JP2003249436A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板外周上のレジスト膜を有機溶剤に
て除去する際、残されたレジスト膜端にレジストの盛り
上がりが発生するのを防止する。 【解決手段】 半導体基板外周上のレジストを除去する
工程において、前記半導体基板外周上のレジストを除去
する前に、前記半導体基板を所定の回転数にて一定時間
以上回転させ、前記半導体基板上に形成したレジスト膜
中の残存有機溶剤を十分に乾燥させる工程を有する。ま
た、半導体基板外周上のレジストを除去する工程におい
て、除去されたレジストがレジスト膜中の残存有機溶剤
のため前記半導体基板中心方向に引き込まれる力以上の
遠心力を前記半導体基板外周近辺に生じさせる回転数に
て前記半導体基板を回転させる工程を有する。
て除去する際、残されたレジスト膜端にレジストの盛り
上がりが発生するのを防止する。 【解決手段】 半導体基板外周上のレジストを除去する
工程において、前記半導体基板外周上のレジストを除去
する前に、前記半導体基板を所定の回転数にて一定時間
以上回転させ、前記半導体基板上に形成したレジスト膜
中の残存有機溶剤を十分に乾燥させる工程を有する。ま
た、半導体基板外周上のレジストを除去する工程におい
て、除去されたレジストがレジスト膜中の残存有機溶剤
のため前記半導体基板中心方向に引き込まれる力以上の
遠心力を前記半導体基板外周近辺に生じさせる回転数に
て前記半導体基板を回転させる工程を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術分野のうち、レジスト塗布方法に関するものであ
る。
技術分野のうち、レジスト塗布方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来のレジスト塗布方法につい
て、図面を用いて説明する。
て、図面を用いて説明する。
【０００３】図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ｄ）〜
（ｆ）、及び図８（ｇ）、（ｈ）は、従来のレジスト塗
布方法および課題について示したものである。
（ｆ）、及び図８（ｇ）、（ｈ）は、従来のレジスト塗
布方法および課題について示したものである。
【０００４】図６（ａ）に示すように、半導体基板１
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
６（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図６（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図７（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図７（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去する。次に、図７
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図８（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
６（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図６（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図７（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図７（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去する。次に、図７
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図８（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
【０００５】ここで、前記半導体基板１上に前記レジス
ト５を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時
間は、前記半導体基板１上に形成された前記レジスト膜
６の膜厚が安定するまでの２０秒であり、前記有機溶剤
７にて前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除
去する際の前記半導体基板１の回転数は３０００ｒｐｍ
である。
ト５を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時
間は、前記半導体基板１上に形成された前記レジスト膜
６の膜厚が安定するまでの２０秒であり、前記有機溶剤
７にて前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除
去する際の前記半導体基板１の回転数は３０００ｒｐｍ
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のレ
ジスト塗布方法では、前記半導体基板１外周上の前記レ
ジスト膜６を除去する際、図７（ｅ）に示すように、残
された前記レジスト膜６の端にレジスト膜盛り上がり８
が発生するという課題があった。
ジスト塗布方法では、前記半導体基板１外周上の前記レ
ジスト膜６を除去する際、図７（ｅ）に示すように、残
された前記レジスト膜６の端にレジスト膜盛り上がり８
が発生するという課題があった。
【０００７】前記レジスト盛り上がり８の高さは、レジ
スト塗布条件にもよるが、前記従来の技術の条件では、
４．４μｍとなり、前記レジスト盛り上がり８から前記
半導体基板１中心方向へ５ｍｍ内側へ入った部分の前記
レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し１．６μｍ厚くな
る。
スト塗布条件にもよるが、前記従来の技術の条件では、
４．４μｍとなり、前記レジスト盛り上がり８から前記
半導体基板１中心方向へ５ｍｍ内側へ入った部分の前記
レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し１．６μｍ厚くな
る。
【０００８】前記レジスト盛り上がり８が生じると、図
８（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を照射しな
がら前記半導体基板１を熱板１０にて加熱する工程に
て、前記レジスト盛り上がり８部に前記レジスト膜６中
に気泡が発生し、前記気泡のため前記レジスト膜６の一
部が前記半導体基板１から剥離し、前記半導体基板１上
の他の部分に剥離した前記レジスト膜６の一部がレジス
