JP2003347181A - 基板処理装置、基板処理方法および塗布・現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置
において、載置部上で処理された基板と次の基板との入
れ替えに要する時間を短くしてスループットの向上を図
ること 【解決手段】 例えば被処理基板を載置するための基板
載置部の上方に処理前の基板を例えば基板搬送手段から
受け取り待機させる基板待機手段を設け、更には処理後
の基板を基板搬送手段に受け渡すと共に、基板待機手段
から前記処理前の基板を受け取って基板載置部上に載置
する基板昇降部とを備えた構成とする。この場合、先に
搬入されて処理されている基板の処理が終わる前に次の
基板を基板待機手段に搬入しておくことができる。この
ため基板載置部に基板が搬入されるのを待っている時間
が低減されてスループットの低下を抑えることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して所定
の処理を行う基板処理装置、基板処理方法および塗布・
現像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程の一つであるフォ
トレジスト工程においては、例えば半導体ウェハの表面
にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光
し、現像してレジストパターンを形成している。このよ
うな処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・
現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行わ
れる。

【０００３】前記システムの一例について図９を用いて
説明すると、システム１は被処理基板例えば半導体ウェ
ハ（以下ウェハという）Ｗに対して例えば塗布および現
像などの処理を行うためのプロセスステーション１０
と、露光処理を行うための露光ステーション１１とを備
えており、プロセスステーション１０と露光ステーショ
ン１１との間にはインターフェースステーション１２が
設けられている。またプロセスステーション１０には複
数のウェハＷが収納されたカセットを搬入出するための
カセットステーション１３が接続されている。前記イン
ターフェースステーション１２には、レジスト膜が形成
された露光前のウェハＷを露光ステーション１１の雰囲
気温度に予め調整しておくための基板処理装置例えば冷
却装置１４が設けられており、更にはこの冷却装置１４
にて冷却されたウェハＷを露光ステーション１１の搬送
系に受け渡すための搬入ステージ１５と、露光後のウェ
ハＷを受け取るための搬出ステージ１６と、プロセス処
理部１０に搬入出するための受け渡しステージ１７およ
び冷却装置１４の間でウェハＷを搬送するための一枚の
搬送アーム１８を有する搬送手段が設けられている。

【０００４】前記冷却装置１４は図１０に示すように、
その内部に例えば図示しない冷却手段を含むクーリング
プレート１９を備えており、このクーリングプレート１
９を上下に貫通するようにしてウェハＷを裏面側から支
持した状態で昇降可能な図示しない昇降ピンが突没自在
に設けられている。ここで搬送アーム１８によりプロセ
スステーション１０の受け渡しステージ１７から搬送さ
れてくるレジスト膜のベーク処理を終えたウェハＷは、
この搬送アーム１８と前記昇降ピンとの協働作用により
クーリングプレート１９に載置されて所定の温度に冷却
された後、当該搬送アーム１８により取り出されて搬入
ステージ１５に搬送される。また露光処理を終え搬出ス
テージ１６に置かれたウェハＷは前記搬送アーム１８に
より受け渡しステージ１７を介してプロセス処理部１０
に戻されて現像処理が行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のシ
ステムにおいては、搬送アーム１８が温調済みのウェハ
Ｗを露光ステーション１１に渡してプロセスステーショ
ン１０から次のウェハＷを取ってくるまでの間はクーリ
ングプレート１９にウェハＷが載置されておらず、ウェ
ハＷの温調が行われていない。即ち、搬送アーム１８が
露光ステーション１１に温調済みのウェハＷを搬入して
いるとき、あるいは次に温調するウェハＷをプロセスス
テーション１０から受け取ってくる間は、冷却装置１４
はウェハＷの搬入待ちの状態となってしまい、この間冷
却装置１４が実質的に作業をしていないこととなる。ま
たプロセスステーション１０にてレジスト膜が形成さ
れ、ベーク処理されたウェハＷは冷却装置１４にて先行
するウェハＷの冷却処理が終了しても、搬送アーム１８
が冷却後のウェハＷを冷却装置１４から搬入ステージ１
５に搬送し、この搬送アーム１８が受け取りにくるまで
例えば受け渡しステージ１７にて待機していなければな
らない。このような待ち時間が積算されると時間のロス
が大きくなってシステム全体のスループットの低下の要
因となる懸念がある。また搬送アーム１８の数を２枚に
増やせば受け渡しステージ１７からウェハＷを受け取っ
た後、このウェハＷと冷却後のウェハＷとを入れ替えで
きるので搬入待ちの時間を少なくすることはできるが、
搬送手法が複雑化してコスト高になってしまう場合があ
る。

