JP2691908B2 - 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 - Google Patents
加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法Info
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- JP2691908B2 JP2691908B2 JP63152861A JP15286188A JP2691908B2 JP 2691908 B2 JP2691908 B2 JP 2691908B2 JP 63152861 A JP63152861 A JP 63152861A JP 15286188 A JP15286188 A JP 15286188A JP 2691908 B2 JP2691908 B2 JP 2691908B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術） 半導体製造工程の例えばレジスト塗布現像工程とし
て、一般に、被処理体例えば半導体ウェハへのレジスト
塗布、塗布されたレジストの安定化のためのプリベーク
処理、レジスト塗布面への所望するパターンの露光、レ
ジストの現像、この現像後のポストベーク処理工程等が
ある。この工程中のベーク処理は、レジスト溶媒の乾燥
除去、レジストの硬化処理等の目的で行われるもので、
加熱温度及び加熱処理時間には正確さが要求され厳しく
制御する必要がある。
て、一般に、被処理体例えば半導体ウェハへのレジスト
塗布、塗布されたレジストの安定化のためのプリベーク
処理、レジスト塗布面への所望するパターンの露光、レ
ジストの現像、この現像後のポストベーク処理工程等が
ある。この工程中のベーク処理は、レジスト溶媒の乾燥
除去、レジストの硬化処理等の目的で行われるもので、
加熱温度及び加熱処理時間には正確さが要求され厳しく
制御する必要がある。
上記ベーク処理に使用される加熱装置例として、次の
ようなものがある。
ようなものがある。
第６図（ａ）に示すように、基台（１）上に、半導体
ウェハ（２）を載置して加熱するための熱板例えば２個
の熱板Ａ（３）Ｂ（４）を直列に並置し、この熱板Ａ
（３）Ｂ（４）の両端側には半導体ウェハ（２）を載置
して搬送するベルト式の搬送機構Ａ（５）、Ｂ（６）が
それぞれ配置されている。また、上記熱板Ａ（３）Ｂ
（４）に渡りウォーキングビーム方式と呼称されている
搬送機構の搬送ビーム（７）が設けられている。
ウェハ（２）を載置して加熱するための熱板例えば２個
の熱板Ａ（３）Ｂ（４）を直列に並置し、この熱板Ａ
（３）Ｂ（４）の両端側には半導体ウェハ（２）を載置
して搬送するベルト式の搬送機構Ａ（５）、Ｂ（６）が
それぞれ配置されている。また、上記熱板Ａ（３）Ｂ
（４）に渡りウォーキングビーム方式と呼称されている
搬送機構の搬送ビーム（７）が設けられている。
そして、搬送機構Ａ（５）で搬送された所定の位置に
位置決めされた半導体ウェハ（２）を搬送ビーム（７）
を上昇させることにより載置して持ち上げ、図の右方向
に向って所定距離だけ搬送する。次に上記搬送ビーム
（７）を下降させて半導体ウェハ（２）を熱板Ａ（３）
に載置して加熱開始する。同時に搬送ビーム（７）は図
の左方向に移動して最初の位置に戻る。上記加熱処理が
終了すると、搬送ビーム（７）を上昇させ図の右方向に
所定の距離移動し、熱板Ａ（３）で加熱処理された半導
体ウェハ（２）を熱板Ｂ（４）上に載置すると共に、次
に処理すべき半導体ウェハ（２）を熱板Ａ（３）上に載
置して加熱処理を開始する。上述のようにして半導体ウ
ェハ（２）を順次図の右方向に搬送して加熱処理を行
い、加熱処理の終了した半導体ウェハ（２）を搬送機構
Ｂ（６）により搬出する。
位置決めされた半導体ウェハ（２）を搬送ビーム（７）
を上昇させることにより載置して持ち上げ、図の右方向
に向って所定距離だけ搬送する。次に上記搬送ビーム
（７）を下降させて半導体ウェハ（２）を熱板Ａ（３）
に載置して加熱開始する。同時に搬送ビーム（７）は図
の左方向に移動して最初の位置に戻る。上記加熱処理が
終了すると、搬送ビーム（７）を上昇させ図の右方向に
所定の距離移動し、熱板Ａ（３）で加熱処理された半導
体ウェハ（２）を熱板Ｂ（４）上に載置すると共に、次
に処理すべき半導体ウェハ（２）を熱板Ａ（３）上に載
置して加熱処理を開始する。上述のようにして半導体ウ
ェハ（２）を順次図の右方向に搬送して加熱処理を行
い、加熱処理の終了した半導体ウェハ（２）を搬送機構
Ｂ（６）により搬出する。
また、第６図（ｂ）に示すように、基台（８）上に、
半導体ウェハ（２）を加熱する例えば２個の熱板Ａ
（９）Ｂ（10）とその他の処理機構（11）（12）を直列
に並置する。また、上記各機構、熱板が配置された一方
側に、半導体ウェハ（２）を吸着保持するピンセット
（13）を備えたアーム（14）を有し、このアーム（14）
が図の左右（Ｘ）前後（Ｙ）方向に移動、また（θ）回
転可能に構成された搬送機構（15）が設けられている。
そして、上記ピンセット（13）で半導体ウェハ（２）を
吸着保持し搬送することにより、熱板Ａ（９）Ｂ（10）
に半導体ウェハ（２）を載置して所定時間加熱処理を
し、また加熱処理後、上記半導体ウェハ（２）を熱板Ａ
