正な遅延時間を設定して、
サークル的若しくは並列的にベーク・冷却処理を行なう
ことによシ、装置全体としての高スルーグツト化をはか
ることが可能である。さらには、ベーク・冷却器を所定
許容範囲内で大型化し、該部分だけをパッチ処理方式に
することもできる。平面状ベーク・冷却器は、レジスト
面に対するベーク・冷却の均一性を強化するために、通
常はそのベーク・冷却面領域を平行対面しているレジス
ト面領域よシも余裕をもって広くしておく方が望ましい
。また、上記均一性なども含めて所定の効果を得るため
に、上記平面状ベーク・冷却器の加熱源と冷却源との配
置は情況に応じて変化させても良い。

上記レジスト処理装置の平面状ベーク・冷却器は被処理
基板上のレジスト面（表面）に対面する形態になってい
るが、レジスト面とは反対側の被処理基板面（裏面）に
所定の間隔にて平行対面する形態で平面状ベーク・冷却
器をさらに追加してもよい。

上記装置の大きな特徴を追記すると、ベーク・冷却処理
が、従来の大型オーブン、広い冷却エリアＶこ代わって
、極めて小型化された単一装置で可能になったこと、被
処理基板の搬送移動が自動的にし、かも狭いスペースで
行なわれるのでレジスト付基板へのダストの付着が大幅
に低減し製品歩留シが向上すること等があげられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のレジストＡ？ターン形成工程を概略的に
示す流れ作業図、第２図は従来工程におけるし・シスト
ベーク後の被処理基板の温度変化の様子を示す特性図。 第３図は本発明のレジスト・クタデン形成工程を概略的
に示す流れ作業図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明
の一実施例を説明するためのもので第４図はレジスト　
・冷却速度を示す特性図、第５図は照射量と膜厚残存量
との関係を示す特性図、第６図は本発明方法の実施に適
合する装置の一例を示す概略構成図、第７図乃至第１１
図はそ°れぞれ上記装置の構成内容を説明するだめの要
部拡大図である。 ６１　ａ　〜６１　ｄ−被処理基板、６２　ａ　〜６２
ｂ・・・カセット、６３ａ、６３ｂ・・・ベルトコンベ
ア、６４ａ〜６４ｃ・・・真空チャック搬送器、６５・
・・回転台、６６・・・レジスト滴下ノズル、６７・・
・レジストベーク・冷却器、６８・・・被処理基板支持
具、７１・・・被処理基板、７２・・・基板支持具、７
３・・・加熱・冷却源、７４・・・加熱源、７５・・・
冷却源、８１・・・小孔、８２・・・加熱管、８３・・
・冷却管、９１・・・冷却管、９２・・・ヒーター内包
加熱管、１０１・・・被処理基板、１０２・・・基板支
持具、１０３・・・加熱・冷却源、１０４・・・加熱源
用管、１０５・・・冷却源用管、１′１１・・・加熱源
用開口、１１２・・・冷却源用開口。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦手続補正書 ■、事件の表示 特願昭５８−７０４３３号 レジスト処理装置 ３、補正をする者 事件との関係　爵計出願人 （３０７）　　東京芝浦゛市気株式会社４、代理人 住所　東京都港区虎ノ門１丁５２６番５号　第１７森ビ
ル６　補正の対象 明細書 （１）　　特許請求の範囲の記載を別紙の則りに訂正す
る。 （２＋　　１ｊＪｊ細皆・の第］４頁１７行目に「てい
る。また、」とあるのを「ている。たたし、上赴の実施
１例のようにレジストのベーク温度がガラス転移温度Ｔ
、９　　ＰＪ、上であることか、温度Ｔ、９を通過して
冷却した後のレジスト感度及びパターン？Ｎ度向上に荷
に有効である。また、」とに丁正する。 ２、特許請求の範囲 （１）　　被処理基板上にレジストを塗布し、ベークし
た後冷却し、さらに所定波長の′屯磁波或いは所定エネ
ルギーの粒子線を上記レジストに選択的に照射し、現像
処理を施すことによりレジストパターンを形成する方法
において、前記レジストのベーク終了後膣レジスト付基
板を移動することなく上記ベークの場所と同一場所で。 冷却時間若しくは冷却速度を制御して上記レジストを均
