JP7097759B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１には、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板をコロ搬送機構によって搬送しながら、基板の表面に現像液を供給し、基板を現像することが開示されている。
特開２０１２－１２４３０９号公報
本開示は、基板搬送方向における基板処理装置の長さを短くする技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、可動ステージと、ステージ移動機構とを備える。可動ステージは、処理液で濡れた基板を搬送可能な搬送機構を有する。ステージ移動機構は、可動ステージを少なくとも上下方向に移動させる。
本開示によれば、基板搬送方向における基板処理装置の長さを短くすることができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 図２は、第１実施形態に係るコロ搬送機構による基板搬送を示す模式図である。 図３は、第１実施形態に係る現像ユニットの概略構成を示す模式図である。 図４は、第１実施形態に係る現像処理部の概略構成を示す模式図である。 図５は、変形例に係る現像処理部の概略構成を示す模式図である。 図６は、変形例に係る現像処理部の概略構成を示す模式図である。 図７は、第２実施形態に係る現像処理部の左側方視における概略構成を示す模式図である。 図８は、第２実施形態に係る現像処理部の上方視における概略構成を示す模式図である。 図９は、第２実施形態に係る現像処理部の後方視における概略構成を示す模式図である。 図１０は、変形例に係る現像処理部の左側方視における概略構成を示す模式図である。 図１１は、変形例に係る現像処理部の後方視における概略構成を示す模式図である。 図１２は、第３実施形態に係る現像処理部の左側方視における概略構成を示す模式図である。 図１３は、変形例に係る現像処理部の左側方視における概略構成を示す模式図である。 図１４Ａは、変形例に係る現像ステージにおいて、基板を浸漬した状態を示す模式図である。 図１４Ｂは、変形例に係る現像ステージにおいて、現像液を排出する状態を示す模式図である。 図１４Ｃは、変形例に係る現像ステージにおいて、洗浄水を排出する状態を示す模式図である。 図１４Ｄは、変形例に係る現像ステージにおいて、現像液を貯留した状態を示す模式図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
(第１実施形態)
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。
基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。
カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。
搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０～２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。
また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５～２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送機構（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。
エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。
スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。
プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。
アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。
第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。
減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。
第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。
第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
ここで、コロ搬送機構２９について、図２を参照し説明する。図２は、第１実施形態に係るコロ搬送機構２９による基板搬送を示す模式図である。
コロ搬送機構２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ搬送機構２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを基板Ｓの面方向に沿って搬送する。すなわち、コロ搬送機構２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。
コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。
図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。
インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。
外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。
露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。
搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。
また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。
第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送機構４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０～４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。
現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。現像ユニット４０の構成については後述する。
第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。
第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。
検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。
コロ搬送機構４４の構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送機構２９と同じ構成であり、ここでの説明は省略する。コロ搬送機構４４は、矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構４４は、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板Ｓを平流し搬送する。
制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２～５の制御を実現する。
なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜現像ユニットの構成＞
次に、現像ユニット４０について図３を参照し説明する。図３は、第１実施形態に係る現像ユニット４０の概略構成を示す模式図である。図３では、コロ搬送機構４４などの一部構成は説明のため省略する。以下で用いる図においても同様である。
ここでは、コロ搬送機構４４による基板Ｓの搬送方向においてインターフェースステーション４（図１参照）側を後方とし、カセットステーション２（図１参照）側を前方とした前後方向を規定する。すなわち、前後方向は、基板Ｓの搬送方向に一致する。また、重力が作用する方向を下方とし、重力が作用する方向とは逆方向を上方とした上下方向を規定する。また、基板Ｓを後方側から見た場合に、右手側を右方向とし、左手側を左方向とした左右方向を規定する。
現像ユニット４０は、現像処理部５０と、リンス処理部５１と、乾燥処理部５２とを備える。現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２は、後方から前方にかけて現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２の順に配置される。すなわち、現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２は、基板Ｓの搬送方向に沿って現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２の順に配置される。
現像処理部５０は、現像液供給ノズル５３ａから基板Ｓに現像液を吐出し、基板Ｓに現像液を液盛りし、現像処理を行う。現像液供給ノズル５３ａには、現像液供給源５３ｂから現像液供給ライン５３ｃを介して現像液が供給される。
リンス処理部５１は、エアナイフ５４ａから基板Ｓにエアを吐出し、基板Ｓに液盛りされた現像液を液切りし、液切り処理を行う。エアナイフ５４ａには、エア供給源５４ｂからエア供給ライン５４ｃを介してエアが供給される。エアナイフ５４ａは、エアカーテンを生成し、エアカーテンによって現像液を液切りする。
また、リンス処理部５１は、リンス液供給ノズル５５ａから基板Ｓにリンス液を吐出し、基板Ｓを洗浄し、リンス処理を行う。リンス液供給ノズル５５ａには、リンス液供給源５５ｂからリンス液供給ライン５５ｃを介してリンス液が供給される。
なお、詳しい説明は省略するが、現像液供給ライン５３ｃなどには、開閉弁や、流量制御弁などが設けられる。
乾燥処理部５２は、リンス処理部５１によって洗浄された基板Ｓに対して乾燥処理を行う。
次に、現像処理部５０について図４を参照し説明する。図４は、第１実施形態に係る現像処理部５０の概略構成を示す模式図である。
現像処理部５０は、固定ステージ６０と、複数の可動ステージ６１と、ステージ移動機構６２とを備える。なお、図４では、４つの可動ステージ６１を有する現像処理部５０を一例として示しているが、可動ステージ６１の数は、これに限られることはない。例えば、可動ステージ６１は、３つでもよい。また、可動ステージ６１は、１つでもよい。
各ステージ６０、６１は、コロ搬送機構４４（図２参照、搬送機構の一例）をそれぞれ有する。各コロ搬送機構４４は、コロ４４ａの回転速度を変更可能である。すなわち、各コロ搬送機構４４は、各ステージ６０、６１で搬送される基板Ｓの搬送速度を変更可能である。
固定ステージ６０は、リンス処理部５１よりも低い位置に設けられ、位置が固定されている。固定ステージ６０には、フォトレジスト膜が露光された基板Ｓが搬送装置３１（図１参照）によって搬送される。
固定ステージ６０は、前方に搬送される基板Ｓに現像液供給ノズル５３ａから現像液を吐出し、基板Ｓに現像液を液盛りし、基板Ｓを初期位置の可動ステージ６１に搬入する。初期位置は、固定ステージ６０の前方に隣接する位置であり、固定ステージ６０における基板Ｓの高さと、可動ステージ６１における基板Ｓの高さとが略等しくなる位置である。換言すると、初期位置は、固定ステージ６０から可動ステージ６１に基板Ｓを容易に搬入可能な位置である。図４において、初期位置の可動ステージ６１を「６１Ａ」で示す。
