KR20210071831A - 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210071831A
KR20210071831A KR1020200160118A KR20200160118A KR20210071831A KR 20210071831 A KR20210071831 A KR 20210071831A KR 1020200160118 A KR1020200160118 A KR 1020200160118A KR 20200160118 A KR20200160118 A KR 20200160118A KR 20210071831 A KR20210071831 A KR 20210071831A
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후미히코 이케다
타카히로 노다
나오키 이모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 회로 패턴의 정밀도를 향상시키는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 반송 기구와, 개질 장치와, 현상 장치를 구비한다. 반송 기구는, 레지스트막의 일부가 노광된 기판을 평류(平流) 반송한다. 개질 장치는, 반송 기구에 의해 반송되는 기판에 대해 레지스트막의 개질 처리를 행한다. 현상 장치는, 개질 처리가 행해지고, 또한 반송 기구에 의해 반송되는 기판에 대해 현상 처리를 행한다. 개질 장치는, 공급 처리부와, 개질 세정 처리부와, 개질 건조 처리부를 구비한다. 공급 처리부는, 개질액을 기판에 공급한다. 개질 세정 처리부는, 개질액이 공급된 기판에 린스액을 공급하여, 기판을 세정한다. 개질 건조 처리부는, 기판으로부터 린스액을 제거하여, 기판을 건조시킨다.

Description

기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 제1 현상조(現像槽)에 의해 유리 기판의 열가소성 수지층과 산소 차단층을 제거하고, 제2 현상조에 의해 유리 기판의 감광성 착색 수지층을 제거하는 것이 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-322976호 공보
본 개시는 기판의 회로 패턴의 정밀도를 향상시키는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 반송 기구와, 개질 장치와, 현상 장치를 구비한다. 반송 기구는, 레지스트막의 일부가 노광된 기판을 평류(平流) 반송한다. 개질 장치는, 반송 기구에 의해 반송되는 기판에 대해 레지스트막의 개질 처리를 행한다. 현상 장치는, 개질 처리가 행해지고, 또한 반송 기구에 의해 반송되는 기판에 대해 현상 처리를 행한다. 개질 장치는, 공급 처리부와, 개질 세정 처리부와, 개질 건조 처리부를 구비한다. 공급 처리부는, 개질액을 기판에 공급한다. 개질 세정 처리부는, 개질액이 공급된 기판에 린스액을 공급하여, 기판을 세정한다. 개질 건조 처리부는, 기판으로부터 린스액을 제거하여, 기판을 건조시킨다.
본 개시에 의하면, 기판의 회로 패턴의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시한 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 기구에 의한 기판 반송을 도시한 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 개질 유닛의 개략 구성을 도시한 모식도(그 1)이다.
도 4는 실시형태에 따른 개질 유닛의 개략 구성을 도시한 모식도(그 2)이다.
도 5는 실시형태에 따른 현상 유닛의 개략 구성을 도시한 모식도이다.
도 6은 실시형태에 따른 개질 처리를 설명하는 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.
(전체 구성)
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시한 모식도이다. 기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 스테이션(3)과, 인터페이스 스테이션(4)과, 제2 처리 스테이션(5)과, 제어 장치(6)를 구비한다.
카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치 가능한 배치대(10)와, 카세트(C)와 제1 처리 스테이션(3) 사이, 및 제2 처리 스테이션(5)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(11)를 구비한다.
반송 장치(11)는, 반송 아암(11a)을 구비한다. 반송 아암(11a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 스테이션(3)은, 기판(S)에 포토레지스트의 도포를 포함하는 처리를 행한다. 제1 처리 스테이션(3)은, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과, 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과, 프리히트 유닛(PH)(22)과, 어드히젼 유닛(AD)(23)과, 제1 냉각 유닛(COL)(24)을 구비한다. 이들 유닛(20∼24)은, 카세트 스테이션(2)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로, 배치된다. 구체적으로는, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 어드히젼 유닛(23), 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 배치된다.
또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 포토레지스트 도포 유닛(CT)(25)과, 감압 건조 유닛(DP)(26)과, 제1 가열 유닛(HT)(27)과, 제2 냉각 유닛(COL)(28)을 구비한다. 이들 유닛(25∼28)은, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 인터페이스 스테이션(4)을 향하는 방향으로, 포토레지스트 도포 유닛(25), 감압 건조 유닛(26), 제1 가열 유닛(27), 제2 냉각 유닛(28)의 순서로 배치된다. 또한, 제1 처리 스테이션(3)은, 롤러 반송 기구(29)(도 2 참조)와, 반송 장치(30)를 구비한다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광(紫外域光)을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대해 자외역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액[예컨대, 탈이온수(DIW)]을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은, 블로워 등에 의해 세정한 기판(S)을 건조시킨다.
프리히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해 건조된 기판(S)을 더욱 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
어드히젼 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수화 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은, 소수화 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
포토레지스트 도포 유닛(25)은, 냉각된 기판(S) 상에 포토레지스트액을 공급하여, 기판(S) 상에 기능막인 포토레지스트막을 형성한다.
감압 건조 유닛(26)은, 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기하에서 건조시킨다.
