JPH06150393A - 光ディスク用原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク用原盤の製造方法Info
- Publication number
- JPH06150393A JPH06150393A JP30077892A JP30077892A JPH06150393A JP H06150393 A JPH06150393 A JP H06150393A JP 30077892 A JP30077892 A JP 30077892A JP 30077892 A JP30077892 A JP 30077892A JP H06150393 A JPH06150393 A JP H06150393A
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- JP
- Japan
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- photoresist film
- resist
- master
- disk
- optical disk
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ガラス原盤１にレジスト２を塗布した後、光ス
ポット案内溝等を露光するまでの間に、レジスト膜面に
難溶化処理を施し、露光，現像後において、高温の熱処
理，紫外光露光、再び高温の熱処理を施す。 【効果】レジスト膜の表面の信号用ピット幅，光スポッ
ト案内溝幅が狭く、表面形状は平滑で、レジスト層は強
固になるため、再生時のノイズレベルの低い光ディスク
を量産するとき、好適な、高密度光ディスク用原盤が得
られる。
ポット案内溝等を露光するまでの間に、レジスト膜面に
難溶化処理を施し、露光，現像後において、高温の熱処
理，紫外光露光、再び高温の熱処理を施す。 【効果】レジスト膜の表面の信号用ピット幅，光スポッ
ト案内溝幅が狭く、表面形状は平滑で、レジスト層は強
固になるため、再生時のノイズレベルの低い光ディスク
を量産するとき、好適な、高密度光ディスク用原盤が得
られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク円板の製造
に使用する光ディスク用原盤の製造方法に関する。
に使用する光ディスク用原盤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク用原盤の製造方法は以
下の通りである。まず、光学研磨を施したガラス基板を
洗浄，乾燥し、これにフォトレジストを均一に塗布し、
熱処理を施してフォトレジスト膜を形成する。次にこの
フォトレジスト膜を短時間現像液にさらして表面難溶化
処理を行う。表面難溶化処理についての公知例として特
開平1−317241 号公報がある。この処理により、フォト
レジスト膜の表面に現像液に溶解しにくい層が薄く形成
される。この難溶化層はレーザ光の弱い光に対しては現
像されない層であり、このため、フォトレジストのコン
トラストが増加する。次に難溶化処理を施したフォトレ
ジスト膜を有するガラス基板の表面を、レーザ光を用い
て凹凸形状、または、光スポット案内溝を露光する。次
に現像して露光部を除去してピット，溝を形成する。そ
の後、紫外線照射と、フォトレジスト膜が溶融しない程
度の高温での熱処理を施してレジスト層を強固に硬化さ
せ、放冷すると、レジスト原盤が得られる。現像後の高
温熱処理についての公知例は特開平3−176841 号公報、
現像後の紫外線照射及び高温熱処理についての公知例は
特開昭60−41227 号公報がある。
下の通りである。まず、光学研磨を施したガラス基板を
洗浄，乾燥し、これにフォトレジストを均一に塗布し、
熱処理を施してフォトレジスト膜を形成する。次にこの
フォトレジスト膜を短時間現像液にさらして表面難溶化
処理を行う。表面難溶化処理についての公知例として特
開平1−317241 号公報がある。この処理により、フォト
レジスト膜の表面に現像液に溶解しにくい層が薄く形成
される。この難溶化層はレーザ光の弱い光に対しては現
像されない層であり、このため、フォトレジストのコン
トラストが増加する。次に難溶化処理を施したフォトレ
ジスト膜を有するガラス基板の表面を、レーザ光を用い
て凹凸形状、または、光スポット案内溝を露光する。次
に現像して露光部を除去してピット，溝を形成する。そ
の後、紫外線照射と、フォトレジスト膜が溶融しない程