ト異物１１として付着し、前記半導体基板１上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせ、前記半導体基板１上に
形成された半導体装置の歩留まりを低下させるという課
題が発生する。
８（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を照射しな
がら前記半導体基板１を熱板１０にて加熱する工程に
て、前記レジスト盛り上がり８部に前記レジスト膜６中
に気泡が発生し、前記気泡のため前記レジスト膜６の一
部が前記半導体基板１から剥離し、前記半導体基板１上
の他の部分に剥離した前記レジスト膜６の一部がレジス
ト異物１１として付着し、前記半導体基板１上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせ、前記半導体基板１上に
形成された半導体装置の歩留まりを低下させるという課
題が発生する。
【０００９】本発明は前記従来のレジスト塗布方法で生
じる課題を解決するもので、前記レジスト膜６端の前記
レジスト膜盛り上がり８のないレジスト塗布方法を提供
することを目的とする。
じる課題を解決するもので、前記レジスト膜６端の前記
レジスト膜盛り上がり８のないレジスト塗布方法を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１のレジスト塗布方法は、半導体基板外
周上のレジスト膜を除去する工程において、前記半導体
基板外周上の前記レジスト膜を除去する前に、前記半導
体基板を所定の回転数で一定時間以上回転させ、半導体
基板上に形成した前記レジスト膜中の残存有機溶剤を十
分に乾燥させる工程を有するものである。
め、本発明の第１のレジスト塗布方法は、半導体基板外
周上のレジスト膜を除去する工程において、前記半導体
基板外周上の前記レジスト膜を除去する前に、前記半導
体基板を所定の回転数で一定時間以上回転させ、半導体
基板上に形成した前記レジスト膜中の残存有機溶剤を十
分に乾燥させる工程を有するものである。
【００１１】また本発明の第２のレジスト塗布方法は、
半導体基板外周上のレジスト膜を除去する工程におい
て、除去された前記レジスト膜の一部が前記レジスト膜
中の残存有機溶剤のため前記半導体基板中心方向に引き
込まれる力以上の遠心力により、前記半導体基板外周外
側へ排出される回転数にて前記半導体基板を回転させる
工程を有するものである。
半導体基板外周上のレジスト膜を除去する工程におい
て、除去された前記レジスト膜の一部が前記レジスト膜
中の残存有機溶剤のため前記半導体基板中心方向に引き
込まれる力以上の遠心力により、前記半導体基板外周外
側へ排出される回転数にて前記半導体基板を回転させる
工程を有するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下に、本発明
の実施の形態を図に基づいて説明する。
の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００１３】図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ｄ）〜
（ｆ）、及び図３（ｇ）、（ｈ）は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図４は本
発明のレジスト塗布方法によるレジスト滴下後から有機
溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去し始める
までの時間とレジスト膜厚の関係を示したものである。
（ｆ）、及び図３（ｇ）、（ｈ）は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図４は本
発明のレジスト塗布方法によるレジスト滴下後から有機
溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去し始める
までの時間とレジスト膜厚の関係を示したものである。
【００１４】図１（ａ）に示すように、半導体基板１
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図１（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図２（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上のレジスト膜６を除去する。次に、図２
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図３（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図１（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図２（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上のレジスト膜６を除去する。次に、図２
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図３（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
【００１５】なお、本発明で使用した前記半導体基板１
は６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコン基板、前記レ
ジスト５および前記レジスト膜６はＪＳＲ製ＰＦＲ−Ｉ
Ｘ４１５、前記有機溶剤７は東京応化工業製ＯＫ７３シ
ンナーである。
は６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコン基板、前記レ
ジスト５および前記レジスト膜６はＪＳＲ製ＰＦＲ−Ｉ
Ｘ４１５、前記有機溶剤７は東京応化工業製ＯＫ７３シ
ンナーである。
【００１６】前記半導体基板１上に前記レジスト５を滴
下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周
上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時間と前記
半導体基板１上に形成された前記レジスト膜６の膜厚と
の関係を図４に示す。ここで、レジスト膜端部の膜厚と
は、前記レジスト膜６が前記有機溶剤７により除去され
た領域と前記レジスト膜６が残された領域の境目にあた
る部分の前記レジスト膜６の膜厚を示し、平坦部の膜厚
とは、前記レジスト膜端部から前記半導体基板１中心方
向へ５ｍｍ内側に入った部分の前記レジスト膜６の膜厚
を示す。
下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周