제1 가열 유닛(27)은, 포토레지스트막이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다.
제2 냉각 유닛(28)은, 용제 등을 제거한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
여기서, 롤러 반송 기구(29)에 대해, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 롤러 반송 기구(29)에 의한 기판 반송을 도시한 모식도이다.
롤러 반송 기구(29)는, 복수의 롤러(29a)와, 복수의 구동 장치(29b)를 구비한다. 롤러 반송 기구(29)는, 구동 장치(29b)에 의해 롤러(29a)를 회전시키고, 롤러(29a)의 회전에 따라 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 롤러 반송 기구(29)는, 기판(S)의 표면이 수평 방향을 따라 이동하도록 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 기구(29)는, 기판(S)을 평류 반송한다. 구동 장치(29b)는, 예컨대, 전동 모터이다.
롤러 반송 기구(29)는, 도 1에 있어서 화살표(L)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 엑시머 UV 조사 유닛(20)으로부터 제1 냉각 유닛(24)까지 반송한다. 또한, 롤러 반송 기구(29)는, 도 1에 있어서 화살표(M)로 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 가열 유닛(27)으로부터 제2 냉각 유닛(28)까지 반송한다.
도 1로 되돌아가서, 반송 장치(30)는, 반송 아암(30a)을 구비한다. 반송 아암(30a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
반송 장치(30)는, 제1 냉각 유닛(24)으로부터 포토레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다. 반송 장치(30)는, 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(26)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는, 감압 건조 유닛(26)으로부터 제1 가열 유닛(27)에 기판(S)의 반송을 행한다. 반송 장치(30)는, 복수의 반송 아암을 구비해도 좋고, 각 유닛 사이에서의 기판(S)의 반송을 상이한 반송 아암으로 행해도 좋다.
인터페이스 스테이션(4)에서는, 제1 처리 스테이션(3)에 의해 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 외부 노광 장치(8), 및 제2 처리 스테이션(5)에 반송된다. 인터페이스 스테이션(4)은, 반송 장치(31)와, 로터리 스테이지(RS)(32)를 구비한다.
외부 노광 장치(8)는, 외부 장치 블록(8A)과, 노광 장치(8B)를 구비한다. 외부 장치 블록(8A)은, 기판(S)의 외주부의 포토레지스트막을 주변 노광 장치(EE)에 의해 제거한다. 또한, 외부 장치 블록(8A)은, 노광 장치(8B)로 회로 패턴으로 노광된 기판(S)에 타이틀러(TITLER)에 의해 소정의 정보를 기록한다.
노광 장치(8B)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다. 이에 의해 포토레지스트막에는, 회로 패턴에 따라, 노광 영역과 미노광 영역이 형성된다.
반송 장치(31)는, 반송 아암(31a)을 구비한다. 반송 아암(31a)은, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
반송 장치(31)는, 제2 냉각 유닛(28)으로부터 로터리 스테이지(32)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송 장치(31)는, 로터리 스테이지(32)로부터 외부 장치 블록(8A)의 주변 노광 장치에 기판(S)을 반송하고, 외주부의 포토레지스트막이 제거된 기판(S)을 노광 장치(8B)에 반송한다.
또한, 반송 장치(31)는, 회로 패턴으로 노광된 기판(S)을 노광 장치(8B)로부터 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 반송 장치(31)는, 소정의 정보가 기록된 기판(S)을 타이틀러로부터 제2 처리 스테이션(5)의 개질 유닛(TAE)(40)에 반송한다.
제2 처리 스테이션(5)은, 현상을 포함하는 처리를 행한다. 제2 처리 스테이션(5)은, 개질 유닛(40)과, 현상 유닛(DEV)(41)과, 제2 가열 유닛(HT)(42)과, 제3 냉각 유닛(COL)(43)과, 검사 유닛(IP)(44)과, 롤러 반송 기구(45)(도 2 참조)를 구비한다. 이들 유닛(40∼43)은, 인터페이스 스테이션(4)으로부터 카세트 스테이션(2)을 향하는 방향으로, 개질 유닛(40), 현상 유닛(41), 제2 가열 유닛(42), 제3 냉각 유닛(43), 및 검사 유닛(44)의 순서로 배치된다.
개질 유닛(40)은, 기판(S)에 개질액을 공급한 후에, 기판(S)을 린스액에 의해 세정하고, 건조시킴으로써, 미노광의 포토레지스트막을 개질하여, 난용화층(難溶化層)을 형성한다. 난용화층은, 현상 유닛(41)에 있어서 현상액에 의한 현상을 행하는 경우에, 포토레지스트막의 막 감소를 억제하는 층이다. 또한, 개질 유닛(40)의 구성에 대해서는, 후술한다.
개질액은, 알칼리 용액이다. 예컨대, 개질액은, 현상액과 동일한 약액이고, 또한 현상액과는 농도가 상이한 액이다.
현상 유닛(41)은, 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 용해시켜, 현상한다. 또한, 현상 유닛(41)은, 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 린스액에 의해 씻어내고, 린스액을 건조시킨다. 또한, 현상 유닛(41)의 구성에 대해서는, 후술한다.
제2 가열 유닛(42)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 남는 용제, 및 린스액을 제거한다.