【０００６】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、載置部上で処理された基板と次の基板と
の入れ替えに要する時間を短くしてスループットの向上
を図ることのできる基板処理装置およびその方法を提供
することにあり、更にこの基板処理装置を用いることに
より装置全体のスループットを向上させることのできる
塗布・現像装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置
は、基板載置部に基板を載置して所定の処理を行う基板
処理装置において、基板載置部の上方に設けられ、処理
前の基板を外部から受け取る基板待機手段と、基板載置
部上の処理後の基板を上昇させて外部の搬送手段に受け
渡すと共に、相対的に下降した基板待機手段から前記処
理前の基板を受け取り、下降して基板載置部上に載置す
る基板昇降部と、を備えたことを特徴とする。

【０００８】前記基板待機手段は、例えば基板を支持す
る横方向に開閉自在な一対のアームを備え、この一対の
アームは基板を基板昇降部に受け渡した後、基板昇降部
の下降時に当該基板と干渉しないように開く構成であっ
てもよい。また一対のアームは、例えば下に向かうにつ
れて内側寄りになるように傾斜した斜面部と、この斜面
部の下端から内側に水平に突出した水平面部とを備え、
中心位置の合っていない基板の周縁部が斜面部に案内さ
れて水平面部に落とし込まれて基板の位置合わせ行うよ
うに構成してもよい。更にまた、基板載置部は温度調整
部を備えており、基板に対して行われる処理は基板を所
定温度に調整する処理であってもよい。更には基板載置
部に載置された基板の温度を調整している間に、例えば
基板待機手段が次に温調する他の基板を外部から受け取
るようにしてもよい。

【０００９】本発明の基板処理装置によれば、次に処理
する処理前の基板を受け取る基板待機手段を設けること
により、先に搬入されて処理されている基板の処理が終
わる前に次の基板を搬入しておくことができる。このた
めウェハＷの搬入待ちとなっている時間が低減されてス
ループットの低下を抑えることができる。

【００１０】本発明の塗布・現像装置は、複数枚の基板
を収納したカセットが載置されるカセットステーション
と、前記カセットから搬出された基板にレジスト液を塗
布する塗布ユニット、及び露光後の基板を現像する現像
ユニットを含むプロセスステーションと、このプロセス
ステーションと露光ステーションとの間に介在するイン
ターフェースステーションと、を備えた塗布・現像装置
において、前記インターフェースは、請求項４または５
に記載の基板処理装置と、露光ステーション側の搬送系
に受け渡すための搬出ステージと、プロセスステージで
レジスト膜が形成された基板を受け取って前記基板処理
装置に受け渡し、基板処理装置で温調された基板を受け
取って前記搬出ステージに受け渡す搬送手段と、を備え
たことを特徴とする。

【００１１】本発明の基板処理方法は、基板載置部に基
板を載置して所定の処理を行う基板処理方法において、
処理前の基板を基板待機手段が外部から受け取った後、
下降して基板昇降部に基板を渡す工程と、次いで基板昇
降部が下降して、前記基板を基板載置部に載置する工程
と、基板載置部に載置された前記基板に対して所定の処
理を行う工程と、前記基板を基板昇降部に渡した後に、
次の基板を基板待機手段が外部から受け取って待機させ
る工程と、前記所定の処理がされた後、基板昇降部が上
昇してこの処理後の基板を外部に渡す工程と、処理後の
基板が外部に渡された後、基板待機手段が下降して、待
機していた次の基板を基板昇降部に渡す工程と、次いで
基板昇降部が下降して、前記次の基板を基板載置部に載
置する工程と、基板載置部に載置された前記次の基板に
対して所定の処理を行う工程と、を含むことを特徴とす
る。また基板載置部に載置された基板に対して所定の処
理を行っている間に、基板待機手段が次の基板を外部か
ら受け取るようにしてもよい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の基板処理装置の実施の形
態について説明する前に、この基板処理装置が組み込ま
れるレジストパターン形成システムの一部である塗布・
現像装置の一例の全体について図１および図２を用いて
説明する。図１及び図２中、２１は例えば２５枚の被処
理基板であるウェハＷが収納されたカセットＣ例えばＦ
ＯＵＰカセットを搬入出するためのカセットステーショ
ンであり、このカセットステーション２１には前記カセ
ットＣを載置する載置部２１ａと、カセットＣからウェ
ハＷを取り出すための受け渡し手段２２とが設けられて
いる。カセットステーション２１の奥側には、例えばカ
セットステーション２１から奥を見て例えば右側には塗
布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には
加熱・冷却系等のユニットを多段に積み重ねた棚ユニッ
トＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布
・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４と
の間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡ
が設けられている。但し図１では便宜上受け渡し手段２
２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。

