JP2005019593A - 熱処理方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理基板100が配置される加熱処理空間113を囲繞可能に設けた囲繞部材101、102と、被処理基板100を加熱する熱板103と、吸気配管105と、排気配管106を備え、囲繞部材101、102に被処理基板100から発生する不純物の付着防止膜107、108を設けている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に回路パターンを形成する基板にフォトレジストを塗布する装置や基板の現像を行なう装置などに適用される熱処理方法および装置の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
システムLSIチップの製造においては、半導体基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。従来から、このような一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システムが用いられている。
【0003】
このレジスト塗布・現像処理システムにおいては、基板にフォトレジストを塗布した後、あるいは現像の前後において、加熱処理ユニットにより基板に加熱処理を施している。このような加熱処理は、フォトレジストソフトベーク、反応促進、ドライエッチ耐性向上等の様々な目的で利用されているが、レジストパターンの寸法均一性を実現するため、基板温度の面内均一性が重要となってくる。
【0004】
このような加熱処理ユニットには、一般的に、熱板上に基板を直接載置するコンタクトベーク方式、または熱板と基板との間にわずかなギャップを設けて加熱するプロキシミティベーク方式が採用されている。ところが、構造上、基板や熱板の面内温度が均一になりにくいという問題点もあり、特に、上記プロキシミティベークの場合に、面内温度分布の均一性が悪化しやすい傾向がある。
【0005】
この問題を解決するために、密閉気密構造にして温度分布均一性を向上させた加熱処理装置を加熱処理ユニットとして使用することが考えられるが、加熱処理装置を密閉気密構造にすると、フォトレジスト膜からの昇華物や揮発物が溜まり易くなり、かつ、装置のメンテナンスが困難になるため、実用には適さない。
【0006】
そこで、熱板と天井部との間になされる加熱処理空間をシャッターによって開閉可能に構成し、シャッターと熱板との間に若干の隙間を設けた状態で排気を行なう加熱処理装置が加熱処理ユニットとして用いられている。この加熱処理装置では、シャッターと熱板との隙間から外気を導入しながら排気を行ってレジスト昇華物等が加熱処理空間に溜まることを防止し、さらに、開閉可能な囲繞部材によってメンテナンスを容易に行なえるように構成されている。
【0007】
このような構成の一例を図8に示す。図8において、100は被処理基板、101は下部囲繞部材、102は上部囲繞部材、103は熱板、104は上下に移動可能な支持ピン、105は吸気配管、106は排気配管、109、110、111は気流である。
【0008】
また、さらに、シャッターと熱板との間の隙間から導入された外気が熱板や基板の熱を奪って、これらの温度均一性を悪化させやすいという問題を解決するために、特許文献1によれば、加熱処理装置内における気流を制御することにより更なる温度移均一性向上の手法が提案されている。
【0009】
一方、加熱処理装置においては、温度均一性の他に、基板に塗布されたフォトレジストから熱板により加熱されることにより発生する昇華物や揮発物が問題になってくる。このようなフォトレジスト膜から発生する昇華物や揮発物が、加熱処理ユニット内部に付着・堆積し、基板の加熱処理時に基板上に落下することによりレジストパターンの形成不良を生じるという問題がある。
このような問題を解決するため、特許文献2によれば、加熱処理装置の囲繞部材をベークすることにより、ユニット内への昇華物の付着を防止する手法が紹介されている。
【0010】
【特許文献1】
特開2001−196299
【特許文献2】
特許第2564288号(公開昭63−181321:日立製作所)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
従来の装置においては、上記のような昇華物の付着を防止するため、熱処理ユニットの側壁および上面を加熱するための複雑かつ大掛かりなユニットが必要となってしまう。そのため、ユニット自身も大きな体積が必要の上、加熱のための余分なエネルギー消費の必要が発生する。また、ユニット体積の増大に伴い、装置自身も複雑かつ大掛かりなものになってしまうという問題点がある。
