JP3324974B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置及び熱処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハやガ
ラス基板に熱処理を施す装置と方法に関する。
ラス基板に熱処理を施す装置と方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハやガラス基板等の被処理
基板上に集積回路を形成するには、被処理基板表面に所
定パターンのレジストマスクを被覆し、このレジストマ
スクの上からＣＶＤ、エッチング、ドーピング等の各種
処理を施している。特に最近では、高集積化及び高密度
化に伴い、マスクの更なる微細化が要望されており、こ
の要望に応える形で、マスクを構成する感光性レジスト
材料が種々開発され、例えば解像性及び感度に優れたレ
ジストとして化学増幅型レジストが注目されている。
基板上に集積回路を形成するには、被処理基板表面に所
定パターンのレジストマスクを被覆し、このレジストマ
スクの上からＣＶＤ、エッチング、ドーピング等の各種
処理を施している。特に最近では、高集積化及び高密度
化に伴い、マスクの更なる微細化が要望されており、こ
の要望に応える形で、マスクを構成する感光性レジスト
材料が種々開発され、例えば解像性及び感度に優れたレ
ジストとして化学増幅型レジストが注目されている。
【０００３】上記の感光性レジストにて所定パターンの
レジスト膜を形成するには、基板表面にレジスト膜とな
る塗布液を塗布した後、塗布液をホットプレートにて加
熱し膜を形成した後、この膜に所定パターンで光を当
て、レジスト膜がポジ型であれば、光が当らなかった部
分を不溶性部分とし、ネガ型であれば光が当った部分を
不溶性部分として残す。
レジスト膜を形成するには、基板表面にレジスト膜とな
る塗布液を塗布した後、塗布液をホットプレートにて加
熱し膜を形成した後、この膜に所定パターンで光を当
て、レジスト膜がポジ型であれば、光が当らなかった部
分を不溶性部分とし、ネガ型であれば光が当った部分を
不溶性部分として残す。
【０００４】そして、一般的に感光性レジスト膜は急冷
することによって感度が上がるため、従来から加熱用の
ホットプレートの他に、ホットプレートの下流側にクー
ルプレートを配置し、加熱処理後の被処理基板を冷却す
るようにしている。また、化学増幅型レジストの場合は
ＰＥＤ（Post Exposure Delaytime）、即ち、露光後の
引き置き時間の長短によって諸特性が変動することか
ら、ＰＥＤの管理には細心の注意を払うことが重要であ
る。
することによって感度が上がるため、従来から加熱用の
ホットプレートの他に、ホットプレートの下流側にクー
ルプレートを配置し、加熱処理後の被処理基板を冷却す
るようにしている。また、化学増幅型レジストの場合は
ＰＥＤ（Post Exposure Delaytime）、即ち、露光後の
引き置き時間の長短によって諸特性が変動することか
ら、ＰＥＤの管理には細心の注意を払うことが重要であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の熱処理ラインにあってはホットプレートの下流側にク
ールプレートを配置し、加熱処理が終了した被処理基板
をロボットにてクールプレートまで搬送しなければなら
ないため、この搬送中に被処理基板が自然に冷却され、
急冷による感度上昇が阻害される。また、被処理基板を
ホットプレートを内蔵したケースから取り出して、クー
ルプレートまで搬送する間に、基板の面内で温度分布が
不均一になる。特に、化学増幅型レジストにおいては、
加熱から冷却までの時間を極力短くすることが好まし
い。
の熱処理ラインにあってはホットプレートの下流側にク
ールプレートを配置し、加熱処理が終了した被処理基板
をロボットにてクールプレートまで搬送しなければなら
ないため、この搬送中に被処理基板が自然に冷却され、
急冷による感度上昇が阻害される。また、被処理基板を
ホットプレートを内蔵したケースから取り出して、クー
ルプレートまで搬送する間に、基板の面内で温度分布が
不均一になる。特に、化学増幅型レジストにおいては、
加熱から冷却までの時間を極力短くすることが好まし
い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る熱処理装置は、被処理基板の搬入用ま