度の高温での熱処理を施してレジスト層を強固に硬化さ
せ、放冷すると、レジスト原盤が得られる。現像後の高
温熱処理についての公知例は特開平3−176841 号公報、
現像後の紫外線照射及び高温熱処理についての公知例は
特開昭60−41227 号公報がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の製造工
程には次のような問題点が有る。まず、第一にフォトレ
ジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜の表面にレー
ザ光を用いて凹凸形状をなす信号または光スポット案内
溝を露光し、現像して露光部を除去してピット，溝を形
成するが、現像時にレーザ光未露光部のレジスト膜厚減
少、いわゆる、膜べりが生じたり、又表面荒れを起こす
という問題があった。第二に、現像後荒れた状態のレジ
スト原盤を紫外線照射と熱処理により硬化させても、こ
の表面粗さを改善することが出来ない。そのために、原
盤の表面状態を忠実に転写させて製造される光ディスク
円板の信号面の面荒れが原因となり、光ディスク再生時
のノイズ成分として現れるという問題があった。
程には次のような問題点が有る。まず、第一にフォトレ
ジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜の表面にレー
ザ光を用いて凹凸形状をなす信号または光スポット案内
溝を露光し、現像して露光部を除去してピット，溝を形
成するが、現像時にレーザ光未露光部のレジスト膜厚減
少、いわゆる、膜べりが生じたり、又表面荒れを起こす
という問題があった。第二に、現像後荒れた状態のレジ
スト原盤を紫外線照射と熱処理により硬化させても、こ
の表面粗さを改善することが出来ない。そのために、原
盤の表面状態を忠実に転写させて製造される光ディスク
円板の信号面の面荒れが原因となり、光ディスク再生時
のノイズ成分として現れるという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、光ディスクの高密度化を
狙って、光ディスクの信号用ピット幅，案内溝幅が狭
く、かつ、信号面の面荒れの小さい、つまり、低ノイズ
の光ディスク円板を製造するための光ディスク用原盤を
提供することにある。
狙って、光ディスクの信号用ピット幅，案内溝幅が狭
く、かつ、信号面の面荒れの小さい、つまり、低ノイズ
の光ディスク円板を製造するための光ディスク用原盤を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し
た後、このフォトレジスト膜の表面にレーザ光を用いて
凹凸形状または光スポット案内溝を露光するまでの間
に、上記フォトレジスト膜を短時間現像液に浸して難溶
化処理を施し、信号または光スポット案内溝を露光後、
現像して溝を形成した後、ガラス基板上に残留したフォ
トレジスト膜を１８０℃以下の温度で熱処理し、紫外線
を照射し、再び１８０℃以下の温度で熱処理を施す。
め、本発明はガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し
た後、このフォトレジスト膜の表面にレーザ光を用いて
凹凸形状または光スポット案内溝を露光するまでの間
に、上記フォトレジスト膜を短時間現像液に浸して難溶
化処理を施し、信号または光スポット案内溝を露光後、
現像して溝を形成した後、ガラス基板上に残留したフォ
トレジスト膜を１８０℃以下の温度で熱処理し、紫外線
を照射し、再び１８０℃以下の温度で熱処理を施す。
【０００６】
【作用】フォトレジスト膜の表面にレーザ光を用いて凹
凸形状をなす信号または光スポット案内溝を露光する前
に、フォトレジスト膜を短時間現像液に浸すことによ
り、信号ピットまたは光スポット案内溝を露光後、現像
して露光部を除去して幅の狭いピットと溝を形成するこ
とが出来、その後、ガラス基板上に残留したフォトレジ
スト膜を１８０℃以下の温度で熱処理することによりレ
ジスト表面を平滑にし、紫外線を照射し再び１８０℃以
下の温度で熱処理を施すことによりレジストを強固に硬
化させることができる。
凸形状をなす信号または光スポット案内溝を露光する前
に、フォトレジスト膜を短時間現像液に浸すことによ
り、信号ピットまたは光スポット案内溝を露光後、現像
して露光部を除去して幅の狭いピットと溝を形成するこ
とが出来、その後、ガラス基板上に残留したフォトレジ
