JP3648129B2 - 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の塗布現像処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを照射して露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理,塗布処理前,露光処理前後及び現像処理後にする加熱処理,冷却処理等が行われる。これらの処理は,個別に設けられた各処理装置において行われ,これらの各処理装置は,前記一連の処理を連続して行えるように一つにまとめられ,塗布現像処理システムを構成している。
【0003】
通常,前記塗布現像処理システムは,この塗布現像処理システム内に基板を搬入出するローダ・アンローダ部と,塗布処理装置,現像処理装置,熱処理装置等を有し,前記ウェハ処理の大半が行われる処理部と,ウェハの露光処理が行われるシステム外にある露光処理部等と,前記処理部と前記露光処理部に隣接して設けられ,前記処理部と前記露光処理部間でウェハの受け渡しを行うインタフェイス部とで構成されている。
【0004】
そして,この塗布現像処理システムにおいてウェハの処理が行われる際には,ウェハに不純物が付着することを防止するために,前記塗布現像処理システム内には,空気清浄機等で清浄にされた例えば空気がダウンフローとして供給され,その一方で,塗布現像処理システム内の雰囲気を排気するようにして,ウェハを清浄な状態で処理できるようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで,近年,より細かく,より精密な回路パターンを形成するために,より短い波長の光を用いた露光技術が開発されつつあり,その短い波長の光を用いた場合には,今まで問題とならなかった分子レベルの不純物,例えば,酸素,オゾン,水蒸気等が精密な回路パターンの形成に悪影響を与えるおそれがある。
【0006】
したがって,露光の際に前記不純物がウェハに付着していると,適切なパターンが露光されず,歩留まりの低下は避けられない。処理中のウェハに前記不純物が付着しないようにする必要がある。
【0007】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハ等の基板に分子レベルの微細な不純物が付着しないような塗布現像処理方法及び塗布現像処理システムを提供することをその目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
参考例として,基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって,前記塗布膜を形成する工程の後,前記基板を露光する工程の前に,処理ガスとしてフッ素系のガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成する塗布現像処理方法が提案できる。
【0009】
上記塗布現像処理方法によれば,塗布膜を形成する工程の後,基板を露光する工程の前に,処理ガスを供給して塗布膜の表面に処理膜を形成するので,この処理膜により,雰囲気中の酸素や水蒸気等の不純物から基板を保護することができる。特に基板が露光処理される際に不純物が付着していると,その不純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギーを吸収してしまい,露光処理が好適に行われないおそれがあるが,このように処理膜を形成することで,露光処理を好適に行うことができる。さらに処理ガスによる処理膜は透過性に優れ,例えば157nm程度の短い波長の光を通すことができる。したがって,基板に形成された塗布膜に不純物が付着することを防止しつつも,この塗布膜に所定の回路パターンを精密に露光させることができる。
しかも水蒸気等の付着を防止することができると共に,透過性に優れた膜を実現することができる。
【0010】
本発明によれば,基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって,前記加熱処理後に基板を冷却する工程中に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
また,別の観点による本発明によれば,基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程中に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
【0011】
前記処理ガスは,フッ素系のガスであっても良い。そうすれば,水蒸気等の付着を防止することができると共に,透過性に優れた膜を実現することができる。
【0012】
参考例として,少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と,前記基板の現像を行う現像処理装置と,前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と,前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって,前記基板に形成された塗布膜に処理ガスとしてフッ素系のガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする,塗布現像処理システムを提供する。なお,熱処理装置には,加熱処理装置,冷却処理装置及び加熱・冷却処理装置等が含まれる。また,前記処理部には,例えば基板を待機させておくエクステンション装置や基板と塗布液の定着性を高めるために基板上に所定の処理液を供給するアドヒージョン装置等の他の処理装置が含まれていても良い。
