JPS60157222A - レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、レジストの感度を制御して高精度のレジスト
パターンを形成する方法及びレジスト処理装置に関する
。

〔従来技術とその問題点〕

超ＬＳＩを始めとして、半導体素子の集積度が高マるに
つれて、微細にして且つ高精度のパターン形成技術が要
求されている。このため、許容される寸法精度は非常に
厳しいものとなり、最先端分野ではロインチロマスク或
いは５インチ径ウェハ内で３σ≦０．１〔μｍ’）（（
ｊＪし、σはウェハの平均寸法値に対するばらつきを示
す〕の寸法精度が要求されている。また、量産ラインで
使用されるためにはマスク間或いはウェハ間での寸法変
動を３σ≦０．１５［μｍ］に抑えることが心安であり
。

一方量産効果を高めるために、レジストの感度としては
高いものが要求されている。しかし、一般に高感度のレ
ジストは解像性が劣るため所望のパターン寸法精度を得
ることが困難であり、逆に高解像性を有するレジストは
低感度であるために１稜産ラインにおいて高スループツ
トが得られない等の問題があった。

第１図は従来技術によるレジストパターン形成プロセス
を示すフローチャートである。まず被処理基板上にスピ
ン塗布法により所定の瞑厚にレジストを塗布する。次い
で、塗布浴媒の除去並びにレジストと基板との密着性を
向上させるために、オーブン等を用いレジストに応じた
所定の温度（Ｔｂ）でレジストのベーク（プリベーク）
を行なう。この後、オーブンから取り出されたレジスト
膜付被処理基板を大気中で自然放冷することにより、室
温まで２０〜３０分かけて冷却する。冷却の完了したレ
ジスト膜付被処理基板に対して、レジストの種類に応じ
た所定の照射量で所定波長域の電磁波１例えば紫外光或
いは所定エネルギーの粒子線、例えば電子線を選択的に
照射する。その後、現像・リンス処理工程を経て所望の
レジストパターンが形成されることになる。上記レジス
トの自然放冷工程における被処理基板の温度変化の様子
を第２図に示す。第２図から、従来のプロセスではレジ
スト膜付被処理基板、すなわちレジストが極めて緩やか
に冷却されていることが判る。

ところで、本発明者等はレジストの冷却速１カと感度と
の関係について着目し１種々実験、研究を重ねた結果、
従来のプロセスにより長時間かけて徐冷されたレジスト
の感度は低いが、レジストを該レジストのガラス転移温
度以上の温度でベークした後急速に冷却した場合のレジ
スト感度は飛躍的に高まることを見い出した。

又、ガラス転移温度以上の温度でレジストをベークした
後レジスト膜付被処理基板を６却する際。

冷却時間若しくは冷却速度を制御することによってレジ
ストの感度を完全に且つ再現性良＜　１ｌｉｌＪ　（＋
１１１できることを見い出した。加えて、不均一なレジ
ストの冷却はレジストの感度むらを生せしめ、これカレ
シストパターン精度に惑影・鯵を及ぼすので。

前精度レジストパターンを形成するにはレジスト膜の均
一冷却が必須であることも見い出した。

更に鋭意研究を重ねた結果、パターン露光後で現像処理
の前にガラス転移温度を越える温度でレジストをベーク
（以下現像前ベークと称す）し、然る後ひ却時間若しく
は冷却速度を・ｌ’ｌ、ｉ　ｆｆ１ｔｌすることによっ
てもレジストの感度を再現性良く制伽１できることを見
い出した。このような現象は露光工程終了までのレジス
ト膜の熱履歴には全く依存しないことも分かった。なお
、これらのプロセスを経たレジストの解像性が劣化して
いないことも確認している。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、電磁波や粒子線等に対するレジストの
感度を任意に制御し、高精度のレジストパターンを効率
良く形成し得るレジストパターン形成方法及びそのため
のレジスト処理装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の骨子は、パターン露光後で現像処理の前に、レ
ジストのベークを該レジストのガラス転移温度以上の温
度にて行ない、且つ前記レジストのベーク及び制御され
た均一冷却を同一の場所で連続して行なうことにある。