スト膜を１８０℃以下の温度で熱処理することによりレ
ジスト表面を平滑にし、紫外線を照射し再び１８０℃以
下の温度で熱処理を施すことによりレジストを強固に硬
化させることができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげ、図１に基づい
てさらに詳細に説明する。まず、光学研磨を施したガラ
ス円板１をアルカリ水溶液及び洗剤で洗浄し、純水，有
機溶剤中でそれぞれ超音波洗浄を行った。次に、ガラス
円板とフォトレジストとの接着力を高めるために、シラ
ンカップリング剤（信越シリコーン社製：ＫＢＭ５０
３，０.７％希釈）をスピンナ（回転数：８００rpm）を
用いて塗布した。次に、フォトレジスト塗布工程につい
て説明する。フォトレジスト２はシプレー社製マイクロ
ポジット１４００−１７を用いた。フォトレジストをス
ピンナ（回転数：８００rpm ）を用いて約１４０ｎｍの
厚みに塗布し、８０℃雰囲気のベーク炉中で熱処理を施
して、フォトレジストをガラス円板に定着させレジスト
膜を形成した。
てさらに詳細に説明する。まず、光学研磨を施したガラ
ス円板１をアルカリ水溶液及び洗剤で洗浄し、純水，有
機溶剤中でそれぞれ超音波洗浄を行った。次に、ガラス
円板とフォトレジストとの接着力を高めるために、シラ
ンカップリング剤（信越シリコーン社製：ＫＢＭ５０
３，０.７％希釈）をスピンナ（回転数：８００rpm）を
用いて塗布した。次に、フォトレジスト塗布工程につい
て説明する。フォトレジスト２はシプレー社製マイクロ
ポジット１４００−１７を用いた。フォトレジストをス
ピンナ（回転数：８００rpm ）を用いて約１４０ｎｍの
厚みに塗布し、８０℃雰囲気のベーク炉中で熱処理を施
して、フォトレジストをガラス円板に定着させレジスト
膜を形成した。
【０００８】次に表面難溶化処理を行った。レジスト膜
を有するガラス円板を回転させながら、濃度２５％の現
像液３（シプレー社製：マイクロポジットデベロッパ）
を５秒間吹きつけ、次に純水でこの現像液を洗い流すこ
とで表面難溶化層４を形成した。次に露光工程におい
て、レーザ書き込み装置によって、光スポット案内溝と
ヘッダ信号とを、書き込み用Ａｒレーザ光５，出力４０
０ｍＷ（波長：４５８ｎｍ）で書き込んだ。
を有するガラス円板を回転させながら、濃度２５％の現
像液３（シプレー社製：マイクロポジットデベロッパ）
を５秒間吹きつけ、次に純水でこの現像液を洗い流すこ
とで表面難溶化層４を形成した。次に露光工程におい
て、レーザ書き込み装置によって、光スポット案内溝と
ヘッダ信号とを、書き込み用Ａｒレーザ光５，出力４０
０ｍＷ（波長：４５８ｎｍ）で書き込んだ。
【０００９】次に現像工程で現像処理を行った。この時
使用する現像液の仕様は難溶化処理で使用したものと同
じである。次に残留したレジスト層の表面を平滑にする
ための熱処理を行った。これは１４０℃雰囲気のベーク
炉に現像処理を施したガラス原盤を１時間投入し熱処理
を施した。この後紫外線光を照射（照射パワー：４ｋ
Ｗ，照射時間：９０秒）し、その後、再び１２０℃雰囲
気のベーク炉中にガラス原盤を１時間投入して、レジス
トを強固に硬化させた。
使用する現像液の仕様は難溶化処理で使用したものと同
じである。次に残留したレジスト層の表面を平滑にする
ための熱処理を行った。これは１４０℃雰囲気のベーク
炉に現像処理を施したガラス原盤を１時間投入し熱処理
を施した。この後紫外線光を照射（照射パワー：４ｋ
Ｗ，照射時間：９０秒）し、その後、再び１２０℃雰囲
気のベーク炉中にガラス原盤を１時間投入して、レジス
トを強固に硬化させた。
【００１０】こうして形成された光ディスク用原盤６
は、難溶化処理と２回の熱処理をしていない光ディスク
用原盤と比較して、特に案内溝周辺部でのレジスト膜面
の表面荒れが小さくなった。また、これらの原盤を転写
させて製造された光ディスク円板は、難溶化処理と２回
の熱処理を施した光ディスク用原盤からの光ディスクの
方が、２回の熱処理をしていない原盤からの光ディスク
に比べ、光ディスク再生時のノイズが２ｄＢ低減すると
いう結果が得られた（図２）。なお、これまでに述べた
１回目，２回目の熱処理は、１８０℃以下でも同様な効
果があった。
は、難溶化処理と２回の熱処理をしていない光ディスク
用原盤と比較して、特に案内溝周辺部でのレジスト膜面
の表面荒れが小さくなった。また、これらの原盤を転写
させて製造された光ディスク円板は、難溶化処理と２回
の熱処理を施した光ディスク用原盤からの光ディスクの