제3 냉각 유닛(43)은, 용제, 및 린스액이 제거된 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다.
검사 유닛(44)은, 냉각된 기판(S)에 대해, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다.
검사 유닛(44)에 의해 검사가 행해진 기판(S)은, 반송 장치(11)의 반송 아암(11a)에 의해 제2 처리 스테이션(5)으로부터 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)에 반송된다.
롤러 반송 기구(45)(도 2 참조)의 구성은, 제1 처리 스테이션(3)에서의 롤러 반송 기구(29)와 동일한 구성이고, 여기서의 설명은 생략한다. 롤러 반송 기구(45)는, 도 1에 있어서 화살표(N)로 나타내는 바와 같이, 개질 유닛(40)으로부터 검사 유닛(44)까지 기판(S)을 반송한다. 즉, 롤러 반송 기구(45)는, 포토레지스트막(레지스트막의 일례)의 일부가 노광된 기판(S)을 평류 반송한다.
제어 장치(6)는, 예컨대, 컴퓨터이고, 제어부(6A)와 기억부(6B)를 구비한다. 기억부(6B)는, 예컨대, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
제어부(6A)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써, 각 스테이션(2∼5)의 제어를 실현한다.
또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(6B)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
(개질 유닛)
다음으로, 실시형태에 따른 개질 유닛(40)에 대해 도 3, 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 개질 유닛(40)의 개략 구성을 도시한 모식도(그 1)이다. 도 4는 실시형태에 따른 개질 유닛(40)의 개략 구성을 도시한 모식도(그 2)이다. 도 3에서는, 롤러 반송 기구(45) 등의 일부 구성을 생략한다. 또한, 도 4에서는, 현상액 공급원(100b) 등의 일부 구성을 생략한다.
이하에서는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 직교하는 기판(S)의 면 방향을, 폭 방향으로 하여 설명한다. 폭 방향은, 롤러 반송 기구(45)의 롤러(45a)의 회전축에 대해 평행하다.
개질 유닛(40)(개질 장치의 일례)은, 롤러 반송 기구(45)(반송 기구의 일례)에 의해 반송되는 기판(S)에 대해 포토레지스트막(레지스트막의 일례)의 개질 처리를 행한다. 개질 유닛(40)은, 반입부(50)와, 도포 처리부(51)와, 린스 처리부(52)와, 건조 처리부(53)를 구비한다.
반입부(50), 도포 처리부(51), 린스 처리부(52), 및 건조 처리부(53)는, 기판(S)의 반송 방향을 따라, 반입부(50), 도포 처리부(51), 린스 처리부(52), 및 건조 처리부(53)의 순서로 배치된다. 또한, 상세한 설명은 생략하지만, 개질 유닛(40)은, 예컨대, 개질액의 비산을 억제하기 위해서, FFU(Fan Filter Unit)나, 배기 기구 등을 구비한다. 개질 유닛(40)(개질 장치의 일례)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 현상 유닛(41)(현상 장치의 일례, 도 1 참조)보다 길이가 짧다.
반입부(50)에는, 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러로부터 기판(S)이 반입된다. 반입부(50)에서는, 기판(S)의 반송 속도가 조정된다. 예컨대, 반입부(50)에서는, 기판(S)이 일단 정지되어, 도포 처리부(51)에 반입되는 기판(S)의 반송 속도가 조정된다. 롤러 반송 기구(45)의 롤러(45a)의 회전 속도가 조정됨으로써, 기판(S)의 반송 속도는 조정된다.
도포 처리부(51)(공급 처리부의 일례)는, 개질액을 기판(S)에 공급한다. 구체적으로는, 도포 처리부(51)는, 챔버(51a) 내에서 반송되는 기판(S)에 대해 도포 처리를 행한다. 도포 처리부(51)는, 개질액 공급 노즐(60)과, 에어 커튼 생성 노즐(61)을 구비한다. 도포 처리부(51)(공급 처리부의 일례)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 후술하는 현상 처리부(80)보다 길이가 짧다.
개질액 공급 노즐(60)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 도포 처리부(51)의 상류측, 즉 반입부(50)측에 설치된다. 구체적으로는, 개질액 공급 노즐(60)은, 도포 처리부(51)의 상류측의 단(端)에 설치된다. 개질액 공급 노즐(60)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 개질액 공급 노즐(60)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다. 개질액 공급 노즐(60)은, 기판(S)의 반송 방향으로 나란히 복수, 예컨대, 2개 설치된다. 또한, 개질액 공급 노즐(60)은, 1개여도 좋다.
개질액 공급 노즐(60)은, 반송되는 기판(S)의 표면에 개질액을 토출하여, 기판(S)의 표면에 개질액을 도포한다. 개질액 공급 노즐(60)에는, 개질액 공급 라인(70a)을 통해 개질액 공급원(70b)으로부터 개질액이 공급된다. 개질액 공급 라인(70a)에는, 유량 제어 밸브(70c, 70d)나, 개폐 밸브(70e) 등이 설치된다. 유량 제어 밸브(70c, 70d)나, 개폐 밸브(70e)가 제어됨으로써, 개질액 공급 노즐(60)로부터 토출되는 개질액의 유량이 제어된다.