【００１３】塗布・現像系のユニットＵ１においては、
例えば上段には２個の現像ユニット２３が、下段には２
個の塗布ユニット２４が設けられている。棚ユニットＵ
２,Ｕ３,Ｕ４においては、加熱ユニット、冷却ユニッ
ト、ウェハＷの受け渡しユニット、疎水化処理ユニット
等が上下に割り当てされている。

【００１４】この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニッ
トＵ１等が設けられている部分を処理ステーションＳ１
と呼ぶことにすると、当該処理ステーションＳ１はイン
タ−フェイスステーションＳ２を介して露光ステーショ
ンＳ３と接続されている。インタ−フェイスステーショ
ンＳ２は基板搬送手段である搬送アーム３を有する搬送
手段により処理ステーションＳ１の受け渡しユニット２
５と、露光ステーションＳ３側の搬入ステージ２６およ
び搬出ステージ２７との間でウェハＷの受け渡しを行う
ものである。またインタ−フェイスステーションＳ２に
は、後述する本発明の基板処理装置４が設けられてお
り、露光処理前のウェハＷを所定の温度に調整する処理
が行われる。

【００１５】この装置のウェハＷの流れについて説明す
ると、先ず外部からウェハＷが収納されたカセットＣが
載置部２１ａに載置され、受け渡し手段２２によりカセ
ットＣ内からウェハＷが取り出され、棚ユニットＵ３の
棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受
け渡される。次いで棚ユニットＵ３の一の棚の処理部内
にて例えば疎水化処理が行われた後、塗布ユニット２４
にてレジスト液が塗布される。塗布膜が形成されたウェ
ハＷは、加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４に
設けられた冷却ユニットで冷却されて熱の粗取りがなさ
れる。続いてユニットＵ４に設けられた受け渡しユニッ
ト２５（図２では棚ユニットＵ４の中に設けられている
受け渡しユニット２５を示してある）を介して、搬送ア
ーム３がウェハＷを受け取り、基板処理装置４にて例え
ば所定の温度に調整される。しかる後、ウェハＷは搬送
アーム３により搬入ステージ２６に受け渡されて露光ス
テーションＳ３内の搬送系により搬入され、ここでパタ
−ンに対応するフォトマスクを介して露光が行われる。
また搬送アーム３は、露光処理後のウェハＷを搬出ステ
ージ２７から受け取り、受け渡しユニット２５を介して
処理ステーションＳ１の搬送アームＭＡに受け渡され
る。

【００１６】この後ウェハＷは例えば加熱ユニットで所
定温度に加熱された後、例えば冷却ユニットで所定温度
に冷却され、続いて現像ユニット２３に送られて現像処
理がなされてレジスト膜のマスクパターンが形成され
る。しかる後ウェハＷは載置部２１ａ上のカセットＣ内
に戻される。

