CN112684663A - 基片处理装置 - Google Patents

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CN112684663A CN202011078255.1A CN202011078255A CN112684663A CN 112684663 A CN112684663 A CN 112684663A CN 202011078255 A CN202011078255 A CN 202011078255A CN 112684663 A CN112684663 A CN 112684663A
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稻叶翔吾
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Abstract

本发明提供一种基片处理装置，其在一个方面包括：收纳基片的处理室；能够保持基片并使之旋转的旋转保持部；对旋转保持部所保持的基片的表面供给处理液的处理液供给部；排气部，其从设置于比旋转保持部所保持的基片的外周靠外侧的位置的排气口，将处理室内的气体排出；板，其以在旋转保持部所保持的基片的周向上的一部分于表面相对，且在该基片的周向上的其他部分不与表面相对的方式配置在处理室内；和板配置部，其能够切换第一状态和第二状态，其中，第一状态是板在一部分与表面相对的状态，第二状态是板位于比第一状态离开表面的位置的状态。根据本发明，在进行需要板的液处理和不需要板的液处理中，能够降低板未使用时对液处理结果的影响。

Description

基片处理装置
技术领域
本发明涉及一种基片处理装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种涂敷膜形成装置(基片处理装置)，其包括：使保持于基片保持部的基片旋转的旋转机构；对基片的中央部供给涂敷液的涂敷液供给机构；为了覆盖基片的周缘部上方而沿基片的周向呈环状地设置的环状部件；使环状部件升降的升降机构；和控制部。该基片处理装置的控制部输出控制信号，以执行以下步骤，即：在环状部件处于对气流进行整流的处理位置的状态下使基片旋转的步骤；和使环状部件避让到避让位置的步骤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-109306号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
基片处理装置在使用处理液进行处理时，存在进行需要上述的专利文献1记载的环状部件那样的板的液处理和不需要板的液处理的情况。本发明在进行需要板的液处理和不需要板的液处理的装置中，能够降低板未使用时的对液处理结果的影响。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方面的基片处理装置包括：收纳基片的处理室；能够保持处理室内的基片并使之旋转的旋转保持部；对旋转保持部所保持的基片的表面供给处理液的处理液供给部；排气部，其从设置于比旋转保持部所保持的基片的外周靠外侧的位置的排气口，将处理室内的气体排出；板，其以在旋转保持部所保持的基片的周向上的一部分于表面相对，且在该基片的周向上的其他部分不与表面相对的方式配置在处理室内；和板配置部，其能够切换第一状态和第二状态，其中，第一状态是板在一部分与表面相对的状态，第二状态是板位于比第一状态离开表面的位置的状态。
发明效果
依照本发明，在进行需要板的液处理和不需要板的液处理的装置中，能够降低板未使用时的对液处理结果的影响。
附图说明
图1是例示基片处理系统的概要结构的示意图。
图2是例示涂敷显影装置的内部结构的示意图。
图3是例示液处理单元的结构的示意图。
图4是例示板与晶片相对的状态的示意性的平面图。
图5是例示板的移位的示意性的侧面图。
图6是表示板的另一个例子的示意性的平面图。
图7是表示板的另一个例子的示意性的平面图。
图8是表示控制装置的硬件结构的一个例子的框图。
图9是表示液处理流程的一个例子的流程图。
图10是表示需要板的液处理的一个例子的流程图。
图11是表示晶片W的旋转速度控制的一个例子的图表。
图12是表示不需要板的液处理的一个例子的流程图。
图13是表示与周向的相对范围对应的干燥时间的图表。
图14(a)和图14(b)分别是表示第二状态的板的影响的图表。
图15是例示第二实施方式的板的示意性的平面图。
图16是例示板的移位的示意性的侧面图。
图17是表示板的移位的另一个例子的示意性的侧面图。
附图标记说明
2……涂敷显影装置，20……旋转保持部，30……处理液供给部，60……排气部，62……排气口，70、70A、70B、70C……板，80……板配置部，S……处理室，W……晶片，Wa……表面。
具体实施方式
下面，参照图面，对一实施方式进行说明。在说明中，对相同的要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[基片处理系统]
首先，参照图1和图2，对基片处理系统的概要结构进行说明。基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片例如是半导体的晶片W。作为处理对象的基片可以包含2种以上的晶片W，2种以上的晶片W可以包含在表面形成有高低差的晶片W(高低差基片)。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行形成于晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理之前进行在晶片W(基片)的表面形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
[第一实施方式]
下面，作为第一实施方式的基片处理装置的一个例子，对涂敷显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6和控制装置100。
承载器区块4进行向涂敷显影装置2内导入晶片W的动作和从涂敷显影装置2内导出晶片W的动作。例如承载器区块4能够支承晶片W用的多个承载器C，内置有包含交接臂的输送装置A1。承载器C收纳例如圆形的多个晶片W。输送装置A1从承载器C取出晶片W并将其交送到处理区块5，从处理区块5接收晶片W并将其送回承载器C内。
处理区块5具有多个处理模块11、12、13、14。处理模块11、12、13、14内置有液处理单元U1、热处理单元U2和包含对上述单元输送晶片W的输送臂的输送装置A3。液处理单元U1通过将处理液供给到晶片W的表面来进行液处理。热处理单元U2例如内置有热板和冷却板，能够用热板将晶片W加热，并用冷却板将加热后的晶片W冷却以进行热处理。