【0013】
上記塗布現像処理システムによれば,処理ガス供給手段により,基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給して処理膜を形成する。従って,上述の塗布現像処理方法を好適に実施することができる。
【0014】
別の観点による本発明によれば,少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と,前記基板の現像を行う現像処理装置と,前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と,前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって,前記熱処理装置は,前記基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする塗布現像処理システムが提供される。
前記処理ガス供給手段は,前記熱処理装置内に設けられ,かつ処理ガスの複数の吐出口を有するようにしてもよい。また,前記処理ガス供給手段は,前記基板の直径と略等しい幅を有し,かつθ方向に回動する駆動機構を備えていてもよい。
前記熱処理装置は,基板を載置して加熱する熱板と,基板を載置して冷却する冷却板とを有する加熱・冷却処理装置であってもよい。
また,前記処理ガス供給手段は,処理ガスを供給するガスノズルを有し,前記ガスノズルは,前記加熱・冷却処理装置の前記冷却板上に移動できるものであってもよい。
また,前記処理ガス供給手段は,処理ガスを供給するガスノズルを有し,前記ガスノズルは,前記加熱・冷却処理装置の前記熱板上に移動できるものであってもよい。
前記塗布現像処理システムにおいて,処理ガスは,フッ素系のガスであってもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0016】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,そのケーシング1a内に,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程において枚葉式に所定の処理をウェハWに施す各種処理装置を多段に配置している処理部としての処理ステーション3と,この塗布現像処理システム1に隣接して設けられている露光処理装置5との間でウェハWの受け渡しをするインタフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0017】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台6上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0018】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32及びアドヒージョン装置31に対してもアクセスできるように構成されている。
【0019】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インタフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対してウェハWを搬入出可能である。
【0020】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置17と,露光処理後のウェハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。第2の処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に配置されている。
【0021】
第3の処理装置群G3では,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,現像処理後のウェハWを冷却するクーリング装置33,34及び現像処理後のウェハWに加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に積み重ねられている。
【0022】
第4の処理装置群G4では,ウェハWを冷却処理するクーリング装置40,エクステンション装置41,42,本発明にかかる処理ガス供給手段としてのガスノズル55を有するガス供給装置43(図3中のGAS),露光処理後のウェハWを加熱(ポスト・エクスポージャーベーキング)し,その後所定温度に冷却する加熱・冷却処理装置44,45(図3中のPEB/COL),露光処理前のウェハWを加熱してレジスト液中の溶剤を蒸発させ,その後所定温度に冷却する露光前の熱処理装置としての加熱・冷却処理装置46,47(図3中のPRE/COL)等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0023】