上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時間と前記
半導体基板１上に形成された前記レジスト膜６の膜厚と
の関係を図４に示す。ここで、レジスト膜端部の膜厚と
は、前記レジスト膜６が前記有機溶剤７により除去され
た領域と前記レジスト膜６が残された領域の境目にあた
る部分の前記レジスト膜６の膜厚を示し、平坦部の膜厚
とは、前記レジスト膜端部から前記半導体基板１中心方
向へ５ｍｍ内側に入った部分の前記レジスト膜６の膜厚
を示す。
【００１７】図４に示されるように、前記半導体基板１
上に前記レジスト５を滴下してから、前記有機溶剤７に
て前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去し
始めるまでの時間を２０秒とした場合、平坦部の前記レ
ジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し、前記レジスト膜６
端部の膜厚は４．４μｍとなり、図８（ｇ）に示すよう
な１．６μｍのレジスト膜盛り上がり８が発生してい
る。これは、前記半導体基板１上に形成された前記レジ
スト膜６中に、前記レジスト５中に含まれる有機溶剤が
残存し、前記残存有機溶剤のため前記レジスト膜６の乾
燥が不十分となり、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前
記有機溶剤７を滴下し、前記半導体基板１外周上の前記
レジスト膜６を除去する際、前記レジスト盛り上がり８
が発生したと考えられる。
上に前記レジスト５を滴下してから、前記有機溶剤７に
て前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去し
始めるまでの時間を２０秒とした場合、平坦部の前記レ
ジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し、前記レジスト膜６
端部の膜厚は４．４μｍとなり、図８（ｇ）に示すよう
な１．６μｍのレジスト膜盛り上がり８が発生してい
る。これは、前記半導体基板１上に形成された前記レジ
スト膜６中に、前記レジスト５中に含まれる有機溶剤が
残存し、前記残存有機溶剤のため前記レジスト膜６の乾
燥が不十分となり、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前
記有機溶剤７を滴下し、前記半導体基板１外周上の前記
レジスト膜６を除去する際、前記レジスト盛り上がり８
が発生したと考えられる。
【００１８】これに対し、前記半導体基板１上に前記レ
ジスト５を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導
体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまで
の時間を３６秒とした場合、平坦部の前記レジスト膜６
の膜厚２．８μｍに対し、前記レジスト膜６端部の膜厚
も２．８μｍなり、前記レジスト膜盛り上がり８が消失
している。
ジスト５を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導
体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまで
の時間を３６秒とした場合、平坦部の前記レジスト膜６
の膜厚２．８μｍに対し、前記レジスト膜６端部の膜厚
も２．８μｍなり、前記レジスト膜盛り上がり８が消失
している。
【００１９】これは、本発明に使用したレジスト種類お
よびレジスト膜厚の場合、レジスト膜厚２．８μｍを得
るためには、前記半導体基板１上に前記レジスト５を滴
下してから前記半導体基板１を一定回転数で回転させる
時間は２０秒でよいが、前記レジスト盛り上がり８の発
生を防止するためには、前記レジスト膜６中の前記残存
有機溶剤を乾燥させる工程として、前記半導体基板１を
さらに１６秒以上所定の回転数で回転させる工程を追加
する必要があることを示している。
よびレジスト膜厚の場合、レジスト膜厚２．８μｍを得
るためには、前記半導体基板１上に前記レジスト５を滴
下してから前記半導体基板１を一定回転数で回転させる
時間は２０秒でよいが、前記レジスト盛り上がり８の発
生を防止するためには、前記レジスト膜６中の前記残存
有機溶剤を乾燥させる工程として、前記半導体基板１を
さらに１６秒以上所定の回転数で回転させる工程を追加
する必要があることを示している。
【００２０】したがって、本発明の実施の形態１では、
前記半導体基板１上に前記レジスト５を滴下してから、
前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周上の前記レジ
スト膜６を除去し始めるまでの時間を、前記半導体基板
１上に形成された前記レジスト膜６の膜厚が安定するま
での２０秒に加え、前記半導体基板１上に形成された前
記レジスト膜６中に残存する前記有機溶剤を乾燥させる
ために１６秒以上を加え、合計３６秒以上とした。
前記半導体基板１上に前記レジスト５を滴下してから、
前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周上の前記レジ
スト膜６を除去し始めるまでの時間を、前記半導体基板
１上に形成された前記レジスト膜６の膜厚が安定するま
での２０秒に加え、前記半導体基板１上に形成された前
記レジスト膜６中に残存する前記有機溶剤を乾燥させる
ために１６秒以上を加え、合計３６秒以上とした。
【００２１】これにより、前記半導体基板１外周上の前
記レジスト膜６を、前記有機溶剤滴下用ノズル４から滴
下した前記有機溶剤７にて除去する際、前記レジスト膜
６端の前記レジスト盛り上がり８をなくすことができ
る。
記レジスト膜６を、前記有機溶剤滴下用ノズル４から滴
下した前記有機溶剤７にて除去する際、前記レジスト膜
６端の前記レジスト盛り上がり８をなくすことができ
る。
【００２２】前記レジスト盛り上がり８をなくすことに
より、図３（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を
前記半導体基板１上方より照射しながら前記半導体基板
１を熱板１０にて加熱する工程にて、前記レジスト膜６
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜６の一部が前
記半導体基板１から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板１上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板１上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