（９）Ｂ（10）から搬出する。なお、上記搬送機構（1
5）はその他の処理機構（11）（12）等にもプロセスに
対応して半導体ウェハ（２）を搬入搬出する。
半導体ウェハ（２）を加熱する例えば２個の熱板Ａ
（９）Ｂ（10）とその他の処理機構（11）（12）を直列
に並置する。また、上記各機構、熱板が配置された一方
側に、半導体ウェハ（２）を吸着保持するピンセット
（13）を備えたアーム（14）を有し、このアーム（14）
が図の左右（Ｘ）前後（Ｙ）方向に移動、また（θ）回
転可能に構成された搬送機構（15）が設けられている。
そして、上記ピンセット（13）で半導体ウェハ（２）を
吸着保持し搬送することにより、熱板Ａ（９）Ｂ（10）
に半導体ウェハ（２）を載置して所定時間加熱処理を
し、また加熱処理後、上記半導体ウェハ（２）を熱板Ａ
（９）Ｂ（10）から搬出する。なお、上記搬送機構（1
5）はその他の処理機構（11）（12）等にもプロセスに
対応して半導体ウェハ（２）を搬入搬出する。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来装置には次のような問題があ
る。
る。
先ず、前者では、熱板Ｂ（４）で加熱処理後、半導体
ウェハ（２）を搬送機構Ｂ（６）に移送して搬出しよう
とする際、次工程以降に例えばトラブル等が発生して上
記搬送機構Ｂ（６）に半導体ウェハ（２）が残っている
と、熱板Ｂ（４）で加熱処理終了した半導体ウェハ
（２）は上記搬送機構Ｂ（６）に移送されず、熱板Ｂ
（４）上に止どまらざるを得ない。
ウェハ（２）を搬送機構Ｂ（６）に移送して搬出しよう
とする際、次工程以降に例えばトラブル等が発生して上
記搬送機構Ｂ（６）に半導体ウェハ（２）が残っている
と、熱板Ｂ（４）で加熱処理終了した半導体ウェハ
（２）は上記搬送機構Ｂ（６）に移送されず、熱板Ｂ
（４）上に止どまらざるを得ない。
したがって、加熱時間が超過いわゆるオーバーベーク
する恐れがある。このオーバーベークを防止しようとす
れば、例えば上記半導体ウェハ（２）を一時保持するた
めの装置を設ける必要がある。
する恐れがある。このオーバーベークを防止しようとす
れば、例えば上記半導体ウェハ（２）を一時保持するた
めの装置を設ける必要がある。
また、後者では、搬送機構（15）は、熱はＡ（９）Ｂ
（10）に対する半導体ウェハ（２）の搬入搬出動作の他
に、他の処理機構（11）（12）等に対する半導体ウェハ
（２）の搬入搬出動作をも行わなければならないので、
上記熱板Ａ（９）Ｂ（10）に対して所定の加熱時間サイ
クルで半導体ウェハ（２）を搬出するのは極めて困難で
あり加熱時間が超過いわゆるオーバーベークする恐れが
ある。また、他の処理機構（11）（12）等で何らかの原
因で処理が行えなくなってしまった場合、及び搬送機構
（15）自身に故障が発生した場合には、半導体ウェハ
（２）の搬送が行えないので半導体ウェハ（２）は、上
記熱板Ａ（９）Ｂ（10）において必要以上の時間超過し
て加熱され製品不良の一原因となる。
（10）に対する半導体ウェハ（２）の搬入搬出動作の他
に、他の処理機構（11）（12）等に対する半導体ウェハ
（２）の搬入搬出動作をも行わなければならないので、
上記熱板Ａ（９）Ｂ（10）に対して所定の加熱時間サイ
クルで半導体ウェハ（２）を搬出するのは極めて困難で
あり加熱時間が超過いわゆるオーバーベークする恐れが
ある。また、他の処理機構（11）（12）等で何らかの原
因で処理が行えなくなってしまった場合、及び搬送機構
（15）自身に故障が発生した場合には、半導体ウェハ
（２）の搬送が行えないので半導体ウェハ（２）は、上
記熱板Ａ（９）Ｂ（10）において必要以上の時間超過し
て加熱され製品不良の一原因となる。
本発明は、上記従来事情に対処してなされたもので、
加熱時間と加熱温度の制御に優れた加熱装置及び加熱処
理装置及び加熱処理方法を提供しようとするものであ
る。
加熱時間と加熱温度の制御に優れた加熱装置及び加熱処
理装置及び加熱処理方法を提供しようとするものであ
る。
（課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理体を加熱する発熱体と、発
熱体と被処理体とを相対的に移動させる相対移動手段と
を具備し、発熱体により被処理体を加熱した後、相対移
動手段により被処理体を発熱体から離間させる加熱装置
であって、 前記被処理体を発熱体から離間させた後、前記被処理
体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを供給して前記
被処理体を冷却する冷却手段をさらに具備することを特
徴とする加熱装置を提供する。
熱体と被処理体とを相対的に移動させる相対移動手段と
を具備し、発熱体により被処理体を加熱した後、相対移
動手段により被処理体を発熱体から離間させる加熱装置
であって、 前記被処理体を発熱体から離間させた後、前記被処理
体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを供給して前記
被処理体を冷却する冷却手段をさらに具備することを特
徴とする加熱装置を提供する。
また、本発明は、レジスト液塗布後又は現像液塗布後
の被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する発熱
