JP3457900B2 - 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、被処理基板を加
熱処理するための基板熱処理装置に関し、特に、レジス
ト液が塗布された基板を加熱しベーキング処理を行なう
ための基板熱処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示ディスプレイ（ＬＣＤ）装置の
製造工程においては、ＬＣＤ基板上に、例えばＩＴＯの
薄膜や電極パターン等を形成する。このために、半導体
製造工程において用いられるのと同様なフォトリソグラ
フィ技術が用いられる。

【０００３】すなわち、被処理体であるＬＣＤ基板は、
まず、洗浄装置において洗浄された後、アドヒージョン
処理装置において処理面の疎水化処理が施される。そし
て、レジスト塗布装置においてフォトレジスト液が成膜
された後、熱処理装置において加熱（ベーキング処理）
されることによりレジスト液膜から溶剤等の昇華物を蒸
発させる。ついで、このＬＣＤ基板は露光装置に搬送さ
れ、レジスト液膜を所定のパターンに露光され、最後
に、現像装置において現像液を塗布され現像処理された
後、リンス液等によって現像液を洗い流され、一連の処
理を終了する。

【０００４】上記のような処理において、前記ベーキン
グ処理は、加熱ヒータが埋め込まれてなるホットプレー
トと称される加熱台を内蔵する基板熱処理装置によって
行われる。この熱処理装置のホットプレートには、前記
被処理基板をこの加熱台上に受け渡して加熱処理を行な
わせるための移載ピンが突没自在に設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、例え
ば開口率を上げて高視野化を図るいわゆるスーパーＴＦ
Ｔ液晶ディスプレイ等の導入に伴い、ＬＣＤ基板に形成
されるパターンが微細化・高精細化されている。これに
伴って、いわゆる「転写」の問題がクローズアップされ
ている。

【０００６】転写とは、フォトリソグラフィ処理、主に
熱処理中に、何らかの原因によってレジスト塗布膜に量
的・質的なばらつきが生じることをいう。この転写が生
じる原因は未だ明らかでないが、少なくともレジスト液
塗布後の基板を上記のような構成の熱処理装置に受け渡
した場合、前記移載ピンと基板との温度差によって、こ
の移載ピンで保持した部分の表側に塗布されたレジスト
液の膜厚に影響を及ぼし、これが転写の一因になること
が分かっている。

【０００７】前述したようにＬＣＤ基板上に形成される
パターンが微細化、高精細化されるにしたがって、従来
問題にならなかった温度環境においても転写の問題が生
じている。

【０００８】特にＬＣＤの場合、完成品において、前記
膜厚変動部位がいわゆる「転写跡」となって残り、ガラ
ス基板を通して目視されるため、この転写の発生を有効
に防止する手段が求められている。また、大面積のＬＣ
Ｄの場合、温度差によって生じる反りの問題にも対処す
る必要がある。

【０００９】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、反りや転写
の発生を有効に防止できる基板熱処理装置を提供するこ
とにある。

【００１０】また、この発明の更なる別の目的は、スル
ープットの低下をきたすことなく反りや転写の発生を有
効に防止できる基板熱処理装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明は、被処理基板を加熱処理する加熱台と、
水平に張架された複数本のワイヤを有し、このワイヤ上
に前記被処理基板を保持し、前記加熱台上に移載する移
載手段と、前記被処理基板の製品形成領域外の部分を保
持するように、前記ワイヤの張架位置を移動できるワイ
ヤ移動機構と、を有することを特徴とする基板熱処理装
置を提供する。また、上記課題を解決するため、この発
明は、水平に張架された複数本のワイヤ上に被処理基板
を載置する工程と、被処理基板が載置された前記ワイヤ
を加熱台の方向へ移動させて被処理基板を加熱台に載置
又は近接させることにより被処理基板を熱処理する工程
と、を有することを特徴とする基板熱処理方法を提供す
る。

【００１２】この基板熱処理装置は、特に、前記被処理
基板として、上面にレジスト液が塗布された基板を処理
する場合に、より好ましい作用効果を奏する。より具体
的には、レジスト液塗布後に行われるベーキング処理に
用いられることが好ましい。

【００１３】このような構成によれば、熱処理における
基板移載手段として、小さい接触幅で基板を保持できる
ワイヤを採用することによって、この移載手段が基板と
の接触幅の大きさに応じて基板へ及ぼす温度差の影響を
極力小さくすることができる。このことにより、基板と
移載手段との温度差によって生じる基板の反り等の影響
を有効に防止できる。