本発明によるレジストパターン形成の概要を第３図に示
す。この発明では、先ず被処理基板上にレジストを塗布
する。

次いで、このレジス）ＩＩをベークし通常の冷却を行な
う。次に該レジストに対して所定波長の電磁波或いは所
定エネルギーの粒子線を選択的ζこ照射する。然る後、
前記レジストを該レジストのガラス転移温度以上の温度
で所定の時間ベーク（現像前ベーク）する。次いで前記
レジスト１１１のベーク後、レジスト膜付被処理基板を
移動させずベークの場所と同一の場所で、冷却時間若し
くは冷却速度を制御しながらレジスト膜全体にわたる均
一な温度分布の冷却を行なう。この後現像及びリンス処
理ヲ施してレジストパターンを形成する。

すなわち本発明は、被処理基板上にレジスト膜を塗布形
成し、第１段階のベークにより加熱した後冷却し、さら
に所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの粒子線を上
記レジストｉに選択的に照射（以下露光と称す）シ、現
像処理を施すことによりレジストパターンを形成する方
法に２いて、前記露光後で前記現像処理の前に、前記レ
ジスト膜を該レジストのガラス転移温度以上の温度で第
２段階のベーク（以下現像前ベークと称す）を施し、然
る後肢レジスト膜付被処理基板を移・助することな（前
記現像前の第２段階のベークの場所と同一の場所で、冷
却時間若しくは冷却速ｒｌをｉｊ＋ｌｌ　ｉｌして、前
記レジスト膜を均一な温＋＝分布状態の下に均一に冷却
することを特徴としている。

また１本発明は、被処理基板上に塗布されたレジストを
ベークしたのち冷却するレジスト処理装置において、上
記基板を支持する基板支持具と、この支持具の上方に設
けられ該支持具に支持された基板上に赤外線を照射或い
は熱風を吹き付けて基板上のレジストを該レジストのガ
ラス転移温度以上の温度にてベークするベーク機構と、
上記支持具の上方に設けられ該支持具に支持された基板
上に冷風を吹き付けて基板上のレジストを冷却する冷却
機構とを具備し、上記レジストのベーク及び冷却を連続
して行うようにしたものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、電磁波若しくは粒子線照射に対するレ
ジストの感度を、その解像性を劣下させることな（任意
に設定することができる。例えば低感度のレジストを用
いる場合でも、本発明の方法により解像性を劣下させる
ことなく高感度化でへるので、電磁波若しくは粒子線に
よる照射処理時間等を短縮し、レジストパターン形成の
処理時間の大幅な短縮化をはかり得る。また、レジスト
のベーク及び冷却は被処理基板を移動させることな（行
なうので、これらの処理を連続的に且つ迅速に進めるこ
とができる。しかモ、ベーク→冷却工程中に被処理基板
を移動させる必・夕がないので、外部からの不要な熱接
触を招くことなくベーク→冷却へのプロセス処理が均一
に進められる結果、被処理基板上の傾布レジストに冷却
むら、すなわち感度むらが生じるのを未然に防止するこ
とがで蛭る。したがって、得られるレジストパターンの
寸法均一性は極めて高いものとなる。

〔発明の実施例〕

〈実施例１〉 本’ＭＭ例ではポリ（２、２、２−１−’Ｊフルオロエ
チルーα−クロロアクリレート）よりなるポジ型電子線
感応レジストを用いた場合のレジストパターン形成方法
について述べる。まＶ、上記レジストを周知の回転塗布
法により被処理基板上に塗布する。このとき、塗布膜厚
は０．３〜１〔μｍ〕程度でよい。被処理基板としては
、半導体ウニ／’ＪＰガラス基板等種々あるが、ここで
は金属腰付ガラス基板を用いた。次に、前記レジス＋−
ｐのベーク（プリベーク〕及び冷却処理を行なった。前
記プリベーク時のベーク温度は１５０℃とし、冷却は従
来と同様に自然放冷上した。冷却時のレジスト膜全体に
亘る温度分布については特に注意を払わなかった。即ち
意図的な均一冷却は行なわなかった。