【0012】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、昇華物や揮発物の加熱ユニット内における付着防止を、このような大掛かりなユニットを必要とせず容易に実現することができる熱処理方法および装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の熱処理装置は、被処理物が配置される加熱処理空間を囲繞可能に設けた囲繞部材と、被処理物を加熱する加熱手段とを備え、囲繞部材に被処理物から発生する不純物の付着防止膜を設けたことを特徴とするものである。
【0014】
請求項1記載の熱処理装置によれば、囲繞部材の周辺に特別な加熱ユニットを新規に設置することなく、現状のユニット構成を保持したまま、昇華物の付着を低減することが可能となる。また、現状使用の加熱処理装置に比較的簡単な方法で付着防止膜の追加コーティング処理を行なうことができる。このように、新規に特別な外部装置を取り付けることなく比較的簡単な付着防止膜の追加コーティング処理のみにより、フォトレジスト加熱時に発生する昇華物のユニットへの付着を低減し、微細パターンの形成された基板への最付着を低減することにより、製品の歩留り向上を実現する。特に、昇華物の発生しやすいレジストにおいては、その改善効果によりユニットのメンテナンス作業性が容易であり、かつメンテナンス周期を拡大することが可能となり、管理コストの低減が図れる。
【0015】
請求項2記載の熱処理装置は、被処理物が配置される加熱処理空間を囲繞可能に設けた囲繞部材と、被処理物を加熱する加熱手段と、加熱処理空間に外気を導入する吸気配管と、加熱処理空間の不純物を含む気体を外部に排気する排気配管とを備え、吸気配管の吸引部に、気体を加熱するユニットを有するものである。
【0016】
請求項2記載の熱処理装置によれば、吸気部上流に設置された加熱ヒータにより予め加熱された高温気体を加熱処理空間に充填し、素早く被処理物を載置し、常に高温に保たれた外気を充填・排気することにより、加熱手段により加熱されることにより被処理物から発生する昇華物や揮発物を気体状態で保持したまま排気気流と共に処理装置外へ排気することが可能となり、囲繞部材の周辺に特別な加熱ユニットを新規に設置することなく、囲繞部材によって冷却され固体付着することを防止する効果が期待できる。
【0017】
また、予め熱処理装置内を加熱気体で保持しておくことにより、装置内の温度変動を低減し、短時間での処理を行なうことが可能である。また、基板などの被処理物における温度変動を少なくすることが可能なため、被処理基板上に塗布されたフォトレジストの均一性を向上する効果も期待できる。
【0018】
請求項3記載の熱処理装置は、請求項2において、吸気配管が、保温性のある配管で形成されているものである。
【0019】
請求項3記載の熱処理装置によれば、請求項2と同様な効果のほか、配管に熱が奪われることがないので温度変動を少なくでき加熱効率がよい。
【0020】
請求項4記載の熱処理装置は、請求項1において、排気配管から気体を排出する排出口にフィルタを有するものである。
【0021】
請求項4記載の熱処理装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、不純物を装置内で収集できる。
【0022】
請求項5記載の熱処理装置は、請求項1において、付着防止膜が、フッ素系樹脂を主成分とするものである。
【0023】
請求項5記載の熱処理装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、付着防止膜として、密着性の低いフッ素系樹脂を使うことが有用である。特にこの付着防止膜として、例えば、テフロン(R)(商標名)等を使用することにより、昇華物の付着防止を低減することができる。
【0024】
請求項6記載の熱処理装置は、請求項5において、被処理物がウェハであり、ウェハ上に形成されたパターンは、フォトレジスト材料として非イオン系酸発生材を使用して形成されたものである。
【0025】
請求項6記載の熱処理装置によれば、請求項5と同様な効果のほか、昇華物の付着を低減する効果が大きい。
【0026】
請求項7記載の熱処理方法は、被処理物を、囲繞部材を有する加熱処理空間へ設置する工程と、
前記加熱処理空間へ吸気配管から気体を導入する工程と、
前記加熱処理空間で前記被処理物を加熱する工程と、