一に冷却することを特徴とするレジストパターン形成方
法。 （３）被処理基板上に塗布されたレジストをベークした
のち冷却するレジスト処理装置において、前記基板を支
持する基板支持具と、この支持具の上方に設けられ該支
持具に支持された基板上に赤外線を照射或いは熱風を吹
き付けて基板上のレジストをベークするベーク機構と、
上記支持具の上方に設けられ該支持具に支持された基板
上に冷風を吹き付けて基板上のレジストを冷却する冷却
機構とを具備し、上記レジストのベーク及び冷却、を連
続して行うことを特徴と１−るレジスト処理装置。 （４）　　前記ベーク機構は直線状のヒータからなり、
＠記冷却機構は下方に複数の冷風吹出孔を有する直線状
の冷風導入管からなり、且つ上記ヒータ及び冷風導入管
を前記支持具に支持された基板表面と対向する面内で交
互に平行白じ直してなることを特徴とする特許請求のｌ
１ｉ１２囲第３項記載のレジスト処理表置。 旦　前記ベーク機構は下方に複数の熱風吹−出孔、を有
する直線状の熱風樽入瞥ｉからなり、前記冷却機構は下
方に複数の冷風吹出孔を有する直線状の冷風導入管から
なり、且つ上記熱風導入１′及び冷風導入管を前記支持
具に支持された基板表面と対向する面内で交互に平行Ｅ
　ｆｆｋしてなることを特徴とする特許請求の馳囲第３
項記載のレジスト処理装置。 （６）　前記ベーク機構は複数の熱ノ虱１仄出口からな
り、前記冷却株構は複数の冷ｊ賊吹出口からなり、且つ
上記熱ノ虱吹出口及び冷風吹出口を前記支持具に支持さ
れたゐ）、板表凹と動向する面内でＸ方向及びｙ方向に
それぞれ父互し［ｌｕ夕１」シてなることを特徴とする
時計ｉ￥求の軸門第３項記載のレジスト処理装置。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板上にレジストを塗布し、ベークした後
   冷却し、さらに所定波長の電磁波或いは所定エネルギー
   の粒子線を上記レジストに選択的に照射し、現像処理を
   施すことによシレジス）ｚ？ターンを形成する方法にお
   いて、前記レジストのベーク終了後膣レジスト付基板を
   移動することなく上記ベークの場所と同一場所で、冷却
   時間若しくは冷却速度を制御して上記レノストを均一に
   冷却することを特徴とするレジストパターン形成方法。
2. （２）被処理基板上に塗布されたレジストをベークした
   のち冷却するレジスト処理装置において、前記基板を支
   持する基板支持具と、この支持具の上方に設けられ該支
   持具に支持された基板上に赤外線を照射或いは熱風を吹
   き付けて基板上のレジストをベークするベーク機構と、
   上記支持具の上方に設けられ該支持具に支持された基板
   上に冷風を吹き伺けて基板上のレジストを冷却する冷却
   機構とを具備し、上記レジストのベーク及び冷却を連続
   して行うことを特徴とするレジスト処理装置。
3. （３）　　前記ベーク機構は直線状のヒータからなシ、
   前記冷却機構は下方に複数の冷風吹出孔を有する直線状
   の冷風導入管からなシ、且つ上記ヒータ及び冷風導入管
   を前記支持具に支持された基板表面と対向する面内で交
   互に平行配置してなることを特徴とする特許請求の範囲
   第２項記載のレジスト処理装置。
4. （４）　　前記ベーク機構は下方に複数の熱風吹出孔を
   有する直線状の熱風導入管からなシ、前記冷却機構は下
   方に複数の冷風吹出孔を有する直線状の冷風導入管から
   なり、且つ上記熱風導入管及び冷風導入管を前記支持具
   に支持された基板表面と対向する面内で交互に平行配置
   して々ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
   レジスト処理装置。
5. （５）　　前記ベーク機材は複数の熱風吹出口からなり
   、前記冷却機構は複数の冷罵、吹出口からなり、且つ上
   記熱風吹出口及び冷風吹出口を前記支持具に支持された
   基板表面と対向する面内でＸ方向及びｙ方向にそれぞれ
   交互に配列してなることを特徴とする特許鮪求の範は１
   第２項記載のレジスト処理装置。