より、図３（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を
前記半導体基板１上方より照射しながら前記半導体基板
１を熱板１０にて加熱する工程にて、前記レジスト膜６
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜６の一部が前
記半導体基板１から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板１上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板１上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
【００２３】なお、本発明は、ＫｒＦエキシマ露光用レ
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記半導体基板１上に前記レジスト５
を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１
外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時間
は、前記半導体基板１上に形成された前記レジスト膜６
の膜厚が安定するまでの時間に加え、前記半導体基板１
上に形成された前記レジスト膜６中に残存する有機溶剤
を乾燥させるための時間を加えた合計時間となる。
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記半導体基板１上に前記レジスト５
を滴下してから、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１
外周上の前記レジスト膜６を除去し始めるまでの時間
は、前記半導体基板１上に形成された前記レジスト膜６
の膜厚が安定するまでの時間に加え、前記半導体基板１
上に形成された前記レジスト膜６中に残存する有機溶剤
を乾燥させるための時間を加えた合計時間となる。
【００２４】（実施の形態２）以下に、本発明の実施の
形態を図に基づいて説明する。
形態を図に基づいて説明する。
【００２５】図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ｄ）〜
（ｆ）、及び図３（ｇ）、（ｆ）は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図５は本
発明のレジスト塗布方法による半導体基板外周レジスト
除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚との関係を
示したものである。
（ｆ）、及び図３（ｇ）、（ｆ）は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図５は本
発明のレジスト塗布方法による半導体基板外周レジスト
除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚との関係を
示したものである。
【００２６】図１（ａ）に示すように、半導体基板１
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図１（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図２（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去する。次に、図２
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図３（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
を、前記半導体基板１下面を真空吸着したスピナ−２を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板１上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル３から、前記半導体基板１上
にレジスト５を所定量滴下する。次に、図１（ｃ）に示
すように、前記レジスト５を滴下後、前記半導体基板１
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板１上
に滴下された前記レジスト５を振り切り、前記半導体基
板１上に所定の膜厚のレジスト膜６を形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、前記半導体基板１外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル４から有機溶剤７を滴下
する。次に、図２（ｅ）に示すように、前記半導体基板
１を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル４から前記有機溶剤７を滴下しながら、前記半導体基
板１外周外側から前記半導体基板１上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基
板１外周上の前記レジスト膜６を除去する。次に、図２
（ｆ）に示すように、前記半導体基板１を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル４から前記有機
溶剤７を滴下しながら、前記半導体基板１上の所定の位
置から前記半導体基板１外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル４を移動させ、前記半導体基板１外
周上の前記レジスト膜６をより完全に除去する。次に、
図３（ｇ）に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル４
から滴下していた前記有機溶剤７を止め、前記半導体基
板１の回転を止め、前記半導体基板１上に前記レジスト
膜６を形成し、前記半導体基板１外周上の前記レジスト
膜６を除去する工程を完了する。
【００２７】なお、本発明で使用した前記半導体基板１
は６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコン基板、前記レ
ジスト５および前記レジスト膜６はＪＳＲ製ＰＦＲ−Ｉ
Ｘ４１５、前記有機溶剤７は東京応化工業製ＯＫ７３シ
ンナーである。
は６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコン基板、前記レ
ジスト５および前記レジスト膜６はＪＳＲ製ＰＦＲ−Ｉ
Ｘ４１５、前記有機溶剤７は東京応化工業製ＯＫ７３シ
ンナーである。
【００２８】前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周