図4に示すように,前記ガス供給装置43のケーシング43a内には,ケース50が設けられている。このケース50に,円盤状の載置盤51が取り付けられている。載置盤51には貫通孔52が3箇所形成されており,各貫通孔52には,昇降ピン53が設けられている。昇降ピン53は,昇降機構54により貫通孔52内を昇降自在であり,ウェハWを昇降させて載置盤51上に載置すると共に,主搬送装置13及び後述するウェハ搬送体65との間でウェハWの受け渡しができるように構成されている。
【0024】
また,載置盤51の上方には,保護ガス(処理ガス)を供給するガスノズル55が設けられている。このガスノズル55の横幅は,例えばウェハWと直径と略等しく,下面に形成された複数の吐出口56から保護ガスをウェハWに供給するようになっている。ガスノズル55は,アーム57によって支持されており,図5に示すように,このアーム57は,駆動機構(図示せず)により,ウェハWの上方をθ方向に回動するようになっている。従って,ガスノズル55は,ウェハW全体に満遍なく保護ガスを供給するようになっている。なお,ケーシング43aの底部には,ケーシング43a内の雰囲気を排気する排気管58が接続されている。
【0025】
保護ガスとして,例えばフッ素(F2)系のガスが用いられている。フッ素系の保護ガスには,例えばノルボルネンとテトラフロロエチレンの共重合体を含有しているものや,ノルボルネン上にヘキサフォロロノールを置換した重合体を含有しているものがある。また,ポリシロキサン等の高分子を含有したものや,ポリアクリル酸上に脂環属をペンダントした系のものがある。
【0026】
保護ガスが供給されると,図6に示すように,ウェハW上に形成されたレジスト膜60の表面に膜厚が薄い保護膜61が形成され,レジスト膜60は,保護膜61によって覆われる。保護膜61は,不純物を寄せ付けず,雰囲気中の酸素,オゾン,水蒸気等からレジスト膜60を保護する。また,透過性が高く,短い波長の光でも通してレジスト膜60に所定の回路パターンを露光できるようになっている。
【0027】
前記加熱・冷却処理装置44は,図7に示すように,そのケーシング44a内の基台62上にウェハWを加熱するための円盤状の熱板63と,その熱板63上まで移動し,熱板63上からウェハWを受け取って冷却する冷却板64を有している。そして,同じ装置内でウェハWの加熱・冷却処理を連続して行い,加熱によってウェハWに与える熱履歴を常に一定に保つことができるようになっている。なお,他の加熱・冷却装置45〜47も同じ構成を有している。
【0028】
インタフェイス部4には,その中央部にウェハ搬送体65が設けられている。このウェハ搬送体65は,X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション装置41,42,ガス供給装置43,周辺露光処理装置66及び露光処理装置5に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0029】
また,ウェハWの露光処理を行う露光処理装置5は,インタフェイス部4に隣接して設けられている。この露光処理装置5は,その露光処理装置5のケーシング5aにより密閉されており,露光処理装置5内の雰囲気を厳格に制御できるように構成されている。また,ケーシング5aのインタフェイス部4側には,ウェハWをインタフェイス部4に対して搬入出する通過口67が設けられており,この通過口67には,通過口67を開閉自在とするシャッタ68が設けられている。
【0030】
次に,以上のように構成された塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスを説明する。
【0031】
ウェハWの処理が開始されると,先ずカセットステーション2において,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,処理ステーション3のアドヒージョン装置31に搬入する。
【0032】
次いで,アドヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30搬送され,所定の温度に冷却される。
【0033】
その後,ウェハWは,露光処理に付されるまで図8に示すフローに従って処理される。即ち,図8に示すように,ウェハWは,レジスト塗布装置17又は18に搬送され,レジスト塗布処理が施される(図8中のS1)。そして,レジスト膜が形成されたウェハWは,加熱・冷却処理装置46又は47(図3中のPRE/COL)に搬送される。加熱・冷却処理装置46又は47では,熱板63で加熱処理が施され(図8中のS2),冷却板64で冷却処理(図8中のS3)が施される。このとき,加熱処理及び冷却処理を個別に設けられた各装置で順次行うのではなく,加熱・冷却処理装置46又は47のように単一の装置内で加熱・冷却処理を行うことにより,ウェハWが加熱処理されてから冷却処理されるまでの時間を常に一定にすることができるため,加熱によってウェハWに与えられる熱履歴をウェハW間において同一にすることができる。また,本実施の形態では,レジスト塗布処理から現像処理までに行われる全ての加熱,冷却処理を加熱・冷却処理装置44〜47を用いて行うようにしたため,レジスト塗布から現像処理までにかかる所要時間を全てのウェハWにおいて同一にすることができる。
【0034】
その後,ウェハWは,ガス供給装置43に搬送される。図6に示したように,ウェハWに保護ガスが供給されることにより,レジスト膜60の表面に保護膜61が形成される(図8中のS4)。
【0035】