次いで前記レジスト膜に対して所定の条件で電子線露光
を行なった。然る後、後述するようなレジスト処理装置
を用いて、前記レジスト膜の現１象前ベークと均一冷却
処理を行なった。ベーク温度Ｔｂは上記レジストのガラ
ス転移温並Ｔｇ（〜１３３℃）を越える例えば１９０（
℃’：ｌ　に設定した。約１時間のベークの後、室温ま
での冷却を冷却時間（冷却速度）を変えて行なった。Ｔ
ｂから室温呼での冷却時間は例えば０３０分、０５分、
■１分、■１０秒、０５秒となるように冷却処理を操作
した。第４図はこれらの冷却処理時における基板温度変
化について示したものである。これらのベーク・冷却プ
ロセスを経たレジスト試料について電子線感度特性を調
べた結果、第５図に示す如き感度曲線が得られた。第５
図の感度特性は、加速電圧２０ＫＶの電子線を照射した
場合のものであり、上記現像前ベーク及び均一冷却処理
後に、室篩でメチルインブチルケトン（ＭＩＢＫ）：イ
ンブロピルアルコール（ＩＰＡ）−７：　３現象敢て１
０分間の現像処理を施し、次いでＩＰＡにて３０秒間の
リンス処理を施して得られたもので、姑４図の夫々の冷
却プロセスに対応するレジストを酋Ｋ　（残ｉ漢率ゼロ
となる電子線照射砥）は（Ｅ　４　Ｘ　１０−’　［Ｃ
７ｃｍ”）。

■２　Ｘ　１０”−’　［Ｃ７ｃｍ２］、◎９　Ｘ　１
０−７［Ｃ７ｃｍ”　］。

＠　５　Ｘ　１０−７ＣＣ７ｃｍ２〕、■３　Ｘ　１０
　’　［０７ｃｍ２’］。

であった。

一方、レジスト膜付被処理基板（金鵡膜付６インチロガ
ラス基板）へ、加速電圧２０’ＫＶの電子線描画装置を
用いて、上記０〜■の感度に対応する照射量でパターン
露光を行なった。前記ノ々ターン露光後、上記した条件
で該レジストの現像前ベークを行ない、然る後上記した
■〜■と同じ条件で該レジスト膜の均一冷却処理をした
。そして室温におけるＭＩＢＫ／ＩＰＡ（−７７３）現
像、及びＩＰＡリンス処理を行なってレジスト／−パタ
ーンを形成した。■〜■いずれの露光及びベーク・冷却
プロセスを経たレジストパターンも解像性は良好であっ
た。また、例えば線巾０．５〜２．０μｍの範囲のレジ
ストパターンの寸法精度は基板面内の寸法変動誤差３σ
〈０．１μｍを十分に満足させるものであった。

〈実施例２〉 本実施例ではレジストとしてポリメチルメタクリレート
を用いた。基本的な実施能様は実施例１の場合上略同様
である。レジスト塗布後のプリベークは１５０℃下で１
時間行ない、プリベーク後の冷却は自然放冷とした。電
子線露光は加速電圧２０ＫＶで行なった。露光後のレジ
ストに対し現像前ベークと均一冷却を連続して行なった
。現像前ベーク時のベーク温度Ｔｂは１本レジストのガ
ラス軒移温・美Ｔｇ〜１１０℃を越える１８０℃に設定
した。約４０分間のベーク後、本発明の均−制御冷却法
により室温マでの冷却時間を０３０分、０５分、０１分
、■１０秒、■５秒と変えた。これらのレジスト試料に
対し、室温で１３分間のＭＩＢＫ現像、３０秒間のＬ　
ｉ）　Ａ　１１ンス処坤を行なって。

夫々に対応する感度を調べた結果、■９　Ｘ　１０−’
［Ｃ７ｃｍ２］、　＠６．５　Ｘ　１０　’　［Ｃ７ｃ
ｍ”　］、■５ＸｌＯ’［Ｃ７ｃｍ”　１％■３．５　
Ｘ　１０−’　Ｃｃ／ｃｍ２］、■２．５Ｘ１０−６［
Ｃ７ｃｍ”　］　であった。

又、レジスト膜付被処理基板（全４石膜付ロインチロカ
ラス基板）を用いて１本発明の方法によるレジストパタ
ーンを形）反し、それらを評１曲した。

上記Ｏ−■の何れのプロセス対１芯するレジストパター
ンもＭ像性は良好であった。また、先の実施例１と同様
に線中０．５〜２０μｍの範囲のレジストパターンの寸
法精度を測定したところ　４ｉｉｌれのレジストパター
ンも高精度で基板面内の寸法変・＋ｉｌ＋誤差３σ〈０
．１μｍを十分に満足するものであった。

なお、本発明の主眼は、露光後の被処理基板上のレジス
ト膜を現像前にベーク・冷却する過程で、ベークの喚全
体に亘る均−ｆ１４１Ｊ　御もさることながら、特にベ
ーク温度Ｔｂ（Ｔｂ２１ｇ）から室温付近ｆでレジスト
喚を冷却する際、冷却時間若しくは冷却速度を精密且つ
均一に制御することによって、塗布レジストに任意の感
度を均一に与える点にある。