处理模块11利用液处理单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。处理模块11的液处理单元U1将用于形成下层膜的处理液涂敷在晶片W上。处理模块11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。
处理模块12利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理模块12的液处理单元U1将抗蚀剂膜形成用的处理液供给到下层膜之上，使晶片W旋转以使处理液的液膜干燥。处理模块12的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。作为热处理的具体例子，能够列举出用于使涂敷膜固化而形成抗蚀剂膜的加热处理(PAB：PreApplied Bake(预处理烘烤))。
处理模块13利用液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理模块13的液处理单元U1将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜之上。处理模块13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理模块14利用液处理单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。处理模块14的液处理单元U1在已曝光的晶片W的表面上涂敷了显影液后，用冲洗液对其进行冲洗以进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例子，能够列举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake(后曝光烘烤))、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake(后烘烤))等。
在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U10。搁架单元U10被划分成在上下方向上排列的多个小室。在搁架单元U10的附近设置有包含升降臂的输送装置A7。输送装置A7使晶片W在搁架单元U10的小室彼此之间升降。
在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U11。搁架单元U11被划分成在上下方向上排列的多个小室。
接口区块6在其与曝光装置3之间进行晶片W的交接。例如接口区块6内置有包含交接臂的输送装置A8，与曝光装置3连接。输送装置A8将配置于搁架单元U11的晶片W交送到曝光装置3，从曝光装置3接收晶片W并将其送回搁架单元U11。
[涂敷显影处理流程]
控制装置100例如控制涂敷显影装置2以按以下的流程实施涂敷显影处理。首先，控制装置100控制输送装置A1以将承载器C内的晶片W输送到搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块11用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。此外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2以在该晶片W的表面上形成下层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3以将形成有下层膜的晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将晶片W配置在处理模块12用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。此外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2以在该晶片W的表面形成抗蚀剂膜。关于形成抗蚀剂膜的液处理(以下，称为“液处理流程”。)的具体例子，在后文说明。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7以将该晶片W配置在处理模块13用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U10的晶片W输送到处理模块13内的各单元。此外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2以在晶片W的抗蚀剂膜上形成上层膜。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U11。
接着，控制装置100控制输送装置A8以将搁架单元U11的晶片W送出到曝光装置3。之后，控制装置100控制输送装置A8，以从曝光装置3收取实施了曝光处理的晶片W，并将其配置在搁架单元U11中的处理模块14用的小室。
接着，控制装置100控制输送装置A3以将搁架单元U11的晶片W输送到处理模块14内的各单元，控制液处理单元U1和热处理单元U2以对该晶片W的抗蚀剂膜实施显影处理。之后，控制装置100控制输送装置A3以将晶片W送回搁架单元U10，控制输送装置A7和输送装置A1以将该晶片W送回承载器C内。如上所述，涂敷显影处理完成。
此外，基片处理装置的具体结构并不限于以上例示的涂敷显影装置2的结构。基片处理装置只要具有对基片供给处理液进行液处理的液处理单元和能够控制该单元的控制装置100，可以是任意装置。
[液处理单元]
下面，参照图3，对液处理单元U1的一个例子详细地进行说明。此处，以形成抗蚀剂膜的处理模块12中的液处理单元U1为例进行说明。处理模块12的液处理单元U1进行处理液的种类和作为处理对象的晶片W的种类中的至少一者彼此不同的多个液处理。多个液处理包括需要板的第一液处理和不需要板的第二液处理。
在第一液处理中，液处理单元U1使用第一种处理液(以下，称为“处理液L1”。)在第一种晶片W(以下，称为“晶片W1”。)的表面Wa形成抗蚀剂膜。在第二液处理中，液处理单元U1使用第二种处理液(以下，称为“处理液L2”。)在第二种晶片W(以下，称为“晶片W2”。)的表面Wa形成抗蚀剂膜。
处理液L1是中粘度以上的抗蚀剂液。处理液L1的粘度例如可以为50cP～1000cP，也可以为100cP～600cP，还可以为200cP～500cP。此外，处理液L1的粘度也可以为100cP～300cP，或者也可以为300cP～600cP。处理液L2是与处理液L1相比低粘度的抗蚀剂液。作为一个例子，处理液L2的粘度为几cP～几十cP程度。晶片W1在表面Wa具有高低差。作为在表面Wa形成的高低差的具体例子，能够列举出通过使用抗蚀剂图案的蚀刻处理等而预先形成的凹凸图案中的高低差。晶片W2可以在表面Wa具有高低差，也可以在表面Wa不具有高低差。
