KR101841593B1

KR101841593B1 - 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치

Info

Publication number: KR101841593B1
Application number: KR1020120017769A
Authority: KR
Inventors: 코우이치 혼타케; 타카후미 니와; 히데하루 쿄우다; 코우스케 요시하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-02-24
Filing date: 2012-02-22
Publication date: 2018-03-23
Also published as: JP2012191168A; TWI495964B; KR20120097331A; TW201245910A; JP5797532B2; CN102650835A; US20120218531A1

Abstract

유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리에서 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있는 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치를 제공하는 것이다. 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 방법에서, 기판을 회전시키면서(단계(S1)), 현상액 공급 노즐로부터 기판의 중심부로 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정(단계(A))과, 현상액 공급 노즐로부터 기판으로의 현상액의 공급을 정지시키고, 또한 현상액의 액막을 건조시키지 않은 상태에서 기판을 회전시키면서, 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 공정(단계(B))을 구비한다.

Description

유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치{DEVELOPMENT PROCESSING METHOD AND DEVELOPMENT PROCESSING APPARATUS USING DEVELOPER SOLUTION CONTAINED ORGANIC SOLVENT}

본 발명은 레지스트막을 형성하여, 노광 처리를 행한 반도체 웨이퍼 등의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 등의 제조 라인에서는 반도체 웨이퍼 또는 LCD 기판 등의 기판의 표면에 레지스트의 패턴을 형성하기 위하여 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이 포토리소그래피 기술은 기판의 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리와, 형성된 레지스트막에 패턴을 노광하는 노광 처리와, 노광 처리 후의 기판으로 현상액을 공급하는 현상 처리 등의 일련의 처리가 순차적으로 행해져, 기판의 표면에 소정의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

그런데, 현상 처리에서는 노광 처리에서 노광된 레지스트막의 영역 중 광 조사 강도가 강한 영역을 선택적으로 용해·제거하여, 패턴 형성을 행하는 포지티브형 시스템과, 광 조사 강도가 약한 영역을 선택적으로 용해·제거하여, 패턴 형성을 행하는 네거티브형 시스템이 알려져 있다. 이 경우, 네거티브형 시스템에서는 유기 용제를 함유하는 현상액을 기판으로 공급하여 현상 처리를 행한다.

그리고, 네거티브형 시스템에서 유기 용제를 함유하는 현상액을 기판으로 공급하는 현상 처리를 행하는 방법의 하나로서, 일정 속도로 회전하고 있는 기판 상에 일정 속도로 현상액 토출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 토출하여 기판으로 현상액을 공급하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

일본특허공개공보 2010-152353호

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 현상 처리 방법에서는 일정 속도로 회전하고 있는 기판 상에 현상액 토출 노즐로부터 현상액을 계속 토출하기 때문에, 기판의 표면 상에 형성되는 현상액의 액막의 두께가 두꺼워진다. 유기 용제를 함유하는 현상액은 액막이 두꺼워지면, 레지스트막의 용해·제거 속도가 늦어지기 때문에, 현상 처리의 처리 시간이 길어질 우려가 있다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리에서, 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있는 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 현상 처리 방법은 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지시키고, 상기 현상액의 액막을 건조시키지 않은 상태에서 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서, 상기 액막 형성 공정에서는 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 현상 공정에서는, 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 제 2 회전수보다 높은 제 3 회전수로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여, 상기 현상 공정에서 상기 현상액으로 용해한 레지스트 성분을 세정하는 세정 공정을 구비하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm이며, 상기 제 2 회전수는 10 rpm ~ 100 rpm인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에서 상기 액막 형성 공정과 상기 현상 공정을 교호로 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하기 전에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 연속적으로 공급하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급하는 공정과, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 현상액 공급 노즐은 복수 설치되고, 상기 액막 형성 공정에서는, 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 상기 현상액을 공급하고, 상기 현상 공정에서는, 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급이 정지되어도 된다.

또한, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 린스액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 린스액을 공급하는 공정과, 상기 린스액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 린스액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시켜 건조시키는 공정을 구비하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 현상 처리 장치는, 상기 현상 처리 방법을 실시하는 것으로, 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 수평으로 보지(保持)하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부를 수직축을 중심으로 회전시키는 회전 구동 기구와, 상기 기판 보지부로 보지된 기판의 표면에 대하여 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급 및 상기 회전 구동 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여, 상기 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지시키고, 상기 현상액의 액막을 건조시키지 않은 상태에서 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 처리를 행하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서, 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여, 상기 액막 형성 처리에서는 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 현상 처리에서는, 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 제 2 회전수보다 높은 제 3 회전수로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여, 상기 현상 처리에서 상기 현상액으로 용해한 레지스트 성분을 세정하는 세정 처리를 행하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm이며, 상기 제 2 회전수는 10 rpm ~ 100 rpm인 것이 좋다.

또한, 본 발명에서, 상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여, 상기 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하는 액막 형성 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지하는 현상 처리를 교호로 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 이동 가능하며, 상기 제어부에 의해 이동 동작이 제어되는 현상액 공급 노즐 이동 기구를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하기 전에, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 연속적으로 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 이동 가능하며, 상기 제어부에 의해 이동 동작이 제어되는 현상액 공급 노즐 이동 기구를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급하는 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지하는 처리를 교호로 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 현상액 공급 노즐은 복수 설치되고, 상기 액막 형성 처리에서는, 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 상기 현상액이 공급되고, 상기 현상 처리에서는, 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급이 정지되어도 된다.

또한, 상기 기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 노즐과, 상기 린스액 공급 노즐을 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 이동 가능하며, 상기 제어부에 의해 이동 동작이 제어되는 린스액 공급 노즐 이동 기구를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 린스액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 린스액을 공급하는 처리와, 상기 린스액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 린스액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시켜 건조시키는 처리를 행하는 것이 바람직하다.