したがって本発明の方法を用いれば、例えば種々のレジ
スト照射（露光）装置の性能に適合するように、レジス
トの感度を任意且つ均一に設定することができる。本発
明者等の研究結果によると、現を検前ベーク温度Ｔｂ（
Ｔｂ≧Ｔｇ）から室温付近までの冷却時間を短く（冷却
速度を大きく）すればするほどレジストの感度は向上す
ることが判っている。逆に、冷却時間を延ばす（冷却速
度を小さくする）とレジストの感度は下がることが判っ
ている。したがって、情況に応じて、上記実施例とは異
なる冷却時間若しくは冷却速度を設定して、レジストの
感度を所望の値に設定できることは云うまでもない。ま
た、上記実施例では二種類のレジストに関してのレジス
トパターン形成例ニついて述べたが、レジストの種類、
レジストａが被着される基板材料、レジストの溶媒、現
像液、さらには現像前ベーク温度等についても上述した
実施例に限定されるものではな（、公知の種々の材料。

現像液及び現像前ベーク温度についても本発明の効果が
達成されることを確認している。勿論、レジストの現像
前ベークの温度Ｔｂは該レジストのガラス転移温度Ｔｇ
以上でなければならない。また、レジストの露光方法に
ついても、上述した′成子線以外に光磁、Ｘ線、イオン
ビーム等の所定波長域の′賊磁波や所定エネルギーの粒
子葎を用いても本発明の意図する効果が得られる。

〈実施例３〉 次に、本発明の方法を笑飾するのに虐仕するレジスト処
理装置の一例について花６図を冬服して説明する。第６
図の装置はレジスト膜をガラス転移温度以上の温度でベ
ークし、ベーク後の１／シスト膜を連続的に均一制御１
７％５却するための全自動処理装置である。まず、露光
済みのレジスト膜付被処理基板６１ａが、予めカセク）
６２ａに収納されており、所定の搬送シーケンスの下に
、ベルトコンベア６３ａによって所定位置へ順次搬送さ
れる。次に、前記レジストμ付被処理基４Ｚ６ｔａは。

回転・上丁動機構を有する真空千ヤノク搬送器６４ａに
よって、ベーク・Ｎ　却５６５の基板支持具６６上に移
される。ここにおいてレジスト膜付被処理基板６１ｂに
は所定のベーク・冷却処理が施されるが１本発明の効果
を引き出すためのレジスト処理装置のポイントはこのベ
ーク・　冷却器６５の構造にある。すなわち、本発明の
レジスト処理装置は、少なくともレジスト膜付被処理基
板６１ｂを移動することな（、同一場所でベーク→帝却
処理を他の部分からの不要な熱接触なく均−制（財）し
ながら連続的に実行する機能を有してなければならない
。

第７図は前記機能を持たせたベークφ冷却器の一例でそ
の構造は次のようになっている。すなわち１本例では露
光後のレジスト膜付被処理基板７１が支持具７２上に載
置された状態で、平面状の加熱・冷却源７３が該基板７
１のレジスト塗布面と平行対面するように所定の間隔で
配置されている。

平面状加熱・冷却源７２は加熱源（ベーク機構）７４と
冷却源（冷却機構）７５とを交互に配列した構造になっ
Ｃいる。レジスト塗布面から見た平面状加熱・冷却源７
３の具体例を第８図及び第９図に示した。俳８図に示す
例は、小孔８１を所定の間隔で画一的に多数設けた清浄
材料例えば石英から成る管を、小孔群がすべてレジスト
面に対向するように、平面状に複数個配列したものであ
る。

この場合、清浄な加熱ガス（熱風）を噴出させるＩｔ　
（熱風導入管）８２と、清浄な６却カス（冷風）を噴出
させる管（冷風導入管）８３とを交互に配列しであるの
で所望の効果を生せしめるように操作することができる
。県９図に示す例は、第８図に示す例と同様に、小孔を
所定間隔で画一的に多数設け、た清浄材料例えば石英か
らＪ戊る管９１と。

ヒーターを内包した例えば石英力・ら成る看９２とを交
互に複数個平面状に配列したものである。この場合、後
者を加熱源、前者を第８図に示す例と同様にして冷却源
として使用する。上記機能を待たせたベーク・冷却器の
他の例を第１０図に示づ−。