如图3所示，液处理单元U1包括旋转保持部20、处理液供给部30、杯状体40、排气部60、板70和板配置部80。
旋转保持部20能够保持晶片W并使之旋转。旋转保持部20例如具有保持部22、轴部24和旋转驱动部26。保持部22支承以表面Wa朝向上方的状态水平地配置的晶片W的中心部，通过吸附(例如真空吸附)来保持该晶片W。旋转驱动部26经由铅垂地延伸的轴部24与保持部22连接，将例如电动马达作为动力源，使保持部22绕铅垂的轴线旋转。由此晶片W旋转。保持部22也可以以晶片W的中心CP与上述轴线大致一致的方式保持晶片W。在该情况下，晶片W绕中心CP旋转。旋转保持部20具有使对表面Wa供给了处理液的晶片W旋转，以使处理液的液膜干燥(形成涂敷膜)的功能。
处理液供给部30对旋转保持部20所保持的晶片W的表面Wa供给第一种处理液L1和第二种处理液L2的任一者。处理液供给部30具有喷嘴32A、32B、供给源34A、34B和喷嘴移动部36A、36B。喷嘴32A、32B对晶片W的表面Wa分别释放处理液L1、L2。例如，喷嘴32A、32B配置在晶片W的上方，向下方分别释放处理液L1、L2。供给源34A、34B通过泵等(未图示)分别对喷嘴32A、32B供给处理液L1、L2。喷嘴移动部36A、36B将电动马达等作为动力源，使喷嘴32A、32B分别在晶片W的上方的释放位置与跟该释放位置隔开间隔的等待位置之间移动。
杯状体40收纳旋转保持部20所保持的晶片W。杯状体40例如具有底壁42、外壁44、内壁46、引导部48和盖部件52。底壁42以包围旋转保持部20的方式形成为圆环状。底壁42的一部分与保持部22所保持的晶片W的背面Wb相对。底壁42包含将处理液L1、L2排出到杯状体40外的排液管42b的排液口42a。
外壁44从底壁42的外缘突出到铅垂上方，形成为圆筒状。外壁44位于比保持部22所保持的晶片W的周缘Wc靠外侧处。外壁44的上端位于比保持部22所保持的晶片W的表面Wa靠上方处。外壁44的上端部是开放的，构成向杯状体40内的空间吸气的吸气口44a。外壁44的上侧部分(例如比晶片W的表面Wa靠上的部分)也可以以随着去往上方而逐渐缩径的方式向内侧倾斜。
内壁46从底壁42的内缘向铅垂上方突出，形成为圆筒状。内壁46位于比保持部22所保持的晶片W的周缘Wc靠内侧处。内壁46的上端位于比保持部22所保持的晶片W靠下方处。
引导部48是从内壁46的上端向外壁44侧扩张的圆环状部分。引导部48的外缘位于比保持部22所保持的晶片W的周缘Wc靠外侧处，位于比外壁44靠内侧处。引导部48具有伞状的上表面。例如，引导部48的上表面中比周缘Wc靠外侧的部分的高度，随着靠近外壁44而逐渐变低。由此，在杯状体40内，从晶片W上落下的处理液L1、L2被引导部48引导到底壁42的排液口42a，从排液口42a经由排液管42b被排出到杯状体40外。
盖部件52封闭内壁46所包围空间的上部。旋转保持部20的旋转驱动部26位于盖部件52的下方，保持部22位于盖部件52的上方，轴部24贯通盖部件52。
排气部60排出杯状体40内的气体。排气部60具有以贯通底壁42的方式设置的排气管64。排气管64的一端在杯状体40内的空间开口。排气管64的另一端与排气泵(未图示)连接。由此，杯状体40内的气体经由排气管64被排出。此处，将杯状体40内的空间中比盖部件52和引导部48靠上方的部分作为处理室S。晶片W由旋转保持部20的保持部22保持在处理室S内。
处理室S内的气体经由外壁44与引导部48的外周缘之间从处理室S内流到杯状体40的下部，经由排气管64被引导到杯状体40外，因此引导部48与外壁44之间成为处理室S的排气口。处理室S的排气口(以下，称为“排气口62”。)，设置于比旋转保持部20所保持的表面Wa的外周靠外侧的位置。排气口62由包围保持部22所保持的晶片W的周缘Wc的一个环状的间隙构成。在用排气部60对处理室S内进行排气时，气体从杯状体40外(吸气口44a)流入处理室S内。由此，在处理室S内(晶片W的表面Wa的上方)，生成从吸气口44a去往排气口62的气体的流动(气流)。
板70用于在第一液处理中调节处理室S内的气体的流动。例如，板70用于调节表面Wa上的气体的流速(沿表面Wa从晶片W的中心去往排气口62的气体的流速)。板70在实施第一液处理的期间的至少一部分中，以与旋转保持部20所保持的晶片W1的表面Wa隔开规定的间隔(以下，称为“第一间隔”。)地相对的方式配置处理室S内。以下，将该状态称为“第一状态”。
在第一状态中，板70以在旋转保持部20所保持的晶片W1的周向的一部分与表面Wa相对，在晶片W1的周向的其他部分不与表面Wa相对的方式，配置在处理室S内。此外，在本说明书中，“与表面Wa相对”是指，从与表面Wa垂直的方向(例如，铅垂方向)观察，与表面Wa重叠的情况。由此，在板70与表面Wa之间形成气体的流路，与板70不存在的情况相比，表面Wa上的气体的流速上升。由此，能够促进形成于晶片W的表面Wa的处理液L1的液膜的干燥。作为一个例子，第一间隔为0.5mm～5mm。第一间隔可以为1mm～4mm，也可以为2mm～3mm。
图4是俯视观察第一状态下的板70和晶片W(从上方观察时)的图。如图4所示，从上方观察时，板70形成为大致半圆状。从上方观察时，板70的面积比晶片W的面积小。板70具有关于通过晶片W的中心将板70的面积二等分的线对称的外形。板70可以包含外周缘72、内周缘74、侧缘76和侧缘78。
在第一状态下，外周缘72的中心与晶片W的中心CP大致一致。外周缘72是具有比晶片W的半径大的半径的圆弧，内周缘74是位于比外周缘72靠内侧处的圆弧。侧缘76将外周缘72的一端72a与内周缘74的一端74a连接。侧缘78将外周缘72的另一端72b与内周缘74的另一端74b连接。侧缘76将一端72a与一端74a以最短距离连接，侧缘78将另一端72b与另一端74b以最短距离连接。
外周缘72的曲率半径与内周缘74的曲率半径可以彼此不同。例如，内周缘74的曲率半径比外周缘72的曲率半径小。外周缘72的中心与内周缘74的中心可以为彼此相同的位置，也可以为彼此不同的位置。例如，从外周缘72至内周缘74的中心为止的距离，比外周缘72的半径大。在图4中，晶片W的周向上的板70与表面Wa相对的一部分由“部分Ca”表示，晶片W的周向上的板70不与表面Wa相对的其他部分由“部分Cb”表示。在部分Ca，在晶片W的径向的至少一部分，板70与表面Wa相对。在部分Cb，在晶片W的径向的所有部分，板70不与表面Wa相对。在板70中，侧缘76与晶片W的外周的交点以及侧缘78与晶片W的外周的交点，成为晶片W的周向上的部分Ca的两端部。