본 발명의 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치에 따르면, 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 기판의 중심부로 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 기판으로의 현상액의 공급을 정지시키고, 현상액의 액막을 건조시키지 않은 상태에서 기판을 회전시키면서 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 공정을 구비함으로써, 기판의 표면 상에 형성되는 현상액의 액막의 두께를 얇게 유지하여, 레지스트막의 용해·제거 속도를 빠르게 할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 적용한 도포·현상 처리 장치에 노광 처리 장치를 접속시킨 처리 시스템의 전체를 도시한 개략 사시도이다.
도 2는 상기 처리 시스템의 개략 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 도시한 개략 단면도이다.
도 4는 상기 현상 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 5는 제 1 실시예에서의 현상 처리 방법의 순서를 나타낸 순서도이다.
도 6은 본 발명에서의 현상액 공급 노즐로부터 기판의 중심부로 현상액을 공급하는 액막 형성 공정을 도시한 개략 사시도(a) 및 현상액 공급 노즐로부터 기판으로의 현상액의 공급을 정지하는 현상 공정을 도시한 개략 사시도(b)이다.
도 7은 패턴의 선폭과 제 1 실시예에 따른 공정과의 관계를 나타낸 도면이다.
도 8은 패턴의 선폭과 제 1 실시예에 따른 공정의 처리 시간과의 관계를 나타낸 도면이다.
도 9는 제 2 실시예에서의 현상액 공급 노즐을 기판의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 기판으로 현상액을 연속적으로 공급하는 공정을 도시한 개략 사시도이다.
도 10은 패턴의 선폭과 제 2 실시예에 따른 공정과의 관계를 나타낸 도면이다.
도 11은 제 3 실시예에서의 현상액 공급 노즐을 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 기판으로 현상액을 공급하는 공정과, 현상액 공급 노즐로부터 기판으로의 현상액의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회 반복하는 공정을 도시한 개략 사시도이다.
도 12는 제 4 실시예에서의 복수의 현상액 공급 노즐로부터 기판의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상액을 공급하는 공급 공정을 도시한 개략 사시도(a) 및 복수의 현상액 공급 노즐로부터 기판으로의 현상액의 공급을 정지하는 정지 공정을 도시한 개략 사시도(b)이다.
도 13은 제 5 실시예에서의 현상 처리 방법의 순서를 나타낸 순서도이다.
도 14는 제 5 실시예에서의 액막 형성 공정을 도시한 개략 사시도(a), 현상 공정을 도시한 개략 사시도(b) 및 현상 공정에서 현상액으로 용해한 레지스트 성분을 세정하는 세정 공정을 도시한 개략 사시도(c)이다.

이하에, 본 발명의 실시예에 대하여 첨부 도면에 기초하여 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 도포·현상 처리 장치에 적용할 경우에 대하여 설명한다.

상기 처리 시스템은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판인 반도체 웨이퍼(W)(이하에, 웨이퍼(W)라고 함)를 복수 매, 예를 들면 25 매 밀폐 수납하는 캐리어(10)를 반출입하기 위한 캐리어 스테이션(1)과, 이 캐리어 스테이션(1)으로부터 취출된 웨이퍼(W)에 레지스트 도포, 현상 처리 등을 실시하는 처리부(2)와, 웨이퍼(W)의 표면에 광을 투과하는 액층을 형성한 상태에서 웨이퍼(W)의 표면을 액침 노광하는 노광부(4)와, 처리부(2)와 노광부(4) 간에 접속되어, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스부(3)를 구비하고 있다.

캐리어 스테이션(1)은 캐리어(10)를 복수 개 배열하여 재치(載置) 가능한 재치부(11)와, 이 재치부(11)에서 봤을 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 거쳐 캐리어(10)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단(A1)이 설치되어 있다.

인터페이스부(3)는 처리부(2)와 노광부(4)의 사이에 전후로 설치되는 제 1 반송실(3A) 및 제 2 반송실(3B)로 구성되어 있고, 각각 제 1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제 2 웨이퍼 반송부(30B)가 설치되어 있다.

또한, 캐리어 스테이션(1)의 내측에는 하우징(20)으로 주위가 둘러싸이는 처리부(2)가 접속되어 있고, 이 처리부(2)에는 앞측으로부터 차례로 가열·냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 액처리 유닛(U4, U5)의 각 유닛 간의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주반송 수단(A2, A3)이 교호로 배열되어 설치되어 있다. 또한, 주반송 수단(A2, A3)은 캐리어 스테이션(1)에서 봤을 때 전후 방향에 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3)측의 일면부와, 후술하는 예를 들면 우측의 액처리 유닛(U4, U5)측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(21)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 배치되어 있다. 또한, 캐리어 스테이션(1)과 처리부(2)의 사이, 처리부(2)와 인터페이스부(3)의 사이에는 각 유닛에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치 및 온습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유닛(22)이 배치되어 있다.

선반 유닛(U1, U2, U3)은 액처리 유닛(U4, U5)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수 단, 예를 들면 10 단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 이 조합은 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유닛(도시하지 않음), 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛(도시하지 않음) 등이 포함된다. 또한, 액처리 유닛(U4, U5)은, 예를 들면 도 1에 도시한 바와 같이, 레지스트 또는 현상액 등의 약액 수납부 상에 반사 방지막을 도포하는 반사 방지막 도포 유닛(BCT)(23), 도포 유닛(COT)(24), 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 유닛(DEV)(25) 등을 복수 단, 예를 들면 5 단으로 적층하여 구성되어 있다. 본 발명에 따른 현상 처리 장치(50)는 현상 유닛(DEV)(25)에 설치되어 있다.

상기와 같이 구성되는 도포·현상 처리 장치에서의 웨이퍼의 흐름에 대하여, 일례에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 간단히 설명한다. 우선, 예를 들면 25 매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(10)가 재치부(11)에 재치되면, 개폐부(12)와 함께 캐리어(10)의 덮개체가 열려 전달 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 일단(一段)을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 거쳐 주반송 수단(A2)으로 전달되고, 도포 처리의 전처리로서, 예를 들면 반사 방지막 형성 처리, 냉각 처리가 행해진 후, 도포 유닛(COT)(24)에서 레지스트액이 도포된다. 이어서, 주반송 수단(A2)에 의해 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1, U2)의 첫 번째 선반을 이루는 가열 유닛에서 가열(베이크 처리)되고, 냉각된 후 선반 유닛(U3)의 전달 유닛을 경유하여 인터페이스부(3)로 반입된다. 이 인터페이스부(3)에서, 제 1 반송실(3A) 및 제 2 반송실(3B)의 제 1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제 2 웨이퍼 반송부(30B)에 의해 노광부(4)로 반송되고, 웨이퍼(W)의 표면에 대향하도록 노광 수단(도시하지 않음)이 배치되어 노광이 행해진다. 노광 후, 웨이퍼(W)는 반대의 경로로 주반송 수단(A3)까지 반송되고, 현상 유닛(DEV)에서 현상됨으로써 패턴이 형성된다. 이러한 후, 웨이퍼(W)는 재치부(11) 상에 재치된 원래의 캐리어(10)로 되돌려진다.