本例では、レジスト１匣付破処理基板１０１が支持具１
０２上に（（（置された状］虐で、開口端を略平面状に
配置させた管群から成る加熱・冷却源】０３を該基板１
０１のレジスト塗布面と平行対面する態様で所定の間隔
にて配置している。この場合、加熱・冷却源１０３は加
熱源用管１０４と冷却源用管１０５とを交互に配列した
構造になっている。

レジスト塗布面から見た平面状加熱・冷却１０３の一具
体例を第１１図に示した。第１１図に示す例は、加熱源
開口（熱風吹出口）１１１と冷風源用開口（冷風吹出口
）１１２とを交互にマトリクス状に配列したものである
。なお、これら第１θ図及び第１１図に示した例では、
加熱源用管には加熱ガスを導入し、冷却源用管には冷却
用ガスを導入して、夫々の関口部から加熱ガス、冷却ガ
スを噴出させることによって、所定のベーク・冷却処理
を行なうことができる。また、ベーク処理に関しては上
記加熱源用管に赤外線を導入して、開口部からレジスト
面へ赤外線を照射させる方法を採ってもよい。

さて１本発明の効果を生せしめるには上述した＠７図乃
至象ｌ１図に示す例の如きベーク・冷却器を第６図のベ
ーク・冷却器６５として使用する。

ベーク温度Ｔｂ　（Ｔｂ≧Ｔｐ）および冷却時間（若し
くは冷却速度）の制飼１は、加熱ガスや６却ガスの温度
、噴出口からのガス流量、赤外線量、ヒータ温度、平面
状ベータ・冷却器と叛処理基板との間隔などをパラメー
タとした。予めプログラムされた所定のシーケンスに従
って行なえばよい。才だ。

本発明ではベーク後のレジストの偕却を被処理基板上に
て均一に行なうことも重要なポイントなので、これを乱
すような不要な熱接触は極力縫けなければならない。こ
のために被処理基板６１ｂの支持具６６としては例えば
テフロン（デュポン社商品名）の如き熱伝導率の小さい
拐科を使用するこきが望筺しく、さらには該基板と該支
持具との接触はでへるだけ点接触状態にする方が望ゴし
い。

このようにして所定のベーク・冷却処理を終えた被処理
基板６１ｂは１次ｌこ回転・上下動機構を有する真窒チ
ャック搬送器６４ｂによって、ベルトコンベア６３ｂ上
の所定位１ゴへ移される。そしてベーク・冷却源レジス
ト膜付被処理基板６１ｄは。

所定のシーケンスの下に、ベルトコンベアｆ３３ｂによ
ってカセット６２ｂに順次収納され１本装置の工程は完
了する。

なお、本装置は枚葉式の処理方法を採用しているので、
情況によってはベーク・冷却部分における処理時間が畏
くなって、品スループクト化がはかれない場合も生じる
。このような場合には、該ベーク・冷却器を例えばサー
クル状若しくは並列状に複数個配賦し、適正な遅延時間
を設定して、サークル的若しくは並列的にベーク・冷却
処理を行なうことにより、装置合本として高スループツ
ト化をはかることが可能である。さらには、べ一り・冷
却器を所定許容範囲内で大型化し、バッチ処理方法にす
ることもでなる。平面状ベーク・冷却器は、レジスト面
に対するベーク拳冷却の均一性を強化するために１通常
はそのベーク・冷却面領域を平行対面しているレジスト
面領域よりも余裕をもって広くしてお（方が望ましい。

また、上記均一性なども含めて所定の効果を得るために
、上記平面状ベーク・冷却器の加熱源と冷却源との配置
は情況に応じて変化させても良い。上記レジスト処理装
置の平面状ベーク・冷却器は被処理基板上のレジスト面
（表面層こ対向する形態になっているが、レジスト面と
は反射量１の被処理病ｍ（ｍ面］に所定の間隔にて平行
対面する形、・川で乎曲犬ベーク・冷却器をさらに追加
してもよい。