相对于晶片W的表面Wa，部分Ca所占的范围(以下，称为“部分Ca的范围”)，考虑第一状态下的处理液L1的液膜的干燥促进来确定。作为一个例子，晶片W的周向上的部分Ca的范围成为40％(绕晶片W的中心的144°)以上。此外，部分Ca的范围也考虑板70的避让容易性(进行避让的容易性)来确定。作为一个例子，晶片W的周向上的部分Ca的范围成为60％(绕晶片W的中心的216°)以下。即，板70在第一状态下，在晶片W的周向上的40％～60％的部分与晶片W的表面Wa相对。
从进一步的干燥促进的观点出发，晶片W的周向上的部分Ca的范围可以为45％以上，也可以为50％以上。进而，从同样的观点出发，部分Ca的面积相对于晶片W的表面Wa的面积可以为40％以上，也可以为45％以上，还可以为50％以上。
从板70的进一步的避让容易性的观点出发，晶片W的周向上部分Ca的范围可以为55％以下，也可以为50％以下。进而，从同样的观点出发，部分Ca的面积相对于晶片W的表面Wa的面积可以为60％以下，也可以为55％以下，还可以为50％以下。
板配置部80切换上述第一状态与跟第一状态相比板70位于更加离开晶片W的位置的状态(以下，称为“第二状态”。)。将板70配置为第二状态，是使板70避让的一个例子。例如，板配置部80在执行第一液处理的期间的至少一部分中，将板70配置成第一状态，在执行第二液处理的期间将板70配置成第二状态。
在图5中，示出了板70的配置的切换的情形，第一状态下的板70由虚线表示，第二状态下的板70由实线表示。如图5所例示的那样，板配置部80使板70在与保持部22所保持的晶片W的表面Wa垂直的方向(以下，称为“垂直方向D1”。)上移位，由此切换第一状态和第二状态。作为一个例子，板配置部80如图5所示，沿垂直方向D1使板70平行移动，来切换板70的配置状态。
第二状态下的板70与表面Wa的间隔(以下，称为“第二间隔”。)比上述第一间隔大。第二间隔被设定成处于能够忽略板70对第二液处理中的液处理结果的影响的水平。第二间隔例如可以为50mm～180mm，也可以为70mm～160mm，还可以为80mm～150mm。此外，第二间隔可以为70mm～120mm，或者可以为130mm～150mm。板配置部80在垂直方向D1上使板70移位来切换第一状态和第二状态的情况下，板70与表面Wa相对的面积，在第一状态和第二状态下是大致相同的。
板配置部80例如具有用于将板70保持在规定的位置的保持部82和使保持部82移位的移位驱动部84。保持部82的一端与板70的上表面连接。移位驱动部84将电动马达等作为动力源，使保持部82在垂直方向D1上移动。
回到图3，排气部60的排气口62，如上所述以整周地包围保持部22所保持的晶片W的周缘Wc的方式设置。因此，排气口62设置于板70在第一状态下与表面Wa相对的部分(部分Ca)所对应的位置，和板70在第一状态下不与晶片W相对的部分(部分Cb)所对应的位置。此外，排气口62也可以设置在与部分Ca对应的位置，而不设置在与部分Cb对应的位置。
排气口62也可以构成为与部分Ca对应的位置的排气流量和与部分Cb对应的位置的排气流量彼此不同。例如排气口62可以构成为部分Ca的排气流量比部分Cb的排气流量大。具体而言，可以为，与部分Ca对应的位置的排气口62的开口宽度(引导部48与外壁44的间隙)，比与部分Cb对应的位置的排气口62的开口宽度大。排气口62也可以代替沿晶片W的周向的一连串的间隙，而由排列在晶片W的周向的多个排气孔构成。该情况下，排气孔的分布范围成为排气口62的形成范围。此外，能够根据各排气孔的大小，来调节排气口62的每个部分的排气流量。
板70和板配置部80的结构并不限定于上述的例子。板70只要能够以在旋转保持部20所保持的晶片W1的周向的一部分与表面Wa相对，在晶片W1的周向的其他部分不与表面Wa相对的方式配置在处理室S内，就可以为任意结构。例如，图6所示的板70A具有与板70不同的外形。板70A具有关于通过晶片W的中心将板70A的面积二等分的线不对称的外形。在板70A中，内周缘74的一端74a以及侧缘78与晶片W的外周的交点成为晶片W的周向上的部分Ca的两端部。
图7所示的板70B也具有与板70不同的外形。板70B不包含内周缘74，而形成为扇状。即，在板70B中，侧缘76、78在晶片W的中心相交。在板70B中，侧缘76、78成为晶片W的周向上的部分Ca的两端部。侧缘76、78所成的角为180°的情况下，板70B的形状成为半圆。
板配置部80也可以构成为除了在垂直方向D1上，还在沿保持部22所保持的晶片W的表面Wa的方向上使板70、70A、70B移位。具体而言，板配置部80也可以在沿表面Wa的方向上使板70、70A、70B移位，使得第二状态下的板70、70A、70B与表面Wa相对的面积(以下，称为“第二状态下的相对面积”。)比第一状态下的板70、70A、70B与表面Wa相对的面积(以下，称为“第一状态下的相对面积”。)小。
例如，板配置部80可以使板70、70A、70B移位，使得第二状态下的相对面积与第一状态下的相对面积相比减少10％～50％程度。板配置部80也可以使板70、70A、70B移位，使得第二状态下的相对面积与第一状态下的相对面积相比减少15％～45％的程度，还可以使板70、70A、70B移位，以使第二状态下的相对面积与第一状态下的相对面积相比减少20％～40％的程度。
板配置部80也可以使板70、70A、70B移位，使得第二状态下的相对面积与第一状态下的相对面积相比减少100％。即，板配置部80可以使板70、70A、70B移位至第二状态下板70、70A、70B不与表面Wa相对的位置。即，使第二状态下的相对面积变得比第一状态下的相对面积小的情况，也包含使第二状态下的相对面积为零的情况。
板配置部80在垂直方向D1上使板70、70A、70B移位之前和之后的任一者中，可以使板70、70A、70B沿表面Wa移位，也可以使板70、70A、70B在沿表面Wa的方向上移位的期间的至少一部分与板70、70A、70B在垂直方向D1上移位的期间重复。
板配置部80也可以构成为使板70、70A、70B在沿表面Wa的一个方向上平行移动。此外，板配置部80也可以构成为绕通过与中心CP不同的位置并与表面Wa垂直的轴线Ax1，使板70、70A、70B旋转。图6例示了绕设定于外周缘72的另一端72b的轴线Ax1使板70A旋转的情况。图7例示了使板70B在沿表面Wa的一个方向上平行移动的情况。