【００１４】また、特に、レジスト液の塗布工程を密閉
した空間内で行なう場合、熱処理工程導入前におけるレ
ジスト液中の溶剤等の揮発量は少ないため、この被処理
基板を温度差の大きい熱処理装置の移載手段にいきなり
受け渡すとその温度変化によって支持された部分と支持
されていない部分とに温度差生じ、この温度差によって
レジスト膜厚が変動し、これがいわゆる「転写跡」の原
因になる恐れが高い。

【００１５】この発明によれば、移載手段としてワイヤ
を採用することによってこのような事態を有効に防止で
きるから、特にＬＣＤ製造装置において非常に高い効果
が得られる。

【００１６】なお、前記ワイヤの径は、ワイヤと被処理
基板の温度差が被処理基板の上面に塗布されたレジスト
液膜の膜厚に変化を生じさせない大きさに定めて形成さ
れていることが必要であり、具体的には、０．１〜０．
８ｍｍに形成されていることが好ましい。

【００１７】また、前記加熱台上には、前記ワイヤを収
納する収納溝が形成されていることが好ましい。被処理
基板としてレジスト液塗布後の基板を処理する場合に
は、この収納溝は、前記ワイヤを収納した後の寸法が、
前記基板の表面に塗布されたレジスト液膜への影響を及
ぼさない大きさに形成されていることが必要である。

【００１８】さらに、前記ワイヤの張架位置を移動でき
るワイヤ移動機構を採用することが好ましい。ＬＣＤ基
板を処理する場合、製品形成領域外の部分を保持するよ
うにすれば、「転写」の影響を最小限に止めることが可
能になる。

【００１９】また、この場合、製品領域のデータに基づ
いてワイヤの移動量を決定し、この決定手段の決定に基
づいてワイヤを移動させるようにすればより好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、この発明に係る熱処理装置
の一実施形態を、図１に示すＬＣＤ基板の塗布現像処理
システム１に適用した場合を例にとって説明する。

【００２１】この塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基
板に対してレジスト液を塗布した後、図に２で示す露光
システム（ＥＸＰ）に一旦受け渡し、この露光システム
２によって露光処理された後の基板を再度受け取って現
像処理を行なうものである。

【００２２】このような一連の処理を行なうため、この
塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板のローディング
及びアンローディングを行なうためのローダ／アンロー
ダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行なうための第
1プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティング）
及び周縁レジスト除去処理を行なうための第２プロセス
部５と、現像処理を行なうための第３プロセス部６と、
露光システム２との間で基板の受け渡しを行なうための
インターフェース部（Ｉ／Ｆ）７とを備えている。

【００２３】ローダ／アンローダ部３は、カセット載置
台１０及び搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を備えている。カセッ
ト載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置
されている。第１のカセットＣ１には処理前のＬＣＤ基
板が収納され、第２のカセットＣ２には処理後のＬＣＤ
基板が収納される。

【００２４】また、搬送部１１には、第1のサブアーム
機構１３が設けられている。この第1のサブアーム機構
１３は、基板を保持できるアーム１４を有し、このアー
ム１４を旋回させ進退させることで、第１のカセットＣ
１に収納された基板を取り出し、第１のプロセス部４側
に受け渡せるようになっている。なお、全ての処理が終
了した基板は、この第１のサブアーム機構１３によって
第１のプロセス部４側から第２のカセットＣ２へと収納
される。

【００２５】前記第１のプロセス部４は、前記第１のサ
ブアーム機構１３から基板を受け取る第１のメインアー
ム機構１５を有する。このメインアーム機構１５は、Ｙ
方向に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行
するベース１７と、このベース１７上で旋回しかつ進退
駆動されるアーム１８とを具備する。

【００２６】この第１のメインアーム機構１５の側方に
は、中央搬送路１６に沿って、ブラシスクラバからなる
２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）１９、ホットプレートを
備える加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）２０、紫外線
洗浄装置からなる乾式洗浄ユニット（ＵＶ）２１、およ
びクーリングプレートを備える冷却ユニット（ＣＯＬ）
２２がそれぞれ設けられている。