上記装置の大きな特徴を追記すると、ベーク・冷却処理
が、従来の大型オーブン、広い冷却エリアに代わって、
極めて小型化された単−ｅＮ＋ｔで可能になりたこと、
被処理基板の搬送移動が自動的しかも・快いスペースで
行なわれるのでレジスト付基板へのダストの付着が大幅
に低減し製品歩留りが向上すること等があげられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のレジメ１−パターン形戊工程を１へ℃略
的に示す流れ作業図、第２図は従来工程におけるレジス
トベーク後の被処理基板の扁：ｙ変化の様子を示す特性
図、第３図は本発明のレジストパターン形成工程を概略
的に示す流几作業図、咀４図及び第５図はそれぞれ本発
明の一男癩例を４明するためのもので第４Ｍはレジメ）
ト會却速１（を示す特性図、第５図は照射量と膜厚残存
借との関係を示す特性図、第６図は本発明方法の実施に
適合する装置の一例を示す概略構成図、第７図乃至第１
１図はそれぞれ上記装置の構成内容を説明するための要
部拡大図である。 ６１　ａ　〜６１　ｄ−被処理基板、６２ａ　〜６２ｂ
・・・カセッ）、６３ａ、６３ｂ・・・ベルトコンベア
。 ６４ａ、６４ｂ・・・真空チャック搬送器、６５・・・
レジストベーク・冷却器、６６・・・被処理基板支持具
、７１・・・被処理基板、７２・・・基板支持具、７３
・・・加熱・冷却源、７４・・・加熱源、７５・・・冷
却源、８１・・・小孔、８２・・・加熱管、８３・・・
冷却管、９１・・・冷却管、９２・・・ヒーター内包加
熱管、１０１・・・被処理基板、１０２・・・基板支持
具、１０３・・・加熱・冷却源、１０４・・・加熱源用
管、１０５・・・冷却源用管、１１１・・・加熱源用開
口、１１２・・・冷却源用開口。 代理人弁理士　則　近　憲　右（ほか１名）第　１　図
　第　２　図　第　３　口 端間■ 第５図 照＠ｔ（’／ｃｙｙ？） 第６図 １「−１ −７図　第　８　図　第　９　図 第員図　第１１図 ？ ｌρ２

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板上にレジスト膜を塗布形成し、第１段
   階のベークした後、所定波長の電磁波或いは所定エネル
   ギーの粒子線を前記レジスト膜に選択的に照射（以下露
   光と称す）し、現像処理することによりレジストパター
   ンを形成する方法において、前記露光後で前記現像処理
   の前に、前記レジスト膜を前記レジストのガラス転移温
   度以上の温度にて第２段階のベークし、然る後該レジス
   ト膜付被処理基板を移動することなく前記現像前の第２
   段階のベークの場所と同一の場所で、冷却時間若しくは
   冷却速度を制御して前記レジスト膜を均一に冷却するこ
   吉を特徴とするレジストパターン形成方法。
2. （２）被処理基板上に塗布されたレジストをベークした
   のち冷却するレジスト処理装置において、前記基板を支
   持する基板支持具と、この支持具の上方に設けられ該支
   持具に支持された基板上に亦外線を照射或いは熱風を吹
   き付けて基板上のレジストを前記レジストのガラス転移
   温度以上の縣１矩Ｃ仁てベークするベーク機構り、上記
   支持具の上方に設けられ該支持具に支持された端板上に
   ｔ′δ風を吹き付けて基板上のレジストを冷却する冷却
   機構とヲ具備し、上記レジストのベーク及び冷却を連続
   して行うことを特徴とするレジスト処理装置。
3. （３）＠記ベーク機構は直線状のヒータからなり、前記
   冷却機構は下方こと複数の耐風吹出孔を冶する直線状の
   冷風導入管からなり、且つ上１）［゛１ヒータ及び冷風
   導入管を前記支持具に支持された基板表面と対向する面
   内で交互に平行配置してなることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記１或のレジスト処理装置。
4. （４）前記ベーク＠贋は下方にａ数の熱ｊ虱吹出孔を有
   する直線状の熱風導入管からなり、前記冷却機構は下方
   に複数の冷風吹出孔を有する＠線状の冷風導入管からな
   り、且つ上記熱風導入α及び冷風導入管を前記支持具に
   支持された基板表面と対向する面内で交互に平行配置し
   てなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のレ
   ジスト処理装置。
5. （５）前記ベーク機構は複数の熱風吹出口からなり、前
   記冷却機構は複数の冷風吹出口からなり、且つ上記熱風
   吹出口及び冷風吹出口を前記支持具に支持された基板表
   面と対向する面内でＸ方向及びＸ方向にそれぞれ交互に
   配列してなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
   載のレジスト処理装置。