上の前記レジスト膜６を除去する際の、前記半導体基板
１の回転数と前記半導体基板１上に形成された前記レジ
スト膜６の膜厚の関係を図５に示す。ここで、レジスト
膜端部の膜厚とは、前記レジスト膜６が前記有機溶剤７
により除去された領域と前記レジスト膜６が残された領
域の境目にあたる部分の前記レジスト膜６の膜厚を示
し、平坦部の膜厚とは、前記レジスト膜端部から前記半
導体基板１中心方向へ５ｍｍ内側に入った部分の前記レ
ジスト膜６の膜厚を示す。
上の前記レジスト膜６を除去する際の、前記半導体基板
１の回転数と前記半導体基板１上に形成された前記レジ
スト膜６の膜厚の関係を図５に示す。ここで、レジスト
膜端部の膜厚とは、前記レジスト膜６が前記有機溶剤７
により除去された領域と前記レジスト膜６が残された領
域の境目にあたる部分の前記レジスト膜６の膜厚を示
し、平坦部の膜厚とは、前記レジスト膜端部から前記半
導体基板１中心方向へ５ｍｍ内側に入った部分の前記レ
ジスト膜６の膜厚を示す。
【００２９】図５に示されるように、前記有機溶剤７に
て前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去す
る際の前記半導体基板１の回転数が３０００ｒｐｍの
時、平坦部の前記レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対
し、前記レジスト膜６端部の膜厚は４．４μｍとなり、
図８（ｇ）に示すような１．６μｍの前記レジスト膜盛
り上がり８が発生している。これは、前記半導体基板１
上に形成された前記レジスト膜６中に、前記レジスト５
中に含まれる有機溶剤が残存している状態で、前記有機
溶剤滴下用ノズル４から前記有機溶剤７を滴下し、前記
半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際、
前記レジスト膜６中の残存有機溶剤のため、除去された
前記レジスト膜６の一部が前記半導体基板１中心方向に
引き込まれ、この現象により前記レジスト盛り上がり８
が発生したと考えられる。
て前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去す
る際の前記半導体基板１の回転数が３０００ｒｐｍの
時、平坦部の前記レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対
し、前記レジスト膜６端部の膜厚は４．４μｍとなり、
図８（ｇ）に示すような１．６μｍの前記レジスト膜盛
り上がり８が発生している。これは、前記半導体基板１
上に形成された前記レジスト膜６中に、前記レジスト５
中に含まれる有機溶剤が残存している状態で、前記有機
溶剤滴下用ノズル４から前記有機溶剤７を滴下し、前記
半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際、
前記レジスト膜６中の残存有機溶剤のため、除去された
前記レジスト膜６の一部が前記半導体基板１中心方向に
引き込まれ、この現象により前記レジスト盛り上がり８
が発生したと考えられる。
【００３０】これに対し、前記有機溶剤７にて前記半導
体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際の前記
半導体基板１の回転数が７０００ｒｐｍの時には、平坦
部の前記レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し、前記レ
ジスト膜６端部の膜厚も２．８μｍとなり、前記レジス
ト膜盛り上がり８が消失している。
体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際の前記
半導体基板１の回転数が７０００ｒｐｍの時には、平坦
部の前記レジスト膜６の膜厚２．８μｍに対し、前記レ
ジスト膜６端部の膜厚も２．８μｍとなり、前記レジス
ト膜盛り上がり８が消失している。
【００３１】これは、本発明に使用したレジスト種類お
よび目標レジスト膜厚の場合、前記有機溶剤７にて前記
半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際の
前記半導体基板１の回転数が３０００ｒｐｍでは前記半
導体基板１外周近辺の遠心力が小さいため、前記レジス
ト膜６中の残存有機溶剤により、除去された前記レジス
ト膜６の一部が前記半導体基板１中心方向に引き込まれ
前記レジスト盛り上がり８が発生するが、前記有機溶剤
７にて前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除
去する際の前記半導体基板１の回転数が７０００ｒｐｍ
では前記半導体基板１外周近辺の遠心力が大きくなるた
め、前記レジスト膜６中に残存有機溶剤があっても、除
去された前記レジスト膜６の一部が前記半導体基板１中
心方向に引き込まず、前記レジスト盛り上がり８の発生
を防止できることを示している。
よび目標レジスト膜厚の場合、前記有機溶剤７にて前記
半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除去する際の
前記半導体基板１の回転数が３０００ｒｐｍでは前記半
導体基板１外周近辺の遠心力が小さいため、前記レジス
ト膜６中の残存有機溶剤により、除去された前記レジス
ト膜６の一部が前記半導体基板１中心方向に引き込まれ
前記レジスト盛り上がり８が発生するが、前記有機溶剤
７にて前記半導体基板１外周上の前記レジスト膜６を除
去する際の前記半導体基板１の回転数が７０００ｒｐｍ
では前記半導体基板１外周近辺の遠心力が大きくなるた
め、前記レジスト膜６中に残存有機溶剤があっても、除
去された前記レジスト膜６の一部が前記半導体基板１中
心方向に引き込まず、前記レジスト盛り上がり８の発生
を防止できることを示している。
【００３２】したがって、本発明の実施の形態２では、
前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周上の前記レジ
スト膜６を除去する際の前記半導体基板１の回転数を７
０００ｒｐｍ以上とした。
前記有機溶剤７にて前記半導体基板１外周上の前記レジ
スト膜６を除去する際の前記半導体基板１の回転数を７
０００ｒｐｍ以上とした。
【００３３】これにより、前記半導体基板１外周上の前
記レジスト膜６を、前記有機溶剤滴下用ノズル４から滴
下した前記有機溶剤７にて除去する際、前記レジスト膜
６端の前記レジスト盛り上がり８をなくすことができ
る。
記レジスト膜６を、前記有機溶剤滴下用ノズル４から滴
下した前記有機溶剤７にて除去する際、前記レジスト膜
６端の前記レジスト盛り上がり８をなくすことができ
る。
【００３４】前記レジスト盛り上がり８をなくすことに
より、図３（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を
