JP4939850B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
Claims (5)
- 有機反射防止膜を塗布した被処理基板を枚葉で加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板と前記被処理基板を近接して配置することにより所定時間、前記被処理基板を加熱する工程と、
前記被処理基板を加熱する工程の後、前記被処理基板上に塗布された前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度以上に加熱した気体を前記被処理基板上に流しながら、前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度に前記被処理基板を冷却する工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 有機反射防止膜を塗布した被処理基板を枚葉で加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板と前記被処理基板を近接して配置することにより所定時間、前記被処理基板を加熱する工程と、
前記被処理基板を加熱する工程の後、前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、冷却された気体を前記被処理基板に裏面から当てることにより、前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度に前記被処理基板を冷却する工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 有機反射防止膜を塗布した被処理基板を枚葉で加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板と前記被処理基板を近接して配置することにより所定時間、前記被処理基板を加熱する工程と、
前記被処理基板を加熱する工程の後、前記被処理基板上に塗布された前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度以上に加熱した気体を所定流量流しながら、冷却された板を前記被処理基板に接触させることにより、前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度に前記被処理基板を冷却する工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 有機反射防止膜を塗布した被処理基板を枚葉で加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板を加熱処理装置に搬入する工程と、
前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板と前記被処理基板を近接して配置することにより所定時間、前記被処理基板を加熱する工程と、
前記被処理基板を加熱する工程の後、前記被処理基板上に塗布された前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度以上に加熱した気体を前記被処理基板上に流しながら、前記被処理基板と前記熱板との距離を離すことにより、前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度に前記被処理基板を冷却する工程と、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 前記冷却する工程において、前記被処理基板上に流される前記気体の温度は、前記被処理基板上に塗布された、前記有機反射防止膜に含まれる物質の昇華温度以上であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。
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