体と、発熱体と被処理体とを相対的に移動させる相対移
動手段とを有し、前記発熱体から伝達される熱によって
被処理体を加熱し処理した後、相対移動手段により被処
理体を発熱体から離間させる加熱処理装置であって、 前記被処理体を載置体から離間させた後、前記被処理
体の裏面に沿うように冷却ガスを供給して前記被処理体
を冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴とする
加熱処理装置を提供する。
の被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する発熱
体と、発熱体と被処理体とを相対的に移動させる相対移
動手段とを有し、前記発熱体から伝達される熱によって
被処理体を加熱し処理した後、相対移動手段により被処
理体を発熱体から離間させる加熱処理装置であって、 前記被処理体を載置体から離間させた後、前記被処理
体の裏面に沿うように冷却ガスを供給して前記被処理体
を冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴とする
加熱処理装置を提供する。
さらに、本発明は、被処理体を発熱体に載置する工程
と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工
程と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを
供給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法を提供す
る。
と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工
程と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを
供給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法を提供す
る。
さらにまた、本発明は、レジスト液又は現像液が塗布
された後の被処理体を発熱体に載置する工程と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工
程と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを
供給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法を提供する。
された後の被処理体を発熱体に載置する工程と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工
程と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを
供給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法を提供する。
前記加熱装置または加熱処理装置において、前記冷却
手段は、前記被加熱体または前記被処理体の中心から端
部方向に冷却ガスを供給することが好ましい。また、前
記冷却手段は、複数のガス噴出部を有することが好まし
い。さらに、前記相対移動手段は、前記被加熱体または
被処理体を持ち上げる複数のピンを有するものを用いる
ことができる。さらにまた、前記冷却手段は、前記複数
のピンから冷却ガスを噴出させるものとすることができ
る。
手段は、前記被加熱体または前記被処理体の中心から端
部方向に冷却ガスを供給することが好ましい。また、前
記冷却手段は、複数のガス噴出部を有することが好まし
い。さらに、前記相対移動手段は、前記被加熱体または
被処理体を持ち上げる複数のピンを有するものを用いる
ことができる。さらにまた、前記冷却手段は、前記複数
のピンから冷却ガスを噴出させるものとすることができ
る。
（作 用） 本発明においては、被処理体の加熱が終了し、発熱体
と被処理体とを離間させた後、冷却ガスにより被処理体
を冷却するので、加熱時間が超過することが防止され、
また、この際に被処理体の発熱体側の面すなわち裏面に
沿うように冷却ガスを供給して被処理体を冷却するの
で、被処理体を速やかにかつ均一に冷却することができ
る。
と被処理体とを離間させた後、冷却ガスにより被処理体
を冷却するので、加熱時間が超過することが防止され、
また、この際に被処理体の発熱体側の面すなわち裏面に
沿うように冷却ガスを供給して被処理体を冷却するの
で、被処理体を速やかにかつ均一に冷却することができ
る。
（実施例） 以下、本発明をレジスト塗布後の半導体ウェハ又は現
像液塗布後の半導体ウェハの加熱装置に適用した一実施
例を図面を参照して説明する。
像液塗布後の半導体ウェハの加熱装置に適用した一実施
例を図面を参照して説明する。
ケース（16）内には、温度制御機構（図示せず）によ
って制御されるヒータ等を内蔵し、被処理体例えば表面
にレジスト又は現像液が塗布された半導体ウェハ（17）
を載置して80〜250℃程度の範囲内の所定の温度で加熱
することにより熱処理する発熱体例えば円板状に形成さ
れた熱板（18）が配置されている。この熱板（18）の側
面には全周に渡り環状に形成された断熱材Ａ（19）が密
着されており、この断熱材Ａ（19）には例えば環状の溝