前記半導体基板１上方より照射しながら前記半導体基板
１を熱板１０にて加熱する工程にて、前記レジスト膜６
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜６の一部が前
記半導体基板１から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板１上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板１上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
より、図３（ｈ）に示すように、次工程での紫外光９を
前記半導体基板１上方より照射しながら前記半導体基板
１を熱板１０にて加熱する工程にて、前記レジスト膜６
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜６の一部が前
記半導体基板１から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板１上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板１上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
【００３５】なお、本発明は、ＫｒＦエキシマ露光用レ
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１
外周上の前記レジスト膜６を除去する際の前記半導体基
板１の回転数は、前記レジスト膜６中の残存有機溶剤に
より除去された前記レジスト膜６の一部が前記半導体基
板１中心部に引き込まれる力より大きな遠心力を前記半
導体基板１外周近辺に発生させる回転数以上となる。
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記有機溶剤７にて前記半導体基板１
外周上の前記レジスト膜６を除去する際の前記半導体基
板１の回転数は、前記レジスト膜６中の残存有機溶剤に
より除去された前記レジスト膜６の一部が前記半導体基
板１中心部に引き込まれる力より大きな遠心力を前記半
導体基板１外周近辺に発生させる回転数以上となる。
【００３６】
【発明の効果】以上実施の形態１で説明したように、半
導体基板上にレジストを滴下してから、有機溶剤にて半
導体基板外周上のレジスト膜を除去し始めるまでの時間
を、半導体基板上に形成されたレジスト膜の膜厚が安定
するまでの時間に加え、半導体基板上に形成されたレジ
スト膜中に残存する有機溶剤を十分に乾燥させるための
時間を加えた時間以上に設定することにより、半導体基
板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズルから滴
下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端のレジス
ト盛り上がりをなくすことができる。
導体基板上にレジストを滴下してから、有機溶剤にて半
導体基板外周上のレジスト膜を除去し始めるまでの時間
を、半導体基板上に形成されたレジスト膜の膜厚が安定
するまでの時間に加え、半導体基板上に形成されたレジ
スト膜中に残存する有機溶剤を十分に乾燥させるための
時間を加えた時間以上に設定することにより、半導体基
板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズルから滴
下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端のレジス
ト盛り上がりをなくすことができる。
【００３７】また、以上実施の形態２で説明したよう
に、有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去
する際の半導体基板の回転数を、レジスト膜中の残存有
機溶剤のため除去されたレジスト膜の一部が半導体基板
中心方向に引き込まれる力より大きな遠心力を半導体基
板外周近辺に発生させる回転数以上とすることにより、
半導体基板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズ
ルから滴下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端
のレジスト盛り上がりをなくすことができる。
に、有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去
する際の半導体基板の回転数を、レジスト膜中の残存有
機溶剤のため除去されたレジスト膜の一部が半導体基板
中心方向に引き込まれる力より大きな遠心力を半導体基
板外周近辺に発生させる回転数以上とすることにより、
半導体基板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズ
ルから滴下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端
のレジスト盛り上がりをなくすことができる。
【００３８】実施の形態１、２に示すように、レジスト
膜端のレジスト盛り上がりをなくすことにより、次工程
での紫外光を半導体基板上方より照射しながら半導体基
板を熱板にて加熱する工程にて、レジスト膜中の気泡の
発生をなくし、レジスト膜の一部が半導体基板から剥離
することを防止することにより、半導体基板上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせず、半導体基板上に形成
された半導体装置の歩留まりを安定させることができ
る。
膜端のレジスト盛り上がりをなくすことにより、次工程
での紫外光を半導体基板上方より照射しながら半導体基
板を熱板にて加熱する工程にて、レジスト膜中の気泡の
発生をなくし、レジスト膜の一部が半導体基板から剥離
することを防止することにより、半導体基板上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせず、半導体基板上に形成
された半導体装置の歩留まりを安定させることができ
る。
【図１】本発明のレジスト塗布方法および効果を示す図
【図２】本発明のレジスト塗布方法および効果を示す図
【図３】本発明のレジスト塗布方法および効果を示す図
【図４】本発明のレジスト塗布方法によるレジスト滴下
後から有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除
去し始めるまでの時間とレジスト膜厚の関係を示す図
後から有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除
去し始めるまでの時間とレジスト膜厚の関係を示す図