前記加熱処理空間内の気体を排気配管から排気する工程とを備え、
前記被処理物を加熱する工程において、加熱時に被処理物から発生した不純物を、前記吸気配管から前記排気配管へ気体を流すことによって除去することを特徴とするものである。
【0027】
請求項7記載の熱処理方法によれば、請求項1と同様な効果がある。
【0028】
請求項8記載の熱処理方法は、請求項7において、吸気配管から加熱処理空間を経て排気配管へ気体を流す際に、吸気配管から熱処理空間に供給される気体を加熱しているものである。
【0029】
請求項8記載の熱処理方法によれば、請求項1および請求項2と同様な効果がある。
【0030】
請求項9記載の熱処理方法は、加熱処理空間に被処理物を設置し加熱処理空間を閉じた状態にする工程と、加熱処理空間に吸気配管より外気を導入し被処理物を加熱し加熱処理空間の気体および被処理物からの不純物を排気配管より外部に排気する工程とを含み、吸気配管から加熱処理空間を経て排気配管へ気体を流す際に、吸気配管から熱処理空間に供給される気体を加熱していることを特徴とするものである。
【0031】
請求項9記載の熱処理方法によれば、請求項2と同様な効果がある。
【0032】
請求項10記載の熱処理方法は、請求項7、請求項8または請求項9において、熱処理空間の被処理物上にある気体の温度が、被処理物を加熱する加熱温度とほぼ同じである。
【0033】
請求項10記載の処理方法によれば、請求項7、請求項8または請求項9と同様な効果のほか、被処理物の均一加熱が可能である。
【0034】
請求項11記載の処理方法は、請求項7において、被処理物がウェハであり、パターンを形成する際のフォトレジスト材料として、非イオン系酸発生材を使用しているものである。
【0035】
請求項11記載の処理方法によれば、請求項6と同様な効果がある。
【0036】
請求項12記載の処理方法は、請求項8または請求項9において、加熱処理空間は被処理物を設置する際に、あらかじめ加熱された気体を連続給排気状態にしているものである。
【0037】
請求項12記載の処理方法によれば、請求項8または請求項9と同様な効果のほか、被処理物の設置段階で高温気体により被処理物が加熱されるので温度安定までの時間を短縮できるとともに温度均一性が向上する。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
【0039】
まず、本発明の第1の実施形態について、図1を参照しながら説明する。図示したように本発明における熱処理装置は、図8に示している従来と同様の構造を有している。具体的には、その上またはその上方に被処理物である例えばウェハなどの被処理基板100が載置され、被処理基板100を加熱する加熱手段である熱板103と、被処理基板100をユニット間で受け渡しを行なうための受け渡し手段として上下に移動可能な支持ピン104と、熱板103の上方に規定される被処理基板100を加熱処理する加熱処理空間113を囲繞可能に設けられた例えばベークプレートなどの下部囲繞部材101と、加熱処理空間113を開閉可能に密閉するために上下移動可能な例えばベークカバーなどの上部囲繞部材102により構成されている。また、下部囲繞部材101には、加熱処理空間113に気流を発生させるための例えば吸気ノズルなどの吸気配管105が具備されており、気流109のように気流を流すための流路となっている。この吸気配管105は吸気配管105からの気体が被処理基板100の周辺に沿って多数方向より供給されるように設けられることが理想的であり、被処理基板100に塗布されたフォトレジストの均一性に関し影響することが知られている。
【0040】
また、熱板103は、例えばアルミニウム合金等で構成されており、被処理基板100より少し大きめに形成されている。熱板103の裏面側には、図示しないが熱ヒータおよび温度センサが埋設されており、温度センサにより検出した温度を図示しない制御部に伝達し、これに応じてヒータの発熱量を調節することで、熱板103の温度を使用する有機材料に応じた例えば100〜250℃の温度に調節することが可能となっている。
【0041】
また、上部囲繞部材102においては、一般的に、中心部に例えば排気ノズルなどの排気配管106を設置し、加熱処理空間113における気流110を気流111のように排気する構成となっている。これにより、加熱処理空間113における気流110を安定的に制御し、被処理基板100に塗布されたフォトレジストの面内均一性の向上を実現している。一般的に、排気配管106は目的の効果を実現するには1本で十分であるが、取り付け位置および取り付け本数を最適化することで、加熱空間における気流110を精度よく制御可能となり、被処理基板100に塗布されたフォトレジストの均一性向上および昇華物付着の低減効果に効果がある。なお、気流109、110、111を起こすための気流発生手段は吸気配管105、熱処理空間113、排気配管106などいずれに設けてもよい。