が形成された排気路（20）とこの排気路（20）に連通し
上記熱板（18）周辺を排気する複数の排気孔（21）が設
けられている。そして、上記排気路（20）に連結された
排気管（22）を通して排気機構（図示せず）により、熱
板（18）周辺部からチャンバー（16a）内を排気可能に
構成されている。なお、半導体ウエハ（17）は熱板（1
8）に近接した状態で保持されてもよい。
って制御されるヒータ等を内蔵し、被処理体例えば表面
にレジスト又は現像液が塗布された半導体ウェハ（17）
を載置して80〜250℃程度の範囲内の所定の温度で加熱
することにより熱処理する発熱体例えば円板状に形成さ
れた熱板（18）が配置されている。この熱板（18）の側
面には全周に渡り環状に形成された断熱材Ａ（19）が密
着されており、この断熱材Ａ（19）には例えば環状の溝
が形成された排気路（20）とこの排気路（20）に連通し
上記熱板（18）周辺を排気する複数の排気孔（21）が設
けられている。そして、上記排気路（20）に連結された
排気管（22）を通して排気機構（図示せず）により、熱
板（18）周辺部からチャンバー（16a）内を排気可能に
構成されている。なお、半導体ウエハ（17）は熱板（1
8）に近接した状態で保持されてもよい。
また、上記熱板（18）および断熱材Ａ（19）の下面側
には断熱材Ｂ（23）が全面に渡り取着されており、且つ
上記熱板（18）断熱材Ａ（19）Ｂ（23）は、ケース（1
6）に取着された昇降手段例えばエアーシリンダ（24）
により上昇下降可能に構成されている。
には断熱材Ｂ（23）が全面に渡り取着されており、且つ
上記熱板（18）断熱材Ａ（19）Ｂ（23）は、ケース（1
6）に取着された昇降手段例えばエアーシリンダ（24）
により上昇下降可能に構成されている。
さらに、上記熱板（18）および断熱材Ｂ（23）には、
この両者を上下に貫通する穴（25）が複数個例えば３個
設けられている。そして、この穴（25）を貫通し上下動
可能なピン（26）が３本設けられ、下端が基台（27）に
取着され且つケース（16）底部に固定されている。
この両者を上下に貫通する穴（25）が複数個例えば３個
設けられている。そして、この穴（25）を貫通し上下動
可能なピン（26）が３本設けられ、下端が基台（27）に
取着され且つケース（16）底部に固定されている。
上記ピン（26）は、上記熱板（18）等が最上昇時には
ピン（26）の先端部が熱板（18）上面よりも下にあり、
熱板（18）等が最下降時にはピン（26）の先端部が熱板
（18）上面より突出し熱板（18）と半導体ウェハ（17）
を離間して半導体ウェハ（17）を持ち上げ、一時離間し
たまま保持可能な如く構成されている。
ピン（26）の先端部が熱板（18）上面よりも下にあり、
熱板（18）等が最下降時にはピン（26）の先端部が熱板
（18）上面より突出し熱板（18）と半導体ウェハ（17）
を離間して半導体ウェハ（17）を持ち上げ、一時離間し
たまま保持可能な如く構成されている。
次に、上記熱板（18）の上方には、側面が円筒状に形
成され、熱板（18）が上昇した時、上記側面下端部分と
上記熱板（18）の側面に取着された断熱材Ａ（19）上面
が当接することにより熱板（18）上の半導体ウェハ（1
7）を密閉する如く構成された断熱性のカバー（28）が
基台（27）によりケース（16）に取着されている。な
お、上記カバー（28）の上面部中央付近には、熱板（1
8）の上方雰囲気を排気するための排気管（29）が取着
されており、必要に応じて排気機構（図示せず）により
排気可能に構成されている。
成され、熱板（18）が上昇した時、上記側面下端部分と
上記熱板（18）の側面に取着された断熱材Ａ（19）上面
が当接することにより熱板（18）上の半導体ウェハ（1
7）を密閉する如く構成された断熱性のカバー（28）が
基台（27）によりケース（16）に取着されている。な
お、上記カバー（28）の上面部中央付近には、熱板（1
8）の上方雰囲気を排気するための排気管（29）が取着
されており、必要に応じて排気機構（図示せず）により
排気可能に構成されている。
次に、例えばチャンバー（16a）内の熱板（18）周辺の
位置には、側面が円筒状に形成され、側面上部付近の全
周に渡り0.2mm程度の隙間からなる環状ノズル（30）を
備えガス供給パイプ（31）から供給された冷却用ガス例
えば窒素（N2）ガスを半導体ウェハ（17）に向けて図の
水平全方向に噴出する如く設けられた冷却用ノズル（3
2）からなる冷却手段が設けられている。
位置には、側面が円筒状に形成され、側面上部付近の全
周に渡り0.2mm程度の隙間からなる環状ノズル（30）を
備えガス供給パイプ（31）から供給された冷却用ガス例
えば窒素（N2）ガスを半導体ウェハ（17）に向けて図の
水平全方向に噴出する如く設けられた冷却用ノズル（3
2）からなる冷却手段が設けられている。
そして、この冷却用ノズル（32）は、常時はケース
（16）内の熱板（18）等に接触しない位置に待機してお
り、熱板（18）によって半導体ウェハ（17）を所定時間
加熱した後上記熱板（18）と半導体ウェハ（17）が離間
された時、エアーシリンダ（図示せず）等の移動手段に
より上記熱板（18）と半導体ウェハ（17）の中間の空間
（33）に進入する。次に、上記冷却用ノズル（32）の環
状ノズル（30）から上記空間に向かって半導体ウエハの