【００１７】前記基板処理装置４は、本発明の基板処理
装置の一実施の形態をなすものであり、以下にこの基板
処理装置４について図３を用いて説明する。図中４０
は、被処理基板例えばウェハＷを載置するための基板載
置部であるクーリングプレート（冷却板）である。クー
リングプレート４０には、ウェハＷの裏面にパーティク
ルが付着しないようにするために、ウェハＷの裏面がク
ーリングプレート４０の表面から例えば０．１ｍｍ程度
浮かせた状態になるようにしてウェハＷを裏面側から支
持するための突起部４２が設けられている。またクーリ
ングプレート４０の例えば内部には、温度調整部として
の冷却部４１例えば冷媒通流路が設けられており、この
冷却部４１の温調作用によりクーリングプレート４０の
表面が冷却され、その表面とウェハＷとの僅かな隙間を
介して輻射熱によりウェハＷの温度が例えば２３℃に正
確に調整される。なおこのように露光前のウェハＷを所
定の温度に調整するのは、露光されるウェハＷの温度が
処理毎にばらつきがあると、ウェハＷの熱伸縮によりウ
ェハＷが僅かではあるが変形してしまい、その露光処理
にばらつきが生じてしまうことによるものである。

【００１８】またクーリングプレート４０には、基板昇
降部である基板支持ピン４４がクーリングプレート４０
を上下方向に貫通して設けられており、昇降機構４５に
よりウェハＷの裏面を下方向から支持した状態で突没自
在なように構成されている。そしてウェハＷを搬入出す
る際には、基板支持ピン４４と例えば上述の搬送アーム
３との協働作用によりウェハＷがクーリングプレート４
０から搬出されるように構成されている。

【００１９】またクーリングプレート４０の上方側に
は、次に温度調整する処理前のウェハＷを搬送アーム３
から受け取って保持するための開閉自在な一対のアーム
５ａ、５ｂを備えた基板待機手段５が設けられている。
当該アーム５ａ、５ｂは、夫々ウェハＷの一縁側および
他縁側の周縁部を裏面側から支持するための水平面部５
０ａ、５０ｂを備えている。この水平面部５０ａ、５０
ｂは例えば同じ高さ位置に設定されており、ここでウェ
ハＷは略水平姿勢で保持されるように構成されている。
更に水平面部５０ａ、５０ｂの表面には、下に向かうに
つれて内側よりに傾斜し、ウェハＷがこの傾斜に沿って
落とし込まれて水平面部５０ａ、５０ｂの所定の位置に
載置させるように作用するアライメント（位置合せ）用
の斜面部５１ａ、５１ｂがウェハＷの周縁の外方側を囲
むようにして夫々形成されている。

【００２０】更に前記アーム５ａ、５ｂは、夫々支持部
材５２ａ、５２ｂと接続されており、これら支持部材５
２ａ、５２ｂの一端側は開閉機構５３により水平方向に
開閉できるように構成されている。即ち、この支持部材
５２ａ、５２ｂが開閉機構５３より横方向に移動するこ
とにより、水平面部５０ａ、５０ｂが左右方向の所定の
位置に設定可能なように構成されている。更には、前記
開閉機構５３は昇降機構５４に組み合わせて設けられて
おり、水平面部５０ａ、５０ｂがウェハＷを略水平姿勢
に保持した状態で昇降可能なように構成されている。更
にまた、基板処理装置４は図示しない制御部を備えてお
り、この制御部は例えば搬送アーム３の動作に合わせて
昇降機構４５、開閉機構５３、昇降機構５４、更には冷
却部４１の動作を制御する機能を有する。

【００２１】上述のような基板処理装置４を用いてウェ
ハＷを温調する工程について図５、図６を用いて説明す
る。先ず図５（ａ）に示すように、基板待機部５のアー
ム５ａ、５ｂがウェハＷを受け入れ可能な状態でクーリ
ングプレート４０の上方側に設定されると共に、基板支
持ピン４４が昇降機構４５により上昇位置に設定されて
待機されている。ここで図５（ｂ）に示すように、プロ
セスステーションＳ１にてレジスト膜が形成されてベー
ク処理がなされたウェハＷが、搬送アーム３により搬送
されて基板待機部５の上方側に進入し、次いで搬送アー
ム３と基板待機部５との協働作用によりウェハＷが搬送
アーム３から基板待機部５に渡される。