【0042】
被処理基板100に塗布されたフォトレジストのさらなる均一性向上の手法として、特開2001−196299に加熱処理空間における気流110をコントロールする手法が提案されている。
【0043】
本発明の第1の実施形態に関しては、上記説明済みの熱処理装置の加熱処理空間を囲繞可能に設けられた下部囲繞部材101と、加熱処理空間113を密閉するために上下移動可能な上部囲繞部材102とに、付着防止膜例えば囲繞部材101、102より密着性の低いようなフッ素系樹脂107、108を予めコーティングしておくことを特徴としている。ただし、囲繞部材101、102の全体である必要はなく、昇華物の付着物が被処理基板100上に落下するのを防止するため一部のみに設けてもよい。
【0044】
フッ素系樹脂107、108としては、一般的にはテフロン(R)(商標名:ポリフッ化エチレン(または、ポリテトラフルオロエチレン))が良く知られているが、その他、PTFE=ポリテトラフルオロエチレン(4フッ化)、PFA=テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、FEP=テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(4.6フッ化)、ETFE=テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体、PVDF=ポリビニリデンフルオライド(2フッ化)、PCTFE=ポリクロロトリフルオロエチレン(3フッ化)などがあげられる。このようなフッ素系樹脂107、108は、耐薬品性・耐熱性・帯摩耗性・すべり性・非粘着性・非濡性等の様々な特性を有している。
【0045】
図2に代表的にテフロン(R)の分子構造概念図を示す。図示されている通り、ポリエチレン(図2(a))と、テフロン(R)(図2(b))の違いは見かけ上水素(H)とフッ素(F)であり、ポリエチレンでは、水素が小さく炭素原子にくっついても凸凹状になるが、大きな原子であるフッ素が炭素原子にくっつくことで図2(c)のように緻密でなめらかな表面になる。 また、原子結合力の強いC−F結合を有する上、分子間の凝集エネルギー(分子間を結合する力)もポリエチレンより小さいため、表面エネルギーが低く、凝着が起こりにくく、摩擦も小さくなる特性を有している。
【0046】
また、テフロン(R)PTFE系、PFA系およびPTFE/PFA複合系は耐熱性の他、低温特性にも優れ、短時間なら300℃まで、一般的には260℃から−240℃まで広範囲にわたり使用できる。また、テフロン(R)FEP系は204℃まで連続使用可能で、本発明の加熱処理装置等に十分使用可能である。
【0047】
また、本発明の第1の特徴であるところのフッ素系樹脂107、108のコーティングに関しては、すべり性・非粘着性を重視している点で、特にテフロン(R)コーティングに関しては、非常に低い摩耗係数を持っており、荷重、摺動により摩擦係数は変化するが、一般に0.02〜0.10の間の値を示すことが知られている。また、このようなフッ素系樹脂においては、殆どの物質が固着しにくいという非粘着性も有しており、かつ非常に薄いコーティング被膜でも非粘着性を示すという特徴がある。ただし、エポキシ樹脂金型の離型用等、厳しい非粘着性を要求されるところや粘度の低い粘体に対する低非粘着性を得るためにはピンホール発生の少ないテフロン(R)FEP系、PFA系の塗膜を使うことが多くなっている。
【0048】
本発明の実証として、半導体装置として利用されているコーターデベロッパにおけるホットプレートに上記テフロン(R)コーティングを行なった。次に図3に示す昇華物の発生しやすいレジストBを使用し、テフロン(R)コーティング済みホットプレートにレジストBを塗布した基板を連続的搬送・載置を繰り返した。熱板103の温度はこのレジストBにおいて昇華物の発生する120℃にて実験を行なった。比較のため、テフロン(R)コーティングを行なわないホットプレートも同時に設置し、それぞれのホットプレートに同数のフォトレジスト付基板の搬送・載置を行なった。その結果、テフロン(R)コーティングを実施したホットプレートにおいては、テフロン(R)コーティングを行なわないホットプレートに対し、2〜3倍程度の付着防止効果が見られた。