固定ステージ６０、および初期位置における可動ステージ６１のコロ搬送機構４４は、基板Ｓに現像液が液盛りされる場合に基板Ｓにおける現像時間差を緩和するために、予め設定された第１高速搬送速度で基板Ｓを搬送する。また、第１高速搬送速度で基板Ｓを搬送しながら、基板Ｓに現像液が液盛りされることで、現像液供給ノズル５３ａから吐出される現像液によって基板Ｓの前端で現像液の渦流が発生する時間を短くすることができる。そのため、基板Ｓの前端の現像が他の箇所よりも促進されることを抑制し、基板Ｓの現像斑の発生を抑制することができる。
可動ステージ６１は、上下方向、および前後方向に移動する。可動ステージ６１は、現像液（処理液の一例）で濡れた基板Ｓを搬送可能なコロ搬送機構４４を有し、現像液で濡れた基板Ｓを搬送する。具体的には、可動ステージ６１は、現像液が液盛りされた基板Ｓをコロ搬送機構４４によって前方に搬送しながら、上下方向、および前後方向に移動する。すなわち、基板処理装置１では、現像液（処理液の一例）で濡れた基板Ｓを搬送可能なコロ搬送機構４４（搬送機構の一例）を有する可動ステージ６１内で、基板Ｓを搬送する工程と、可動ステージ６１を少なくとも上下方向に移動させる工程とが行われる。
具体的には、可動ステージ６１は、固定ステージ６０で液盛りされた基板Ｓが初期位置で搬入された後に、基板Ｓをコロ搬送機構４４によって前方に搬送しながら、初期位置から予め設定された上昇位置に向けて上昇する。上昇位置は、リンス処理部５１における基板Ｓの高さと、可動ステージ６１における基板Ｓの高さとが略等しくなる位置である。図４において、上昇位置の可動ステージ６１を「６１Ｂ」で示す。
可動ステージ６１は、上昇位置まで上昇した後に、コロ搬送機構４４によって基板Ｓを前方に搬送しながら、上昇位置から予め設定された前進位置に向けて前進する。前進位置は、上昇位置と同じ高さとなる位置であり、リンス処理部５１の後方に隣接し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する位置である。換言すると、前進位置は、可動ステージ６１からリンス処理部５１に基板Ｓを容易に搬入可能な高さとなる位置である。図４において、前進位置の可動ステージ６１を「６１Ｃ」で示す。
なお、可動ステージ６１のコロ搬送機構４４は、初期位置から前進位置まで移動する間、予め設定された低速搬送速度で基板Ｓを前方に搬送する。低速搬送速度は、第１高速搬送速度よりも小さい搬送速度である。可動ステージ６１が初期位置から前進位置まで移動する間に、基板Ｓの現像が行われる。可動ステージ６１は、低速搬送速度で基板Ｓを搬送することで、前後方向の可動ステージ６１の長さを短くすることができる。
可動ステージ６１は、前進位置まで前進した後に、コロ搬送機構４４によって基板Ｓを前方に搬送し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。
可動ステージ６１は、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する場合には、基板Ｓにおける現像時間差を緩和するために、予め設定された第２高速搬送速度で基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。第２高速搬送速度は、低速搬送速度よりも大きい速度である。なお、第２高速搬送速度は、第１高速搬送速度と同じ速度であってもよく、第１高速搬送速度とは異なる速度、例えば、第１高速搬送速度よりも小さい速度であってもよい。
可動ステージ６１は、コロ搬送機構４４によって基板Ｓをリンス処理部５１に搬入した後に、前進位置から、予め設定された退避位置に向けて降下する。退避位置は、初期位置と同じ高さとなる位置である。図４において、退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｄ」で示す。そして、可動ステージ６１は、退避位置まで降下した後に、初期位置に向けて後退する。
このように、可動ステージ６１は、初期位置、上昇位置、前進位置、退避位置の順に移動し、その後、初期位置に戻る。なお、可動ステージ６１は、これとは逆の順に移動してもよい。
ステージ移動機構６２は、モータ６２ａによって駆動するチェーン搬送機構や、ベルト搬送機構であり、可動ステージ６１を少なくとも上下方向に移動させる。具体的には、ステージ移動機構６２は、可動ステージ６１を上下方向、および前後方向に移動させる。なお、モータ６２ａは、各可動ステージ６１にそれぞれ設けられてもよい。
現像処理部５０は、複数の可動ステージ６１を上記するように上下方向、および前後方向に移動させながら、複数の基板Ｓに対して現像処理を行う。すなわち、現像処理部５０は、或る可動ステージ６１に初期位置において基板Ｓを搬入し、基板Ｓが搬入された可動ステージ６１を上昇位置に上昇させる。そして、現像処理部５０は、次の可動ステージ６１に初期位置において基板Ｓを新たに搬入する。
このように、現像処理部５０は、複数の可動ステージ６１でそれぞれ基板Ｓの現像処理を行いながら、複数の可動ステージ６１を移動させる。そのため、基板処理装置１は、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓの現像処理におけるスループットを向上させることができる。
上記した現像処理部５０によって現像が行われた基板Ｓは、リンス処理部５１に搬入され、リンス液によって洗浄される。すなわち、リンス処理部（洗浄処理部の一例）５１は、可動ステージ６１から搬入された基板Ｓを洗浄する。
＜変形例＞
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１の現像処理部５０の変形例について説明する。
変形例に係る現像処理部５０では、図５に示すように、固定ステージ６０がリンス処理部５１よりも高い位置に設けられる。図５は、変形例に係る現像処理部５０の概略構成を示す模式図である。
可動ステージ６１は、初期位置から、予め設定された降下位置まで降下する。降下位置は、リンス処理部５１における基板Ｓの高さと、可動ステージ６１における基板Ｓの高さとが略等しくなる位置である。図５において、初期位置の可動ステージ６１を「６１Ａ」、降下位置の可動ステージ６１を「６１Ｂ」で示す。
可動ステージ６１は、降下位置まで降下した後に、降下位置から、予め設定された前進位置まで前進し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。前進位置は、降下位置と同じ高さとなる位置であり、リンス処理部５１の後方に隣接し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する位置である。すなわち、可動ステージ６１は、ステージ移動機構６２によって下方に移動された状態でリンス処理部５１（洗浄処理部の一例）に基板Ｓを搬入する。図５において、前進位置の可動ステージ６１を「６１Ｃ」で示す。
そして、可動ステージ６１は、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入した後に、前進位置から、予め設定された退避位置まで上昇する。退避位置は、初期位置と同じ高さとなる位置である。図５において、退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｄ」で示す。
このように、可動ステージ６１は、初期位置、降下位置、前進位置、退避位置の順に移動し、その後、初期位置に戻る。なお、可動ステージ６１は、これとは逆の順に移動してもよい。
変形例に係る基板処理装置１は、例えば、リンス処理部５１や、乾燥処理部５２の高さを既存の基板処理装置と同じ高さにすることができ、既存の基板処理装置からの変更箇所を少なくして、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
また、変形例に係る現像処理部５０は、図６に示すように、固定ステージ６０における基板Ｓの高さが、リンス処理部５１における基板Ｓの高さと略等しくなるように、固定ステージ６０を設けてもよい。図６は、変形例に係る現像処理部５０の概略構成を示す模式図である。
可動ステージ６１は、初期位置から、予め設定された上昇位置まで上昇する。図６において、初期位置の可動ステージ６１を「６１Ａ」、上昇位置の可動ステージ６１を「６１Ｂ」で示す。可動ステージ６１は、上昇位置まで上昇した後に、上昇位置から、予め設定された前進位置まで前進する。前進位置は、上昇位置と同じ高さとなる位置である。図６において、前進位置の可動ステージ６１を「６１Ｃ」で示す。
可動ステージ６１は、前進位置まで前進した後に、前進位置から、予め設定された降下位置まで降下し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。降下位置は、リンス処理部５１における基板Ｓの高さと、可動ステージ６１における基板Ｓの高さが略等しくなる位置であり、リンス処理部５１の後方に隣接し、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する位置である。図６において、降下位置の可動ステージ６１を「６１Ｄ」で示す。可動ステージ６１は、降下した状態でリンス処理部５１に基板Ｓを搬入する。
そして、可動ステージ６１は、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入した後に、降下位置から初期位置まで後退する。このように、可動ステージ６１は、初期位置、上昇位置、前進位置、降下位置の順に移動し、その後、再び初期位置に戻る。
変形例に係る基板処理装置１は、図５に示す変形例と同様に、既存の基板処理装置からの変更箇所を少なくして、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
変形例に係る現像処理部５０は、可動ステージ６１で基板Ｓを搬送する場合に、基板Ｓを前後方向に往復させてもよい。すなわち、コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）は、コロ４４ａの回転方向を正方向、および逆方向に変更し、基板Ｓを可動ステージ６１で前進、および後退させてもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、可動ステージ６１で基板Ｓを前後方向に往復させながら、基板Ｓを現像することができ、前後方向における可動ステージ６１の長さを短くすることができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
なお、可動ステージ６１は、斜め上方や、斜め下方に移動してもよい。すなわち、可動ステージ６１の上下方向、および前後方向へ移動には、斜め方向への移動が含まれる。
＜効果＞
基板処理装置１は、現像液（処理液の一例）で濡れた基板Ｓを搬送可能なコロ搬送機構４４（搬送機構の一例）を有する可動ステージ６１と、可動ステージ６１を少なくとも上下方向に移動させるステージ移動機構６２とを備える。具体的には、可動ステージ６１は、現像液を液盛りした基板Ｓを搬送する。
換言すると、基板処理装置１は、現像液（処理液の一例）で濡れた基板Ｓを搬送可能なコロ搬送機構４４（搬送機構の一例）を有する可動ステージ６１内で、基板Ｓを搬送する工程と、可動ステージ６１を少なくとも上下方向に移動させる工程とを有する基板処理方法を実行する。
これにより、基板処理装置１は、フォトレジスト膜が露光された基板Ｓに現像液を液盛りして現像処理を行う場合に、基板Ｓを上下方向に移動させつつ、基板Ｓを現像することができる。そのため、基板処理装置１は、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
また、基板処理装置１は、可動ステージ６１内で基板Ｓを前後方向に搬送することができ、基板Ｓの裏面に、例えば、コロ４４ａの転写跡が生じることを抑制することができる。
コロ搬送機構４４は、基板Ｓの搬送速度を変更可能である。
これにより、基板処理装置１は、基板Ｓに現像液を液盛する場合に、基板Ｓを第１高速搬送速度で搬送することができ、基板Ｓにおける現像時間差を緩和することができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓから現像液を液切りする場合に、基板Ｓを第２高速搬送速度で搬送することができ、基板Ｓにおける現像時間差を緩和することができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓの前端において現像液の渦流が発生することを抑制することができ、基板Ｓに現像斑が発生することを抑制することができる。
さらに、基板処理装置１は、可動ステージ６１が初期位置から前進位置まで移動している間に、可動ステージ６１内で基板Ｓを低速搬送速度で搬送することができる。そのため、基板処理装置１は、前後方向における可動ステージ６１の長さを短くすることができ、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
ステージ移動機構６２は、可動ステージ６１を前後方向に移動させる。これにより、基板処理装置１は、左右方向に基板処理装置１が長くなることを抑制することができる。
基板処理装置１は、可動ステージ６１から搬入された基板Ｓを洗浄するリンス処理部５１（洗浄処理部の一例）を備える。可動ステージ６１は、ステージ移動機構６２によって下方に移動された状態でリンス処理部５１に基板Ｓを搬入する。
これにより、基板処理装置１は、リンス処理部５１などの高さを既存の基板処理装置と同じ高さにすることができ、既存の基板処理装置からの変更箇所を少なくして、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
コロ搬送機構４４は、基板Ｓを可動ステージ６１で前進、および後退させる。これにより、基板処理装置１は、前後方向における可動ステージ６１の長さを短くし、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
（第２実施形態）
＜現像処理部の構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１の現像処理部５０について図７～図９を参照し説明する。図７は、第２実施形態に係る現像処理部５０の左側方視における概略構成を示す模式図である。図８は、第２実施形態に係る現像処理部５０の上方視における概略構成を示す模式図である。図９は、第２実施形態に係る現像処理部５０の後方視における概略構成を示す模式図である。なお、ここでは、第１実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、詳しい説明は省略する。また、第２実施形態において適用可能な第１実施形態の変形例や、効果についても省略する。
固定ステージ６０は、リンス処理部５１よりも高い位置に設けられる。
可動ステージ６１は、上下方向、および左右方向に移動する。可動ステージ６１は、現像液が液盛りされた基板Ｓをコロ搬送機構４４（図２参照）によって前方に搬送しながら、上下方向、および左右方向に移動する。
具体的には、可動ステージ６１は、固定ステージ６０で液盛りされた基板Ｓが初期位置で搬入された後に、初期位置から、予め設定された降下位置まで降下する。降下位置は、リンス処理部５１における基板Ｓの高さと、可動ステージ６１における基板の高さとが略等しくなる位置であり、リンス処理部５１の後方に隣接し、リンス処理部５１に基板Ｓを搬入する位置である。図７～図９において、初期位置の可動ステージ６１を「６１Ａ」、降下位置の可動ステージ６１を「６１Ｂ」で示す。
可動ステージ６１は、降下位置まで降下した後に、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。可動ステージ６１は、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入した後に、降下位置から、予め設定された第１退避位置まで移動する。第１退避位置は、降下位置と同じ高さであり、降下位置に対して右方となる位置である。図７～図９において、第１退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｃ」で示す。なお、第１退避位置は、降下位置に対して左方となる位置であってもよい。
可動ステージ６１は、第１退避位置まで移動した後に、第１退避位置から、予め設定された第２退避位置まで上昇する。第２退避位置は、初期位置と同じ高さとなる位置である。図７～図９において、第２退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｄ」で示す。そして、可動ステージ６１は、第２退避位置まで上昇した後に、第２退避位置から、初期位置まで移動する。
このように、可動ステージ６１は、初期位置、降下位置、第１退避位置、第２退避位置の順に移動し、その後、初期位置に戻る。なお、可動ステージ６１は、これとは逆の順に移動してもよい。
ステージ移動機構６２は、可動ステージ６１を上下方向、および左右方向に移動させる。
現像処理部５０は、複数の可動ステージ６１を上下方向、および左右方向に移動させながら、複数の基板Ｓに対して現像処理を行う。これにより、基板処理装置１は、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
＜変形例＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１の現像処理部５０の変形例について説明する。
変形例に係る現像処理部５０では、図１０に示すように、固定ステージ６０がリンス処理部５１と同じ高さに設けられる。図１０は、変形例に係る現像処理部５０の左側方視における概略構成を示す模式図である。
可動ステージ６１は、初期位置から、予め設定された第１退避位置に向けて移動する。第１退避位置は、図１１に示すように、初期位置と同じ高さであり、初期位置に対して右方となる位置である。図１１は、変形例に係る現像処理部５０の後方視における概略構成を示す模式図である。図１０、図１１において、初期位置の可動ステージ６１を「６１Ａ」、第１退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｂ」で示す。
可動ステージ６１は、第１退避位置まで移動した後に、第１退避位置から、予め設定された第２退避位置まで上昇する。図１０、図１１において、第２退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｃ」で示す。
可動ステージ６１は、第２退避位置まで上昇した後に、第２退避位置から、予め設定された第３退避位置まで移動する。第３退避位置は、第２退避位置と同じ高さであり、初期位置の上方となる位置である。図１０、図１１において、第３退避位置の可動ステージ６１を「６１Ｄ」で示す。可動ステージ６１は、第３退避位置まで移動した後に、第３退避位置から初期位置まで降下する。
そして、可動ステージ６１は、初期位置まで降下すると、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入する。すなわち、可動ステージ６１は、初期位置において固定ステージ６０から基板Ｓが搬入され、第１退避位置、第２退避位置、第３退避位置と移動した後に、初期位置においてリンス処理部５１に基板Ｓを搬入する。また、可動ステージ６１には、固定ステージ６０から新たな基板Ｓが搬入される。
このように、可動ステージ６１は、初期位置で、基板Ｓをリンス処理部５１に搬入しつつ、新たな基板Ｓを搬入することができる。
＜効果＞
ステージ移動機構６２は、可動ステージ６１を左右方向に移動させる。これにより、基板処理装置１は、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。
（第３実施形態）
＜現像処理部の構成＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１の現像処理部５０について図１２を参照し説明する。図１２は、第３実施形態に係る現像処理部５０の左側方視における概略構成を示す模式図である。なお、ここでは、第１実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、詳しい説明は省略する。また、第３実施形態において適用可能な第１実施形態の変形例や、効果についても省略する。
現像処理部５０は、固定ステージ６０と、可動ステージ７０と、複数の現像ステージ７１と、ステージ移動機構６２とを備える。なお、図１２では、３つの現像ステージ７１を有する現像処理部５０を一例として示しているが、現像ステージ７１の数は、これに限られることはない。例えば、現像ステージ７１は、４つでもよい。また、現像ステージ７１は、１つでもよい。
各ステージ６０、７０、７１は、コロ搬送機構４４（図２参照、搬送機構の一例）をそれぞれ有する。また、可動ステージ７０、および現像ステージ７１に設けられたコロ搬送機構４４は、コロ４４ａの回転方向を変更可能である。すなわち、可動ステージ６１、および現像ステージ７１に設けられたコロ搬送機構４４は、コロ４４ａの回転方向を正方向、および逆方向に変更し、基板Ｓを前進、および後退させる。
可動ステージ７０は、上下方向に移動する。可動ステージ７０は、上下方向に沿って複数段のコロ搬送機構４４が設けられ、各コロ搬送機構４４で基板Ｓを搬送することができる。すなわち、可動ステージ７０は、複数段で基板Ｓを搬送しながら、上下方向に移動する。
具体的には、可動ステージ７０には、２段のコロ搬送機構４４が設けられ、上段のコロ搬送機構４４によって現像液が液盛りされていない基板Ｓを搬送し、下段のコロ搬送機構４４によって現像液が液盛りされた基板Ｓ（処理液で濡れた基板の一例）を搬送する。
可動ステージ７０には、現像液が液盛りされていない基板Ｓが固定ステージ６０から上段に搬入される。可動ステージ７０は、現像液が液盛りされていない基板Ｓを上段から現像ステージ７１に搬入する。
また、可動ステージ７０には、現像液が液盛りされた基板Ｓが現像ステージ７１から下段に搬入される。可動ステージ７０は、現像液が液盛りされた基板Ｓを下段からリンス処理部５１に搬入する。
ステージ移動機構６２は、可動ステージ７０を上下方向に移動させる。
現像ステージ７１は、リンス処理部５１の上方に設けられる。現像ステージ７１は、現像液供給ノズル５３ａを備える。現像ステージ７１は、可動ステージ７０によって搬入された基板Ｓを現像液によって現像する。具体的には、現像ステージ７１は、可動ステージ７０の上段から搬入された基板Ｓに現像液供給ノズル５３ａから現像液を吐出し、現像液を液盛りする。
現像ステージ７１は、現像液が液盛りされた基板Ｓを予め設定された現像時間、前後方向に往復させた後に、図１２において破線で示すように、現像液が液盛りされた基板Ｓを可動ステージ７０の下段に搬入する。
リンス処理部５１は、現像ステージ７１の下方に設けられ、可動ステージ７０から搬入された基板Ｓを洗浄する。
＜変形例＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１の現像処理部５０の変形例について説明する。
変形例に係る現像処理部５０では、図１３に示すように、現像ステージ７５は、現像液を貯留する現像液槽である。現像ステージ７５は、基板Ｓを現像液に浸漬して基板Ｓを現像する。図１３は、変形例に係る現像処理部５０の左側方視における概略構成を示す模式図である。なお、図１３では、３つの現像ステージ７５を有する現像処理部５０を一例として示しているが、現像ステージ７５の数は、これに限られることはない。例えば、現像ステージ７５は、４つでもよい。また、現像ステージ７５は、１つでもよい。
現像ステージ７５は、上下方向における断面が略Ｌ字状となるように形成され、現像液を貯留するために底面７５ａが傾斜している。具体的には、底面７５ａは、先端が高くなるように傾斜している。現像ステージ７５は、現像液供給ノズル７６から現像液が供給され、現像液を貯留する。
現像ステージ７５は、底面７５ａの先端が下がるように揺動機構７７によって揺動されることで、現像液を現像液回収ライン７８に排出する。現像液回収ライン７８は、揺動機構７７によって現像ステージ７５が揺動されることで、現像ステージ７５から排出される現像液を回収する。
また、現像ステージ７５には、底面７５ａの先端が下がるように揺動機構７７によって揺動された状態で、洗浄水供給ノズル７９から洗浄水が供給される。すなわち、洗浄水供給ノズル７９（洗浄水供給部の一例）は、揺動機構７７によって現像ステージ７５が揺動され、現像液が排出された状態の現像ステージ７５に洗浄水を供給する。現像ステージ７５に供給された洗浄水は、洗浄水回収ライン８０に排出される。洗浄水回収ライン８０は、現像ステージ７５から排出される洗浄水を回収する。
揺動機構７７は、現像ステージ７５を揺動させる。具体的には、揺動機構７７は、モータ７７ａ、例えば、揺動モータを駆動させることで現像ステージ７５を揺動させる。なお、揺動機構７７は、各現像ステージ７５にそれぞれ設けられてもよい。
現像液の現像液回収ライン７８への排出、および洗浄水の洗浄水回収ライン８０への排出は、可動式の仕切り板８１によって切り替えられる。すなわち、仕切り板８１は、現像ステージ７５から排出される現像液、または洗浄水を現像液回収ライン７８、または洗浄水回収ライン８０に選択的に流入させる。
現像ステージ７５は、現像液を貯留した状態で可動ステージ７０によって基板Ｓが搬入されると、図１４Ａに示すように、基板Ｓを現像液に浸漬させる。図１４Ａは、変形例に係る現像ステージ７５において、基板Ｓを浸漬した状態を示す模式図である。
基板Ｓが予め設定された現像時間、現像液に浸漬されて現像が終了すると、現像ステージ７５は、揺動機構７７によって揺動されて、図１４Ｂに示すように、底面７５ａの先端が下がり、現像液を現像液回収ライン７８に排出する。図１４Ｂは、変形例に係る現像ステージ７５において、現像液を排出する状態を示す模式図である。なお、仕切り板８１によって洗浄水回収ライン８０への現像液の流入は防がれる。
現像液の排出が完了すると、現像ステージ７５には、洗浄水供給ノズル７９から洗浄水が供給され、基板Ｓが洗浄される。洗浄水は、図１４Ｃに示すように、洗浄水回収ライン８０に排出される。図１４Ｃは、変形例に係る現像ステージ７５において、洗浄水を排出する状態を示す模式図である。なお、仕切り板８１は、現像液回収ライン７８へ洗浄水が排出されないように移動しており、現像液回収ライン７８への洗浄水の流入は防がれる。
なお、現像ステージ７５は、現像液、または洗浄水を排出する場合に、基板Ｓが現像ステージ７５から滑り出ないように、ストッパーを設けてもよい。
そして、基板Ｓの洗浄が完了すると、洗浄水（処理液の一例）で濡れた基板Ｓが可動ステージ７０に搬入される。なお、現像処理部５０は、吸着パッドによって基板Ｓの端部を吸着し、現像ステージ７５から可動ステージ７０に基板Ｓを搬送する。また、現像処理部５０は、押し出し機構によって押し出して基板Ｓを現像ステージ７５から可動ステージ７０に搬入してもよい。
また、変形例に係る現像処理部５０は、現像ステージ７５を揺動させて洗浄水を供給することで、基板Ｓを滑らせて現像ステージ７５から可動ステージ７０に搬入してもよい。この場合、可動ステージ７０を揺動させてもよい。これにより、基板Ｓを可動ステージ７０に容易に搬入することができる。
現像ステージ７５は、基板Ｓが可動ステージ７０に搬入された後に、図１４Ｄに示すように、底面７５ａの先端が高くなるように揺動機構７７によって揺動される。そして、現像ステージ７５には、現像液供給ノズル７６によって現像液が供給され、現像液が貯留される。図１４Ｄは、変形例に係る現像ステージにおいて、現像液を貯留した状態を示す模式図である。
なお、現像ステージ７５は、現像ステージ７５内で現像液を循環させてもよい。これにより、現像ステージ７５内で、現像液の濃度や、温度に偏りが発生することを抑制し、現像斑の発生を抑制することができる。
また、変形例に係る現像ステージ７５は、揺動機構７７や、洗浄水供給ノズル７９などを有さずに、基板Ｓを浸漬させる構成であってもよい。この場合、例えば、現像ステージ７５では、コロ搬送機構４４が現像液の液面よりも下方に設けられ、コロ搬送機構４４によって基板Ｓが搬送される。
＜効果＞
基板処理装置１は、可動ステージ７０によって搬入された基板Ｓを現像液によって現像する複数の現像ステージ７１、７５と、現像ステージ７５の下方に設けられ、可動ステージ７０から搬入された基板Ｓを洗浄するリンス処理部５１（洗浄処理部の一例）とを備える。
これにより、基板処理装置１は、現像ステージ７１、７５とリンス処理部５１とを上下方向に配置することができ、前後方向における基板処理装置１の長さを短くすることができる。また、基板処理装置１は、或る現像ステージ７１、７５に不具合が発生した場合でも、他の現像ステージ７１、７５によって現像処理を行うことができる。また、基板処理装置１は、例えば、現像液の濃度が異なる複数の現像処理を、異なる現像ステージ７１、７５で行うことができる。