面に沿った方向に、例えば中心から外方向に向って冷却
用の窒素ガスを噴出する如く構成されている。
（16）内の熱板（18）等に接触しない位置に待機してお
り、熱板（18）によって半導体ウェハ（17）を所定時間
加熱した後上記熱板（18）と半導体ウェハ（17）が離間
された時、エアーシリンダ（図示せず）等の移動手段に
より上記熱板（18）と半導体ウェハ（17）の中間の空間
（33）に進入する。次に、上記冷却用ノズル（32）の環
状ノズル（30）から上記空間に向かって半導体ウエハの
面に沿った方向に、例えば中心から外方向に向って冷却
用の窒素ガスを噴出する如く構成されている。
次に動作について説明する。
先ず、エアーシリンダ（24）により熱板（18）等を下
降させ、熱板（18）とカバー（28）下端との間に隙間を
設け、搬送口（図示せず）を通して搬送機構（図示せ
ず）によりレジストが塗布された熱処理前の半導体ウェ
ハ（17）をケース（16）内に搬入し、ピン（26）先端部
分に半導体ウェハ（17）を乗せる。
降させ、熱板（18）とカバー（28）下端との間に隙間を
設け、搬送口（図示せず）を通して搬送機構（図示せ
ず）によりレジストが塗布された熱処理前の半導体ウェ
ハ（17）をケース（16）内に搬入し、ピン（26）先端部
分に半導体ウェハ（17）を乗せる。
次に、エアーシリンダ（24）を動作させて熱板（18）
等を上昇させ、ピン（26）先端部分に乗っている半導体
ウェハ（17）を上記熱板（18）に載置し、第３図に示す
ように熱板（18）とカバー（28）とで、半導体ウェハ
（17）を含む熱板（18）上面部分を密閉状態に保つ。こ
うすることにより、半導体ウェハ（17）はカバー（2
8）、熱板（18）、断熱材Ａ（19）、断熱材Ｂ（23）で
囲まれた密閉状態の中で加熱されるので、半導体ウェハ
（17）の処理面の雰囲気温度はケース（16）内外からの
影響を受けにくく一定温度に保つことがより容易にな
り、安定した加熱処理を行うこができる。
等を上昇させ、ピン（26）先端部分に乗っている半導体
ウェハ（17）を上記熱板（18）に載置し、第３図に示す
ように熱板（18）とカバー（28）とで、半導体ウェハ
（17）を含む熱板（18）上面部分を密閉状態に保つ。こ
うすることにより、半導体ウェハ（17）はカバー（2
8）、熱板（18）、断熱材Ａ（19）、断熱材Ｂ（23）で
囲まれた密閉状態の中で加熱されるので、半導体ウェハ
（17）の処理面の雰囲気温度はケース（16）内外からの
影響を受けにくく一定温度に保つことがより容易にな
り、安定した加熱処理を行うこができる。
そして、熱板（18）により半導体ウェハ（17）を所定
温度で所定時間だけ加熱して熱処理を行う。
温度で所定時間だけ加熱して熱処理を行う。
なお、上記半導体ウェハ（17）が例えばレジスト塗布
後の加熱処理のもので、加熱によりレジスト溶媒が気化
し上記密閉中に発生する場合には、排気管（29）より上
記気化した溶媒を排出する。
後の加熱処理のもので、加熱によりレジスト溶媒が気化
し上記密閉中に発生する場合には、排気管（29）より上
記気化した溶媒を排出する。
上記加熱処理が終った後、エアーシリンダ（24）によ
り熱板（18）を下降させる。この時、第４図に示すよう
に、半導体ウェハ（17）は熱板（18）の載置面より上方
に突出して位置したピン（26）の先端部分に乗っており
熱板（18）から離間され持ち上げられ一時保持された状
態になり、またカバー（28）と熱板（18）は分離するた
め空間（33）ができる。
り熱板（18）を下降させる。この時、第４図に示すよう
に、半導体ウェハ（17）は熱板（18）の載置面より上方
に突出して位置したピン（26）の先端部分に乗っており
熱板（18）から離間され持ち上げられ一時保持された状
態になり、またカバー（28）と熱板（18）は分離するた
め空間（33）ができる。
次に、熱板（18）の周辺に待機している冷却用ノズル
（32）を上記半導体ウェハ（17）と熱板（18）の中間の
空間（33）の例えば熱板（18）の中心位置付近に進入さ
せる。そして、ガス供給パイプ（31）に窒素ガスを供給
し、冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）から上記半
導体ウェハ（17）に対して水平全方向すなわち半導体ウ
エハ（17）の面に沿った方向に窒素ガスを噴出させる。
（32）を上記半導体ウェハ（17）と熱板（18）の中間の
空間（33）の例えば熱板（18）の中心位置付近に進入さ
せる。そして、ガス供給パイプ（31）に窒素ガスを供給
し、冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）から上記半
導体ウェハ（17）に対して水平全方向すなわち半導体ウ
エハ（17）の面に沿った方向に窒素ガスを噴出させる。
この時、冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）から
噴出した窒素ガスは、半導体ウェハ（17）の下面に沿っ
て中心から周縁部に向う矢印で示すような気流（34）を
形成する。この気流（34）は、熱板（18）から発生する
対流による熱流が半導体ウェハ（17）に接触するのを防
止し、またこの半導体ウェハ（17）の有する熱を奪うの
で、半導体ウェハ（17）を冷却することができる。且