【0049】
このように、フッ素系樹脂107、108を被膜することにより、特別なユニットの増設を必要とせず、フォトレジストパターンの形成不良の原因となる昇華物や揮発物のユニット内への付着防止を実現することが可能となる。また、排気配管106等の昇華物を含む気流111の接触面にも同様のコーティングを行なうことで、メンテナンスの難しい配管等への付着防止効果を得ることも明らかである。
【0050】
次に、図3に、一般的なレジストの5種類(A,B,C,D,E)において昇華物の発生度合いを比較したデータを示す。5種類のレジストA〜Eにおいて、120℃程度で加熱した時に発生する物質をFT−IR法(フーリエ変換赤外分光法:Fourier transform infrared spectroscopy)にて分析を行なった結果を示す。この分析の結果、5種類のレジストA〜EのうちA,Bの2種類のレジストにおいて昇華物の発生を確認することができた。このように昇華物の発生は使用するレジストにより発生の度合いが異なる傾向がある。
【0051】
また、図4には、レジストBおよび新規レジストFにおける昇華物発生の温度依存性を示す。これに依れば、昇華物の発生するレジストにおいては、多少の温度変更に依存しないことが分かる。よって、フォトレジストより発生する昇華物を低減する手法として、熱処理温度を変更することはあまり効果がないことが分かる。
【0052】
このような分析の結果、フォトレジスト膜より発生する昇華物としては、フォトレジストに含有される酸発生材例えばPAG(Photo asid grain)やレジストを構成する低分子樹脂であることが分かってきた。また、特に沸点が低い非イオン系酸発生材を使用しているフォトレジストにおいては、昇華物の発生が多く、熱処理装置における昇華物の付着を低減する効果として、テフロン(R)等の付着防止膜を利用することが有効であることが分かる。
【0053】
次に、本発明の第2の実施形態について、図5を参照にしながら説明する。
【0054】
図示したように本発明のにおける熱処理装置は、図8に示している従来と同様の構造を有している。装置の主な構成に関しては、上記に記載ずみであり、以下には特徴となるところを説明する。本発明の第2の実施形態は、図2の熱処理装置において、吸気配管105の上流側の吸引部に加熱ユニットの加熱ヒータ207を設置することを特徴とする。吸気配管105の上流に、例えば熱電線等で気体を加熱するヒータ207を設置し、基本的には不純物を含まない吸気気体109を、例えば、100℃〜250℃程度に加熱する。この加熱された吸気気体212は吸気配管105を通過し、加熱処理装置内に導入される。この導入された高温気体は210に示すように高温状態の気流を形成し、排気配管106を通過し気流211として排気される。特別に加熱ヒータ207を設けなくとも、吸気配管105を例えば熱電線等で、直接的に加熱することによっても同様の効果を得ることは可能である。
【0055】
このように、加熱処理装置の吸気配管上流気体を加熱し、その高温気体を加熱処理空間113に保持することにより、熱板103により加熱されることにより被処理基板100から発生する昇華物や揮発物を気体状態で保持したまま排気気流211と共に処理装置外へ排気することが可能となり、下部囲繞部材101や上部囲繞部材102によって冷却され固体付着することを防止する効果がある。この時、排気配管106も加熱手段を設けて高温加熱しておくことでさらに冷却による付着効果を低減することも可能である。
【0056】
このヒータ207による気体の加熱温度は、被処理基板100の加熱処理温度と相関を持たせることが望ましく、通常、被処理基板100および熱板103の温度と同程度に設定する。
【0057】
ヒータ207により加熱された気流212の温度を、被処理基板100が処理される温度と同一に設定することにより、被処理基板100に塗布されたフォトレジストを熱板103および気流210の両方により満遍なく加熱することが可能となり、フォトレジストの更なる均一性向上が可能となる。
また、吸気配管105および排気配管106は保温性を有することが望ましくとくに吸気配管105は熱効率上好ましい。また排気配管106の排出口には揮発物や昇華物等の不純物のフィルタ(図示せず)を設けて装置内で不純物を収集するのが好ましい。
【0058】