이어서, 본 발명에 따른 현상 처리 장치(50)에 대하여 설명한다. 현상 처리 장치(50)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(51a)를 가지는 케이싱(51) 내에 웨이퍼(W)의 이면측 중심부를 흡인 흡착하여 수평으로 보지(保持)하는 기판 보지부를 이루는 스핀 척(40)을 구비하고 있다. 또한, 반입출구(51a)에는 셔터(51b)가 개폐 가능하게 설치되어 있다.

상기 스핀 척(40)은 축부(41)를 개재하여, 예를 들면 서보 모터 등의 회전 구동 기구(42)에 연결되어 있고, 이 회전 구동 기구(42)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태에서 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 구동 기구(42)는 본 발명에서의 제어부인 콘트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있고, 콘트롤러(60)로부터의 제어 신호에 기초하여 스핀 척(40)의 회전수가 제어되도록 되어 있다.

또한, 스핀 척(40)에 보지된 웨이퍼(W)의 측방을 둘러싸도록 하여 컵(43)이 설치되어 있다. 이 컵(43)은 원통 형상의 외측 컵(43a)과, 상부측이 내측으로 경사진 통 형상의 내측 컵(43b)으로 이루어지고, 외측 컵(43a)의 하단부에 접속된, 예를 들면 실린더 등의 승강 기구(44)에 의해 외측 컵(43a)이 승강하고, 내측 컵(43b)은 외측 컵(43a)의 하단측 내주면에 형성된 단부(段部)에 의해 밀어 올려져 승강 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 승강 기구(44)는 콘트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있고, 콘트롤러(60)로부터의 제어 신호에 기초하여 외측 컵(43a)이 승강하도록 구성되어 있다.

또한, 스핀 척(40)의 하방측에는 원형 판(45)이 설치되어 있고, 이 원형 판(45)의 외측에는 단면이 오목부 형상으로 형성된 액 받이부(46)가 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 액 받이부(46)의 저면에는 드레인 배출구(47)가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)로부터 넘쳐 떨어지거나 혹은 털어내져 액 받이부(46)에 저류된 현상액 및 린스액은 이 드레인 배출구(47)를 거쳐 장치의 외부로 배출된다. 또한, 원형 판(45)의 외측에는 단면 산 형상의 링 부재(48)가 설치되어 있다. 또한, 도시는 생략하지만, 원형 판(45)을 관통하는, 예를 들면 3 개의 기판 지지 핀인 승강 핀이 설치되어 있고, 이 승강 핀과 도시하지 않은 기판 반송 수단의 협동 작용에 의해 웨이퍼(W)는 스핀 척(40)으로 전달되도록 구성되어 있다.

한편, 스핀 척(40)에 보지된 웨이퍼(W)의 상방측에는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부와 간극을 사이에 두고 대향하도록 하여, 승강 및 수평 이동 가능한 현상액 공급 노즐(52)(이하에, 현상 노즐(52)이라고 함)이 설치되어 있다. 이 경우, 현상 노즐(52)은 노즐 선단부로 현상액을 공급(토출)하는 원형 형상의 토출구(도시하지 않음)를 가지고 있다.

또한, 현상 노즐(52)은 노즐 암(54A)의 일단측에 지지되어 있고, 이 노즐 암(54A)의 타단측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 기대(基臺)(55A)와 연결되어 있고, 이동 기대(55A)는, 예를 들면 볼 나사 및 타이밍 벨트 등의 현상액 공급 노즐 이동 기구(56A)(이하에, 현상 노즐 이동 기구(56A)라고 함)에서 X 방향으로 연장되는 가이드 부재(57A)를 따라 횡방향으로 이동 가능하도록 구성되어 있다. 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동함으로써, 현상 노즐(52)은 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부를 향하는 직선(반경)을 따라 이동한다.

또한, 컵(43)의 일방의 외방측에는 현상 노즐(52)의 대기부(59A)가 설치되어 있고, 이 대기부(59A)에서 현상 노즐(52)의 노즐 선단부의 세정 등이 행해진다.

또한, 스핀 척(40)에 보지된 웨이퍼(W)의 상방측에는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부와 간극을 사이에 두고 대향하도록 하여, 린스액을 공급(토출)하는 린스액 공급 노즐(58)(이하에, 린스 노즐(58)이라고 함)이 승강 및 수평 이동 가능하게 설치되어 있다.

이 린스 노즐(58)은 노즐 암(54B)의 일단측에 서로 평행 상태로 보지되어 있고, 이 노즐 암(54B)의 타단측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 기대(55B)와 연결되어 있고, 또한 이동 기대(55B)는, 예를 들면 볼 나사 및 타이밍 벨트 등의 린스액 공급 노즐 이동 기구(56B)(이하에, 린스 노즐 이동 기구(56B)라고 함)에서 X 방향으로 연장되는 가이드 부재(57B)를 따라 횡방향으로 이동 가능, 즉 웨이퍼(W)의 중심부로부터 기판의 주연부를 향해 직경 방향으로 이동 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 컵(43)의 일방의 외방측에는 린스 노즐(58)의 대기부(59B)가 설치되어 있다.

또한, 현상 노즐(52)은 개폐 밸브(V1)를 개재 설치한 현상액 공급관(70)을 개재하여 현상액 공급원(71)에 접속되어 있다. 한편, 린스 노즐(58)은 린스 노즐(58)과 세정액 공급원인 린스액 공급원(77)을 접속시키는 린스액 공급관(76)에 개폐 밸브(V2)가 개재 설치되어 있다.