【００２２】ここで搬送アーム３から基板待機部５にウ
ェハＷが渡されるときの様子について図７を用いて詳し
く説明する。但し、ここでは基板受け部５０のアライメ
ント機能についても併せて述べるため、例えばウェハＷ
が搬送アーム３の搬送精度やウェハＷの受け取り先のユ
ニットのセンタリング精度が悪かったなどの理由により
搬送アーム３上の所定の位置に保持されていない状態で
搬入された場合を想定して説明する。なお、この場合の
所定の位置に設定されていないとは、例えばウェハＷの
中心が予定とする中心位置から外れて保持されているこ
とを意味する。先ず搬送アーム３から基板待機部５にウ
ェハＷが渡される際に、ウェハＷを保持した搬送アーム
３が下降していくと、この例では図の左側方向に寄って
いるウェハＷが下降していくと、ウェハＷの周縁部と斜
面部５１ａとが接触する。ここでウェハＷは斜面部５１
ａの傾斜面に沿って横方向（図の右側方向）に移動して
所定の載置位置に近づきながら下降していく。そして搬
送アーム３が更に下降して基板待機部５の水平面部５０
ａ、５０ｂを通過したときに、搬送アーム３から基板待
機部５の水平面部５０ａ、５０ｂの所定の位置にウェハ
Ｗが載置される。なお、図７においては、発明を分かり
易くするため、斜面部５１ａ、５１ｂなどを実際よりも
大きく記載している。

【００２３】続いて説明を図５に戻すと、図５（ｃ）に
示すように、上述のようにして基板待機部５がウェハＷ
を受け取った後、搬送アーム３が後退すると、先に図５
（ａ）に示すように、基板支持ピン４４が昇降機構４５
により上昇して上昇位置に設定されて待機されている。
次いで図５（ｄ）に示すように、基板待機部５が昇降機
構５４によりウェハＷを保持した状態で下降して、前記
上昇位置にある基板支持ピン４４のピン先端高さを通過
するときに基板受け部５０上のウェハＷが基板支持ピン
４４に渡される。続いて図５（ｅ）に示すように、基板
待機部５の各受け部５０ａ、５０ｂが左右に開くように
して水平移動し、ウェハＷと干渉しないように例えばウ
ェハＷの外周縁よりも外側の位置に設定される。更に続
いて図５（ｆ）に示すように、基板支持ピン４４が下降
してクーリングプレート４０にウェハＷが載置され、ウ
ェハＷの温度調整（冷却処理）が開始される。一方、基
板待機部５は上昇して上昇位置に設定される。そして図
６（ｇ）に示すように、アーム５ａ、５ｂが閉じるよう
にして水平移動し、既述の図５（ａ）に示したウェハＷ
の受け入れ可能な状態に設定される。

【００２４】ここで次のウェハＷが棚ユニットＵ４の受
け渡しユニット２５に載置されると、例えば搬送アーム
３が受け渡しユニット２５から当該ウェハ（温調前のウ
ェハ）Ｗを受け取り、図６（ｈ）（ｉ）に示すように基
板待機部５に受け渡す。この温調前のウェハＷは、例え
ば先に搬入されたウェハＷが所定の温度に調整されて搬
出されるまでの間、ここで待機状態になる。なお搬送ア
ーム３が受け渡しユニット２５に温調前のウェハＷを受
け取りに行くタイミングは、クーリングプレート４０に
てウェハＷが所定の温度に温調された後であってもよ
く、搬送アーム３は露光後のウェハＷを例えばインター
フェースステーションＳ３内の図示しない周辺露光部を
介して受け渡しユニット２５に受け渡す作業や、プロセ
スステーションＳ１および露光ステーションＳ２での処
理のタイミングがずれたときに図示しないバッファカセ
ット内にウェハＷを一旦保管する作業なども行うため、
温調前のウェハＷの搬送のタイミングはこれらの作業の
タイミング等を考慮して決められる。いずれにしても搬
送アーム３は、温調前のウェハＷを受け渡した後、温調
後のウェハＷを次のようにして基板処理装置４から受け
取る。即ち、図６（ｊ）に示すように、基板支持ピン４
４が上昇してウェハＷを上昇位置に設定する。続いて図
６（ｋ）に示すように、搬送アーム３が基板支持ピン４
４上の前記ウェハＷの下方側に進入し、基板支持ピン４
４と搬送アーム３との協働作用によりウェハＷが搬送ア
ーム３に渡されて搬出される。こうしてウェハＷが搬出
されると、図６（ｌ）に示すように、上述の図５（ｃ）
に示した状態と同じとなり、再度（ｄ）からの動作が行
われてウェハＷの繰り返し処理が行われる。