次に、本発明の第2の実施形態の実施方法に関し、図6に実際の処理フローを参照しながら説明する。前述した図5の装置を使用する。まず、加熱ヒータ207において気流を加熱し(301)、加熱処理装置の加熱処理空間113を被処理基板100を載置しない状態で密閉する(302)。その後、加熱された高温気体を加熱処理空間113に導入し(303)、加熱処理空間113を高温気流210で安定させる(304)。十分な安定の後、密閉状態を素早く解除し基板100を素早く載置する(305)。その後、常に高温気体の連続吸排気を行ないながら、基板100を加熱する(306)。この基板加熱中において発生する昇華物は、加熱処理空間における高温気体210とともに、加熱処理空間より連続排気され、ユニット内への付着を防止できる。最後に、加熱を終了し、基板100を取り出す(307)。
【0059】
ここで、ステップ303において予め高温気体を導入しておくことによる効果を、図7を見ながら説明する。図7は上記の手法を用いた処理を行なうことによる被処理基板温度の推移のグラフである。代表的な加熱処理装置として、熱処理装置Aのような装置がある。熱処理装置Aにおいては、ユニットの初期状態601は常温(例えば23℃)であり、まず初期状態601において被処理基板100をユニットに載置し、ついで熱板103の加熱を行ない加熱処理602を一定時間実施した後、一定時間被処理基板100のクーリング603を行ない、常温待機状態604となる。このような装置においては、加熱処理状態602における安定性がフォトレジストの均一性に大きく影響する。
【0060】
一方、本発明の第2の実施形態を適用した加熱処理装置Bにおいては、ユニットの加熱処理空間113が予め高温保持されているため、高温気体より均一な加熱を受けることにより基板載置の初期状態601の段階で既に高温状態となる。そのため、基板100の温度安定までの時間が短縮されると共に、基板100の両面からの加熱が行なわれることにより、温度均一性が向上する。
【0061】
その他の実施の形態として、第2の実施の形態の加熱処理装置の囲繞部材に、第1の実施の形態の囲繞部材に設けた付着防止膜を形成してもよい。これにより、より一層の昇華物付着低減効果が期待できる。
【0062】
【発明の効果】
請求項1記載の熱処理装置によれば、囲繞部材の周辺に特別な加熱ユニットを新規に設置することなく、現状のユニット構成を保持したまま、昇華物の付着を低減することが可能となる。また、現状使用の加熱処理装置に比較的簡単な方法で付着防止膜の追加コーティング処理を行なうことができる。このように、新規に特別な外部装置を取り付けることなく比較的簡単な付着防止膜の追加コーティング処理のみにより、フォトレジスト加熱時に発生する昇華物のユニットへの付着を低減し、微細パターンの形成された基板への最付着を低減することにより、製品の歩留り向上を実現する。特に、昇華物の発生しやすいレジストにおいては、その改善効果によりユニットのメンテナンス作業性が容易であり、かつメンテナンス周期を拡大することが可能となり、管理コストの低減が図れる。
【0063】
請求項2記載の熱処理装置によれば、吸気部上流に設置された加熱ヒータにより予め過熱された高温気体を加熱処理空間に充填し、素早く被処理物を載置し、常に高温に保たれた外気を充填・排気することにより、加熱手段により加熱されることにより被処理物から発生する昇華物や揮発物を気体状態で保持したまま排気気流と共に処理装置外へ排気することが可能となり、囲繞部材の周辺に特別な加熱ユニットを新規に設置することなく、囲繞部材によって冷却され固体付着することを防止する効果が期待できる。
【0064】
また、予め熱処理装置内を加熱気体で保持しておくことにより、装置内の温度変動を低減し、短時間での処理を行なうことが可能である。また、基板などの被処理物における温度変動を少なくすることが可能なため、被処理基板上に塗布されたフォトレジストの均一性を向上する効果も期待できる。
【0065】
請求項3記載の熱処理装置によれば、請求項2と同様な効果のほか、配管に熱が奪われることがないので温度変動を少なくでき加熱効率がよい。
【0066】
請求項4記載の熱処理装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、不純物を装置内で収集できる。
【0067】
請求項5記載の熱処理装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、付着防止膜として、密着性の低いフッ素系樹脂を使うことが有用である。特にこの付着防止膜として、例えば、テフロン(R)(商標名)等を使用することにより、昇華物の付着防止を低減することができる。
【0068】
請求項6記載の熱処理装置によれば、請求項5と同様な効果のほか、昇華物の付着を低減する効果が大きい。