板配置部80也可以代替垂直方向D1上的板70、70A、70B的移位，或者除了该移位之外，使板70、70A、70B相对于表面Wa倾斜，使得在第二状态下板70、70A、70B比第一状态更加离开表面Wa。具体而言，板配置部80也可以使板70、70A、70B绕与旋转保持部20(保持部22)所保持的晶片W的表面Wa大致平行的轴线旋转，由此使板70、70A、70B相对于表面Wa倾斜(也参照图16)。上述轴线例如被设定成在其与中心CP之间夹着板70、70A、70B(处于第一状态的板70的外侧)。像这样使板70、70A、70B旋转的情况下，与第一状态相比，在第二状态下板70、70A、70B与表面Wa的最短距离变大。此外，板配置部80在除了板70、70A、70B的上述旋转之外，可以使板70、70A、70B在沿表面Wa的一个方向平行移动，要可以使板70、70A、70B绕与表面Wa垂直的轴线Ax1旋转。
为了使板70、70A、70B在垂直方向D1上和沿表面Wa的方向上移动，移位驱动部84也可以包含2个促动器。移位驱动部84也可以包含使保持部82在相对于垂直方向D1倾斜的方向上移动的1个促动器。移位驱动部84也可以包含：引导保持部82以在垂直方向D1和沿表面Wa的方向上移位的引导件；以及使保持部82沿该引导件移动的1个促动器。
[控制装置]
控制装置100控制涂敷显影装置2所包含的各要素。控制装置100构成为能够执行：用处理液供给部30对表面Wa供给处理液L1、L2，以使得在表面Wa形成处理液L1、L2的液膜的处理；和至少基于处理液的种类，用板配置部80，将表面Wa形成有上述液膜的晶片W旋转的期间的至少一部分中的板70的配置切换为第一状态或者第二状态的处理。
例如，控制装置100如图3所示，作为功能上的结构(以下，称为“功能模块”。)，具有存储部108、液供给控制部102、干燥控制部104和板配置控制部106。存储部108存储有分别表示多个液处理的条件的多个液处理条件。多个液处理条件各自包含作为处理对象的晶片W的种类、使用的处理液的种类、处理液供给条件和处理液的干燥条件等。
液供给控制部102一边用旋转保持部20使晶片W旋转一边用处理液供给部30对晶片W的表面Wa供给处理液L1、L2的任一者，以在晶片W形成处理液L1、L2的液膜。例如在第一液处理中，液供给控制部102按照存储部108存储的第一液处理用的液处理条件(以下，称为“第一液处理条件”。)，用处理液供给部30将处理液L1供给到晶片W1的表面Wa。例如液供给控制部102用喷嘴移动部36A将喷嘴32A配置在释放位置，以依据第一液处理条件的旋转速度用旋转保持部20使晶片W1旋转。此外，液供给控制部102以依据第一液处理条件的释放量、释放时间利用供给源34A从喷嘴32A释放处理液L1。
在第二液处理中，液供给控制部102按照存储部108存储的第二液处理用的液处理条件(以下，称为“第二液处理条件”。)，用处理液供给部30将处理液L2供给到晶片W2的表面Wa。例如液供给控制部102用喷嘴移动部36B将喷嘴32B配置到释放位置，以依据第二液处理条件的旋转速度用旋转保持部20使晶片W2旋转。此外，液供给控制部102以依据第二液处理条件的释放量、释放时间利用供给源34B从喷嘴32B释放处理液L2。
干燥控制部104用旋转保持部20使晶片W以使形成于晶片W的表面Wa上的处理液L1、L2的液膜干燥。例如在第一液处理中，干燥控制部104以依照第一液处理条件的旋转速度、旋转时间用旋转保持部20使晶片W1旋转。在第二液处理中，干燥控制部104以依照第二液处理条件的旋转速度、旋转时间用旋转保持部20使晶片W2旋转。
板配置控制部106用板配置部80将板70的配置切换为第一状态或者第二状态。具体而言，板配置控制部106至少基于处理液的种类，用板配置部80，将形成有任一处理液的液膜的晶片W旋转的期间的至少一部分中的板70的配置切换为第一状态或者第二状态。以下，将第一状态和第二状态成为切换对象的期间简称为“切换对象期间”。
切换对象期间包含形成有处理液L1、L2的液膜的晶片W旋转以使液膜干燥的期间的至少一部分。例如，在晶片W1的表面Wa上形成有处理液L1的液膜的情况下，板配置控制部106控制板配置部80以在切换对象期间成为第一状态。作为一个例子，在晶片W2的表面Wa上形成有处理液L2的液膜的情况下，板配置控制部106控制板配置部80以在切换对象期间成为第二状态。作为一个例子，板配置控制部106基于液供给控制部102和干燥控制部104是否按照任一液处理条件，来判断在表面Wa上是否形成了处理液L1、L2的任一者的液膜。
在任一情况下，在切换对象期间以外的期间，板配置控制部106控制板配置部80以使板70的配置成为第二状态。即，板配置控制部106在晶片W2的表面Wa上形成有处理液L2的液膜的情况下，将板70的配置维持为第二状态。此外，板配置控制部106也可以基于处理液的种类和晶片W的种类这两者，来进行切换对象期间的板70的配置的切换。作为一个例子，板配置控制部106在具有凹凸图案的表面Wa上形成有处理液L1的液膜的情况下，控制板配置部80以在切换对象期间成为第一状态，在其他情况下控制板配置部80以在切换对象期间成为第二状态。
控制装置100由一个或者多个控制用计算机构成。例如控制装置100具有图8所示的电路120。电路120具有一个或者多个处理器122、内存124、存储器126、输入输出端口128和计时器132。
处理器122具有例如硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行基于液处理单元U1的液处理流程的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和磁光盘等可取出的介质。内存124临时存储从存储器126的存储介质加载的程序和处理器122的运算结果。处理器122与内存124协同地执行上述程序，由此构成上述的各功能模块。计时器132通过对例如一定周期的基准脉冲进行计数来计量经过时间。输入输出端口128根据来自处理器122的指令，在其与控制对象的部件之间进行电信号的输入输出。
此外，控制装置100的硬件结构并不限定于一定由程序构成各功能模块。例如控制装置100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或者将它们集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[液处理流程]
图9是表示液处理流程的一个例子的流程图。如图9所示，控制装置100首先执行步骤S01、S02。在步骤S01中，例如液供给控制部102从存储部108获取执行对象的液处理的液处理条件。在步骤S02中，例如，液供给控制部102判断在步骤S01中获取到的液处理条件中处理液的种类是否为处理液L1。