その後,ウェハWは,エクステンション装置41に搬送され,ウェハ搬送体65がエクステンション装置41からウェハWを受け取って,インタフェイス部4内の周辺露光処理装置66に搬送する。周辺部が露光されたウェハWは,通過口67を通して露光処理装置5に搬送される。このとき,シャッタ68が開放され,ウェハWが露光処理装置5に搬送されると,シャッタ68は再び閉じられる。
【0036】
ガス供給装置43から露光処理装置5に搬送されるまでの間,保護膜61によりレジスト膜60の表面,ひいてはウェハWを保護し,酸素,オゾン,水蒸気等の不純物や微粒子が付着するのを防止する。このため,清浄な状態でウェハWを露光処理装置5に搬送することができる。そして,露光処理装置5では,ウェハWに所定の回路パターンが露光される(図8中のS5)。
【0037】
露光が終了したウェハWは,再びウェハ搬送体65によって,インタフェイス部4内を通過し,処理ステーション3内のエクステンション装置42に搬送される。そして,ウェハWは,主搬送装置13によって,加熱・冷却処理装置44又は45に搬送され,露光処理後の加熱,冷却処理が順次施される。
【0038】
その後,ウェハWは,現像処理装置18又は20に搬送され,現像処理される。そして,現像処理されたウェハWは,ポストベーキング装置35又は36に搬送されて加熱され,その後クーリング装置33又は34に搬送され,所定温度に冷却される。そして,エクステンション装置32に搬送され,そこからウェハ搬送体7によって,カセットステーション2のカセットCに戻される。以上の工程により,一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【0039】
以上の実施の形態によれば,保護ガスを供給してレジスト膜60の表面に保護膜61を形成するので,この保護膜61により,雰囲気中の酸素や水蒸気等の不純物からウェハWを保護することができる。特にウェハWが露光処理される際に不純物が付着していると,その不純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギーを吸収してしまい,レジスト膜60に対して所定の回路パターンが精密に露光されないおそれがあるが,このように保護膜61を形成することで,好適な露光処理を行うことができる。さらに保護ガスによる保護膜61は透過性に優れ,例えば157nm程度の短い波長の光を通すことができる。したがって,ウェハWに形成されたレジスト膜60に不純物が付着することを防止しつつも,このレジスト膜60に所定の回路パターンを精密に露光させることができ,ウェハWの歩留まりに大きく貢献する。また,露光処理装置5内で用いられるレーザ光の波長が短ければ短いほど,不純物による影響が大きくなるので,短い波長のレーザ光を用いた場合にその効果は大きい。
【0040】
特に保護ガスがフッ素(F2)系のガスであれば,水分等の付着を防止することができると共に,透過性に優れた保護膜61を実現することができる
【0041】
なお,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えばウェハW上に保護膜61を形成する時期は,各種状況に応じて柔軟に設定することができる。即ち,図9に示すように,例えば加熱・冷却処理装置43内に前記ガスノズル55及び前記アーム57を設けても良い。図9に示すように,実線で示すガスノズル55及びアーム57は,冷却板64側に配置されている。
【0042】
かかる構成によれば,先の図8中のS4と同様に,冷却処理後にガスノズル55がウェハWの上方に移動して直ちに保護膜61を形成することができる。また,図10に示すように,加熱処理後(図10中のS2),ウェハWの冷却中に,ガスノズル55が移動してレジスト膜60の表面に保護膜61を形成しても良い(図10中のS3)。
【0043】
また,図9中の二点鎖線55’及び57’で示すように,ガスノズル55及びアーム57は加熱板63側に配置されていても良い。この場合,図11に示すように,加熱処理後(図11中のS2),ガスノズル55が移動してレジスト膜60の表面に保護膜61を形成し(図11中のS3),その後に冷却処理(図11中のS4),露光処理(図11中のS5)を続けて行っても良い。また,図12に示すように,加熱処理中にガスノズル55が移動してレジスト膜60の表面に保護膜61を形成しても良い(図12中のS2)。比較的早い段階から保護ガスを供給するようになるので,酸素やオゾン等の不純物が付く前にウェハWに保護膜60を形成することが可能となる。なお基本的には,加熱によってレジスト液中の溶剤を十分に蒸発させたのを見計らってから,前記保護膜61をレジスト膜60の表面に形成することが好ましい。
【0044】
また,不純物付着をより確実に防止するために,例えば図13に示すように,カセットステーション2,処理ステーション3,インタフェイス部4の各エリアの上部に,N2ガス等の不活性気体を供給する気体供給装置80,81,82を個別に設けると共に,各エリアの下部に排気管83,84,85を設けても良い。各気体供給装置80,81,82は,不活性気体中の微粒子を除去するULPAフィルタ80a,81a,82aを有している。かかる構成によれば,各エリア内から酸素,オゾン,水蒸気等の不純物をパージして清浄な雰囲気に維持することができる。
【0045】
なお,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハWの塗布現像処理システムについてであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の塗布現像処理システムにおいても応用できる。
