JP2008300876A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバーを開閉する開閉機構を有する加熱処理装置を用いて、溶媒を含む膜を塗布した被処理基板を枚葉で連続して加熱処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、前記開閉機構を閉じ、所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、前記給気流量及び前記排気流量の少なくとも一方を前記加熱処理時よりも高い流量とし、前記被処理基板を所定時間前記加熱処理装置内に保持し、前記開閉機構を開き、前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
【選択図】 図4
Description
半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィー工程では、塗布現像処理装置で、被処理基板(半導体基板)に対して反射防止膜の塗布処理・ベーク処理、レジストの塗布処理・ベーク処理を施し、露光装置で、被処理基板上に形成されたレジスト膜にマスクを介してパターンを露光する処理を施し、さらに塗布現像処理装置で、露光後のベーク処理、現像処理を順に施す。
第1の実施の形態では、SOG膜と有機反射防止膜を同一の加熱処理装置で処理した場合に問題となるパーティクルの付着を、1つのウエハの処理と次のウエハの処理との間に付加的な処理を加えることで防止する例を示した。本第2の実施の形態では、有機反射防止膜をベーク処理する場合に問題となるパーティクルの付着を、ウエハのベーク処理に工夫を施すことで防止する。
第1の被処理基板の処理と第2の被処理基板の処理の間に、前記開閉機構を閉じた状態で、前記第1の被処理基板の膜に含まれる溶媒を含む気体を前記加熱処理装置内に給気する。
(a1) 前記気体に含まれる溶媒の濃度は、飽和濃度以下であることを特徴とする。
第1の被処理基板の処理と第2の被処理基板の処理の間に、前記開閉機構を閉じた状態で、前記加熱処理装置内の天板近傍の温度が前記溶媒の露点以下とならないように、前記天板を加熱する。
第1の被処理基板の処理と第2の被処理基板の処理の間に、前記開閉機構を閉じた状態で、前記加熱処理の時よりも高い流量の気体を前記加熱処理装置内に給気する。
第1の被処理基板の処理と第2の被処理基板の処理の間に、前記開閉機構を閉じた状態で、前記加熱処理の時よりも低い温度の気体を前記加熱処理装置内に給気する。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記給気流量及び前記排気流量の少なくとも一方を前記加熱処理時よりも高い流量とし、前記被処理基板を所定時間前記加熱処理装置内に保持し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記気体の温度を所定時間下げ、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
(f1) 前記気体の温度は、前記溶媒の露点よりも高い温度であることを特徴とする。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記溶媒を供給しながら前記被処理基板を所定時間前記加熱処理装置内に保持し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
加熱した気体を給気しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
(h1) 前記気体の温度は、前記溶媒の露点よりも高い温度であることを特徴とする。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
前記加熱処理装置内の天板近傍の温度が前記溶媒の露点以下とならないように、前記天板を加熱しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出する。
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を熱容量の小さいアームまたは所定温度以上加熱されたアームで前記加熱処理装置から搬出する。
(j1) 前記熱容量または前記所定温度は、前記アームに前記被処理基板が載置された際に前記被処理基板近傍の気体の温度が前記溶媒の露点以下にならないように設定されることを特徴とする。
Claims (2)
- チャンバーを開閉する開閉機構を有する加熱処理装置を用いて、溶媒を含む膜を塗布した被処理基板を枚葉で連続して加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記給気流量及び前記排気流量の少なくとも一方を前記加熱処理時よりも高い流量とし、前記被処理基板を所定時間前記加熱処理装置内に保持し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を前記加熱処理装置から搬出することを特徴とする基板処理方法。 - チャンバーを開閉する開閉機構を有する加熱処理装置を用いて、溶媒を含む膜を塗布した被処理基板を枚葉で連続して加熱処理する基板処理方法であって、
前記被処理基板を前記加熱処理装置に搬入し、
前記開閉機構を閉じ、
所定の給気流量、排気流量の気体を流しながら前記被処理基板を所定時間加熱し、
前記開閉機構を開き、
前記被処理基板を熱容量の小さいアームまたは所定温度以上加熱されたアームで前記加熱処理装置から搬出することを特徴とする基板処理方法。
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