控制装置100在处理液的种类为处理液L1的情况(例如，液处理条件为上述第一液处理条件的情况)下，按照第一液处理条件执行步骤S03的第一液处理。控制装置100在处理液的种类不为处理液L1的情况(例如，液处理条件为上述第二液处理条件的情况)下，按照第二液处理条件执行步骤S04的第二液处理。关于第一液处理和第二液处理各自的流程的具体例子，在后文说明。
接着，控制装置100执行步骤S05。在步骤S05中，例如，控制装置100控制输送装置A3，以将形成有处理液的液膜的晶片W输送到热处理单元U2。然后，控制装置100用热处理单元U2对晶片W实施热处理，以形成抗蚀剂膜。由以上所述，液处理流程结束。
(第一液处理)
图10是表示步骤S03的第一液处理的流程的一个例子的流程图。如图10所示，控制装置100首先执行步骤S31。在步骤S31中，例如，液供给控制部102在板70被配置成第二状态的状态下，用旋转保持部20开始使晶片W1旋转，控制喷嘴移动部36A以将喷嘴32A配置到释放位置。
接着，控制装置100执行步骤S32。在步骤S32中，例如，液供给控制部102如图11所示一边用旋转保持部20使晶片W1以旋转速度ω1旋转，一边用处理液供给部30从喷嘴32A开始释放处理液L1。旋转速度ω1是较低的旋转速度，作为一个例子为100rpm～300rpm。旋转速度ω1可以为150rpm～250rpm，也可以为180rpm～220rpm。
接着，控制装置100执行步骤S33。在步骤S33中，例如，液供给控制部102一边使处理液供给部30持续供给处理液L1，一边用旋转保持部20使晶片W1的旋转从旋转速度ω1上升至旋转速度ω2。旋转速度ω2被设定成处理液L1在表面Wa扩散的程度，作为一个例子为1000rpm～1600rpm。旋转速度ω2可以为1100rpm～1500rpm，也可以为1200rpm～1400rpm。
接着，控制装置100执行步骤S34、S35。在步骤S34中，液供给控制部102将旋转速度ω2下的晶片W1的旋转和处理液L1的供给持续规定时间。规定时间被设定成在表面Wa上形成处理液L1的液膜的程度。在步骤S35中，液供给控制部102使处理液供给部30停止供给处理液L1。液供给控制部102在处理液L1的供给停止后，控制喷嘴移动部36A以使喷嘴32A移动到避让位置。
接着，控制装置100执行步骤S36。在步骤S36中，例如，板配置控制部106控制板配置部80(移位驱动部84)以将处于第二状态的板70配置成第一状态。此外，在步骤S36中，干燥控制部104用旋转保持部20使晶片W1的旋转从旋转速度ω2减少至旋转速度ω3。
接着，控制装置100执行步骤S37。在步骤S37中，例如，干燥控制部104在使旋转速度减少至旋转速度ω3后等待，直至经过规定时间为止。即，干燥控制部104用旋转保持部20以旋转速度ω3使晶片W1旋转规定时间，使处理液L1的液膜干燥。此外，板配置控制部106在干燥控制部104用旋转保持部20以旋转速度ω3使晶片W旋转的期间，持续板70处于第一状态的配置。
旋转速度ω3可以比旋转速度ω1低。旋转速度ω3被设定成能够降低因离心力导致的处理液L1的流动而产生的膜厚的斑的程度，作为一个例子为20rpm～200rpm。旋转速度ω3可以为50rpm～150rpm，也可以为80rpm～120rpm。以旋转速度ω3旋转的规定时间，被设定为处理液L1的液膜被干燥(形成处理液L1的涂敷膜)的程度，作为一个例子为几十秒程度。
接着，控制装置100执行步骤S38。在步骤S38中，例如，控制装置100使旋转保持部20停止旋转晶片W1。此外，板配置控制部106控制板配置部80以将板70的配置从第一状态切换为第二状态。在执行步骤S31～S38的期间，控制装置100也可以使排气部60持续处理室S内的排气。由以上所述，第一液处理结束。
(第二液处理)
图12是表示步骤S04的第二液处理的流程的一个例子的流程图。在图12所示的第二液处理的流程中，步骤S41～S45以与步骤S31～S35同样的方式进行。在步骤S46中，例如，板配置控制部106在将处于第二状态的板70维持为第二状态(没有配置成第一状态)的状态下，干燥控制部104用旋转保持部20减少晶片W的旋转速度。
然后，在步骤S47中，干燥控制部104用旋转保持部20以比旋转速度ω3高的旋转速度使晶片W2旋转，以使处理液L2的液膜干燥。此时的旋转速度可以为600rpm～1400rpm，也可以为700rpm～1300rpm，还可以为800rpm～1200rpm。在第二液处理中，干燥控制部104用旋转保持部20以比旋转速度ω3高的旋转速度使晶片W2旋转规定时间，使处理液L2的液膜干燥。此外，板配置控制部106在干燥控制部104用旋转保持部20使晶片W2旋转以使处理液L2的液膜干燥的期间，使板配置部80持续板70处于第二状态的配置。之后，在步骤S48中，控制装置100使旋转保持部20停止旋转晶片W2。
[实施方式的效果]
如以上所说明的那样，涂敷显影装置2包括：收纳晶片W的处理室S；能够保持处理室S内的晶片W并使之旋转的旋转保持部20；对旋转保持部20所保持的晶片W的表面Wa供给处理液L1、L2的处理液供给部30；从设置于比旋转保持部20所保持的晶片W的外周靠外侧的位置的排气口62，将处理室S内的气体排出的排气部60；板70、70A、70B，其以在旋转保持部20所保持的晶片W的周向的一部分Ca与表面Wa相对，且在该晶片W的周向的其他部分Cb不与表面Wa相对的方式配置在处理室S内；以及，能够切换第一状态和第二状态的板配置部80，第一状态是板70、70A、70B与部分Ca的表面Wa相对的状态，第二状态是板70、70A、70B位于比第一状态更加离开表面Wa的位置的状态。
在晶片W的液处理中，存在供给了处理液后的表面Wa上的气体的流动影响到处理结果的情况。存在这样的情况：根据处理液的种类的不同，以靠近晶片W的表面Wa的状态且与之相对的方式配置板，在表面Wa上形成气体的流路，以调节液处理的结果，这是有效的。例如，在上述的第一液处理中，通过用板70、70A、70B在表面Wa上形成气体的流路，能够促进处理液L1的液膜的干燥。由此，能够将干燥时间的长度抑制在容许水平，并且降低干燥中的晶片W的旋转速度，抑制因干燥中的处理液L1的流动而导致的膜厚的斑。
另一方面，也存在根据处理液的种类的不同，而不需要板70、70A、70B的情况。例如，在上述的第二液处理中，低粘度的处理液L2“平滑”地扩展，因此即使令晶片W高速旋转也不容易产生膜厚的斑。在这样的情况下，存在当配置板70、70A、70B时，因气流的混乱而反倒使膜厚的斑扩大的可能性。因此，在不需要板70、70A、70B的液处理中，需要使板70、70A、70B充分避让。然而，在装置内，难以确保板70、70A、70B的避让空间。