つ、熱板（18）からの熱流による加熱を防止することが
できる。
噴出した窒素ガスは、半導体ウェハ（17）の下面に沿っ
て中心から周縁部に向う矢印で示すような気流（34）を
形成する。この気流（34）は、熱板（18）から発生する
対流による熱流が半導体ウェハ（17）に接触するのを防
止し、またこの半導体ウェハ（17）の有する熱を奪うの
で、半導体ウェハ（17）を冷却することができる。且
つ、熱板（18）からの熱流による加熱を防止することが
できる。
さらに、熱板（18）から半導体ウェハ（17）に流入す
る熱には、上記対流熱の他に輻射熱と伝導熱があるが、
輻射熱は半導体ウェハ（17）と熱板（18）とを離間し距
離をあけることにより低減できる。一方、伝導熱は、半
導体ウェハ（17）をピン（26）で支持し、また、このピ
ン（26）は冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）から
噴出する窒素ガスによって冷却されるので、低く押える
ことができる。
る熱には、上記対流熱の他に輻射熱と伝導熱があるが、
輻射熱は半導体ウェハ（17）と熱板（18）とを離間し距
離をあけることにより低減できる。一方、伝導熱は、半
導体ウェハ（17）をピン（26）で支持し、また、このピ
ン（26）は冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）から
噴出する窒素ガスによって冷却されるので、低く押える
ことができる。
そして、上記環状ノズル（30）から噴出する窒素ガス
は、断熱材Ａ（19）に設けられた排気孔（21）によりチ
ャンバー（16a）外に排出する。
は、断熱材Ａ（19）に設けられた排気孔（21）によりチ
ャンバー（16a）外に排出する。
したがって、例えば半導体ウェハ（17）に塗布された
レジストの溶剤が気化して不純物等がカバー（28）の内
面部に付着していた場合でも、上記不純物等はカバー
（28）の排気管（29）を通して図の上方に向って排出さ
れ、また冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）より噴
出した窒素ガスは断熱材Ａ（19）に設けられた排気孔
（21）によりチャンバー（16a）外に排出されるので、
チャンバー（16a）内に激しい気流が発生して上記不純
物等が上記チャンバー（16a）内にダストとして拡散し
半導体ウェハ（17）に落下付着する可能性は極めて低
い。
レジストの溶剤が気化して不純物等がカバー（28）の内
面部に付着していた場合でも、上記不純物等はカバー
（28）の排気管（29）を通して図の上方に向って排出さ
れ、また冷却用ノズル（32）の環状ノズル（30）より噴
出した窒素ガスは断熱材Ａ（19）に設けられた排気孔
（21）によりチャンバー（16a）外に排出されるので、
チャンバー（16a）内に激しい気流が発生して上記不純
物等が上記チャンバー（16a）内にダストとして拡散し
半導体ウェハ（17）に落下付着する可能性は極めて低
い。
さらに、上記窒素ガスが半導体ウェハ（17）上面に回
り込むことはなく窒素ガス中のダストが半導体ウェハ
（17）に付着することもない。
り込むことはなく窒素ガス中のダストが半導体ウェハ
（17）に付着することもない。
上記のように、所定時間加熱処理をした後、加熱処理
が終了した半導体ウェハ（17）を冷却でき且つケース
（16）内に一時保持可能であるため、加熱時間が超過す
ることはなく、また、他工程との関係で直ちに半導体ウ
ェハ（17）をケース（16）外に搬出して上記半導体ウェ
ハ（17）を一時保持するための特別の装置を上記ケース
（16）外に設ける必要もない。
が終了した半導体ウェハ（17）を冷却でき且つケース
（16）内に一時保持可能であるため、加熱時間が超過す
ることはなく、また、他工程との関係で直ちに半導体ウ
ェハ（17）をケース（16）外に搬出して上記半導体ウェ
ハ（17）を一時保持するための特別の装置を上記ケース
（16）外に設ける必要もない。
また、熱板（18）には、半導体ウェハ（17）を支持す
る３本のピン（26）が貫通するための３個の穴（25）を
設けるだけでよいので、加熱の均一性をよくすることが
できる。
る３本のピン（26）が貫通するための３個の穴（25）を
設けるだけでよいので、加熱の均一性をよくすることが
できる。
次に本発明加熱装置の他の一実施例を第５図を参照し
て説明する。なお、図において第１図と異なるのは冷却
手段の部分のみであるので、この冷却手段のみについて
説明し、その他の各部の説明は、ここでは省略する。
て説明する。なお、図において第１図と異なるのは冷却
手段の部分のみであるので、この冷却手段のみについて
説明し、その他の各部の説明は、ここでは省略する。
半導体ウェハ（17）を持ち上げるピン（26）内に冷却
用の窒素ガスを通すための連通孔（35）を設け、また上
記ピン（26）の先端部付近に上記連通孔（35）に通じ、
窒素ガスを例えば水平方向に噴出するためのノズル（3
6）を形成したものである。そして、半導体ウェハ（1
7）を所定時間加熱後、上記ピン（26）で半導体ウェハ
（17）を持ち上げて上記ノズル（36）から窒素ガスを噴
出させる。そして、上記同様に冷却する。この実施例に
よれば、特別に冷却用ノズル及びこの冷却用ノズルを移