에어 커튼 생성 노즐(61)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 개질액 공급 노즐(60)보다 하류측에 설치된다. 구체적으로는, 에어 커튼 생성 노즐(61)은, 도포 처리부(51)의 하류측의 단에 설치된다. 에어 커튼 생성 노즐(61)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 에어 커튼 생성 노즐(61)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다.
에어 커튼 생성 노즐(61)은, 토출구로부터 공기를 토출하여, 에어 커튼을 생성한다. 에어 커튼 생성 노즐(61)에는, 에어 공급 라인(71a)을 통해 에어 공급원(71b)으로부터 공기가 공급된다. 에어 공급 라인(71a)에는, 유량 제어 밸브(71c∼71e)나, 개폐 밸브(71f) 등이 설치된다. 유량 제어 밸브(71c)나, 개폐 밸브(71f)가 제어됨으로써, 에어 커튼 생성 노즐(61)로부터 토출되는 공기의 유량이 제어된다.
에어 커튼 생성 노즐(61)은, 기판(S)의 표면에 도포된 개질액을 에어 커튼에 의해 기판(S)으로부터 떨어뜨린다. 에어 커튼 생성 노즐(61)은, 에어 커튼에 의해 기판(S)의 표면으로부터 개질액의 일부를 제거한다.
또한, 도포 처리부(51)에서는, 에어 커튼 생성 노즐(61)의 하방에 위치하는 롤러(45a)의 높이가, 도포 처리부(51)에서의 다른 롤러(45a)의 높이보다 높게 되어 있다. 이에 의해, 기판(S)의 표면에 도포된 개질액의 제거가 용이해진다. 또한, 도포 처리부(51)는, 사용된 개질액을 회수하는 드레인 라인 등의 회수 기구(도시하지 않음)를 구비한다.
린스 처리부(52)는, 챔버(52a) 내에서 반송되는 기판(S)을 린스액(예컨대, DIW)에 의해 세정하는 린스 처리를 행한다. 린스 처리부(52)(개질 세정 처리부의 일례)는, 개질액이 공급된 기판(S)에 린스액을 공급하여, 기판(S)을 세정한다. 린스 처리부(52)는, 제1 린스액 공급 노즐(62)과, 제2 린스액 공급 노즐(63)을 구비한다.
제1 린스액 공급 노즐(62)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 린스 처리부(52)의 상류측, 즉 도포 처리부(51)측에 설치된다. 구체적으로는, 제1 린스액 공급 노즐(62)은, 린스 처리부(52)의 상류측의 단에 설치된다. 제1 린스액 공급 노즐(62)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 제1 린스액 공급 노즐(62)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다.
제1 린스액 공급 노즐(62)로부터 린스액이 기판(S)에 토출됨으로써, 기판(S)에 남은 개질액이 린스액으로 치환되어, 개질액에 의한 기판(S)의 반응이 정지된다.
제2 린스액 공급 노즐(63)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 제1 린스액 공급 노즐(62)보다 하류측에 설치된다. 제2 린스액 공급 노즐(63)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 제2 린스액 공급 노즐(63)에는, 안개형으로 린스액을 토출하는 토출구가 폭 방향을 따라 복수 형성된다.
제2 린스액 공급 노즐(63)은, 기판(S)의 표면측, 및 기판(S)의 이면측에 설치된다. 기판(S)의 표면측에는, 제2 린스액 공급 노즐(63)이, 기판(S)의 반송 방향으로 나란히 복수, 예컨대, 2개 설치된다. 또한, 기판(S)의 표면측에 설치되는 제2 린스액 공급 노즐(63)은, 1개여도 좋다. 또한, 기판(S)의 이면측에는, 제2 린스액 공급 노즐(63)이, 1개 설치된다. 또한, 기판(S)의 이면측에 설치되는 제2 린스액 공급 노즐(63)은, 복수, 예컨대, 2개여도 좋다.
제2 린스액 공급 노즐(63)로부터 린스액이 기판(S)에 분무됨으로써, 기판(S)이 세정된다.
제1 린스액 공급 노즐(62), 및 제2 린스액 공급 노즐(63)에는, 린스액 공급 라인(72a)을 통해 린스액 공급원(72b)으로부터 린스액이 공급된다. 린스액 공급 라인(72a)에는, 유량 제어 밸브(72c∼72f)나, 개폐 밸브(72g) 등이 설치된다. 유량 제어 밸브(72c∼72f)나, 개폐 밸브(72g)가 제어됨으로써, 각 린스액 공급 노즐(62, 63)로부터 토출되는 린스액의 유량이 제어된다.
건조 처리부(53)는, 린스액에 의해 세정되어, 챔버(53a) 내에서 반송되는 기판(S)을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 건조 처리부(53)(개질 건조 처리부의 일례)는, 기판(S)으로부터 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 건조 처리부(53)는, 에어 커튼 생성 노즐(64)과, 에어 나이프(65)를 구비한다. 건조 처리부(53)(개질 건조 처리부의 일례)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 후술하는 건조 처리부(82)(현상 건조 처리부의 일례)보다 길이가 짧다.