对此，板70、70A、70B构成为在晶片W的周向上与表面Wa部分地相对。即使板70、70A、70B与表面Wa的相对范围是在晶片W的周向上为一部分，通过用旋转保持部20使晶片W旋转，也能够在表面Wa的所有区域得到基于板70、70A、70B的干燥促进效果。因此，能够实质上无损于处理液L1的干燥促进效果，而使板70、70A、70B小型化。由此，容易确保板70、70A、70B的避让空间。因此，在进行需要板的液处理和不需要板的液处理的装置中，对于降低板未使用时对液处理结果的影响是有效的。
板70、70A、70B可以为在第一状态下在晶片W的周向的40％～60％的部分与表面Wa相对。该情况下，能够进一步实现兼顾需要板的液处理中的板的效果和不需要板的液处理中的板的避让容易性。
板配置部80也可以使板70、70A、70B至少在与晶片W垂直的方向(垂直方向D1)上移位。该情况下，容易实现板配置部80的结构的简化。
板配置部80也可以使板70A，70B在沿表面Wa的方向上移位，使得第二状态下的板70、70A、70B与晶片W相对的面积比第一状态下的板70、70A、70B与表面Wa相对的面积小。该情况下，能够进一步实现兼顾需要板的液处理中的板的效果和不需要板的液处理中的板的避让容易性。
板配置部80也可以使板70、70A、70B相对于表面Wa倾斜，使得在第二状态下板70、70A、70B比第一状态更加离开表面Wa。该情况下，容易实现板配置部80的结构的简化。
排气口62也可以至少设置于板70、70A、70B在第一状态下与表面Wa相对的部分Ca所对应的位置。该情况下，在第一状态下在其板与晶片W的表面Wa之间，能够更可靠地形成用于液处理调节的气体的流路。因此，能够在需要板的液处理中更有效地灵活运用板。
排气口62也可以设置于板70、70A、70B在第一状态下不与表面Wa相对的部分Cb所对应的位置。为了除去(回收)来自被供给到表面Wa的处理液的升华物、雾或者液滴等，需要在液处理中对处理室S内进行排气。在上述结构中，在板不相对的位置也能够排出气体，因此能够抑制在板不相对的位置的升华物、雾或者液滴等的滞留。
涂敷显影装置2还可以包括：液供给控制部102，其使处理液供给部30对表面Wa供给处理液L1、L2，以在表面Wa形成处理液L1、L2的液膜；和板配置控制部106，其至少基于处理液的种类，使板配置部80将上述在表面Wa形成有液膜的晶片W旋转的期间的至少一部分期间中的板70、70A、70B的配置切换为第一状态或者第二状态。该情况下，能够适当地切换需要板的液处理和不需要板的液处理。
在图13中，例示了改变了在晶片W的周向上相对的范围的情况的干燥时间的测量结果。在图13中，“无板”是晶片W不与板相对的情况的干燥时间的测量结果。“40％”、“50％”和“60％”分别是在第一状态下，使用在晶片W的周向上与表面Wa相对的范围为40％、50％、和60％的板的情况的干燥时间的测量结果。“整周”是使用与晶片W的周向的整周相对的环状板的情况的干燥时间的测量结果。除了是否使用板和第一状态下的相对范围之外，其他测量条件相同。下面，将与环状板在周向的一部分相对的板称为“部分板”。
与“无板”的情况相比，“整周”的情况下，干燥时间减少至4成程度。因此，可知，利用环状板促进了表面Wa上的液膜的干燥。另一方面，在“50％”的情况和“60％”的情况下，与“无板”的情况相比，干燥时间减少至一般程度，在“40％”的情况下干燥时间减少至6成程度。即，可知，即使不在晶片W的周向的整周相对，而通过在晶片W的周向的40％～60％的范围使部分板与表面Wa相对，也能够得到接近环状板的干燥促进效果。
图14(a)和图14(b)使例示已避让的板对液处理的影响(膜厚变动)的程度的图表。在图14(a)和图14(b)中，横轴表示晶片W的径向上的从中心CP起的距离(mm)，纵轴表示膜厚的测量结果。在图14(a)中，测量值MV1(虚线)表示使用不具有任意板的液处理单元进行了液处理的情况的测量结果。测量值MV2(点划线)表示使环状板避让到晶片W的上方的情况的测量结果。通过比较测量值MV1和测量值MV2，在没有板的情况下在晶片W内实现了膜厚的均匀性，与之相对，在使环状板在上方避让的情况下在晶片W内膜厚发生了变动。当使环状板在上方避让时，在晶片W的中心附近和周缘部产生气体的流速变快的气流的混乱，由此膜厚发生变动。
测量值MV3(实线)表示使部分板避让至与测量值MV2的测量中的环状板相同的位置的情况的测量结果。比较测量值MV2和测量值MV3，可知，在使用部分板的情况下，与使用环状板的情况相比膜厚的变动小，已避让的板对液处理的影响小。
根据以上的结果，确认到：通过使用部分板来促进处理液的液膜的干燥，在兼顾需要板的液处理中的干燥促进和不需要板的液处理中的对膜厚均匀性的影响的降低的方面是有效的。此外，确认到：在第一状态下部分板在晶片W的周向的40％～60％的部分与表面Wa相对，由此能够更可靠地实现上述兼顾的效果。
在图14(b)中，测量值MV4(实线)表示除了测量值MV3的测量中的至避让位置的移位之外，使部分板避让使得与表面Wa相对的面积的情况的测量结果。在测量值MV4的测量中，第二状态下的与表面Wa相对的面积，跟第一状态相比减少了20％程度。可知，在该情况下，与使用环状板的情况相比膜厚的变动小。此外，可知，与图14(a)所示的测量值MV3相比，进一步降低了膜厚变动(对液处理的影响)。
[第二实施方式]
接着，对第二实施方式的基片处理装置(涂敷显影装置2)所具有的液处理单元U1进行说明。第二实施方式的液处理单元U1在代替板70而具有板70C这一方面，以及基于板配置部80的板70C的切换方法上，与第一实施方式的液处理单元U1不同。板70C具有与板70不同的外形。板70C具有关于通过晶片W的中心将板70C的面积2等分的线对称的外形，外周缘72和内周缘74的中心位置彼此大致相同。板配置部80切换板70C在部分Ca与表面Wa相对的第一状态和板70C以比第一状态小的面积与表面Wa相对的第二状态。
板配置部80也可以通过使板70C在沿旋转保持部20所保持的晶片W的表面Wa的方向上移位，来改变板70C与表面Wa相对的面积。或者，板配置部80也可以通过使板70C相对于旋转保持部20所保持的晶片W的表面Wa倾斜，来改变板70C与表面Wa相对的面积。具体而言，如图16所示，板配置部80通过使板70C绕与旋转保持部20(保持部22)所保持的晶片W的表面Wa大致平行的轴线Ax2旋转，使板70C相对于表面Wa倾斜。轴线Ax2例如被设定为在其与中心CP之间板70C的至少一部分。在图15和图16所示的例子中，在晶片W外侧的在第一状态下配置板70C的一侧，设定了轴线Ax2。
板配置部80也可以使板70C绕轴线Ax2旋转，以在第二状态下也保持板70C的至少一部分与表面Wa相对的状态。即，由板配置部80所实现的绕轴线Ax2的旋转角度也可以小于90°。板配置部80也可以在第二状态下使板70C绕轴线Ax2旋转至板70C相对于表面Wa立起的位置。即，由板配置部80所实现的绕轴线Ax2的旋转角度也可以与90°大致相等。或者，该旋转角度也可以大于90°。这样一来，切换为板70C以比第一状态小的面积与表面Wa相对的第二状态的情况，也包含在第二状态下板70C与表面Wa相对的面积为零的情况。