たは搬出用の開口を除いて密閉されたケース内に被処理
基板を加熱処理するホットプレートを配置し、またケー
ス内でホットプレートよりも下方に被処理基板を冷却処
理するクールプレートを配置した。
め、本発明に係る熱処理装置は、被処理基板の搬入用ま
たは搬出用の開口を除いて密閉されたケース内に被処理
基板を加熱処理するホットプレートを配置し、またケー
ス内でホットプレートよりも下方に被処理基板を冷却処
理するクールプレートを配置した。
【０００７】前記ホットプレートによる処理とクールプ
レートによる処理を切り換えるには、例えばケース内に
設けた昇降手段によって行う。またクールプレートとし
ては表面に被処理基板を吸着するための吸引穴が開口し
たものとすることもできる。
レートによる処理を切り換えるには、例えばケース内に
設けた昇降手段によって行う。またクールプレートとし
ては表面に被処理基板を吸着するための吸引穴が開口し
たものとすることもできる。
【０００８】また、ホットプレートまたはクールプレー
ト表面は、フッ素樹脂等の熱伝導率の小さい材料にて被
覆することで、被処理基板をホットプレート表面に近接
させた際に、被処理基板の熱容量に応じたホットプレー
トまたはクールプレート表面への温度影響を緩和するこ
とができる。
ト表面は、フッ素樹脂等の熱伝導率の小さい材料にて被
覆することで、被処理基板をホットプレート表面に近接
させた際に、被処理基板の熱容量に応じたホットプレー
トまたはクールプレート表面への温度影響を緩和するこ
とができる。
【０００９】更に、ケースに形成する被処理基板の搬入
用または搬出用の開口は、クールプレート寄りの位置に
形成することが好ましい。斯かる位置に開口を形成する
ことで、ケース内温度が安定する。
用または搬出用の開口は、クールプレート寄りの位置に
形成することが好ましい。斯かる位置に開口を形成する
ことで、ケース内温度が安定する。
【００１０】また本発明に係る熱処理方法は、被処理基
板を加熱処理するホットプレートよりも下方に被処理基
板を冷却処理するクールプレートを配置したケース内
に、被処理基板を搬入し、ケース内で被処理基板を昇降
動せしめることで、加熱処理と冷却処理とを切り換える
ようにした。
板を加熱処理するホットプレートよりも下方に被処理基
板を冷却処理するクールプレートを配置したケース内
に、被処理基板を搬入し、ケース内で被処理基板を昇降
動せしめることで、加熱処理と冷却処理とを切り換える
ようにした。
【００１１】ところで、１つのケース内にホットプレー
トとクールプレートを配置した場合、ケース内での温度
分布は、不安定になることは否めない。このような条件
下で確実に熱処理を行うには、ホットプレート表面に存
在する熱力学的な温度境界膜内に被処理基板を置くこと
が望ましい。そのためには、加熱処理中における被処理
基板上面とホットプレート表面またはクールプレート表
面との間隔を１０ｍｍ以下とすることが好ましい。１つ
のケース内下方にホットプレートを、上方にクールプレ
ートを配置した場合、上方に熱が篭り易いので、より精
密な熱処理を行うときには、下方にクールプレートを上
方にホットプレートを配置した方がよい。このようにす
ることにより、ケース内での温度分布を安定化させるこ
とができる。特に、加熱処理においては、ホットプレー
トを被処理基板に囲繞するように補助ヒータを設けるこ
とにより、均一で安定した処理ができ、また、ホットプ
レートと被処理基板との間隔をラフに扱うこともでき
る。
トとクールプレートを配置した場合、ケース内での温度
分布は、不安定になることは否めない。このような条件
下で確実に熱処理を行うには、ホットプレート表面に存
在する熱力学的な温度境界膜内に被処理基板を置くこと
が望ましい。そのためには、加熱処理中における被処理
基板上面とホットプレート表面またはクールプレート表
面との間隔を１０ｍｍ以下とすることが好ましい。１つ
のケース内下方にホットプレートを、上方にクールプレ
ートを配置した場合、上方に熱が篭り易いので、より精
密な熱処理を行うときには、下方にクールプレートを上
方にホットプレートを配置した方がよい。このようにす
ることにより、ケース内での温度分布を安定化させるこ
とができる。特に、加熱処理においては、ホットプレー
トを被処理基板に囲繞するように補助ヒータを設けるこ
とにより、均一で安定した処理ができ、また、ホットプ
レートと被処理基板との間隔をラフに扱うこともでき