【００２７】ここで、「加熱／加熱ユニット（ＨＰ／Ｈ
Ｐ）」の表記は、ホットプレートを有する加熱ユニット
が例えば上下２段に積み上げて設置されていることを示
している（以下同じ）。また、図中、加熱ユニットを表
すＨＰ及び冷却ユニットを表すＣＯＬの後に付された数
字（「ＨＰ<U>１</U>」や「ＣＯＬ<U>１</U>」等）は、
加熱処理若しくは冷却処理の種類若しくは順序を示して
いる。

【００２８】前記第１のメインアーム機構１５は、前記
ローダ／アンローダ部３から受け取った基板を各処理ユ
ニット１９〜２０に挿入し、必要な処理を行なわせた
後、この基板を取り出して順次別の処理ユニット１９〜
２０若しくは第２のプロセス部５に搬送するようになっ
ている。

【００２９】一方、第２のプロセス部５は、Ｙ方向に沿
って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２
のメインアーム機構２４を具備する。この第２のメイン
アーム機構２４は、前記第１のメインアーム機構１５と
同様に構成されたベース２５及びアーム２６を有する。

【００３０】また、この第２のメインアーム機構２４の
側方には、基板に対してレジストの塗布を行なうと共に
周縁部の不要レジストを除去するレジスト塗布・周辺レ
ジスト除去ユニット（ＣＴ／ＥＲ）２８と、基板表面の
疎水化処理を行なうためのアドヒージョン／冷却ユニッ
ト（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ
／ＨＰ）３０、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３
１が配置されている。

【００３１】前記第２のメインアーム機構２４は、前記
第１のプロセス部４から受け取った基板を各処理ユニッ
ト２８〜３１に挿入し、必要な処理を行なわせた後、こ
の基板を取り出して順次別の処理ユニット２８〜３１若
しくは第３のプロセス部６側に搬送するようになってい
る。

【００３２】第３のプロセス部６は、Ｙ方向に沿って延
設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメイ
ンアーム機構３４を具備する。この第３のメインアーム
機構３４は、前記第１、第２のメインアーム機構１５と
同様に構成されたベース３５及びアーム３６を有する。

【００３３】この第３のメインアーム機構３４の側方に
は、露光処理後のＬＣＤ基板を現像処理するための３つ
の現像処理ユニット（ＤＥＶ）３８と、タイトリングを
行なうタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）３９と、加熱／加熱
ユニット（ＨＰ／ＨＰ）４０と、加熱／冷却ユニット
（ＨＰ／ＣＯＬ）４１とが配設されている。

【００３４】前記第３のメインアーム機構３４は、前記
第２のプロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済み
の基板を露光システム２側（インターフェース部７）に
移送すると共に、前記露光済みの基板を露光システム２
側から受け取る。そして、この露光済み基板を各処理ユ
ニット３８〜４１に挿入し、必要な処理を行なわせた
後、この基板を取り出して順次別の処理ユニット３８〜
４１若しくは第２のプロセス部５側に搬送するようにな
っている。

【００３５】なお、この図に示されるように、第１、第
２、第３のプロセス部４、５、６間には冷却ユニット
（ＣＯＬ）４２、４３が設けられている。これらの冷却
ユニット４２、４３は処理中の基板を一次的に待機させ
ておくために用いられる。

【００３６】また、前記インターフェース部７は、バッ
ファーカセット（ＢＣ）及び第２のサブアーム機構４６
を有する搬送・待機部４７及び前記第２のサブアーム機
構４６と露光システム２との間での基板受け渡しを行な
わせるための受け渡し台（図示せず）を有する受け渡し
部４９とからなる。

【００３７】このインターフェース部７は、前記第２の
プロセス部５から前記第３メインアーム機構３４を介し
て受け取ったレジスト塗布済みの基板を露光システム２
側に移送すると共に、露光済みの基板を露光システム２
から受け取って第３のプロセス部６に受け渡す機能を有
する。

【００３８】次に、上記のように構成される塗布現像処
理システムにおける処理手順を図２のフローチャートを
参照して説明する。なお、フローチャート内の英字記号
は図１の同符号が付されたユニットで行われることを意
味している。

【００３９】まず、前記載置台１０上の第１のカセット
Ｃ１内に収納された未処理の基板は前記ローダ／アンロ
ーダ部３から前記搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１の
プロセス部４の第１のメインアーム機構１５に受け渡さ
れる（ステップＳ１，Ｓ２）。ついで、この基板は、乾
式洗浄装置（ＵＶ）２１によって紫外線洗浄され（ステ
ップＳ３）、その後前記冷却ユニット２２によって第１
の冷却（ＣＯＬ１）が行われる（ステップＳ４）。

【００４０】次いで前記湿式洗浄装置１９によってブラ
シ洗浄（ＳＲＣ）が行われたならば、前記加熱ユニット
２０による第１の加熱処理（ＨＰ１）によって加熱乾燥
された後（ステップＳ６）、前記冷却ユニット２１によ
る第２の冷却処理によって冷却される（ステップＳ
７）。ついで、この基板は第１のメインアーム機構１５
から第２のプロセス部５の第２のメインアーム機構２４
に受け渡される。

【００４１】第２のプロセス部５に受け渡された基板
は、アドヒージョン処理ユニット２９によって表面の疎
水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第３
の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ９）。
ついで、疎水化処理後の基板は、レジスト液塗布／周縁
レジスト除去装置２８に導入されレジスト塗布（ＣＴ）
及び基板周縁の不要なレジスト液の除去（ＥＲ）が行わ
れる。

【００４２】このレジスト液の塗布は、スピンコータと
称される装置によって行われる。このスピンコーター
は、密閉されたカップ内にＬＣＤ基板を収容し、この基
板の表面にレジスト液を供給しつつ前記カップごと高速
回転させることで、レジスト液の成膜を行うものであ
る。

【００４３】このように基板を回転させながらレジスト
液を塗布する手法は、半導体ウエハ上に回路パターンを
形成する場合にも採用されている。しかし、ＬＣＤの製
造においては、ＬＣＤ基板が大型でかつ矩形であること
からウエハと比較して均一なレジスト膜の形成が難しい
ということがある。

【００４４】特に、４つの角部は中心から距離があるた
め、この部分の周速はかなり高速になり、基板の周囲に
乱気流が発生するという不具合が生じる可能性がある。
また、基板の角部にまでレジスト液を均一に拡散させる
には、レジスト液中に含まれる溶剤の揮発をできるだけ
防止して、拡散速度を一定にする必要がある。このた
め、ＬＣＤ基板製造装置においては、基板のみを回転さ
せるのではなく、この基板を密閉収容するカップごと高
速で回転させることで、溶剤の揮発及び乱気流の発生を
防止するようにしている。

【００４５】一方、周縁レジストの除去は、基盤の縁部
で盛り上がったレジスト膜を、エッジリムーバーと称さ
れるツールを用いて除去するものである。

【００４６】このように処理された基板は、前記加熱ユ
ニット３０、３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ
２）が施される(ステップＳ１１）。このことによっ
て、基板に塗布されたレジスト液に含まれる溶剤を揮発
させる。ついで、この基板を冷却ユニット３１に挿入
し、略室温にまで冷却（ＣＯＬ４）する（ステップＳ１
２）。ついで、この基板は、前記第２のメインアーム機
構２４から第３のメインアーム機構３４を介してインタ
ーフェース部７に搬送され、露光システム２に受け渡さ
れる（ステップＳ１３）。そして、この露光システム２
において露光処理（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１
４）。

【００４７】露光処理が行なわれた基板は、前記インタ
ーフェース部７、第３のメインアーム機構３４を介して
タイトラー３９に挿入されタイトリング処理が行なわれ
る（ステップＳ１５）。

【００４８】その後、基板は現像処理装置３８に導入さ
れ、現像処理（ＤＥＶ）が行われる（ステップＳ１
６）。この現像処理ユニット３８は、基板上に現像液を
供給しながら基板を回転させることで現像を行ない、リ
ンス液で現像液を洗い流した後、振り切り乾燥を行な
う。

【００４９】最後に、この基板は、この基板に対向する
加熱／加熱ユニット４０もしくは加熱／冷却ユニット４
１に挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱
乾燥された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（Ｃ
ＯＬ５）により冷却される（ステップＳ１８）。

【００５０】以上の処理全てが終了した基板は、前記第
３のメインアーム機構３４から、前記第２、第１のメイ
ンアーム機構２４、１５を介して前記搬送部１１（Ｃ／
Ｓ）に設けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡さ
れる（ステップＳ１９）。そして、この第１のサブアー
ム機構１３によって前記ローダ／アンローダ部１０に載
置された第２のカセットＣ２内に収容される（ステップ
Ｓ２０）。

【００５１】次に、上記塗布現像システムに使用される
この発明の熱処理装置の構成を図３（ａ）、（ｂ）およ
び図４を参照して説明する。

【００５２】この熱処理装置は、例えば、前記第２のプ
ロセス部５（図１）の加熱処理ユニット（ＨＰ２）３
０、３１として用いられ、レジスト液の塗布された基板
を加熱処理（ベーキング処理）することによってこのレ
ジスト液に含まれた溶剤を揮発させ乾燥させるために用
いられる。

【００５３】そして、この発明の熱処理の特徴は、図４
に６１で示すＬＣＤ基板を、それぞれ一対のポール６２
間に水平に張架された３本の細径ワイヤ６３上で保持
し、図に６０で示すホットプレート上に移載するように
したことにある。小さい接触幅でＬＣＤ基板６１を保持
できるワイヤ６３を基板移載手段として採用することに
より、このＬＣＤ基板６１が急加熱されることを防止
し、基板６１の反りや、いわゆる「転写跡」の発生を有
効に防止する。このような機能を奏するため、以下の構
成を有する。

【００５４】まず、この熱処理装置は、図３（ａ）に示
すように、前記第２のメインアーム機構２４によって基
板６１の出し入れを行なうための開口部６４が設けられ
てなる本体６５を有する。この本体６５内には、上面に
基板６１を保持し本加熱を行なうための前記ホットプレ
ート６０がこの本体６５の底面から立設されたフレーム
６７上に固定されている。このホットプレート６０は例
えばアルミニウム合金等で形成され、その内部には加熱
ヒータ６８が埋設されている。

【００５５】この加熱ヒータ６８は、図示しないヒータ
加熱温度制御部によって温度制御され、前記ホットプレ
ート６０を例えば１２０℃〜１５０℃の高温に加熱する
ようになっている。

【００５６】また、この本体６５内には、加熱される基
板６１を保持するためのワイヤ６３と、このワイヤ６３
を一定のテンションを与え状態で水平に架設する一対の
ポール６２と、このポール６２の基端部を保持するホル
ダ７１と、このホルダ７１を介して上記ワイヤを上下駆
動するための昇降機構７２とが設けられている。

【００５７】前記ワイヤ６３は例えば径０．１ｍｍ〜
０．５ｍｍ程度の細径のステンレス鋼からなる。このワ
イヤ６３の径は、このワイヤ６３でＬＣＤ基板６１を保
持した際に転写の原因となるレジスト膜厚変動を生じさ
せないような寸法以下で任意に決定される。

【００５８】すなわち、レジストの膜厚変動の一因は、
基板６１をワイヤ６３に受け渡す際の基板６１のワイヤ
６３との温度差が、これらワイヤ６３と基板６１の接触
幅（ワイヤ径）に応じてレジスト液膜に影響を及ぼすこ
とにあることが分かっている。したがって、この発明で
は、前記ワイヤ６３の幅を一定値以下に細径化すること
によって、転写が生じないか、生じていても目視で認識
できない程度にまで影響を低減する。このようなワイヤ
径は、Φ０．８ｍｍ以下であるが、この実施形態では、
より好ましい結果を得られる寸法として、Φ０．５mm以
下のワイヤ６３を用いる。

【００５９】一方、ワイヤ６３の径は、張架するワイヤ
６３の本数、及びテンション力に応じて、保持した基板
６１が必要以上に撓まないことを基準に決定する。すな
わち、ワイヤ６３の径が小さい場合には、基板６１が撓
んでしまい、加熱結果にばらつきが生じてしまう。この
場合には、ワイヤの径を大きくするか、ワイヤの本数を
多くする必要がある。この実施形態では、好ましいワイ
ヤ径として、０．１ｍｍ以上のものを採用する。

【００６０】なお、この実施形態では３本のワイヤ６３
を張設しているが、大型の基板である場合にはさらに多
数本のワイヤ６３を設けても良い。また、ワイヤ６３と
基板６１との接触によるパーティクルの発生等を防止す
るために、このワイヤ６３に樹脂コーティングを施すよ
うにしても良い。

【００６１】一方、前記ポール６２は、基端部を前記フ
レーム７１の上面に固着させた状態で前記ホットプレー
ト６０を貫通し上方に延出されている。ホルダ７１は、
図示しないガイド機構によって上下移動自在にガイド保
持され、上記ポール６２の上端によって保持されたワイ
ヤ６３を水平にかつ同じ高さに保持した状態で上下でき
るように構成されている。

【００６２】さらに、前記昇降機構７２は、前記ホルダ
７１を上下駆動するタイミングベルト７３と、このタイ
ミングベルト７３を駆動するためのステッピングモータ
７４とを有する。このステッピングモータ７４は、図示
しない制御部に接続され、上記ワイヤ６３によって保持
された基板６１を任意の速度で駆動できるようになって
いる。

【００６３】この熱処理装置は、前記基板６１を徐々に
下降させ、基板の温度を昇温させつつ、かつ上面と下面
の温度差によって基板が反ることがないようにする。そ
して、この昇降機構７２によって下降駆動された基板６
１は、前記ホットプレート６０の上面に載置されるよう
になっている。この実施形態では、熱処理のスループッ
トを上げるために、載置された基板６１をホットプレー
ト６０上に吸着保持する。

【００６４】図４は、このホットプレート６０を斜め上
方から見た図である。この図に示すように、このホット
プレート６０の上面には、前記ワイヤ６３を収納するた
めの３本の収納溝７５が設けられ、この収納溝７５間に
は、前記基板６１を吸着保持するための矩形ループ状の
真空チャック溝７６が設けられている。

【００６５】真空チャック溝７６は、このホットプレー
ト６０の上面に開口する吸引孔７７に連通し、この吸引
孔７７は図示しない真空ポンプに接続されている。した
がって、この真空ポンプが作動することで、この吸引孔
７７及び前記真空チャック溝７６によって前記基板６１
の下面を吸着保持できるようになっている。

【００６６】なお、このチャック溝７６及び前記収納溝
７５は、基板６１に転写となるような熱分布を与えない
ように所定の幅以下で所定の深さ以下に形成されてい
る。

【００６７】このことを図５を参照して説明する。この
図５は、前記基板６１をワイヤ６３からホットプレート
６０上に受け渡した状態を示したものである。すなわ
ち、前記基板６１は真空チャック溝７６を介してホット
プレート６０上に吸着され、前記ワイヤ６３は基板６１
の下面から離間して収納溝７５内に収納されている。

【００６８】ホットプレート６０上に形成された溝類や
孔類は、所定の寸法以下の場合には、転写の原因となら
ないか、目視で確認できない程度に転写の影響を低減で
きることが分かっている。この実施形態では、特に、溝
幅０．５ｍｍ以下、溝深さ０．３ｍｍ以下の場合に転写
跡の影響を低減できるものとして、図５に示す寸法で真
空チャック溝７６及び収納溝７５を設計する。

【００６９】すなわち、真空チャック溝７６について
は、そのまま溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．３ｍｍとなる
ように形成し、収納溝７５については、ワイヤ６３を収
納した状態で溝幅０．５ｍｍ、溝深さ０．３ｍｍに形成
する。

【００７０】また、この実施形態では、転写の影響をさ
らに有効に抑えるために、前記ワイヤ６３を、前記ＬＣ
Ｄ基板６１の製品領域に合わせて配設する。すなわち、
図４に示すように、前記ＬＣＤ基板６１から２枚の製品
を得る場合（２枚取りの場合）には、ＬＣＤ基板６１の
製品領域は図に点線６１ａで示すようになる。そして、
この実施形態では、前記ワイヤ６３が前記基板６１の製
品領域外の領域６１ｂを保持するように配設されてい
る。

【００７１】一方、図３（ａ）に示すように、ホットプ
レート６０の外側には、前記本体６５の開口６４を閉じ
るためのシャッタ機構８０が設けられている。このシャ
ッタ機構８０は、前記ホットプレート６０を囲む４方向
の壁を構成するシャッタ８１と、このシャッタ８１を上
下駆動する駆動シリンダ機構８２とからなる。

【００７２】図３（ａ）は、シャッタ８１を開け、メイ
ンアーム２４の進入を受け入れている状態を示す。この
シャッタ８１は、図３（ｂ）に示すように、基板６１を
前記ワイヤ６３上に受け渡したならば閉じられる。そし
て、この基板６１は、このシャッタ内で加熱されながら
徐々に下降駆動され、最後にホットプレート６０上に載
置される。なお、この図３（ｂ）は、図３（ａ）と垂直
断面方向を９０度ずらして表したもものである。

【００７３】一方、前記シャッタ８１の上端面に対向す
るフレーム上壁６５ａの下面には、シャッタ８１とこの
上壁６５ａとの間に所定の隙間を形成させるためのスト
ッパ８４が設けられている。

【００７４】そして、この上壁６５ａの中央部には、前
記隙間を通して進入した気流（イ）を上記基板６１上か
ら蒸発した溶剤等と共に排気するための排気孔８５が形
成されている。本体上壁６５ａは前記排気孔８５に向か
って次第に高くなるようなすり鉢形状に形成されてい
て、進入した気流（イ）を直接基板６１に当たることの
ないように誘導するようになっている。

【００７５】以上説明した構成によれば以下の効果を得
ることができる。すなわち、この発明では、熱処理にお
ける基板移載手段として、小さい接触幅で基板を保持で
きるワイヤ６３を採用することによって、この移載手段
が基板６１との接触幅の大きさに応じて基板６１へ及ぼ
す温度差の影響を極力小さくすることができる。このこ
とにより、基板６１と移載手段（ワイヤ６３）との温度
差によって生じる基板６１の反り等の影響を有効に防止
できる。

【００７６】特に、ＬＣＤ製造装置の場合、レジスト液
の塗布工程を密閉した空間（カップ）内で行なうことか
ら、熱処理工程導入前においては、レジスト液中の溶剤
等はほとんど昇華していない。このため、このＬＣＤ基
板６１を温度差の大きい熱処理装置の移載手段にいきな
り受け渡すとその温度変化によって支持された部分の昇
華物の昇華のみが促進されてレジスト膜厚が変動し、こ
れがいわゆる「転写跡」の原因になる恐れが高い。

【００７７】したがって、この発明によれば、移載手段
としてワイヤ６３を採用することによってこのような事
態を有効に防止できるから、特にＬＣＤ製造装置におい
て非常に高い効果が得られる。

【００７８】なお、上記一実施形態においては、基板熱
処理のスループットを向上させるため、ＬＣＤ基板６１
を吸着保持しホットプレート６０の上面に密着させるよ
うにしたが、これに限定されるものではない。ホットプ
レート６０上にプロキシミティスペーサを配設し、基板
６１とホットプレート６０間に一定の隙間を設けるよう
にしても良い。このようにすれば、静電気による剥離帯
電を有効に防止できる効果がある。

【００７９】また、上記一実施形態においては、ＬＣＤ
基板６１をホットプレート６０上に吸着保持するように
したが、これに限定されるものではない。前記基板６１
を前記プロキシミティスペーサ上に載置するだけで吸着
保持しなくても良い。

【００８０】図６は、このプロキシミティスペーサ８７
を設けてなるホットプレート６０’を示した斜視図であ
る。このホットプレート６０’上には、吸引チャック溝
は設けられておらず、代わりに多数のプロキシミティス
ペーサ８７が散設されている。図７は、このプロキシミ
ティスペーサ８７を介してＬＣＤ基板６１を保持してい
る状態を示す模式図である。

【００８１】この場合、プロキシミティスペーサ８７に
よって基板６１とホットプレート６０’との間には０．
１〜０．２ｍｍの隙間が区画されている。なお、前記プ
ロキシミティスペーサ８７によって区画される隙間がワ
イヤ径よりも大きい場合には、ホットプレート６０’上
には、ワイヤ６３を収納する収納溝７５を設ける必要が
無いが、この実施形態では、ワイヤ６３の径が前記隙間
より大きいため、ホットプレート６０上には依然として
収納溝７５が形成されている。

【００８２】また、前記一実施形態では、ワイヤ６３の
張架位置は固定であったが、図６に示すように移動可能
であっても良い。この実施形態では、前記ホットプレー
ト６０’の両側部に、ワイヤ６３と直交する方向に沿う
スリット８８を設け、前記ポール６２の立設位置を変更
可能に構成したものである。そして、前記ホットプレー
ト６０’上には、前記ワイヤ６３の収納溝７５がワイヤ
６３の数より多く設けられ、ワイヤ位置の変更及びワイ
ヤ６３の本数増加に対応できるように構成されている。

【００８３】このような構成によれば、被処理基板６１
の大きさや、製品領域６１ａの位置などに応じてワイヤ
６３の位置をずらしたり、ワイヤ６３の本数を増加する
ことが容易になる効果がある。

【００８４】なお、図６の例では手動によってワイヤ位
置を変更するようにしているが、図８に示すように、前
記ポール６２を駆動できるポール駆動機構９０によって
ワイヤ位置を移動できるようにしても良い。そして、こ
の場合、中央制御部９１が、基板の製品領域データ９２
に基づいてワイヤ位置を決定し、上記ポール駆動機構９
０を制御するようにしても良い。

【００８５】また、前記ワイヤ６３を保持するための構
成は、ポール６２に限定されるものではなく、一対の壁
状の部材の上端に複数本のワイヤ６３を平行に架設する
ようにしても良い。

【００８６】最後に、上記一実施形態では、特に大きな
効果を得ることのできる例として、ＬＣＤ製造装置の塗
布現像処理システムに適用した例を示したが、単独の熱
処理装置にも適用できるほか、プローバー、アッシング
装置、露光装置等にも適用できることは勿論である。ま
た、被処理基板としてシリコンウエハ処理する場合にも
適用できる。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したこの発明の構成によれば、
接触幅の小さいワイヤで熱処理する被処理基板を保持す
るようにしたから、急激な温度変化によって被処理基板
が反ることがない。また、基板と移載手段との温度差に
よって生じるいわゆるレジスト液膜の「転写跡」の問題
が発生することを有効に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態が適用されるＬＣＤ基板の
塗布現像処理システムを説明するための概略構成図。

【図２】ＬＣＤ製造の一連の処理工程を説明するための
フローチャート。

【図３】本発明の一実施形態に係る基板熱処理装置を示
す概略構成図。

【図４】同じく、基板熱処理装置の要部を示す斜視図。

【図５】同じく、被処理基板をホットプレート上に吸着
保持している状態を示す断面図。

【図６】同じく、基板熱処理装置の別の例を示す斜視
図。

【図７】図６の基板熱処理装置により、被処理基板をホ
ットプレート上に吸着保持している状態を示す断面図。

【図８】同じく、基板熱処理装置の変形例を説明するた
めの図。

【符号の説明】

１…塗布現像処理システム（ＬＣＤ製造装置） ６０…ホットプレート（加熱台） ６１…ＬＣＤ基板（被処理基板） ６１ａ…製品領域 ６１ｂ…製品領域外 ６３…ワイヤ ６８…加熱ヒータ（加熱手段） ７１…ホルダ ７２…昇降機構（移載手段） ７５…収納溝 ７６…真空チャック溝 ７７…吸引孔 ８０…シャッタ機構 ８７…プロキシミティスペーサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−53774（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−360552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−281344（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−11439（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−114937（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−193833（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68 G03F 7/00

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を加熱処理する加熱台と、 水平に張架された複数本のワイヤを有し、このワイヤ上
   に前記被処理基板を保持し、前記加熱台上に移載する移
   載手段と、 前記被処理基板の製品形成領域外の部分を保持するよう
   に、前記ワイヤの張架位置を移動できるワイヤ移動機構
   と、 を有することを特徴とする基板熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記ワイヤ移動機構は、 製品領域のデータに基づいてワイヤの移動量を決定する
   決定手段と、 この決定手段の決定に基づいてワイヤを移動させる駆動
   手段とを有することを特徴とする請求項１記載の基板熱
   処理装置。
3. 【請求項３】 前記加熱台には、前記複数本のワイヤを
   収納できる収納溝が形成されていることを特徴とする請
   求項１又は２記載の基板熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記加熱台上には、前記ワイヤを収納す
   る収納溝が形成され、この収納溝は、前記ワイヤを収納
   した後の寸法が、前記基板の表面に塗布された液膜への
   影響を及ぼさない大きさに形成されていることを特徴と
   する請求項１又は２記載の基板熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記ワイヤは、ワイヤと被処理基板の温
   度差が被処理基板の上面に塗布された液膜の膜厚に変化
   を生じさせない径に形成されていることを特徴とする請
   求項１乃至４の内いずれか１項に記載の基板熱処理装
   置。
6. 【請求項６】 水平に張架された複数本のワイヤ上に被
   処理基板を載置する工程と、 被処理基板が載置された前記ワイヤを加熱台の方向へ移
   動させて被処理基板を加熱台に載置又は近接させること
   により被処理基板を熱処理する工程と、 を有する基板熱処理方法であって、 前記ワイヤにて被処理基板の製品領域外を支持すること
   を特徴とする基板熱処理方法。
7. 【請求項７】 前記熱処理工程は、前記ワイヤを基板裏
   面から離間した状態で行うことを特徴とする請求項６に
   記載の基板熱処理方法。
8. 【請求項８】 前記ワイヤは、該ワイヤと被処理基板の
   温度差が被処理基板の上面に塗布された液膜の膜厚の変
   化を生じさせない径に形成されていることを特徴とする
   請求項６または７に記載の基板熱処理方法。