에어 커튼 생성 노즐(64)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 건조 처리부(53)의 상류측, 즉 린스 처리부(52)측에 설치된다. 구체적으로는, 에어 커튼 생성 노즐(64)은, 건조 처리부(53)의 상류측의 단에 설치된다. 에어 커튼 생성 노즐(64)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 에어 커튼 생성 노즐(64)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다.
에어 커튼 생성 노즐(64)은, 토출구로부터 공기를 토출하여, 에어 커튼을 생성한다. 에어 커튼 생성 노즐(64)은, 에어 커튼에 의해 린스액의 일부를 기판(S)으로부터 떨어뜨린다. 즉, 에어 커튼에 의해 기판(S)의 표면으로부터 린스액을 제거한다. 에어 커튼 생성 노즐(64)(예비 건조부의 일례)은, 린스 처리부(52)(개질 세정 처리부의 일례)와 에어 나이프(65)(개질 건조부의 일례) 사이에 설치되고, 린스액을 기판(S)으로부터 제거한다.
에어 나이프(65)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 에어 커튼 생성 노즐(61)보다 하류측에 설치된다. 구체적으로는, 에어 나이프(65)는, 건조 처리부(53)의 하류측의 단에 설치된다. 에어 나이프(65)는, 폭 방향을 따라 연장된다. 즉, 에어 나이프(65)(개질 건조부의 일례)는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 연장된다. 에어 나이프(65)에는, 폭 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다. 에어 나이프(65)는, 기판(S)의 표면측, 및 이면측에 설치된다.
에어 나이프(65)는, 토출구로부터 공기를 토출한다. 에어 나이프(65)는, 에어 커튼 생성 노즐(64)에 의해 형성되는 에어 커튼보다 공기의 토출량이 많다. 에어 나이프(65)는, 기판(S)에 부착된 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 에어 나이프(65)(개질 건조부의 일례)는, 기판(S)을 향해 공기를 분무하여 기판(S)을 건조시킨다.
에어 커튼 생성 노즐(64), 및 에어 나이프(65)에는, 에어 공급 라인(71a)을 통해 에어 공급원(71b)으로부터 공기가 공급된다. 유량 제어 밸브(71d, 71e)나, 개폐 밸브(71f)가 제어됨으로써, 에어 커튼 생성 노즐(64), 및 에어 나이프(65)로부터 토출되는 공기의 유량이 제어된다.
개질 유닛(40)은, 기판(S)에 개질액을 도포하고, 린스액에 의해 기판(S)을 세정한 후에, 기판(S)을 건조시킴으로써, 기판(S)에 난용화층을 형성한다. 개질 유닛(40)은, 기판(S)의 포토레지스트막을 개질하고, 건조시킴으로써 난용화층을 형성한다. 구체적으로는, 개질 유닛(40)(개질 장치의 일례)은, 미노광의 포토레지스트막(레지스트막의 일례)에 난용화층을 형성한다.
(현상 유닛)
다음으로, 실시형태에 따른 현상 유닛(41)에 대해 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 실시형태에 따른 현상 유닛(41)의 개략 구성을 도시한 모식도이다. 도 5에서는, 롤러 반송 기구(45) 등의 일부 구성을 생략한다.
현상 유닛(41)은, 현상 처리부(80)와, 린스 처리부(81)와, 건조 처리부(82)를 구비한다. 현상 처리부(80), 린스 처리부(81), 및 건조 처리부(82)는, 기판(S)의 반송 방향을 따라 현상 처리부(80), 린스 처리부(81), 및 건조 처리부(82)의 순서로 배치된다. 또한, 상세한 설명은 생략하지만, 현상 유닛(41)은, 예컨대, 현상액의 비산을 억제하기 위해서, FFU(Fan Filter Unit)나, 배기 기구 등을 구비한다.
현상 처리부(80)는, 개질 유닛(40)에 의해 난용화층이 형성되어, 챔버(80a) 내에서 반송되는 기판(S)에 대해 현상 처리를 행한다. 현상 처리부(80)는, 개질 처리가 행해진 기판(S)에 현상액을 공급하여, 현상 처리를 행한다. 현상 처리부(80)는, 현상액 공급 노즐(90)과, 에어 커튼 생성 노즐(91)을 구비한다.
현상액 공급 노즐(90)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 현상 처리부(80)의 상류측에 설치된다. 구체적으로는, 현상액 공급 노즐(90)은, 현상 처리부(80)의 상류측의 단에 설치된다. 현상액 공급 노즐(90)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 현상액 공급 노즐(90)은, 기판(S)에 현상액을 쌓아 올린다. 현상액 공급 노즐(90)에는, 현상액 공급 라인(100a)을 통해 현상액 공급원(100b)으로부터 현상액이 공급된다. 현상액 공급 라인(100a)에는, 유량 제어 밸브(100c)나, 개폐 밸브(100d)가 설치되고, 현상액의 유량이 제어된다.
에어 커튼 생성 노즐(91)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 현상액 공급 노즐(90)보다 하류측에 설치된다. 구체적으로는, 에어 커튼 생성 노즐(91)은, 현상 처리부(80)의 하류측의 단에 설치된다. 에어 커튼 생성 노즐(91)은, 폭 방향을 따라 연장된다.