動する機構等を設ける必要はなく、簡単な構成で上記同
様の効果が得られる。
用の窒素ガスを通すための連通孔（35）を設け、また上
記ピン（26）の先端部付近に上記連通孔（35）に通じ、
窒素ガスを例えば水平方向に噴出するためのノズル（3
6）を形成したものである。そして、半導体ウェハ（1
7）を所定時間加熱後、上記ピン（26）で半導体ウェハ
（17）を持ち上げて上記ノズル（36）から窒素ガスを噴
出させる。そして、上記同様に冷却する。この実施例に
よれば、特別に冷却用ノズル及びこの冷却用ノズルを移
動する機構等を設ける必要はなく、簡単な構成で上記同
様の効果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、被処理体の加
熱が終了し、被処理体を発熱体から離間させた後、冷却
ガスにより被処理体を冷却するので、加熱時間を正確に
制御することができ、また、この際に被処理体の発熱体
側の面すなわち裏面に沿うように冷却ガスを供給して被
処理体を冷却するので、加熱又は加熱処理が終了後、被
処理体を速やかにかつ均一に冷却することができる。
熱が終了し、被処理体を発熱体から離間させた後、冷却
ガスにより被処理体を冷却するので、加熱時間を正確に
制御することができ、また、この際に被処理体の発熱体
側の面すなわち裏面に沿うように冷却ガスを供給して被
処理体を冷却するので、加熱又は加熱処理が終了後、被
処理体を速やかにかつ均一に冷却することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は第１
図の主要部説明図、第３図、第４図は第１図の動作説明
図、第５図は第１図の他の一実施例の主要部を示す構成
図、第６図（ａ）（ｂ）は従来例を示す図である。 16……ケース、17……半導体ウェハ、 18……熱板、21……排気孔、 26……ピン、28……カバー、 29……排気管、30……環状ノズル、 32……冷却用ノズル、36……ノズル。
図の主要部説明図、第３図、第４図は第１図の動作説明
図、第５図は第１図の他の一実施例の主要部を示す構成
図、第６図（ａ）（ｂ）は従来例を示す図である。 16……ケース、17……半導体ウェハ、 18……熱板、21……排気孔、 26……ピン、28……カバー、 29……排気管、30……環状ノズル、 32……冷却用ノズル、36……ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飽本 正己 熊本県菊池郡菊陽町津久札2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久札2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−59831（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−67224（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−93121（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】被処理体を加熱する発熱体と、発熱体と被
処理体とを相対的に移動させる相対移動手段とを具備
し、発熱体により被処理体を加熱した後、相対移動手段
により被処理体を発熱体から離間させる加熱装置であっ
て、 前記被処理体を発熱体から離間させた後、前記被処理体
の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを供給して前記被
処理体を冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴
とする加熱装置。 - 【請求項２】前記冷却手段は、前記被処理体の中心から
端部方向に冷却ガスを供給することを特徴とする請求項
１に記載の加熱装置。 - 【請求項３】前記冷却手段は、複数のガス噴出部を有す
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加
熱装置。 - 【請求項４】前記相対移動手段は、前記被処理体を持ち
上げる複数のピンを有することを特徴とする請求項１な
いし請求項３のいずれか１項に記載の加熱装置。 - 【請求項５】前記冷却手段は、前記複数のピンから冷却
ガスを噴出させることを特徴とする請求項４に記載の加
熱装置。 - 【請求項６】レジスト液塗布後又は現像液塗布後の被処
理体を載置するとともに被処理体を加熱する発熱体と、
発熱体と被処理体とを相対的に移動させる相対移動手段
とを有し、前記発熱体から伝達される熱によって被処理
体を加熱し処理した後、相対移動手段により被処理体を
発熱体から離間させる加熱処理装置であって、 前記被処理体を載置体から離間させた後、前記被処理体
の裏面に沿うように冷却ガスを供給して前記被処理体を
冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴とする加
熱処理装置。 - 【請求項７】前記冷却手段は、前記被処理体の中心から
端部方向に冷却ガスを供給することを特徴とする請求項
６に記載の加熱処理装置。 - 【請求項８】前記冷却手段は、複数の冷却ガス噴出部分
を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記