【0046】
【発明の効果】
本発明によれば,基板上に処理膜を形成して酸素,オゾン,有機物等の分子レベルの不純物から基板を保護することができる。さらに処理ガスによる処理膜は透過性に優れ,短い波長の光を基板に形成された塗布膜に通すことができる。したがって,基板に形成された塗布膜に不純物が付着することを防止しつつも,この塗布膜に所定の回路パターンを精密に露光させることができ,歩留まりの向上を図ることができる。また,処理膜を形成する時期は,各種状況に応じて柔軟に設定することができる。
【0047】
本発明の塗布現像処理システムによれば,上記発明の塗布現像処理方法を好適に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】図1の塗布現像処理システム内のガス供給装置の縦断面の説明図である。
【図5】ウェハに保護ガスを供給している様子を示す平面図である。
【図6】ウェハに保護ガスを供給している様子を拡大して示す縦断面の説明図である。
【図7】図1の塗布現像処理システム内の加熱・冷却処理装置の概略を示す横断面図である。
【図8】レジスト塗布から露光処理までの処理の流れを示すフロー図である。
【図9】ガスノズルを設けた場合の加熱・冷却処理装置の概略を示す横断面図である。
【図10】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れを示すフロー図である。
【図11】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの変形例を示すフロー図である。
【図12】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの他の変形例を示すフロー図である。
【図13】図1の塗布現像処理システム1の各エリアの上部に気体供給装置を設け,各エリアの下部に排気管を設けた場合の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
5 露光処理装置
43 ガス供給装置
44,45,46,47 加熱・冷却処理装置
55 ガスノズル
60 レジスト膜
61 保護膜
W ウェハ
Claims (10)
- 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって,
前記加熱処理後に基板を冷却する工程中に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする,塗布現像処理方法。 - 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって,
前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程中に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする,塗布現像処理方法。 - 前記処理ガスは,フッ素系のガスであることを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載の塗布現像処理方法。
- 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と,前記基板の現像を行う現像処理装置と,前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と,
前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって,
前記熱処理装置は,前記基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする,塗布現像処理システム。 - 前記処理ガス供給手段は,前記熱処理装置内に設けられ,かつ処理ガスの複数の吐出口を有することを特徴とする,請求項4に記載の塗布現像処理システム。
- 前記処理ガス供給手段は,前記基板の直径と略等しい幅を有し,かつθ方向に回動する駆動機構を備えていることを特徴とする,請求項4又は5のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
- 前記熱処理装置は,基板を載置して加熱する熱板と,基板を載置して冷却する冷却板とを有する加熱・冷却処理装置であることを特徴とする,請求項4,5又は6のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
- 前記処理ガス供給手段は,処理ガスを供給するガスノズルを有し,
前記ガスノズルは,前記加熱・冷却処理装置の前記冷却板上に移動できることを特徴とする,請求項7に記載の塗布現像処理システム。 - 前記処理ガス供給手段は,処理ガスを供給するガスノズルを有し,
前記ガスノズルは,前記加熱・冷却処理装置の前記熱板上に移動できることを特徴とする,請求項7に記載の塗布現像処理システム。 - 前記処理ガスは,フッ素系のガスであることを特徴とする,請求項4〜9のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
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