에어 커튼 생성 노즐(91)은, 토출구로부터 공기를 토출하여, 에어 커튼을 생성한다. 에어 커튼 생성 노즐(91)은, 에어 커튼에 의해 기판(S)의 표면으로부터 현상액을 떨어뜨린다. 에어 커튼 생성 노즐(91)에는, 에어 공급 라인(101a)을 통해 에어 공급원(101b)으로부터 공기가 공급된다. 에어 공급 라인(101a)에는, 유량 제어 밸브(101c, 101d)나, 개폐 밸브(101e)가 설치된다. 에어 커튼 생성 노즐(91)로부터 토출되는 공기의 유량은, 유량 제어 밸브(101c)나, 개폐 밸브(101e)에 의해 제어된다.
또한, 에어 공급원(101b)은, 개질 유닛(40)의 에어 공급원(71b)(도 3 참조)과 동일해도 좋다. 즉, 개질 유닛(40), 및 현상 유닛(41)은, 공통의 에어 공급원으로부터 공기가 공급되어도 좋다. 또한, 현상 처리부(80)는, 사용된 현상액을 회수하는 드레인 라인 등의 회수 기구(도시하지 않음)를 구비한다.
린스 처리부(81)는, 챔버(81a) 내에서 반송되는 기판(S)을 린스액(예컨대, DIW)에 의해 세정하는 린스 처리를 행한다. 린스 처리부(81)(현상 세정 처리부의 일례)는, 현상된 기판(S)에 린스액을 공급하여, 기판(S)을 세정한다. 린스 처리부(81)는, 린스액 공급 노즐(92)을 구비한다.
린스액 공급 노즐(92)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서 린스 처리부(81)의 상류측, 즉, 현상 처리부(80)측에 설치된다. 구체적으로는, 린스액 공급 노즐(92)은, 린스 처리부(81)의 상류측의 단에 설치된다.
린스액 공급 노즐(92)은, 폭 방향을 따라 연장된다. 린스액 공급 노즐(92)에는, 린스액 공급 라인(102a)을 통해 린스액 공급원(102b)으로부터 린스액이 공급된다. 린스액 공급 라인(102a)에는, 유량 제어 밸브(102c)나, 개폐 밸브(102d) 등이 설치되고, 린스액의 유량이 제어된다.
또한, 린스액 공급원(102b)은, 개질 유닛(40)의 린스액 공급원(72b)(도 3 참조)과 동일해도 좋다. 즉, 개질 유닛(40), 및 현상 유닛(41)은, 공통의 린스액 공급원으로부터 린스액이 공급되어도 좋다.
건조 처리부(82)는, 린스액에 의해 세정되어, 챔버(82a) 내에서 반송되는 기판(S)을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 건조 처리부(82)(현상 건조 처리부의 일례)는, 기판(S)으로부터 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 건조 처리부(82)는, 에어 나이프(93)를 구비한다.
에어 나이프(93)는, 기판(S)에 부착된 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 에어 나이프(93)는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 비스듬한 방향으로 연장된다. 구체적으로는, 에어 나이프(93)는, 반송 방향, 및 폭 방향에 대해 경사지도록 연장된다. 에어 나이프(93)는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 비스듬한 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성된다. 기판(S)의 반송 방향에 대해 비스듬한 방향을 따라 슬릿형의 토출구가 형성됨으로써, 건조 처리부(82)는, 린스액을 기판(S)의 폭 방향의 단으로부터 떨어뜨려, 기판(S)을 건조시킬 수 있다. 이와 같이, 에어 나이프(93)(현상 건조부의 일례)는, 반송 방향에 대해 비스듬한 방향으로 연장되고, 공기를 기판(S)을 향해 토출한다.
에어 나이프(93)에는, 에어 공급 라인(101a)을 통해 에어 공급원(101b)으로부터 공기가 공급된다. 에어 나이프(93)로부터 토출되는 공기의 유량은, 유량 제어 밸브(101d)나, 개폐 밸브(101e)에 의해 제어된다.
(개질 처리)
다음으로, 실시형태에 따른 개질 처리에 대해 도 6의 흐름도를 참조하여 설명한다. 도 6은 실시형태에 따른 개질 처리를 설명하는 흐름도이다.
기판 처리 장치(1)는, 외부 장치 블록(8A)의 타이틀러로부터 개질 유닛(40)의 반입부(50)에 기판(S)을 반입한다(S100).
기판 처리 장치(1)는, 도포 처리를 행한다(S101). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 반송되는 기판(S)의 표면에 개질액을 도포한다. 기판 처리 장치(1)는, 개질액이 도포된 기판(S)을 반송 방향을 따라 반송한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 개질액이 도포된 기판(S)을 향해 에어 커튼 생성 노즐(61)로부터 공기를 토출하여, 기판(S)으로부터 개질액을 제거한다.
기판 처리 장치(1)는, 린스 처리를 행한다(S102). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 개질액이 제거된 기판(S)에 대해, 제1 린스액 공급 노즐(62)로부터 린스액을 토출하여, 개질액에 의한 반응을 정지시킨다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 제2 린스액 공급 노즐(63)로부터 린스액을 토출하여, 기판(S)을 세정한다.
기판 처리 장치(1)는, 건조 처리를 행한다(S103). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 세정된 기판(S)에 대해, 에어 커튼 생성 노즐(64)로부터 공기를 토출하여, 기판(S)으로부터 린스액을 제거한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 에어 나이프(65)로부터 공기를 토출하여, 기판(S)을 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 롤러 반송 기구(45)(반송 기구의 일례)와, 개질 유닛(40)(개질 장치의 일례)과, 현상 유닛(41)(현상 장치의 일례)을 구비한다. 롤러 반송 기구(45)는, 포토레지스트막(레지스트막의 일례)의 일부가 노광된 기판(S)을 평류 반송한다. 개질 유닛(40)은, 롤러 반송 기구(45)에 의해 반송되는 기판(S)에 대해 포토레지스트막의 개질 처리를 행한다. 현상 유닛(41)은, 개질 처리가 행해지고, 또한 롤러 반송 기구(45)에 의해 반송되는 기판(S)에 대해 현상 처리를 행한다. 개질 유닛(40)은, 도포 처리부(51)(공급 처리부의 일례)와, 린스 처리부(52)(개질 세정 처리부의 일례)와, 건조 처리부(53)(개질 건조 처리부의 일례)를 구비한다. 도포 처리부(51)는, 개질액을 기판(S)에 공급한다. 린스 처리부(52)는, 개질액이 공급된 기판(S)에 린스액을 공급하여, 기판(S)을 세정한다. 건조 처리부(53)는, 기판(S)으로부터 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 구체적으로는, 개질 유닛(40)은, 미노광의 포토레지스트막에 난용화층을 형성한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행하기 전에, 미노광의 포토레지스트막에 난용화층을 형성하여, 현상할 때에 미노광의 포토레지스트막의 막 두께가 얇아지는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 회로 패턴의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
개질 유닛(40)(개질 장치의 일례)은, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 현상 유닛(41)(현상 장치의 일례)보다 길이가 짧다. 구체적으로는, 건조 처리부(53)(개질 건조 처리부의 일례)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 건조 처리부(82)(현상 건조 처리부의 일례)보다 길이가 짧다. 또한, 도포 처리부(51)(공급 처리부의 일례)는, 기판(S)의 반송 방향에 있어서, 현상 처리부(80)보다 길이가 짧다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 회로 패턴의 정밀도를 향상시키고, 기판(S)의 반송 방향에서의 길이를 억제할 수 있다.
건조 처리부(53)(개질 건조 처리부의 일례)는, 에어 나이프(65)(개질 건조부의 일례)와, 에어 커튼 생성 노즐(64)(예비 건조부의 일례)을 구비한다. 에어 나이프(65)는, 기판(S)을 향해 공기를 분무하여 기판(S)을 건조시킨다. 에어 커튼 생성 노즐(64)은, 린스 처리부(52)(개질 세정 처리부의 일례)와 에어 나이프(65) 사이에 설치되고, 린스액을 기판(S)으로부터 제거한다. 에어 나이프(65)는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 연장된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 에어 커튼 생성 노즐(64)에 의해 기판(S)으로부터 린스액을 제거하고, 에어 나이프(65)에 의해 기판(S)을 용이하게 건조시킬 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 에어 나이프(65)를, 기판(S)의 반송 방향에 대해 비스듬한 방향으로 연장되도록 설치하지 않고, 기판(S)을 건조시킬 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 반송 방향에서의 개질 유닛(40)의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판(S)의 반송 방향에서의 길이를 억제할 수 있다.
현상 유닛(41)(현상 장치의 일례)은, 현상 처리부(80)와, 린스 처리부(81)(현상 세정 처리부의 일례)와, 건조 처리부(82)(현상 건조 처리부의 일례)를 구비한다. 현상 처리부(80)는, 개질 처리가 행해진 기판(S)에 현상액을 공급하여, 현상 처리를 행한다. 린스 처리부(81)는, 현상된 기판(S)에 린스액을 공급하여, 기판(S)을 세정한다. 건조 처리부(82)는, 기판(S)으로부터 린스액을 제거하여, 기판(S)을 건조시킨다. 건조 처리부(82)는, 기판(S)의 반송 방향에 대해 비스듬한 방향으로 연장되고, 공기를 기판(S)을 향해 토출하는 에어 나이프(93)(현상 건조부의 일례)를 구비한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 에어 나이프(93)에 의해 린스액을 기판(S)으로부터 제거하여, 기판(S)을 건조시킬 수 있다.
개질액은, 현상액과 동일한 약액이고, 또한 현상액과는 농도가 상이하다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 동일한 약액을 이용하여, 개질 처리, 및 현상 처리를 행할 수 있다.
(변형예)
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 현상액과 동일한 약액이고, 또한 현상액과 농도가 동일한 액을 개질액으로서 이용해도 좋다.
이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 동일한 액을, 개질액, 및 현상액으로서 이용할 수 있다. 그 때문에, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질액, 및 현상액을 공통의 드레인 라인에 의해 회수할 수 있다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질 유닛(40)에 있어서 개질액 공급 노즐(60)의 위치를, 반송 방향을 따라 변경 가능해도 좋다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도포 처리부(51)에서의 기판(S)의 반송 속도를 변경해도 좋다.