載の加熱処理装置。 - 【請求項９】前記相対移動手段は、前記被処理体を持ち
上げる複数のピンを有していることを特徴とする請求項
６ないし請求項８のいずれか１項に記載の加熱処理装
置。 - 【請求項１０】前記冷却手段は、前記複数のピンから冷
却ガスを噴出させることを特徴とする請求項９に記載の
加熱処理装置。 - 【請求項１１】被処理体を発熱体に載置する工程と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工程
と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを供
給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法。 - 【請求項１２】レジスト液又は現像液が塗布された後の
被処理体を発熱体に載置する工程と、 上記発熱体により被処理体を加熱し処理する工程と、 処理後、前記発熱体と前記被処理体とを離間させる工程
と、 前記被処理体の発熱体側の面に沿うように冷却ガスを供
給し、前記被処理体を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする加熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152861A JP2691908B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152861A JP2691908B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023910A JPH023910A (ja) | 1990-01-09 |
| JP2691908B2 true JP2691908B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15549725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152861A Expired - Fee Related JP2691908B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691908B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3702194B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2005-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置 |
| KR100425451B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 열처리 챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 열처리 방법 |
| KR100562639B1 (ko) * | 2001-11-20 | 2006-03-20 | 주식회사 포스코 | 표면스케일을 제거하기 위한 스테인레스강의 열간압연방법 |
| WO2003069020A1 (fr) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Hitachi Zosen Corporation | Systeme et procede de traitement d'un substrat |
| JP4657940B2 (ja) | 2006-02-10 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
| JP4939850B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-05-30 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
| JP5290465B1 (ja) * | 2012-12-28 | 2013-09-18 | 株式会社幸和 | 基板支持ピン頭部の温度調整装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159831A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | ホツトプレ−ト |
| JPS6167224A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0193121A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウェハベーキング装置 |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63152861A patent/JP2691908B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023910A (ja) | 1990-01-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |