CN110088880B - 涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置 - Google Patents

涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置 Download PDF

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Abstract

一种在基片上涂敷涂敷液的方法，其中，在形成于基片上的涂敷液的液膜干燥之前，一边使该基片以规定的转速旋转，一边对基片上的涂敷液的该液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成涂敷液与溶剂的混合层，然后，使基片以比规定的转速快的转速旋转，将混合层赶到外周侧，来控制干燥后的涂敷液的膜厚。

Description

涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置
技术领域
(相互参照相关申请)
本申请基于2016年12月22日在日本申请的特愿2016-249872号主张优先权，在此援引其内容。
本发明涉及在基片涂敷涂敷液的涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。
背景技术
例如在半导体器件的制造处理中的光刻工序中，依次进行例如进行：在作为基片的半导体晶片(下面，称为“晶片”。)上涂敷规定的涂敷液形成防反射膜及抗蚀剂膜之类的涂敷膜的涂敷处理、对该抗蚀剂膜以规定的图案进行曝光的曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成了规定的抗蚀剂图案。
在上述的涂敷处理中，多使用所谓的旋涂法，即从喷嘴对旋转中的晶片的中心部供给涂敷液，涂敷液因离心力而在晶片上扩散从而在晶片上形成涂敷膜。在这样的涂敷处理中，所进行为了实现涂敷膜的面内均匀性和涂敷液的使用量削減，多进行在供给涂敷液前在晶片上涂敷稀释剂等溶剂来改善晶片的润湿性的所谓的预湿(pre-wet)处理。这样的预湿处理中的溶剂的涂敷，也是通过对晶片的中心部供给溶剂并使晶片旋转，使溶剂在晶片上扩散来进行的，但是用于预湿而供给的溶剂因晶片的旋转而干燥，因此有时涂敷液不扩至基片的端部，在该情况下，发生涂敷不均。
因此，近年来，基片表面的用于预湿而供给的溶剂因基片的旋转而干燥，因此涂敷液不扩至基片的端部，为了防止这种情况，提出了一种技术，其中还对涂敷液不扩散的基片表面上的周边部供给溶剂，提高基片的周边部处的涂敷液的流动性，使涂敷液顺畅地扩至基片的端部(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国特开2008-307488号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在上述的现有技术中，为所谓的低粘度的抗蚀剂涂敷时是有利的，但是，在对已形成有图案的晶片(所谓的高低差基片)表面进一步涂敷抗蚀剂时或者涂敷中粘度的抗蚀剂液时，在提高膜厚的均匀性的方面尚有改善的余地。尤其在晶片的周边部涂敷中粘度的抗蚀剂液时，存在大体上膜厚变厚的倾向，期望务必对该方面进行控制。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于：在晶片等基片上涂敷涂敷液时，无论该基片是高低差基片或者涂敷液为中粘度的涂敷液，都能够在基片面内均匀地涂敷涂敷液。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式是一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其中，在形成于基片上的上述涂敷液的液膜干燥之前，一边使上述基片以规定的转速旋转，一边对上述基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给上述涂敷液的溶剂，以在该周边部形成上述涂敷液与上述溶剂的混合层，之后，使上述基片以比规定的转速快的转速旋转，将上述混合层赶到外周侧，来控制干燥后的上述涂敷液的膜厚。
依照本发明的一方式，在形成于基片上的上述涂敷液的液膜干燥之前，一边使上述基片以规定的转速旋转，一边对该基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成上述涂敷液与上述溶剂的混合层，因此在混合层中析出涂敷液的成分，之后使上述基片以比上述规定的转速快的转速旋转，将上述混合层赶到外周侧，故而能够降低比混合层靠外侧的膜厚，能够使膜厚整体均匀化。
本发明的另一方面的一方式是一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其包括：将上述涂敷液的溶剂供给到基片上，在该基片的整个面形成上述溶剂的液膜的溶剂液膜形成工序；之后，一边使基片以第一转速旋转，一边将上述涂敷液供给到基片的中心部的涂敷液供给工序；之后，使上述基片以比上述第一转速快的第二转速旋转，使上述涂敷液扩散到基片上整个面的涂敷液扩散工序；之后，一边使上述基片以比上述第二转速慢的第三转速旋转，一边将上述涂敷液的溶剂供给到基片上的上述涂敷液的液膜上的周边部的周边部溶剂供给工序；和之后，使上述基片以比上述第三转速快的第四转速旋转的周边部膜厚调整工序。
依照本发明的上述方面的一方式，在周边部溶剂供给工序中形成上述混合层，利用之后的周边部膜厚调整工序，调整周边部的膜厚，能够提高基片的面内均匀性。
在本发明中，适用上述涂敷液的粘度为所谓的中粘度的20～500cP。此外，本发明适用于基片的涂敷液的膜厚为干燥后形成1μm～15μm程度的膜厚的涂敷处理。
在上述周边部溶剂供给工序中供给溶剂的供给部件，可以使用供给口在基片的半径方向具有规定的长度的供给部件，或者在基片的半径方向具有多个供给口的供给部件。在该情况下，供给口的形状例如可以采用圆形、狭缝形等任意形状。
本发明的又一观点的一方式是计算机可读取的存储介质，其存储有在控制部即计算机上运行的程序，该控制部控制涂敷处理装置以使得由该涂敷处理装置执行上述在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，
另外，本发明的另一方面的一方式是一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的基片保持部；将上述涂敷液供给到基片上的涂敷液供给喷嘴；将上述涂敷液的溶剂供给到基片上的溶剂供给喷嘴；使上述涂敷液供给喷嘴移动的第一移动机构；使上述溶剂供给喷嘴移动的第二移动机构；和控制上述基片保持部、上述涂敷液供给喷嘴、上述溶剂供给喷嘴、上述第二移动机构和上述第一移动机构的控制部。而且该控制部构成为能够进行控制，以使得：利用上述溶剂供给喷嘴对基片中心部供给上述涂敷液的溶剂，以在该基片整个面形成上述溶剂的液膜，之后，一边使基片以第一转速旋转，一边利用上述涂敷液供给喷嘴将上述涂敷液供给到基片的中心部，之后，使上述基片以比上述第一转速快的第二转速旋转以使上述涂敷液在基片上整个面扩散，之后，一边使上述基片以比上述第二转速慢的第三转速旋转，一边利用上述溶剂供给喷嘴将上述涂敷液的溶剂供给到基片上的上述涂敷液的液膜上的周边部，之后，使上述基片以比上述第三转速快的第四转速旋转。
也可以为在将溶剂供给到上述涂敷液的液膜上的周边部时，替代上述溶剂供给喷嘴，而使用另一周边部溶剂供给喷嘴，上述控制部也控制该另一周边部溶剂供给喷嘴。
在该情况下，上述另一溶剂供给喷嘴可以采用供给口在基片的半径方向具有规定的长度的供给部件，或者在基片的半径方向具有多个供给口的供给部件。例如能够使用具有圆形、狭缝形等供给口的形状的喷嘴。
发明效果
依照本发明，在基片上涂敷涂敷液以在基片上形成涂敷液的液膜时，与现有技术相比，能够提高基片面内的涂敷液的膜厚的均匀性。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。
图2是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的主视图。
图3是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的后视图。
图4是表示抗蚀剂处理装置的构成的结构的纵截面图。
图5是表示抗蚀剂处理装置的构成的结构的横截面图。
图6是表示对晶片的中心部供给抗蚀剂液的溶剂的情形的侧视图。
图7是表示在图6的处理后，进行使晶片旋转以使溶剂在晶片的整个面扩散的预湿处理的情形的侧视图。
图8是表示在图7的处理后，一边使晶片旋转一边对晶片的中心部供给抗蚀剂液的情形的侧视图。
图9是表示图8的处理后，使晶片旋转以使抗蚀剂液在晶片的整个面扩散的情形的侧视图。
图10是表示图9的处理后，一边使晶片旋转一边对晶片的周边部供给抗蚀剂液的溶剂的情形的侧视图。
图11是表示图10的处理后，使晶片旋转来调整抗蚀剂液的液膜的膜厚的情形的侧视图。
图12是表示从供给抗蚀剂液后开始至进行膜厚调整为止，晶片的转速变化的时序图。
图13是表示比较实施方式与现有技术的膜厚的轮廓的图表。
图14是表示从溶剂供给喷嘴将溶剂供给到晶片的周边部时，使溶剂供给喷嘴在晶片的半径方向移动的情形的侧视图。
图15是表示使溶剂供给喷嘴向斜下方外周侧倾斜以将溶剂向斜下方供给的情形的侧视图。
图16是表示使用在晶片的半径方向形成有多个供给口的供给喷嘴对晶片的周边部供给溶剂的情形的侧视图。
图17是表示设置有对晶片的周边部供给溶剂的专用的溶剂供给喷嘴的抗蚀剂处理装置的结构的概略的横截面图。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。图1是表示本实施方式的具有能够实施涂敷处理方法的涂敷处理装置的基片处理系统1的构成的概略的说明图。图2和图3分别是示意地表示基片处理系统1的内部构成的概略的主视图和后视图。此外，在本实施方式中，以涂敷液是抗蚀剂液且涂敷处理装置是对基片涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置的情况为例进行说明。
如图1所示，基片处理系统1具有将以下部分连接成一体的结构：盒站10，用于送入送出收纳有多个晶片W的盒C；处理站11，其具有对晶片W实施规定的处理的多个各种处理装置；和接口站13，其在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶片W的交接。
在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，该盒载置板21用于在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C。
如图1所示，在盒站10设置有能够在X方向上延伸的输送路径22上移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23能够在上下方向移动并且能够绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理站11设置有具有各种装置的多个区块，例如第一区块～第四区块这4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。此外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站11的交接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
例如在第一区块G1，如图2所示从下开始依次配置有多个液体处理装置、例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(下面称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(下面称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33以分别在水平方向上排列3个的方式配置。此外，能够任意选择这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置。
在上述显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，进行例如在晶片W上涂敷规定的涂敷液的旋涂动作。在旋涂动作中，例如一边从涂敷喷嘴将涂敷液排出到晶片W上，一边使晶片W旋转，以使涂敷液在晶片W的表面扩散。另外，在后面说明抗蚀剂涂敷装置32的结构。
例如在第二区块G2中，如图3所示在上下方向和水平方向上排列地设置有进行晶片W的加热或冷却等热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片W的固定性的粘着装置41、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置42。该热处理装置40、粘接装置41、周边曝光装置42的数量和配置均能够任意选择。
例如在第三区块G3，从下开始依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。此外，在第四区块G4，从下开始依次设置有多个交接装置60、61、62。
如图1所示，在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域中，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D配置有多个晶片输送装置70，其具有例如能够在Y方向、X方向、θ方向和上下方向移动的输送臂70a。晶片输送装置70能够在晶片输送区域D内移动，能够向周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定装置输送晶片W。
此外，在晶片输送区域D中设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置80。
往复输送装置80能够在例如图3的Y方向上直线移动。往复输送装置80能够以支承晶片W的状态在Y方向上移动，能够在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
如图1所示，在第三区块G3的X方向正方向侧的附近设置有晶片输送装置100。晶片输送装置100具有例如能够在X方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂100a。晶片输送装置100能够以由输送臂100a支承晶片W的状态上下移动，来将晶片W输送到第三区块G3内的各交接装置。
在交接站13设置有晶片输送装置110和交接装置111。晶片输送装置110具有例如能够在Y方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂110a。晶片输送装置110例如能够由输送臂110a支承晶片W，在与第四区块G4内的各交接装置、交接装置111与曝光装置12之间输送晶片W。
接着，对上述的抗蚀剂涂敷装置32的结构进行说明。抗蚀剂涂敷装置32具有如图4所示能够将内部封闭的处理容器130。在处理容器130的侧面形成有晶片W的送入送出口(未图示)。
在处理容器130内设置有保持晶片W并使其旋转的基片保持部即旋转吸盘140。由例如电动机等吸盘驱动部141，能够使旋转吸盘140以规定的速度旋转。此外，在吸盘驱动部141设置有例如气缸等升降驱动机构，而旋转吸盘140能够升降。
在旋转吸盘140的周围设置有承接、回收从晶片W飞散或者落下的液体的罩体142。罩体142的下表面与排出回收的液体的排出管143及对罩体142内的气氛进行排气的排气管144连接。
如图5所示，在罩体142的X方向负方向(图5的下方向)侧，形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的导轨150。导轨150例如从罩体142的Y方向负方向(图5的左方向)侧的外方形成至Y方向正方向(图5的右方向)侧的外方。在导轨150设置有2个臂151、152。
在第一臂151支承着作为涂敷液供给部件的抗蚀剂液供给喷嘴154，其供给作为涂敷液的抗蚀剂液。第一臂151利用作为第一移动机构的喷嘴驱动部155而能够在导轨150上移动。由此，抗蚀剂液供给喷嘴154能够从设置于罩体142的Y方向正方向侧的外方的待机部156通过罩体142内的晶片W的中央部上方，移动至设置于罩体142的Y方向负方向侧的外侧的待机部157。此外，利用喷嘴驱动部155，第一臂151能够升降，能够调节抗蚀剂液供给喷嘴154的高度。
在第二臂152支承着供给作为抗蚀剂液的溶剂的溶剂供给喷嘴158。第二臂152利用作为第二移动机构的喷嘴驱动部159而能够在导轨150移动。由此，溶剂供给喷嘴158能够从设置于罩体142的Y方向正方向侧的外侧的待机部160移动到罩体142内的晶片W的中心部上方。待机部160设置于待机部156的Y方向正方向侧。另外，利用喷嘴驱动部159，第二臂152能够升降，能够调节溶剂供给喷嘴158的高度。
作为其他液处理装置的显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、上部防反射膜形成装置33的结构，除了喷嘴的形状、个数、从喷嘴供给的液不同这些方面之外，与上述的抗蚀剂涂敷装置32的结构相同，因此省略说明。
在以上的基片处理系统1中，如图1所示设置有控制部200。控制部200例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有控制基片处理系统1中的晶片W的处理的程序。此外，在程序存储部中也存储有程序，该程序用于控制上述各种处理装置、输送装置等驱动系统的动作来实现基片处理系统1中的后述的基片处理。此外，上述程序是存储于例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H中的程序，也可以是从该存储介质安装于控制部200的程序。
接着，说明使用如上所述构成的基片处理系统1来进行的晶片处理。首先，将收纳有多个晶片W的盒C送入基片处理系统1的盒站10，利用晶片输送装置23将盒C内的各晶片W依次输送到处理站11的交接装置53。
接着，将晶片W输送到第二区块G2的热处理装置40进行温度调节处理。之后，利用晶片输送装置70将晶片W输送到例如第一区块G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成有下部防反射膜。之后，将晶片W输送到第二区块G2的热处理装置40，进行加热处理，进行温度调节。
接着，将晶片W输送到粘接装置41进行粘接处理。之后，将晶片W输送到第一区块G1的抗蚀剂涂敷装置32，在晶片W上形成抗蚀剂膜。
此处，对于抗蚀剂涂敷装置32中的抗蚀剂涂敷处理进行详细说明。在抗蚀剂的涂敷处理时，首先在旋转吸盘140的上表面吸附保持晶片W。然后，如图6所示，使溶剂供给喷嘴158移动到晶片W的中心部的上方，对晶片W的中心部排出抗蚀剂液的溶剂。接着，如图7所示，使晶片W以例如2000rpm旋转，利用旋涂法使晶片W上的溶剂扩散到晶片整个面，进行所谓的预湿润处理。
接着，如图8所示，使抗蚀剂液供给喷嘴154移动到晶片W的中心部上方，一边使晶片W以第一转速例如60rpm旋转，一边从抗蚀剂液供给喷嘴154向晶片W上供给抗蚀剂液R(涂敷液供给工序)。由此，在晶片W的中央形成抗蚀剂液R的积液。然后，在来自抗蚀剂液供给喷嘴154的抗蚀剂液R的供给量达到规定量的时刻，停止供给抗蚀剂液R。接着，如图9所示，使抗蚀剂液供给喷嘴154退避，将晶片W的转速从第一转速加速至第二转速。作为第二转速，优选例如2500rpm～4000rpm，在本实施方式中例如为3500rpm。将达到第二转速的晶片W的转速维持规定的时间，在本实施方式中例如为大约3秒的程度。由此，供给到晶片W的中心部的抗蚀剂液R向晶片W的外周部扩散，在晶片W的整个面形成抗蚀剂液R的膜(涂敷液扩散工序)。
之后，在现有的处理中，原样地进行旋转使抗蚀剂液R的膜干燥，但是，在本实施方式中，如图10所示，使溶剂供给喷嘴158移动到晶片W的周边部，一边使晶片W旋转，一边将抗蚀剂液的溶剂供给到晶片W的周边部(周边部溶剂供给工序)。该情况下的转速以比上述第二转速慢的第三转速进行。作为第三转速，例如可以例示出1～100rpm。这是因为当转速过快时，供给的溶剂飞散等的缘故。在该情况下，优选仅在晶片W进行一次旋转的期间供给溶剂。这是因为当过量地供给时，抗蚀剂液R流出而晶片W的基底、形成有图案的下层的抗蚀剂图案露出的缘故。并且，也可以根据抗蚀剂液R的膜厚、溶剂的供给量，在晶片W进行多次旋转的期间供给溶剂。主要是晶片W的基底、下层的抗蚀剂膜不露出即可。
关于被供给溶剂的周边部的位置，如后文所述，考虑在现有的预湿处理后利用将抗蚀剂液供给到晶片W的中心部并使其扩散的旋涂法而形成的抗蚀剂液的膜的轮廓，来进行设定。
接着，如图11所示，使溶剂供给喷嘴158退避，使晶片W以比上述第三转速快的第四转速旋转(周边部膜厚调整工序)。由此，对晶片W周边部的膜厚进行调整。该情况下的晶片W的转速可以为例如1000rpm～2000rpm的程度，不过也可以根据周边部的区域的范围、膜厚的调整的范围来了选择适合的转速。
在以上的各工序中，令预湿处理以后的涂敷液供给工序、涂敷液扩散工序、周边部溶剂供给工序、周边部膜厚调整工序分别为步骤S1、S2、S3、S4，按照时间顺序表示晶片W的转速的变化如图12给出的图表所示。此外，在图中，在步骤S3中箭头所示的部位，表示从溶剂供给喷嘴158排出溶剂的时刻，在晶片W的转速稳定到第三转速稳定时使溶剂排出。另外，在排出后暂且维持第三转速，是为了使供给到晶片W的周边部的溶剂与表面的抗蚀剂液的液膜溶合而适当地形成混合层。当然，不限于该方案，可以根据抗蚀剂液的种类、膜厚、溶剂的供给量等来适当调整上述的时刻。例如，在为500cP以上的粘度高的处理液的情况下，可以在步骤S3时不对晶片W的周边部排出溶剂而将步骤S4进行到一定程度后，在处理液残留着流动性的状态下再次降低转速，从溶剂供给喷嘴158对晶片W的周边部排出溶剂来调整周边部的膜厚。接着，提高转速以使膜干燥。
在如上述那样进行了涂敷处理后，与这种通常的抗蚀剂涂敷处理相同，在抗蚀剂液干燥后，进行晶片W的背面清洗，由此抗蚀剂涂敷装置32中的一连串涂敷处理结束。之后，将晶片W输送到第一区块G1的上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。然后，将晶片W输送到第二区块G2的热处理装置40，进行加热处理。之后，将晶片W输送到周边曝光装置42，进行周边曝光处理。然后，利用晶片输送装置100将晶片W输送到交接装置52，由往复输送装置80将晶片W输送到第四区块G4的交接装置62。接着，晶片W由接口站13的晶片输送装置110输送到曝光装置12，按规定的图案进行曝光处理。
如上所述晶片W进行了曝光处理后，被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行曝光后烘培处理。由此，利用在抗蚀剂膜的曝光部中产生的酸进行脱保护反应。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到显影处理装置30，进行显影处理，在显影处理结束后，将晶片W输送到热处理装置40，进行后烘培处理。接着，由热处理装置40对晶片W进行温度调整，之后，晶片W被晶片输送装置70、晶片输送装置23输送到规定的盒载置板21的盒C，一连串光刻工序结束。
图13表示按照以上的实施方式进行热处理后的温度调节后的晶片W上的抗蚀剂膜的膜厚的轮廓。在图中，×标记表示在进行了现有技术即预湿处理后仅利用旋涂法涂敷了抗蚀剂液的情况下膜厚的轮廓，○表示按照实施方式进行了涂敷处理的情况下的膜厚的轮廓。
从该图可知，依照实施方式，抗蚀剂膜的周边部的膜厚有较大改善。当用3sigma表示各个膜厚的均匀性时，在现有技术中为164[sigma/nm]，而依照实施方式则为48[sigma/nm]。
在该例中，在距300mm晶片W的中心部110mm的位置供给了溶剂(图13中的箭头所示)。该位置是在现有技术的涂敷处理方法下，膜厚开始逐渐变厚的部位。所以，从该结果可知，在本发明中在基片整个面形成了抗蚀剂液的液膜，被排出溶剂的周边部可以是如上述那样按照现有的涂敷处理方法时膜厚开始逐渐变厚的位置。
在对晶片W的周边部供给抗蚀剂液的溶剂时，通过调节溶剂的温度，能够更加适当地进行膜厚的调整。即，通过加热供给的溶剂的温度，能够进一步促进混合层的形成，由此，能够在更广的范围内调整膜厚的轮廓。
另外，在调整膜厚的范围的半径方向的宽度遍及较广范围的情况下，例如如图14所示，一边使溶剂供给喷嘴158在半径方向移动一边排出溶剂，由此能够将混合层M扩展。在该情况下，晶片W旋转多次。
另外，不像上述那样使溶剂供给喷嘴158在半径方向移动，而如图15所示，可以使溶剂供给喷嘴158向斜下方外周侧倾斜，向斜下方外周侧供给溶剂。利用该方法，能够扩展混合层M的形成区域的范围。
另外，如图16所示，作为溶剂供给喷嘴，可以使用在晶片的半径方向供给口161a具有规定的长度或者在晶片的半径方向具有多个供给口的溶剂供给喷嘴161。图16所示的溶剂供给喷嘴中，在晶片的半径方向形成有多个供给口161a。当然，也可以不该溶剂供给喷嘴而使用具有狭缝状的供给口的溶剂供给喷嘴。
此外，如上所述，在调节供给到周边部的溶剂的温度时，使用与在预湿处理时对晶片W的中心部排出常温的溶剂的喷嘴，该情况下，伴随溶剂温度的加热、冷却等的作业、时间，还存在装置复杂化等方面。另外，在图15、图16所示的例子中，喷嘴与在预湿处理时对晶片W的中心部排出溶剂的喷嘴的构成、构造不同。
因此，在上述的情况下，如图17所示，例如在抗蚀剂涂敷装置32内设置第三臂153，该第三臂153支承另外对周边部供给溶剂的专用的溶剂供给喷嘴161即可。即，在图17的例子中，第三臂153利用作为第三移动机构的喷嘴驱动部162而能够在导轨150上移动。由此，溶剂供给喷嘴161能够从设置于罩体142的Y方向负方向侧的外侧的待机部163，移动至罩体142内的晶片W的上方。待机部163设置于待机部157的Y方向负方向侧。另外，利用喷嘴驱动部162，第三臂153能够移动，能够调节溶剂供给喷嘴161的高度。
通过如上述方式构成，在使用溶剂供给喷嘴161对晶片W的周边部供给了经温度调节的溶剂，或者采用向斜下方外周侧倾斜的喷嘴的结构，并且设有在晶片W的半径方向具有长度的供给口的喷嘴结构的情况下，能够使用与预湿处理用的溶剂供给喷嘴158不同的喷嘴。此外，在从对周边部供给溶剂的专用的溶剂供给喷嘴161将溶剂供给到晶片W的情况下，抗蚀剂液供给喷嘴154在待机部156进行待机即可。
以上，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述例子。对于本领域技术人员而言，在权利要求的范围所记载的思想范畴内，当然能够想到各种变形例或修正例，也应知晓它们当然也属于本发明的技术的范围。本发明不限于该例，而能够采用各种方式。本发明中，基片也能够应用除晶片以外的FPD(平板显示器)、光掩模用的中间掩模等其他基片的情况。
工业上的可利用性
本发明在基片上涂敷涂敷液时是有用的。
附图标记说明
1 基片处理系统
30 显影处理装置
31 下部防反射膜形成装置
32 抗蚀剂涂敷装置
33 上部防反射膜形成装置
40 热处理装置
41 粘接装置
42 周边曝光装置
140 旋转吸盘
154 抗蚀剂液供给喷嘴
158 溶剂供给喷嘴
161 溶剂供给喷嘴
200 控制部
M 混合层
R 抗蚀剂膜
W 晶片。

Claims (13)

1.一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其特征在于：
在形成于基片上的所述涂敷液的液膜干燥之前，一边使所述基片以规定的转速旋转，一边对所述基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给所述涂敷液的溶剂，以在该周边部形成所述涂敷液与所述溶剂的混合层，
然后，使所述基片以比所述规定的转速快的转速旋转，将所述混合层赶到外周侧，来控制干燥后的所述涂敷液的膜厚，
在对所述周边部供给所述溶剂的工序中，在所述基片旋转一次的期间供给所述溶剂。
2.一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其特征在于，包括：
将所述涂敷液的溶剂供给到基片上，在该基片的整个面形成所述溶剂的液膜的溶剂液膜形成工序；
之后，一边使基片以第一转速旋转，一边将所述涂敷液供给到基片的中心部的涂敷液供给工序；
之后，使所述基片以比所述第一转速快的第二转速旋转，使所述涂敷液扩散到基片上整个面的涂敷液扩散工序；
之后，一边使所述基片以比所述第二转速慢的第三转速旋转，一边将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的所述涂敷液的液膜上的周边部的周边部溶剂供给工序；和
之后，使所述基片以比所述第三转速快的第四转速旋转的周边部膜厚调整工序。
3.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
所述涂敷液的粘度为20～500cP。
4.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中，在所述基片旋转一次的期间供给溶剂。
5.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中，调节排出的溶剂的量，以使得排出的溶剂不到达基底。
6.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中，使供给溶剂的供给部件在基片的半径方向移动。
7.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中，调节供给的溶剂的温度。