現像ステージ７５は、基板Ｓを現像液に浸漬して基板Ｓを現像する。これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端において現像液の渦流が発生することを抑制することができ、基板Ｓに現像斑が発生することを抑制することができる。
基板処理装置１は、現像ステージ７５を揺動させる揺動機構７７と、揺動機構７７によって現像ステージ７５が揺動されることで、現像ステージ７５から排出される現像液を回収する現像液回収ライン７８とを備える。また、基板処理装置１は、揺動機構７７によって現像ステージ７５が揺動され、現像液が排出された状態の現像ステージ７５に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル７９（洗浄水供給部の一例）と備える。また、基板処理装置１は、現像ステージ７５から排出される洗浄水を回収する洗浄水回収ライン８０と、現像ステージ７５から排出される現像液、または洗浄水を現像液回収ライン７８、または洗浄水回収ライン８０に選択的に流入させる可動式の仕切り板８１とを備える。
これにより、基板処理装置１は、現像ステージ７５から排出される現像液が洗浄水回収ライン８０に流入することを防止することができる。また、基板処理装置１は、現像ステージ７５から排出される洗浄水が現像液回収ライン７８に流入することを防止することができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
４０ 現像ユニット
４４ コロ搬送機構（搬送機構）
４４ａ コロ
５０ 現像処理部
５１ リンス処理部（洗浄処理部）
６０ 固定ステージ
６１ 可動ステージ
６２ ステージ移動機構
７０ 可動ステージ
７１ 現像ステージ
７５ 現像ステージ
７６ 現像液供給ノズル
７７ 揺動機構
７８ 現像液回収ライン
７９ 洗浄水供給ノズル（洗浄水供給部）
８０ 洗浄水回収ライン
８１ 仕切り板

Claims (10)

  1. 処理液で濡れた基板を搬送可能な搬送機構を有する可動ステージと、
    前記可動ステージを少なくとも上下方向に移動させるステージ移動機構と、
    前記可動ステージから搬入された前記基板を洗浄する洗浄処理部と
    を備え、
    前記可動ステージは、
    現像液が液盛りされた前記基板を搬送し、
    前記ステージ移動機構によって下方に移動された状態で前記洗浄処理部に前記基板を搬入する、基板処理装置。
  2. 前記ステージ移動機構は、
    前記可動ステージを前後方向に移動させる
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ステージ移動機構は、
    前記可動ステージを左右方向に移動させる
    請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 処理液で濡れた基板を搬送可能な搬送機構を有する可動ステージと、
    前記可動ステージを少なくとも上下方向に移動させるステージ移動機構と
    前記可動ステージによって搬入された前記基板を現像液によって現像する複数の現像ステージと、
    前記現像ステージの下方に設けられ、前記可動ステージから搬入された前記基板を洗浄する洗浄処理部と
    を備える、基板処理装置。
  5. 前記現像ステージは、
    前記基板を前記現像液に浸漬して前記基板を現像する
    請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記現像ステージを揺動させる揺動機構と、
    前記揺動機構によって前記現像ステージが揺動されることで、前記現像ステージから排出される前記現像液を回収する現像液回収ラインと、
    前記揺動機構によって前記現像ステージが揺動され、前記現像液が排出された状態の前記現像ステージに洗浄水を供給する洗浄水供給部と、
    前記現像ステージから排出される前記洗浄水を回収する洗浄水回収ラインと、
    前記現像ステージから排出される前記現像液、または前記洗浄水を前記現像液回収ライン、または前記洗浄水回収ラインに選択的に流入させる可動式の仕切り板と
    を備える
    請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記搬送機構は、
    前記基板の搬送速度を変更可能である
    請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記搬送機構は、
    前記基板を前記可動ステージで前進、および後退させる
    請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 処理液で濡れた基板を搬送可能な搬送機構を有する可動ステージ内で、前記基板を搬送する工程と、
    前記可動ステージをステージ移動機構によって少なくとも上下方向に移動させる工程と、
    前記可動ステージから搬入された前記基板を洗浄処理部によって洗浄する工程と
    を有し、
    現像液が液盛りされた前記基板が前記可動ステージによって搬送され、
    前記ステージ移動機構によって下方に移動された状態で、前記基板は、前記可動ステージによって前記洗浄処理部に搬入される、基板処理方法。
  10. 処理液で濡れた基板を搬送可能な搬送機構を有する可動ステージ内で、前記基板を搬送する工程と、
    前記可動ステージを少なくとも上下方向に移動させる工程と、
    前記可動ステージによって搬入された前記基板を、複数の現像ステージによって現像液により現像する工程と、
    前記現像ステージの下方において、前記可動ステージから搬入される前記基板を洗浄する工程と
    を有する、基板処理方法。
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