또한, 상기 현상 노즐 이동 기구(56A), 린스 노즐 이동 기구(56B), 개폐 밸브(V1, V2)는 각각 상기 콘트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있고, 콘트롤러(60)에 미리 기억된 제어 신호에 기초하여 현상 노즐(52)의 수평 이동, 린스 노즐(58)의 수평 이동, 개폐 밸브(V1, V2)의 개폐 구동이 행해지도록 구성되어 있다. 콘트롤러(60)는 개폐 밸브(V1)의 개폐 구동을 제어함으로써, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급의 제어가 가능해진다.

상기와 같이 구성되는 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 공급되는 현상액은 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한다. 이 현상액은 노광 처리에서 노광된 레지스트막의 영역 중 광 조사 강도가 약한 영역을 선택적으로 용해·제거하여, 패턴 형성을 행할 수 있다. 유기 용제를 함유하는 현상액으로서는, 예를 들면 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제 및 탄화수소계 용제 등을 이용할 수 있고, 본 실시예에서는 에스테르계 용제인 초산 부틸을 함유하는 현상액을 이용한다.

한편, 린스 노즐(58)로부터 웨이퍼(W)로 공급되는 린스액은 유기 용매를 포함하는 린스액을 이용한다. 유기 용매를 포함하는 린스액으로서는, 예를 들면 분기(分岐) 및 환상(環狀) 구조 중 적어도 어느 하나를 포함하는 알킬쇄를 가지고, 상기 알킬쇄에서의 2 급 또는 3 급 탄소 원자가 수산기와 결합하고 있는, 탄소수가 적어도 5인 알코올 혹은 탄소수가 적어도 5인 알킬기 및 탄소수가 적어도 5인 시클로 알킬기 중 적어도 어느 하나를 가지는 다이알킬 에테르를 함유하는 린스액을 이용할 수 있고, 본 실시예에서는 해당하는 알코올인 4-메틸-2-펜타놀(MIBC)을 함유하는 린스액을 이용한다.

이어서, 상기와 같이 구성되는 현상 처리 장치(50)에 의한 웨이퍼(W)의 현상 처리의 제 1 실시예에 대하여 설명한다. 도 5는 제 1 실시예에서의 현상 처리 방법의 순서를 나타낸 순서도이며, 화살표의 방향으로 단계가 진행한다. 또한, 제 1 실시예에서는 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 현상 처리한다.

우선, 도시하지 않은 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(40) 상으로 반송하여, 웨이퍼(W)를 스핀 척(40)에 보지하고, 웨이퍼(W)를 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해, 예를 들면 1000 rpm으로 회전시킨다(단계(S1)). 그리고, 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부의 상방 위치로 이동시킨다(단계(S2)).

또한, 단계(S1)과 단계(S2)의 순서를 반대로 해도 된다. 즉, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부의 상방 위치로 이동시킨 다음, 웨이퍼(W)를 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해, 예를 들면 1000 rpm으로 회전시켜도 된다.

이어서, 현상액 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 공급한다(단계(S3)). 단계(S3)는 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액(D)을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정(단계(A): 도 6의 (a) 참조)과, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액(D)의 공급을 정지하여 레지스트막을 현상하는 현상 공정(단계(B): 도 6의 (b) 참조)을 구비하고, 액막 형성 공정(단계(A))과 현상 공정(단계(B))을 교호로 복수 회 반복한다.

우선, 1 회째의 액막 형성 공정(단계(A))을 행한다. 현상액(D)의 공급은, 예를 들면 1000 rpm으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부로 현상 노즐(52)로부터 현상액(D)을 공급하여 액막을 형성한다. 현상 노즐(52)로부터 공급되는 현상액(D)의 유속은, 예를 들면 300 ml/min이며, 현상액(D)을 공급하고 나서 현상액(D)의 공급을 정지할 때까지의 현상액 공급 기간(T)은 0.5 초이다.

이어서, 1 회째의 현상 공정(단계(B))을 행한다. 현상 공정은, 예를 들면 1000 rpm으로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상을 행한다. 현상액(D)의 공급을 정지시키고 나서 다음의 현상액 공급까지의 사이의 현상액 정지 기간(P)은 1.5 초이다. 이 현상 공정에서, 웨이퍼(W)를 1000 rpm으로 회전시키면서 현상액의 공급을 정지하면 건조가 촉진될 우려가 있으므로, 건조를 억제하는 방법으로서, 예를 들면 웨이퍼(W) 상의 일부에 정류판을 설치하거나 혹은 웨이퍼 전체를 커버로 덮어 현상액의 휘발을 억제하는 것이 좋다. 또한, 현상 공정에서, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 100 rpm까지 감속함으로써 현상의 건조를 억제할 수 있다. 또한, 건조를 억제하는 다른 수단으로서, 웨이퍼(W)의 온도와 현상액의 온도 중 적어도 일방의 온도를 18℃ ~ 21℃로 하거나 혹은 현상 공정에서 컵(43)(구체적으로, 외측 컵(43a))의 개구부를 축소하여 30 mm 이하로 함으로써, 현상의 건조를 억제할 수 있다.

이어서, 2 회째의 액막 형성 공정(단계(A))을 1 회째의 액막 형성 공정과 동일하게 하여 행하고, 이어서 2 회째의 현상 공정(단계(B))을 1 회째의 현상 공정과 동일하게 하여 행한다.

그리고, 액막 형성 공정(단계(A))과 현상 공정(단계(B))을 교호로 복수 회 예를 들면 n = 8 회 반복함으로써 단계(S3)를 달성할 수 있다.

이어서, 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시킨다(단계(S4)).

상기한 바와 같이 하여, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 공급한 후, 린스 노즐 이동 기구(56B)를 구동하여 린스 노즐(58)을 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동시키고, 예를 들면 1000 rpm으로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 린스 노즐(58)로부터 유기 용매를 포함하는 린스액을 공급한다(단계(S5)). 린스 노즐(58)로부터 공급되는 린스액의 유속은, 예를 들면 120 ml/min이며, 린스액을 공급하고 나서 린스액의 공급을 정지할 때까지의 린스액 공급 기간은 5 초이다. 린스 노즐(58)로부터 공급된 린스액에 의해, 현상액에 의한 레지스트막의 용해가 정지하고, 또한 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정할 수 있다.

또한, 단계(S5)의 린스 처리에서, 린스액 대신에 단계(S3)에서 유기 현상액을 이용하여 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정해도 된다. 이 경우, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 유기 현상액을 공급하는 것 외에, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부 혹은 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서 유기 현상액을 공급해도 된다.

이어서, 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해 웨이퍼(W)를 고속 회전, 예를 들면 회전수를 2000 rpm으로 하여 웨이퍼 표면의 액을 털어내는 스핀 건조 처리를 20 초간 행한다(단계(S6)).

상기 제 1 실시예에 따르면, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액(D)의 공급을 정지하여 레지스트막을 현상하는 현상 공정을 구비하고, 액막 형성 공정과 현상 공정을 교호로 복수 회 반복함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 형성되는 현상액(D)의 액막의 두께를 얇게 유지하여, 레지스트막의 용해·제거 속도를 빠르게 할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다.

도 7은 직경 300 mm의 웨이퍼(W)로 현상액을 20 초간, 각 처리 조건 : ○(현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 0.5 s / 1.5 s), △(현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 1.0 s / 1.0 s), □(현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 1.5 s / 0.5 s), ×(All　Dispense)로 공급 후, 상술한 린스 처리 및 건조 처리한 후의, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부까지의 각 부위의 패턴의 선폭을 측정한 실험 결과이다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 현상 공정을 마련하지 않고, 연속적으로 현상액을 웨이퍼(W)로 공급하는 처리 조건 : ×(All Dispense)는 웨이퍼(W) 중심부로부터 주연부까지의 각 부위에서, 현상 공정을 마련한 처리 조건 : ○(T / P : 0.5 s / 1.5 s), △(T / P : 1.0 s / 1.0 s) 및 □(T / P : 1.5 s / 0.5 s)보다 패턴의 선폭이 두껍고, 레지스트막의 용해·제거 속도가 느린 것으로 나타나 있다.

또한, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 현상 공정을 마련하는 처리 조건 : ○(T / P : 0.5 s / 1.5 s)과, 처리 조건 : △(T / P : 1.0 s / 1.0 s)과, 처리 조건 : □(T / P : 1.5 s / 0.5 s)의 비교에 의하면, 현상액 공급 기간(T)이 가장 짧은 처리 조건 : ○(현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 0.5 s / 1.5 s)이 가장 패턴의 선폭이 가늘고, 레지스트막의 용해·제거 속도가 빠른 것으로 나타나 있다.

도 8은 직경 300 mm의 웨이퍼(W)로 현상액을 소정의 처리 시간, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 현상 공정을 마련하지 않고, 연속적으로 현상액을 웨이퍼(W)로 공급하는 처리 조건 : ×(All Dispense), 처리 조건 : ○(현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 0.5 s / 1.5 s)으로 공급 후, 상술한 린스 처리 및 건조 처리한 후의, 웨이퍼(W)의 중심부에서의 처리 시간 경과 마다의 패턴의 선폭을 측정한 실험 결과이다.

도 8에 나타낸 바와 같이, 목표의 선폭을 40 nm로 하면, 처리 조건 : ×(All Dispense)에서는 30 초의 처리 시간이 필요한 반면, 처리 조건 : ○(T / P : 0.5 s / 1.5 s)에서는 20 초의 처리 시간으로 달성하고 있고, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 정지 공정을 마련하는 처리 조건 : ○(T / P : 0.5 s / 1.5 s)이 목표의 선폭으로 하기 위한 처리 시간이 짧아져 있는 것을 알 수 있다.

상술한 제 1 실시예에서는 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부의 상방 위치로 이동시켰지만(단계(S2)), 예를 들면 도 9에 도시한 바와 같이, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액(D)을 연속적으로 공급해도 된다(단계(S2a): 도시하지 않음). 또한, 현상액을 연속적으로 공급하는 것은 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 공정을 마련하지 않고, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 계속 공급하는 것을 말한다.

현상 처리 장치(50)에 의한 웨이퍼(W)의 현상 처리의 제 2 실시예에 대하여 설명하면, 제 1 실시예와 마찬가지로, 우선 도시하지 않은 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(40) 상으로 반송하여, 웨이퍼(W)를 스핀 척(40)에 보지하고, 웨이퍼(W)를 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해, 예를 들면 1000 rpm으로 회전시킨다(단계(S1)).

이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여, 40 mm/s의 속도로 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 현상액(D)을 유속, 예를 들면 300 ml/min으로 연속적으로 공급한다(단계(S2a)). 이 후의 처리 공정(단계(S3) ~ 단계(S6))은 제 1 실시예와 동일하게 행해진다.

상기 제 2 실시예에 따르면, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액(D)을 공급하기 전에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액(D)을 연속적으로 공급함으로써, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키는 공정의 시점으로부터 레지스트막의 용해·제거를 개시할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부 이외의 부위로 현상액(D)을 공급함으로써, 웨이퍼(W) 전체에 대하여 보다 균일한 현상 처리를 행할 수 있다.

도 10은 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 1000 rpm으로 회전시키고, 현상 노즐(52)을 각 처리 조건 : ×(이동 시에 현상액의 공급을 행하지 않음), △(현상 노즐(52)의 이동 속도 120 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급), ○(현상 노즐(52)의 이동 속도 40 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급)으로 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부의 상방 위치로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 현상액 공급 기간(T) / 현상액 정지 기간(P) : 1.0 s / 1.0 s의 조건으로 16 초간 공급 후, 상술한 린스 처리 및 건조 처리한 후의, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부까지의 각 부위의 패턴의 선폭을 측정한 실험 결과이다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액의 공급을 행하지 않는 처리 조건 : ×(이동 시에 현상액의 공급을 행하지 않음)보다 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 연속적으로 공급하는 공정을 구비하는 처리 조건 : △(현상 노즐(52)의 이동 속도 120 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급) 및 ○(현상 노즐(52)의 이동 속도 40 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급)이 패턴의 선폭이 가늘어져 있다.

또한, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 연속적으로 공급하는 공정을 마련하는 처리 조건 : △(현상 노즐(52)의 이동 속도 120 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급)과 처리 조건 : ○(현상 노즐(52) 이동 속도 40 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급)의 비교에 의하면, 현상 노즐(52)의 이동 속도가 느린 처리 조건 : ○(현상 노즐(52) 이동 속도 40 mm/s, 유량 300 ml/min으로 현상액을 공급)이 가장 패턴의 선폭이 가늘어져 있다.

이상의 결과로부터, 단계(S2a)에서, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 연속적으로 공급함으로써, 패턴의 선폭의 조정이 가능해지는 것이 나타났다. 또한, 현상 노즐(52)의 이동 속도에 의해서도 선폭의 조정을 할 수 있는 것을 알 수 있었다.

상술한 제 1 실시예에서는 현상액의 공급을 정지한 채로 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시켰지만(단계(S4)), 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액(D)을 공급하는 공정과, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액(D)의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회 반복해도 된다(단계(S4a): 도시하지 않음).

현상 처리 장치(50)에 의한 웨이퍼(W)의 현상 처리의 제 3 실시예에 대하여 설명하면, 제 1 실시예와 마찬가지로 처리 공정(단계(S1) ~ 단계(S3))을 행한다.

이어서, 도 11에 도시한 바와 같이, 현상 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여, 40 mm/s의 속도로 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 현상 노즐(52)로부터 현상액을 유속, 예를 들면 300 ml/min으로 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하는 공정과, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회, 예를 들면 2 회 반복한다(단계(S4a)). 이 후의 처리 공정(단계(S5), 단계(S6))은 제 1 실시예와 동일하게 행해진다.

상기 제 3 실시예에 따르면, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 공급한 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하는 공정과, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회 반복함으로써, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시키는 공정에서도, 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하여 레지스트막의 용해·제거를 행할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부 이외의 부위로 현상액을 공급함으로써, 웨이퍼(W) 전체에 대하여 보다 균일한 현상 처리를 행할 수 있다.

상술한 제 1 실시예에서는 1 개의 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액의 공급을 행했지만(단계(S3)), 예를 들면 도 12에 도시한 바와 같이, 현상 노즐을 복수, 예를 들면 5 개 설치하고, 1 개의 현상 노즐(52A)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액(D)을 공급하고, 4 개의 현상 노즐(52B)로부터 중심부 이외의 부위로 현상액(D)을 공급해도 된다(단계(S3a): 도시하지 않음).

현상 처리 장치(50)에 의한 웨이퍼(W)의 현상 처리의 제 4 실시예에 대하여 설명하면, 제 1 실시예와 마찬가지로 처리 공정(단계(S1), 단계(S2))을 행한다. 또한, 단계(S2)에서는 현상 노즐(52A)을 웨이퍼(W)의 중심부의 상방에 배치하고, 현상 노즐(52B)을 웨이퍼(W)의 중심부 이외의 부위의 상방으로서, 현상 노즐(52A)을 개재하여 대칭이 되는 좌우의 위치에 2 개씩 배치하고 있다(도 12 참조).

이어서, 복수의 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상액(D)을 공급한다(단계(S3a)). 단계(S3a)는, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상액(D)을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정(단계(Aa): 도시하지 않음)과, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급을 정지하여 레지스트막을 현상하는 현상 공정(단계(Ba): 도시하지 않음)을 구비하고, 액막 형성 공정(단계(Aa))과 현상 공정(단계(Ba))을 교호로 복수 회 반복한다.

우선, 1 회째의 액막 형성 공정(단계(Aa))을 행한다. 현상액(D)의 공급은, 예를 들면 1000 rpm으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상 노즐(52A, 52B)로부터 현상액(D)을 공급한다. 현상 노즐(52A, 52B)로부터 공급되는 현상액(D)의 유속은, 예를 들면 60 ml/min이며, 현상액(D)을 공급하고 나서 현상액(D)의 공급을 정지시킬 때까지의 현상액 공급 기간(T)은 0.5 초이다.

이어서, 1 회째의 현상 공정(단계(Ba))을 행한다. 현상액의 공급의 현상 공정은, 예를 들면 1000 rpm으로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 행한다. 현상액의 공급을 정지시키고 나서 다음의 현상액 공급까지의 사이의 현상액 정지 기간(P)은 1.5 초이다.

이어서, 2 회째의 액막 형성 공정(단계(Aa))을 1 회째의 액막 형성 공정과 동일하게 하여 행하고, 이어서 2 회째의 현상 공정(단계(Ba))을 1 회째의 현상 공정과 동일하게 하여 행해진다.

그리고, 액막 형성 공정(단계(Aa))과 현상 공정(단계(Ba))을 교호로 복수 회, 예를 들면 n = 8 회 반복함으로써 단계(S3a)를 달성할 수 있다. 이 후의 처리 공정(단계(S4) ~ 단계(S6))은 제 1 실시예와 동일하게 행한다.

상기 제 4 실시예에 따르면, 복수의 현상 노즐(52A, 52B)을 설치하고, 액막 형성 공정에서는 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상액을 공급하고, 현상 공정에서는 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급이 정지됨으로써, 복수의 현상 노즐(52A, 52B)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 현상액을 공급할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부 이외의 부위로 현상액을 공급함으로써, 웨이퍼(W) 전체에 대하여 보다 균일한 현상 처리를 행할 수 있다.

이어서, 상기와 같이 구성되는 현상 처리 장치(50)에 의한 웨이퍼(W)의 현상 처리의 제 5 실시예에 대하여, 도 13에 나타낸 순서도와 도 14에 도시한 개략 사시도를 참조하여 설명한다.

또한, 단계(S1)와 단계(S2)의 순서를 반대로 해도 된다. 즉, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부의 상방 위치로 이동시킨 다음, 웨이퍼(W)를 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해, 예를 들면 1000 rpm으로 회전시켜도 된다.

이어서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 공급한다(단계(S3)). 단계(S3)는 웨이퍼(W)를 1000 rpm(제 1 회전수)으로 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액(D)을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정(단계(A): 도 14의 (a) 참조)과, 제 1 회전수보다 낮고, 현상액의 건조가 촉진되지 않을 정도의 회전수(제 2 회전수), 예를 들면 100 rpm으로 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액(D)의 공급을 정지하여 레지스트막을 현상하는 현상 공정(단계(B): 도 14의 (b) 참조)과, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 1000 rpm으로 올리고, 또한 현상액(D)을 웨이퍼(W)의 중심부로 공급하여 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정하는 세정 공정(단계(C): 도 14의 (c) 참조)을 구비하고 있다.

단계(S3)에 대하여 상세히 설명한다. 우선, 1 회째의 액막 형성 공정(단계(A))을 행한다. 현상액(D)의 공급은, 예를 들면 1000 rpm(제 1 회전수)으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부로 현상 노즐(52)로부터 현상액(D)을 공급하여 액막을 형성한다. 현상 노즐(52)로부터 공급되는 현상액(D)의 유속은, 예를 들면 60 ml/min이며, 현상액(D)을 공급하고 나서 현상액(D)의 공급을 정지할 때까지의 현상액 공급 기간(T)은 5 초이다. 이 액막 형성 공정에 의해 현상액의 액막은 웨이퍼 전체 면으로 확산된다.

이어서, 1 회째의 현상 공정(단계(B))을 행한다. 현상 공정은 제 1 회전수보다 낮은, 예를 들면 100 rpm으로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 액막을 얇게 유지한 채로 현상을 행한다. 현상액(D)의 공급을 정지시키고 나서 다음의 현상액 공급까지의 사이의 현상액 정지 기간(P)은 14 초이다. 또한, 현상 공정에서, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 100 rpm까지 감속함으로써 현상의 건조를 억제할 수 있다. 또한, 건조를 억제하는 방법으로서, 예를 들면 웨이퍼(W) 상의 일부에 정류판을 설치하거나 혹은 웨이퍼 전체를 커버로 덮어 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 또한, 건조를 억제하는 다른 수단으로서, 웨이퍼(W)의 온도와 현상액의 온도 중 적어도 일방의 온도를 18℃ ~ 21℃로 하거나 혹은 현상 공정에서 컵(43)(구체적으로, 외측 컵(43a))의 개구부를 축소하여 30 mm 이하로 함으로써 현상의 건조를 억제할 수 있다.

또한, 상기 설명에서는 액막 형성 공정에서 현상액의 유속을 60 ml/min, 현상액 공급 기간(T)을 5 초로 하고, 현상 공정에서 현상액 정지 기간(P)을 14 초로 하고 있지만, 현상액의 유속을 60 ml/min보다 느리게 하고, 현상액 공급 기간(T)을 5 초보다 길게 하고, 현상액 정지 기간(P)을 그 만큼 짧게 해도 된다.

현상 공정 후, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들면 1000 rpm으로 올리고, 또한 현상액(D)을 웨이퍼(W)의 중심부로 공급하여 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정하는 세정 공정(단계 C)에 의해 단계(S3)가 달성된다. 또한, 단계(C)의 세정 공정에서 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 유기 현상액을 공급하는 것 외에, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부 혹은 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서 유기 현상액을 공급해도 된다.

상기한 바와 같이 하여, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로 현상액을 공급한 후, 도 13에 이점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 린스 노즐 이동 기구(56B)를 구동하여 린스 노즐(58)을 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동시키고, 예를 들면 1000 rpm으로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 린스 노즐(58)로부터 유기 용매를 포함하는 린스액을 공급하여 린스 처리를 행한다(단계(S5)). 린스 노즐(58)로부터 공급되는 린스액의 유속은, 예를 들면 120 ml/min이며, 린스액을 공급하고 나서 린스액의 공급을 정지시킬 때까지의 린스액 공급 기간은 5 초이다. 린스 노즐(58)로부터 공급된 린스액에 의해, 현상액에 의한 레지스트막의 용해가 정지되고, 또한 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정할 수 있다.

또한, 단계(S3)의 세정 공정에서 유기 현상액을 이용하여 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정하므로, 단계(S5)의 린스 처리를 행하지 않고 다음 공정의 건조 처리를 행해도 된다. 또한, 린스 처리를 행하지 않고 건조 처리를 행할 경우, 건조 공정의 전에 N₂ 등의 가스를 웨이퍼(W)의 중심부로 공급하여 레지스트막의 현상의 진행을 조정해도 된다. 이 때, 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부 혹은 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서 유기 현상액을 공급할 경우에는 가스의 공급 위치를 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동시켜, 웨이퍼(W) 상에서 현상액의 액막이 균일하게 되도록 가스를 공급한다.

건조 공정은 회전 구동 기구(42)의 구동에 의해 웨이퍼(W)를 고속 회전, 예를 들면 회전수를 2000 rpm으로 하여 웨이퍼 표면의 액을 털어내는 스핀 건조 처리를 20 초간 행한다(단계(S6)).

또한, 상기 설명에서는 액막 형성 공정에서 웨이퍼(W)의 회전수를 1000 rpm으로 하고, 현상 공정에서 웨이퍼(W)의 회전수를 100 rpm으로 했지만, 액막 형성 공정에서의 웨이퍼(W)의 회전수를 100 rpm ~ 1500 rpm으로 하고, 현상 공정에서의 웨이퍼(W)의 회전수를 10 rpm ~ 100 rpm으로 해도 동일한 효과가 얻어진다. 예를 들면, 액막 형성 공정에서 웨이퍼(W)의 회전수를 1000 rpm으로 하고, 현상 공정에서 웨이퍼(W)의 회전수를 100 rpm으로 감속하여 현상액의 공급을 정지시키고, 또한 10 rpm으로 초저속 회전시켜 현상 처리를 행해도 된다. 또한, 현상 공정에서 웨이퍼(W)의 회전 정지를 포함하지 않는 이유는 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키면 현상액으로 녹은 레지스트 성분에 의해 농도 분포가 발생하여, 균일한 선폭을 얻을 수 없게 되기 때문이다.

또한, 제 5 실시예에서 액막 형성 공정과 현상 공정을 교호로 복수 회 반복해도 된다.

상기 제 5 실시예에 따르면, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 현상액을 공급하여 액막을 전체 면에 얇게 형성하는 액막 형성 공정과, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 현상 노즐(52)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액(D)의 공급을 정지하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 액막을 얇게 유지한 채로 현상 하는 현상 공정과, 유기 현상액을 이용하여 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액을 세정하는 세정 공정을 구비함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 형성되는 현상액(D)의 액막의 두께를 얇게 유지하여, 레지스트막의 용해·제거 속도를 빠르게 할 수 있기 때문에, 현상 처리의 처리 시간의 단축화를 가능하게 하여 처리 능력을 향상시킬 수 있다.

W : 반도체 웨이퍼(기판)
40 : 스핀 척(기판 보지부)
42 : 회전 구동 기구
50 : 현상 처리 장치
52, 52A, 52B : 현상 노즐(현상액 공급 노즐)
56A : 현상 노즐 이동 기구(현상액 공급 노즐 이동 기구)
56B : 린스 노즐 이동 기구(린스액 공급 노즐 이동 기구)
58 : 린스 노즐(린스액 공급 노즐)
60 : 콘트롤러(제어부)

Claims

표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지시키고, 상기 현상액의 액막을 얇게 유지하고, 건조시키지 않은 상태에서 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 상의 레지스트막의 영역 중 노광 부분 이외의 영역을 용해 및 제거하는 현상 공정과,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여, 상기 현상 공정에서 상기 현상액으로 용해한 레지스트 성분을 세정하는 세정 공정을 구비하고,
상기 액막 형성 공정은 상기 현상 공정보다 짧은 시간으로 행해지고,
상기 액막 형성 공정과 상기 현상 공정을 교호로 복수 회 반복하고,
상기 액막 형성 공정에서는 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시키고,
상기 현상 공정에서는, 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키고,
상기 세정 공정에서는, 상기 제 2 회전수보다 높은 제 3 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm이며, 상기 제 2 회전수는 10 rpm ~ 100 rpm인 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하기 전에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 연속적으로 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급하는 공정과, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지하는 공정을 교호로 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐은 복수 설치되고, 상기 액막 형성 공정에서는, 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 상기 현상액을 공급하고, 상기 현상 공정에서는 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급이 정지되는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 방법에 있어서,
상기 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하고, 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판 상에 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
상기 현상액의 공급을 정지하고, 상기 기판 상의 레지스트막을 현상하는 현상 공정과,
그 후, 린스 처리를 행하지 않고, 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판의 표면의 현상액을 털어 내어 상기 기판의 표면을 건조시키는 건조 공정을 구비하고,
상기 액막 형성 공정은 상기 현상 공정보다 짧은 시간으로 행해지고,
상기 현상 공정은 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm인 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 건조 공정은 상기 기판의 회전수가 2000 rpm인 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 방법.
표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 장치에 있어서,
상기 기판을 수평으로 보지(保持)하는 기판 보지부와,
상기 기판 보지부를 수직축을 중심으로 회전시키는 회전 구동 기구와,
상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면에 대하여 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급 및 상기 회전 구동 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여, 상기 기판을 회전시키면서, 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여 액막을 형성하는 액막 형성 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지시키고, 또한 상기 현상액의 액막을 얇게 유지하고, 건조시키지 않은 상태에서 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판 상의 레지스트막의 영역 중 노광 부분 이외의 영역을 용해 및 제거하는 현상 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하여, 상기 현상 처리에서 상기 현상액으로 용해한 레지스트 성분을 세정하는 세정 처리를 행하고,
상기 액막 형성 처리는 상기 현상 처리보다 짧은 시간으로 행해지고, 상기 액막 형성 처리와 상기 현상 처리를 교호로 복수 회 반복하고, 상기 액막 형성 처리에서는 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 현상 처리에서는, 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 세정 처리에서는, 상기 제 2 회전수보다 높은 제 3 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm이며, 상기 제 2 회전수는 10 rpm ~ 100 rpm인 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 이동 가능하며, 상기 제어부에 의해 이동 동작이 제어되는 현상액 공급 노즐 이동 기구를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급하기 전에, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 주연부로부터 중심부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 연속적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 이동 가능하며, 상기 제어부에 의해 이동 동작이 제어되는 현상액 공급 노즐 이동 기구를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부로 상기 현상액을 공급한 후에, 상기 현상액 공급 노즐을 상기 기판의 중심부로부터 주연부로 이동시키면서, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로 상기 현상액을 공급하는 처리와, 상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급을 정지하는 처리를 교호로 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 현상액 공급 노즐은 복수 설치되고, 상기 액막 형성 처리에서는 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판의 중심부 및 중심부 이외의 부위로 상기 현상액이 공급되고, 상기 현상 처리에서는 상기 복수의 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급이 정지되는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 후의 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 처리 장치에 있어서,
상기 기판을 수평으로 보지(保持)하는 기판 보지부와,
상기 기판 보지부를 수직축을 중심으로 회전시키는 회전 구동 기구와,
상기 기판 보지부에 보지된 기판의 표면에 대하여 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과,
상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 기판으로의 상기 현상액의 공급 및 상기 회전 구동 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부로부터의 제어 신호에 기초하여, 상기 기판으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하고, 제 1 회전수로 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판 상에 액막을 형성하는 액막 형성 처리와; 상기 현상액의 공급을 정지시키고 상기 기판 상의 레지스트막의 현상을 행하는 현상 처리와; 그 후, 린스 처리를 행하지 않고, 상기 제 1 회전수보다 높은 회전수로 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판의 표면의 현상액을 털어 내어 상기 기판의 표면을 건조시키는 건조 처리를 행하고,
상기 액막 형성 처리는 상기 현상 처리보다 짧은 시간으로 행해지고,
상기 현상 처리는 상기 제 1 회전수보다 낮고 상기 현상액의 액막의 건조를 촉진시키지 않는 제 2 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
제 14 항에 있어서,
상기 제 1 회전수는 100 rpm ~ 1500 rpm인 것을 특징으로 하는 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용한 현상 처리 장치.
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