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
熱処理装置の断面図であり、熱処理装置１は基台上にケ
ース２を固定し、このケース２内の略中央部に半導体ウ
ェーハやガラス基板等の被処理基板Ｗを冷却処理するク
ールプレート３を、またクールプレート３よりも上方に
被処理基板Ｗを加熱処理するホットプレート４を配置し
ている。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
熱処理装置の断面図であり、熱処理装置１は基台上にケ
ース２を固定し、このケース２内の略中央部に半導体ウ
ェーハやガラス基板等の被処理基板Ｗを冷却処理するク
ールプレート３を、またクールプレート３よりも上方に
被処理基板Ｗを加熱処理するホットプレート４を配置し
ている。
【００１３】ホットプレート４の表面はフッ素樹脂等の
熱伝導率の小さい材料にて被覆されている。クールプレ
ート３の中央部には被処理基板Ｗを吸引して保持するチ
ャック５を設けている。このチャック５は図示しない吸
引装置に接続している。
熱伝導率の小さい材料にて被覆されている。クールプレ
ート３の中央部には被処理基板Ｗを吸引して保持するチ
ャック５を設けている。このチャック５は図示しない吸
引装置に接続している。
【００１４】また、ケース２の底部には上下方向を軸と
したシリンダユニット６を設け、このシリンダユニット
６に支持プレート７を介して昇降手段としての昇降ピン
８を取り付けている。昇降ピン８はクールプレート３を
貫通して上方に伸び、その上端にて被処理基板Ｗの下面
を支持する。
したシリンダユニット６を設け、このシリンダユニット
６に支持プレート７を介して昇降手段としての昇降ピン
８を取り付けている。昇降ピン８はクールプレート３を
貫通して上方に伸び、その上端にて被処理基板Ｗの下面
を支持する。
【００１５】一方、基台の側方には搬送ロボット９を配
置し、この搬送ロボット９との間で被処理基板Ｗを授受
するための搬入・搬出用の開口１０をケース２の側面で
且つクールプレート３に寄った位置に設けている。
置し、この搬送ロボット９との間で被処理基板Ｗを授受
するための搬入・搬出用の開口１０をケース２の側面で
且つクールプレート３に寄った位置に設けている。
【００１６】搬送ロボット９は支柱１１にレール部材１
２を水平面内で所定角度回転自在に取り付け、このレー
ル部材１２に搬送アーム１３を係合し、モータ１４など
の駆動により搬送アーム１３をレール部材１２に沿って
往復動させることにより、未処理の被処理基板Ｗをケー
ス２内に搬入し、処理済みの被処理基板Ｗをケース２内
から搬出するようにしている。
２を水平面内で所定角度回転自在に取り付け、このレー
ル部材１２に搬送アーム１３を係合し、モータ１４など
の駆動により搬送アーム１３をレール部材１２に沿って
往復動させることにより、未処理の被処理基板Ｗをケー
ス２内に搬入し、処理済みの被処理基板Ｗをケース２内
から搬出するようにしている。
【００１７】搬送ロボット９の構造は上記に限定され
ず、使用目的等に応じて任意にその構造を変更すること
ができる。例えば、露光装置と組み合わせて用いる場合
には、図において左側に露光装置を設置し、レール部材
１２を水平面内で１８０°回転可能とすることで、ポス
トエクスポージャベイク（ＰＥＢ）が行える。
ず、使用目的等に応じて任意にその構造を変更すること
ができる。例えば、露光装置と組み合わせて用いる場合
には、図において左側に露光装置を設置し、レール部材
１２を水平面内で１８０°回転可能とすることで、ポス
トエクスポージャベイク（ＰＥＢ）が行える。
【００１８】以上の熱処理装置１を用いて被処理基板Ｗ
に加熱処理と冷却処理を施すには、先ず、未処理の被処
理基板Ｗを搬送ロボット９の搬送アーム１３に乗せてケ
ース２内に差し込む。そして、シリンダユニット６を作
動し、昇降ピン８を上昇させて搬送アーム１３から被処
理基板Ｗを受け取る。
に加熱処理と冷却処理を施すには、先ず、未処理の被処
理基板Ｗを搬送ロボット９の搬送アーム１３に乗せてケ
ース２内に差し込む。そして、シリンダユニット６を作
動し、昇降ピン８を上昇させて搬送アーム１３から被処
理基板Ｗを受け取る。
【００１９】この後、搬送アーム１３を後退させたなら
ば、昇降ピン８を上昇させて被処理基板Ｗをホットプレ
ート４上に近接せしめる。この時、被処理基板Ｗ上面と