8.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中，以从供给溶剂的供给部件使溶剂向着斜下方外周侧的方式供给溶剂。
9.如权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述周边部溶剂供给工序中供给溶剂的供给部件，是供给口在基片的半径方向具有规定的长度的供给部件，或者在基片的半径方向具有多个供给口的供给部件。
10.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有在作为控制部的计算机上运行的程序，该控制部控制涂敷处理装置以使得由该涂敷处理装置执行在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，
所述涂敷处理方法中，
在形成于基片上的所述涂敷液的液膜干燥之前，一边使所述基片以规定的转速旋转，一边对所述基片上的涂敷液的液膜上的周边部供给所述涂敷液的溶剂，以在该周边部形成所述涂敷液与所述溶剂的混合层，
之后，使所述基片以比所述规定的转速快的转速旋转，将所述混合层赶到外周侧，来控制干燥后的所述涂敷液的膜厚，
在对所述周边部供给所述溶剂的工序中，在所述基片旋转一次的期间供给所述溶剂。
11.一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其特征在于，包括：
保持基片并使其旋转的基片保持部；
将所述涂敷液供给到基片上的涂敷液供给喷嘴；
将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的溶剂供给喷嘴；
使所述涂敷液供给喷嘴移动的第一移动机构；
使所述溶剂供给喷嘴移动的第二移动机构；和
控制所述基片保持部、所述涂敷液供给喷嘴、所述溶剂供给喷嘴、所述第二移动机构和所述第一移动机构的控制部，
所述控制部构成为能够进行控制，以使得：
利用所述溶剂供给喷嘴对基片中心部供给所述涂敷液的溶剂，以在该基片的整个面形成所述溶剂的液膜，之后，一边使基片以第一转速旋转，一边利用所述涂敷液供给喷嘴将所述涂敷液供给到基片的中心部，之后，使所述基片以比所述第一转速快的第二转速旋转以使所述涂敷液在基片上整个面扩散，之后，一边使所述基片以比所述第二转速慢的第三转速旋转，一边利用所述溶剂供给喷嘴将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的所述涂敷液的液膜上的周边部，之后，使所述基片以比所述第三转速快的第四转速旋转。
12.一种在基片上涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其特征在于，包括：
保持基片并使其旋转的基片保持部；
将所述涂敷液供给到基片上的涂敷液供给喷嘴；
将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的溶剂供给喷嘴；
将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的周边部的另一溶剂供给喷嘴；
使所述涂敷液供给喷嘴移动的第一移动机构；
使所述溶剂供给喷嘴移动的第二移动机构；
使所述另一溶剂供给喷嘴移动的第三移动机构；和
控制所述基片保持部、所述涂敷液供给喷嘴、所述溶剂供给喷嘴、所述第一移动机构、所述第二移动机构和所述第三移动机构的控制部，
所述控制部构成为能够进行控制，以使得：
利用所述溶剂供给喷嘴对基片中心部供给所述涂敷液的溶剂，以在该基片的整个面形成所述溶剂的液膜，之后，一边使基片以第一转速旋转，一边利用所述涂敷液供给喷嘴将所述涂敷液供给到基片的中心部，之后，使所述基片以比所述第一转速快的第二转速旋转以使所述涂敷液在基片上整个面扩散，之后，一边使所述基片以比所述第二转速慢的第三转速旋转，一边利用所述另一溶剂供给喷嘴将所述涂敷液的溶剂供给到基片上的所述涂敷液的液膜上的周边部，之后，使所述基片以比所述第三转速快的第四转速旋转。
13.如权利要求12所述的涂敷处理装置，其特征在于：
所述另一溶剂供给喷嘴，是供给口在基片的半径方向具有规定的长度的喷嘴，或者在基片的半径方向具有多个供给口的喷嘴。
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