如图17所示，板配置部80也可以一边使板70C(轴线Ax2)在垂直方向D1上移位，一边使板70C绕轴线Ax2旋转。在从第一状态切换为第二状态时，首先，板配置部80使配置成第一状态的板70C在垂直方向D1上移动以从表面Wa离开(上升)。之后，板配置部80一边使板70C在垂直方向D1上移动以靠近表面Wa(下降)，一边绕轴线Ax2使板70C旋转至立起状态。从第二状态切换为第一状态时，首先，板配置部80一边使配置成第二状态的板70C上升，一边绕轴线Ax2使板70C旋转至放平的状态。之后，板配置部80使板70C下降至垂直方向D1。
第二实施方式的涂敷显影装置2包括：收纳晶片W的处理室S；能够保持处理室S内的晶片W并使之旋转的旋转保持部20；对旋转保持部20所保持的晶片W的表面Wa供给处理液L1、L2的处理液供给部30；从设置于比旋转保持部20所保持的晶片W的外周靠外侧的位置的排气口62，将处理室S内的气体排出的排气部60；板70C，其以在旋转保持部20所保持的晶片W的周向的一的部分Ca与表面Wa相对，在该晶片W的周向的其他部分Cb不与表面Wa相对的方式，配置在处理室S内；以及能够切换第一状态和第二状态的板配置部80，该第一状态是板70C与部分Ca的表面Wa相对的第一状态，该第二状态是板70C以比第一状态小的面积与表面Wa相对的状态。
在第二实施方式的涂敷显影装置2中，在进行需要板的液处理和不需要板的液处理的装置中，也对降低板未使用时对液处理结果的影响是有效的。
板配置部80也可以通过使板70C相对于表面Wa倾斜，来改变板70C与表面Wa相对的面积。该情况下，容易实现板配置部80的结构的简化。
以上，对第一实施方式和第二实施方式进行了说明，但是本发明并不一定限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种各样的改变。在上述的例子中，板70用于促进液膜的干燥，不过基于板70的液处理调节并不限于此。例如，也可以在处理模块14的液处理单元U1执行的显影处理中使用板70。
在显影处理中，液处理单元U1对形成有抗蚀剂膜的晶片W的表面Wa供给显影液。液处理单元U1可以一边用旋转保持部20使晶片W旋转一边供给显影液，也可以在使晶片W停止旋转的状态下供给显影液。液处理单元U1至少在用被供给到表面Wa的显影液进行抗蚀剂膜的显影的期间，使板70与表面Wa相对，用旋转保持部20使晶片W旋转。该情况下，通过与晶片W相对的板70，在晶片W的中央部和周缘部气体的流动被调节，能够调节抗蚀剂膜显影时的表面Wa上的温度。
作为处理对象的基片并不限于半导体晶片，例如也可以是玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。

Claims (10)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
收纳基片的处理室；
能够保持所述处理室内的所述基片并使之旋转的旋转保持部；
对所述旋转保持部所保持的所述基片的表面供给处理液的处理液供给部；
排气部，其从设置于比所述旋转保持部所保持的所述基片的外周靠外侧的位置的排气口，将所述处理室内的气体排出；
板，其以在所述旋转保持部所保持的所述基片的周向上的一部分于所述表面相对，且在该基片的周向上的其他部分不与所述表面相对的方式配置在所述处理室内；和
板配置部，其能够切换第一状态和第二状态，其中，所述第一状态是所述板在所述一部分与所述表面相对的状态，所述第二状态是所述板位于比所述第一状态离开所述表面的位置的状态。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述板在所述第一状态下在所述基片的周向上的40％～60％的部分与所述表面相对。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述板配置部能够使所述板至少在与所述表面垂直的方向上移位。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述板配置部还能够使所述板在沿所述表面的方向上移位，使得在所述第二状态下所述板与所述表面相对的面积比在所述第一状态下所述板与所述表面相对的面积小。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述板配置部能够使所述板相对于所述表面倾斜，使得在所述第二状态下所述板比所述第一状态离开所述表面。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口至少设置于所述板在所述第一状态下与所述表面相对的部分所对应的位置。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口还设置于所述板在所述第一状态下不与所述表面相对的部分所对应的位置。
8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
液供给控制部，其使所述处理液供给部对所述表面供给所述处理液，以使得在所述表面形成所述处理液的液膜；和
板配置控制部，其至少基于所述处理液的种类，使所述板配置部将所述表面形成有所述液膜的所述基片旋转的期间的至少一部分期间中的所述板的配置切换为所述第一状态或者所述第二状态。
9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
收纳基片的处理室；
能够保持所述处理室内的所述基片并使之旋转的旋转保持部；
对所述旋转保持部所保持的所述基片的表面供给处理液的处理液供给部；
排气部，其从设置于比所述旋转保持部所保持的所述基片的外周靠外侧的位置的排气口，将所述处理室内的气体排出；
板，其以与所述旋转保持部所保持的所述基片的周向上的一部分的所述表面相对，且不与该基片的周向上的其他部分的所述表面相对的方式配置在所述处理室内；和
板配置部，其能够切换第一状态和第二状态，其中，所述第一状态是所述板在所述一部分与所述表面相对的状态，所述第二状态是所述板以比所述第一状态小的面积与所述表面相对的状态。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述板配置部通过使所述板相对于所述表面倾斜，来改变所述板与所述表面相对的面积。
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