ホットプレート４表面との隙間が１０ｍｍ以下になるよ
うにする。
ば、昇降ピン８を上昇させて被処理基板Ｗをホットプレ
ート４上に近接せしめる。この時、被処理基板Ｗ上面と
ホットプレート４表面との隙間が１０ｍｍ以下になるよ
うにする。
【００２０】そして、ホットプレート４による加熱処理
が終了したならば、直ちにシリンダユニット６を作動せ
しめて昇降ピン８を下降させ、被処理基板Ｗをクールプ
レート３に載置する。この時チャック５によって被処理
基板Ｗ下面を吸引することで処理基板Ｗを急冷する。図
２は、本発明に係る熱処理装置の別実施例を示す断面図
である。全体的には図１とほぼ同じであるが、ホットプ
レート４と被処理基板Ｗを囲繞するように補助ヒータ１
５としてリボンヒータを設けた点で図１に示す熱処理装
置とは異なっている。この例にあっては、ホットプレー
ト４と被処理基板Ｗとの間が高温状態が安定して保持さ
れるので、ホットプレート４と被処理基板Ｗとの間隔に
多少バラツキがあっても、加熱処理の信頼性は高い。ま
た補助ヒータ１５はケース２内に限らず、ケース２外で
あっても同様の効果を奏することができる。
が終了したならば、直ちにシリンダユニット６を作動せ
しめて昇降ピン８を下降させ、被処理基板Ｗをクールプ
レート３に載置する。この時チャック５によって被処理
基板Ｗ下面を吸引することで処理基板Ｗを急冷する。図
２は、本発明に係る熱処理装置の別実施例を示す断面図
である。全体的には図１とほぼ同じであるが、ホットプ
レート４と被処理基板Ｗを囲繞するように補助ヒータ１
５としてリボンヒータを設けた点で図１に示す熱処理装
置とは異なっている。この例にあっては、ホットプレー
ト４と被処理基板Ｗとの間が高温状態が安定して保持さ
れるので、ホットプレート４と被処理基板Ｗとの間隔に
多少バラツキがあっても、加熱処理の信頼性は高い。ま
た補助ヒータ１５はケース２内に限らず、ケース２外で
あっても同様の効果を奏することができる。
【００２１】図３は本発明に係る熱処理装置を塗布装置
と組み合わせて被膜形成ラインを構成した例を示す図で
あり、被膜形成ラインは図の左側を上流部とし、この上
流部に被処理基板Ｗの投入部２１を設け、この投入部２
１の下流側に塗布装置２２を配置し、この塗布装置２２
の下流側に順次、減圧乾燥装置２３、被処理基板Ｗのエ
ッジ洗浄装置２４及びホットプレート２５・・・及び本発
明に係る熱処理装置１と搬送ロボット９を配置し、投入
部２１から熱処理装置１に至るまでは搬送装置２６によ
って被処理基板Ｗの前後端の下面を支持した状態で搬送
し、ホットプレート２５・・・間は垂直面内でクランク動
をなす搬送装置２７により被処理基板Ｗの下面を支持し
た状態で各ホットプレート２５…上を順次移し換え、最
終的に熱処理装置１内で温度を調整しつつ被処理基板Ｗ
を取り出し部２８まで搬送するようにしている。
と組み合わせて被膜形成ラインを構成した例を示す図で
あり、被膜形成ラインは図の左側を上流部とし、この上
流部に被処理基板Ｗの投入部２１を設け、この投入部２
１の下流側に塗布装置２２を配置し、この塗布装置２２
の下流側に順次、減圧乾燥装置２３、被処理基板Ｗのエ
ッジ洗浄装置２４及びホットプレート２５・・・及び本発
明に係る熱処理装置１と搬送ロボット９を配置し、投入
部２１から熱処理装置１に至るまでは搬送装置２６によ
って被処理基板Ｗの前後端の下面を支持した状態で搬送
し、ホットプレート２５・・・間は垂直面内でクランク動
をなす搬送装置２７により被処理基板Ｗの下面を支持し
た状態で各ホットプレート２５…上を順次移し換え、最
終的に熱処理装置１内で温度を調整しつつ被処理基板Ｗ
を取り出し部２８まで搬送するようにしている。
【００２２】そして、被処理基板Ｗの表面にレジスト膜
を形成するには、前処理が済んだ被処理基板Ｗに塗布装
置２２によってレジスト塗布液が塗布され、減圧乾燥装
置２３である程度乾燥され、次いでエッジ洗浄装置２４
にてエッジリンスがなされ、この後ホットプレート２５
にてベークされ、更に本発明に係る熱処理装置１にてベ
ークと温度調整がなされる。この後、被処理基板Ｗは露
光機に送られて露光が施され、更に現像が行われる。
を形成するには、前処理が済んだ被処理基板Ｗに塗布装
置２２によってレジスト塗布液が塗布され、減圧乾燥装
置２３である程度乾燥され、次いでエッジ洗浄装置２４
にてエッジリンスがなされ、この後ホットプレート２５
にてベークされ、更に本発明に係る熱処理装置１にてベ