이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질 처리의 시간을 변경할 수 있다. 그 때문에, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 미노광의 포토레지스트막에 형성되는 난용화층의 정도, 예컨대, 강도를 변경할 수 있다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 난용화층을 강하게 형성함으로써, 회로 패턴의 깊이 방향에서의 형상을 직사각형 형상으로 할 수 있다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질 처리의 조건에 따라, 회로 패턴의 테이퍼각을 제어할 수 있다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질 유닛(40)을 적층해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도포 처리부(51)와, 린스 처리부(52) 및 건조 처리부(53)를 적층해도 좋다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 개질 유닛(40)과, 현상 유닛(41)을 적층해도 좋다.
또한, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는, 첨부된 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러 가지의 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (10)

  1. 레지스트막의 일부가 노광된 기판을 평류(平流) 반송하는 반송 기구와,
    상기 반송 기구에 의해 반송되는 상기 기판에 대해 상기 레지스트막의 개질 처리를 행하는 개질 장치와,
    상기 개질 처리가 행해지고, 또한 상기 반송 기구에 의해 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 장치
    를 구비하고,
    상기 개질 장치는,
    개질액을 상기 기판에 공급하는 공급 처리부와,
    상기 개질액이 공급된 상기 기판에 린스액을 공급하여, 상기 기판을 세정하는 개질 세정 처리부와,
    상기 기판으로부터 상기 린스액을 제거하여, 상기 기판을 건조시키는 개질 건조 처리부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개질 장치는,
    미노광의 상기 레지스트막에 난용화층(難溶化層)을 형성하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 개질 장치는,
    상기 기판의 반송 방향에 있어서, 상기 현상 장치보다 길이가 짧은 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개질 건조 처리부는,
    상기 기판을 향해 공기를 분무하여 상기 기판을 건조시키는 개질 건조부와,
    상기 개질 세정 처리부와 상기 개질 건조부 사이에 설치되고, 상기 린스액을 상기 기판으로부터 제거하는 예비 건조부
    를 구비하고,
    상기 개질 건조부는,
    상기 기판의 반송 방향에 대해 직교하는 방향으로 연장되는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 현상 장치는,
    상기 개질 처리가 행해진 상기 기판에 현상액을 공급하여, 현상 처리를 행하는 현상 처리부와,
    현상된 상기 기판에 린스액을 공급하여, 상기 기판을 세정하는 현상 세정 처리부와,
    상기 기판으로부터 상기 린스액을 제거하여, 상기 기판을 건조시키는 현상 건조 처리부
    를 구비하고,
    상기 현상 건조 처리부는,
    상기 반송 방향에 대해 비스듬한 방향으로 연장되고, 공기를 상기 기판을 향해 토출하는 현상 건조부를 구비하는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 개질 건조 처리부는,
    상기 반송 방향에 있어서, 상기 현상 건조 처리부보다 길이가 짧은 것인 기판 처리 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 공급 처리부는,
    상기 반송 방향에 있어서, 상기 현상 처리부보다 길이가 짧은 것인 기판 처리 장치.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개질액은, 상기 현상액과 동일한 약액이고, 또한 상기 현상액과는 농도가 상이한 것인 기판 처리 장치.
  9. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개질액은, 상기 현상액과 동일한 약액이고, 또한 상기 현상액과 농도가 동일한 것인 기판 처리 장치.
  10. 레지스트막의 일부가 노광된 기판을 평류 반송하는 반송 공정과,
    상기 반송 공정에 의해 반송되는 상기 기판에 대해 상기 레지스트막의 개질 처리를 행하는 개질 공정과,
    상기 개질 처리가 행해지고, 또한 상기 반송 공정에 의해 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 공정
    을 포함하고,
    상기 개질 공정은,
    개질액을 상기 기판에 공급하는 공급 처리 공정과,
    상기 개질액이 공급된 상기 기판에 린스액을 공급하여, 상기 기판을 세정하는 개질 세정 처리 공정과,
    상기 기판으로부터 상기 린스액을 제거하여, 상기 기판을 건조시키는 개질 건조 처리 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2533613B2 (ja) * 1988-06-17 1996-09-11 株式会社日立製作所 光デイスク原盤作製法
JPH04298833A (ja) * 1991-03-27 1992-10-22 Mitsubishi Kasei Corp 光ディスク用原盤の作製方法
JPH06150393A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Hitachi Ltd 光ディスク用原盤の製造方法
JP3741655B2 (ja) * 2002-03-04 2006-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP2006310724A (ja) * 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4788785B2 (ja) * 2009-02-06 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体
JP2012055835A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Canon Inc 基板の乾燥方法及びそれを用いた画像表示装置の製造方法
JP2012124309A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
CN102270472B (zh) * 2011-04-02 2013-11-27 河南凯瑞数码股份有限公司 蓝光光盘用母盘及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003322976A (ja) 2002-05-07 2003-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd 液噴霧方法及びこれを用いた基板現像処理方法及び装置

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