【0069】
請求項7記載の熱処理方法によれば、請求項1と同様な効果がある。
【0070】
請求項8記載の熱処理方法によれば、請求項1および請求項2と同様な効果がある。
請求項9記載の熱処理方法によれば、請求項2と同様な効果がある。
【0071】
請求項10記載の処理方法によれば、請求項7、請求項8または請求項9と同様な効果のほか、被処理物の均一加熱が可能である。
【0072】
請求項11記載の処理方法によれば、請求項6と同様な効果がある。
【0073】
請求項12記載の処理方法によれば、請求項8または請求項9と同様な効果のほか、被処理物の設置段階で高温気体により被処理物が加熱されるので温度安定までの時間を短縮できるとともに温度均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に関わる熱処理装置の概念を示す断面図である。
【図2】テフロン(R)の分子構造の概念図である。
【図3】各種レジストA〜Eにおける昇華物発生状況を説明するための比較図であり、横軸は波数(cm−1)、縦軸は吸光度である。
【図4】レジストB、Fの温度依存による昇華物発生状況の比較図であり、横軸は波数(cm−1)、縦軸は吸光度である。
【図5】本発明の第2の実施形態に関わる熱処理装置の概念を示す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態に関わる処理手法を示すフロー図である。
【図7】半導体の加熱処理装置A、Bにおける内部温度の昇温・降温傾向の比較図である。
【図8】従来の熱処理装置の概念を示す断面図である。
【符号の説明】
100 被処理基板
101 下部囲繞部材
102 上部囲繞部材
103 熱板
105 吸気配管
106 排気配管
107 付着防止膜
108 付着防止膜
113 加熱処理空間
207 加熱ヒータ
Claims (12)
- 被処理物が配置される加熱処理空間を囲繞可能に設けた囲繞部材と、前記被処理物を加熱する加熱手段とを備え、前記囲繞部材に前記被処理物から発生する不純物の付着防止膜を設けたことを特徴とする熱処理装置。
- 被処理物が配置される加熱処理空間を囲繞可能に設けた囲繞部材と、前記被処理物を加熱する加熱手段と、前記加熱処理空間に外気を導入する吸気配管と、前記加熱処理空間の不純物を含む気体を外部に排気する排気配管とを備え、前記吸気配管の吸引部に、前記気体を加熱するユニットを有する熱処理装置。
- 吸気配管は、保温性のある配管で形成されている請求項2記載の熱処理装置。
- 排気配管から気体を排出する排出口にフィルタを有する請求項1記載の熱処理装置。
- 付着防止膜は、フッ素系樹脂を主成分とする請求項1記載の熱処理装置。
- 被処理物はウェハであり、前記ウェハ上に形成されたパターンは、フォトレジスト材料として非イオン系酸発生材を使用して形成された請求項5記載の熱処理装置。
- 被処理物を、囲繞部材を有する加熱処理空間へ設置する工程と、
前記加熱処理空間へ吸気配管から気体を導入する工程と、
前記加熱処理空間で前記被処理物を加熱する工程と、
前記加熱処理空間内の気体を排気配管から排気する工程とを備え、
前記被処理物を加熱する工程において、加熱時に被処理物から発生した不純物を、前記吸気配管から前記排気配管へ気体を流すことによって除去することを特徴とする、熱処理方法。 - 吸気配管から加熱処理空間を経て排気配管へ気体を流す際に、前記吸気配管から前記熱処理空間に供給される気体を加熱している請求項7記載の熱処理方法。
- 加熱処理空間に被処理物を設置し前記加熱処理空間を閉じた状態にする工程と、前記加熱処理空間に吸気配管より外気を導入し前記被処理物を加熱し前記加熱処理空間の気体および前記被処理物からの不純物を排気配管より外部に排気する工程とを含み、前記吸気配管から前記加熱処理空間を経て前記排気配管へ気体を流す際に、前記吸気配管から前記熱処理空間に供給される気体を加熱していることを特徴とする熱処理方法。
- 熱処理空間の被処理物上にある気体の温度が、前記被処理物を加熱する加熱温度とほぼ同じである請求項7、請求項8または請求項9記載の加熱処理方法。
- 被処理物はウェハであり、パターンを形成する際のフォトレジスト材料として、非イオン系酸発生材を使用している請求項7記載の加熱処理方法。
- 加熱処理空間は被処理物を設置する際に、あらかじめ加熱された気体を連続給排気状態にしている請求項8または請求項9記載の加熱処理方法。
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