【００２５】上述の実施の形態においては、次に温調す
るウェハＷを受け取って待機させる基板待機手段５を設
ける構成とすることにより、先に搬入されたウェハＷの
温調処理を行っているときであっても、次の温調前のウ
ェハＷを搬入しておくことができ、更には搬送アーム３
が別の場所で作業例えば温調済みのウェハＷを別の場所
に移送している間にこの温調前のウェハＷをクーリング
プレート４０に載置して温調を開始することができる。
即ち、先に搬入されたウェハＷの温調処理が終わるのを
待ってから、更には温調済みのウェハＷを搬送アーム３
により別の場所に移してから次のウェハＷを取ってきて
クーリングプレート４０に載置するといったウェハＷの
搬入出における余分な動作を少なくすることができる。
このため基板処理装置４がウェハＷの搬入待ちとなって
いる時間が減るのでスループットの低下を抑えることが
できる。

【００２６】更に本例においては、次に温調するウェハ
Ｗをクーリングプレート４０の上方側で待機させる構成
とすることにより、上述のように先に搬入されたウェハ
Ｗの処理が終了する前に次の温調前のウェハＷを搬入す
ることができると共に、この場合には先に搬入されたウ
ェハＷに対する冷却部４１の温調動作の輻射熱により、
次に温調するウェハＷもある程度冷却しておくことがで
きる。このためウェハＷがクーリングプレート４０に載
置されてから所定の温度に達するまでの時間を短縮する
ことができる。このため既述した搬入出における余分な
動作の低減作用と温調時間の短縮作用が相俟って高いス
ループットを実現できる。

【００２７】更にまた、本実施の形態においては、基板
待機手段５にアライメント機能を設けたことにより、セ
ンターリング精度が高くなったので、クーリングプレー
ト４０の所定の場所にウェハＷを載置することができ
る。即ち、処理毎にウェハＷを高い精度でクーリングプ
レート４０の所定の位置、つまり同じ位置に載置するこ
とができるので、ウェハＷの処理毎の温調精度を均一に
することができる。

【００２８】本発明においては、基板待機手段５は、一
対のアーム５ａ、５ｂを設ける構成に限られず、図８に
示すように、例えば既述の水平面部および斜面部と同様
の構成である２組目の一対のアーム５ｃ、５ｄを設けた
構成であってもよい。このような構成であっても、例え
ばクーリングプレート４０上でウェハＷが温調されてい
る間に１組目のアーム５ａ、５ｂが他のウェハＷを受け
取り、続いて２組目の２のアーム５ｃ、５ｄが更に他の
ウェハＷを受け取る。そしてクーリングプレート４０か
らウェハＷが搬出されると１組目のアーム５ａ、５ｂが
前記他のウェハＷをクーリングプレート４０上に載置し
た後、アーム５ｃ、５ｄを跨ぐようにしてその上方側に
移動し、その次のウェハＷを受け取ることができ、上述
の場合と同様の効果を得ることができる。

【００２９】また本発明においては、ウェハＷの温調設
定を例えばクリーンルームよりも高い温度に設定し、冷
却部４１によりウェハＷを加熱するようにしてもよい。
更に本発明の基板処理装置４は、インターフェースステ
ーションＳ２に設ける構成に限られず、例えば棚ユニッ
トＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４のいずれかに設けるようにし
てもよい。この場合であっても上述の場合と同様の効果
を得ることができるし、冷却部４１をオーブンプレート
にしてもよい。更にまた、本発明は被処理基板に半導体
ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用
レチクル基板の処理にも適用できる。

【００３０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、載置部上
で処理された基板と次の基板との入れ替えに要する時間
を短くすることができるので、基板処理装置あるいは塗
布・現像装置のスループットの向上を図ることのでき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布・現像装置を示す斜視図である。