ークと温度調整がなされる。この後、被処理基板Ｗは露
光機に送られて露光が施され、更に現像が行われる。
【００２３】尚、本発明に係る熱処理装置１はレジスト
膜のベークに限定されるものではなく、カラーフィルタ
ー膜の形成や各種熱処理に広く用いることができる。
膜のベークに限定されるものではなく、カラーフィルタ
ー膜の形成や各種熱処理に広く用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る熱処
理装置によれば、被処理基板の搬入用または搬出用の開
口を除いて密閉されたケース内に被処理基板を加熱処理
するホットプレートを配置し、またケース内でホットプ
レートよりも下方に被処理基板を冷却処理するクールプ
レートを配置したので、昇降ピン等の昇降手段により加
熱処理と冷却処理を例えば３秒以内の極めて短い時間内
に行うことができ、したがって、感光性レジスト膜の形
成に用いた場合には、急冷による感度向上を図ることが
できる。特に、化学増幅型レジストのＰＥＢに用いた場
合、ＰＥＢ管理が容易である。
理装置によれば、被処理基板の搬入用または搬出用の開
口を除いて密閉されたケース内に被処理基板を加熱処理
するホットプレートを配置し、またケース内でホットプ
レートよりも下方に被処理基板を冷却処理するクールプ
レートを配置したので、昇降ピン等の昇降手段により加
熱処理と冷却処理を例えば３秒以内の極めて短い時間内
に行うことができ、したがって、感光性レジスト膜の形
成に用いた場合には、急冷による感度向上を図ることが
できる。特に、化学増幅型レジストのＰＥＢに用いた場
合、ＰＥＢ管理が容易である。
【００２５】また、ホットプレート表面をフッ素樹脂等
の熱伝導率の小さい材料にて被覆しておけば、ホットプ
レート表面への温度影響を緩和することができ、更に、
ケースに形成する被処理基板の搬入用または搬出用の開
口を、クールプレート寄りの位置に形成することで、ケ
ース内温度を安定せしめることができる。
の熱伝導率の小さい材料にて被覆しておけば、ホットプ
レート表面への温度影響を緩和することができ、更に、
ケースに形成する被処理基板の搬入用または搬出用の開
口を、クールプレート寄りの位置に形成することで、ケ
ース内温度を安定せしめることができる。
【００２６】また、加熱処理中における被処理基板上面
とホットプレート表面との間隔を１０ｍｍ以下とするこ
とで、安定した熱処理を行うことができる。
とホットプレート表面との間隔を１０ｍｍ以下とするこ
とで、安定した熱処理を行うことができる。
【図１】本発明に係る熱処理装置の断面図
【図２】本発明に係る熱処理装置の別実施例の断面図
【図３】本発明に係る熱処理装置を組み込んだ被膜形成
装置の全体平面図
装置の全体平面図
１…熱処理装置、２…ケース、３…クールプレート、４
…ホットプレート、５…チャック、８…昇降ピン、９…
搬送ロボット、１０…搬入・搬出用の開口、１５…補助
ヒータ、Ｗ…被処理基板。
…ホットプレート、５…チャック、８…昇降ピン、９…
搬送ロボット、１０…搬入・搬出用の開口、１５…補助
ヒータ、Ｗ…被処理基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 - 7/24
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理基板の搬入用または搬出用の開口
を除いて密閉されたケース内に被処理基板を加熱処理す
るホットプレートを、またケース内で前記ホットプレー
トよりも下方に被処理基板を冷却処理するクールプレー
トを配置し、前記ホットプレートによる処理とクールプ
レートによる処理を切り換える昇降手段が設けられたホ
トレジスト用熱処理装置において、前記ホットプレート
による処理はホトレジスト膜の形成であり、前記クール
プレートによる処理は形成したホトレジスト膜の感度上
昇であり、前記ホットプレート表面は、熱伝導率の小さ
い材料にて被覆されていることを特徴とするホトレジス
ト用熱処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のホトレジスト用熱処理装
置において、前記ホットプレートには前記被処理基板を
囲繞するように補助ヒーターを設けたことを特徴とする
ホトレジスト用熱処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板を加熱処理するホットプレー