【図５】本発明のレジスト塗布方法による半導体基板外
周レジスト除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚
の関係を示す図
周レジスト除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚
の関係を示す図
【図６】従来のレジスト塗布方法および課題を示す図
【図７】従来のレジスト塗布方法および課題を示す図
【図８】従来のレジスト塗布方法および課題を示す図
１ 半導体基板
２ スピナ−
３ レジスト滴下用ノズル
４ 有機溶剤滴下用ノズル
５ レジスト
６ レジスト膜
７ 有機溶剤
８ レジスト膜盛り上がり
９ 紫外光
１０ 熱板
１１ レジスト異物
Claims (3)
- 【請求項１】 一定回転数で回転させている半導体基板
上にレジストを滴下し、前記半導体基板上にレジスト膜
を形成する第１の工程と、前記第１の工程の後に前記半
導体基板をさらに一定時間回転させる第２の工程と、前
記第２の工程の後に前記半導体基板を一定回転数で回転
させながら、前記半導体基板外周外側から外周の一定距
離内側まで、ノズルから有機溶剤を滴下しながら前記ノ
ズルを動かし、前記半導体基板外周上の前記レジスト膜
を除去する第３の工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記記載の第２の工程は、前記レジスト
膜中の残存有機溶剤が乾燥する時間以上保持されること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記記載の第３の工程は、除去された前
記レジスト膜の一部が前記半導体基板中心方向に引き込
まれる力以上の遠心力により前記半導体基板外周外側へ
排出される回転数を保持することを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049109A JP2003249436A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049109A JP2003249436A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249436A true JP2003249436A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28661708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002049109A Pending JP2003249436A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003249436A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
| WO2018116745A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
| JP2018121045A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
| CN108364886A (zh) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 东京毅力科创株式会社 | 涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质 |
| CN109786289A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质 |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049109A patent/JP2003249436A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
| US8043657B2 (en) | 2006-09-14 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method |
| US8496991B2 (en) | 2006-09-14 | 2013-07-30 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method |
| JPWO2018116745A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
| WO2018116745A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
| JP2018121045A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
| CN108364886A (zh) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 东京毅力科创株式会社 | 涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质 |
| JP7024307B2 (ja) | 2017-01-26 | 2022-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
| CN109786289A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质 |
| KR20190054932A (ko) * | 2017-11-14 | 2019-05-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
| JP2019091782A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP7007869B2 (ja) | 2017-11-14 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| TWI813594B (zh) * | 2017-11-14 | 2023-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取的記錄媒體 |
| KR102628766B1 (ko) * | 2017-11-14 | 2024-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
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