【図２】本発明の塗布・現像装置を示す平面図である。

【図３】本発明の基板処理装置を示す縦断面図である。

【図４】本発明の基板処理装置の基板待機手段を示す斜
視図である。

【図５】本発明の基板処理装置を用いた基板の処理の工
程を示す説明図である。

【図６】本発明の基板処理装置を用いた基板の処理の工
程を示す説明図である。

【図７】前記基板処理装置の基板待機手段のアライメン
ト作用を示す説明図である。

【図８】本発明の基板処理装置の他の基板待機手段を示
す説明図である。

【図９】従来の基板処理装置を組み込んだ塗布・現像装
置の一例を示す平面図である。

【図１０】従来の基板処理装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

Ｗ ウェハ Ｓ１ 処理ステーション Ｓ２ インターフェースステーション Ｓ３ 露光ステーション ４０ クーリングプレート ４１ 冷却部 ４４ 基板支持ピン ５ 基板待機手段 ５ａ、５ｂ アーム ５０ａ、５０ｂ 水平面部 ５１ａ、５１ｂ 斜面部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板載置部に基板を載置して所定の処理
   を行う基板処理装置において、 基板載置部の上方に設けられ、処理前の基板を外部から
   受け取る基板待機手段と、 基板載置部上の処理後の基板を上昇させて外部の搬送手
   段に受け渡すと共に、相対的に下降した基板待機手段か
   ら前記処理前の基板を受け取り、下降して基板載置部上
   に載置する基板昇降部と、を備えたことを特徴とする基
   板処理装置。
2. 【請求項２】 基板待機手段は、基板を支持する横方向
   に開閉自在な一対のアームを備え、この一対のアームは
   基板を基板昇降部に受け渡した後、基板昇降部の下降時
   に当該基板と干渉しないように開くことを特徴とする請
   求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 一対のアームは、下に向かうにつれて内
   側寄りになるように傾斜した斜面部と、この斜面部の下
   端から内側に水平に突出した水平面部とを備え、中心位
   置の合っていない基板の周縁部が斜面部に案内されて水
   平面部に落とし込まれて基板の位置合わせ行うように構
   成したことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 基板載置部は温度調整部を備えており、
   基板に対して行われる処理は基板を所定温度に調整する
   処理であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
   かに記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 基板載置部に載置された基板の温度を調
   整している間に、基板待機手段が次に温調する他の基板
   を外部から受け取ることを特徴とする請求項４記載の基
   板処理装置。
6. 【請求項６】 複数枚の基板を収納したカセットが載置
   されるカセットステーションと、 前記カセットから搬出された基板にレジスト液を塗布す
   る塗布ユニット、及び露光後の基板を現像する現像ユニ
   ットを含むプロセスステーションと、 このプロセスステーションと露光ステーションとの間に
   介在するインターフェースステーションと、を備えた塗
   布・現像装置において、 前記インターフェースは、請求項４または５に記載の基
   板処理装置と、露光ステーション側の搬送系に受け渡す
   ための搬出ステージと、プロセスステージでレジスト膜
   が形成された基板を受け取って前記基板処理装置に受け
   渡し、基板処理装置で温調された基板を受け取って前記
   搬出ステージに受け渡す搬送手段と、を備えたことを特
   徴とする塗布・現像装置。
7. 【請求項７】 基板載置部に基板を載置して所定の処理
   を行う基板処理方法において、 処理前の基板を基板待機手段が外部から受け取った後、
   下降して基板昇降部に基板を渡す工程と、 次いで基板昇降部が下降して、前記基板を基板載置部に
   載置する工程と、 基板載置部に載置された前記基板に対して所定の処理を
   行う工程と、 前記基板を基板昇降部に渡した後に、次の基板を基板待
   機手段が外部から受け取って待機させる工程と、 前記所定の処理がされた後、基板昇降部が上昇してこの
   処理後の基板を外部に渡す工程と、 処理後の基板が外部に渡された後、基板待機手段が下降
   して、待機していた次の基板を基板昇降部に渡す工程
   と、 次いで基板昇降部が下降して、前記次の基板を基板載置
   部に載置する工程と、基板載置部に載置された前記次の
   基板に対して所定の処理を行う工程と、を含むことを特
   徴とする基板処理方法。
8. 【請求項８】基板載置部に載置された基板に対して所定
   の処理を行っている間に、基板待機手段が次の基板を外
   部から受け取ることを特徴とする請求項７記載の基板処
   理方法。