トと被処理基板を冷却処理するクールプレートとをクー
ルプレートの方がホットプレートよりも下方になるよう
にケース内に配置し、このケース内に被処理基板を搬入
し、ケース内で被処理基板を昇降動せしめることで、加
熱処理と冷却処理とを切り換えるようにしたホトレジス
ト用熱処理方法において、前記加熱処理はホトレジスト
膜の形成であり、前記冷却処理は形成したホトレジスト
膜の感度上昇であり、前記加熱処理中における被処理基
板上面とホットプレート表面との間隔は、昇降手段によ
って１０ｍｍ以下とし、また前記冷却処理中における被
処理基板上面とクールプレート表面との間隔は昇降手段
によって１０ｍｍ以下とすることを特徴とするホトレジ
スト用熱処理方法。 - 【請求項４】 被処理基板を加熱処理するホットプレー
トと被処理基板を冷却処理クールプレートとをクールプ
レートの方がホットプレートよりも下方になるようにケ
ース内に配置し、このケース内に被処理基板を搬入し、
ケース内で被処理基板を昇降動せしめることで、加熱処
理と冷却処理とを切り換えるようにしたホトレジスト用
熱処理方法において、前記加熱処理はホトレジスト膜の
形成であり、前記冷却処理は形成したホトレジスト膜の
感度上昇であり、前記ホットプレート表面をフッ素樹脂
などの熱伝導率の小さい材料で被覆し、前記加熱処理終
了後、前記被処理基板をクールプレート上に載置し、前
記クールプレートに設けられているチャックで被処理基
板を吸引することを特徴とするホトレジスト用熱処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33058897A JP3324974B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33058897A JP3324974B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162804A JPH11162804A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3324974B2 true JP3324974B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=18234340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33058897A Expired - Fee Related JP3324974B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3324974B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3581292B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2004-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| US6891134B2 (en) * | 2003-02-10 | 2005-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Integrally formed bake plate unit for use in wafer fabrication system |
| KR101060452B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2011-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 전기오븐레인지의 탑버너부 |
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| JP2007315627A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 基板熱処理用プレート及び基板熱処理装置 |
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| JPH11162804A (ja) | 1999-06-18 |
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