方が、２回の熱処理をしていない原盤からの光ディスク
に比べ、光ディスク再生時のノイズが２ｄＢ低減すると
いう結果が得られた（図２）。なお、これまでに述べた
１回目，２回目の熱処理は、１８０℃以下でも同様な効
果があった。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、光ディスク用原盤の信
号用ピットまたは光スポット案内溝幅は狭く、かつ、レ
ジスト膜の表面形状は平滑に、レジスト層は強固になる
ため、信号または光スポット案内溝等の凹凸形状パター
ンの丈夫な光ディスク原盤が得られ、しかもこれを忠実
に転写して製造される光ディスク基板は、再生時のノイ
ズが低く、情報の読み出しが安定である。
号用ピットまたは光スポット案内溝幅は狭く、かつ、レ
ジスト膜の表面形状は平滑に、レジスト層は強固になる
ため、信号または光スポット案内溝等の凹凸形状パター
ンの丈夫な光ディスク原盤が得られ、しかもこれを忠実
に転写して製造される光ディスク基板は、再生時のノイ
ズが低く、情報の読み出しが安定である。
【図１】本発明の一実施例の原盤作製工程を示す説明
図。
図。
【図２】ノイズ評価結果の説明図。
１…原盤用ガラス円板、２…フォトレジスト、３…現像
液、４…難溶化層、５…レーザ光、６…光ディスク用原
盤。
液、４…難溶化層、５…レーザ光、６…光ディスク用原
盤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 久貴 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し
た後、前記フォトレジスト膜の表面にレーザ光を照射し
て露光，現像することで、凹凸形状または光スポット案
内溝を形成する方法において、前記レーザ光で露光する
前に、前記フォトレジスト膜を短時間現像液に浸すとと
もに、前記レーザ光を用いて露光後、現像により溝を形
成した後、残留した前記フォトレジスト膜を前記フォト
レジスト膜が溶融しない程度の高温で熱処理し、紫外線
を照射し、再び、高温での熱処理を施すことを特徴とす
る光ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、現像後１回目の熱処理
の温度が１８０℃以下、その後、紫外線を照射し、２回
目の熱処理の温度を１８０℃以下とする光ディスク用原
盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077892A JPH06150393A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077892A JPH06150393A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150393A true JPH06150393A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17888984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30077892A Pending JPH06150393A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150393A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023775A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque original destine a la fabrication d'un support d'enregistrement et procede de fabrication d'une matrice |
| CN112925178A (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30077892A patent/JPH06150393A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023775A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque original destine a la fabrication d'un support d'enregistrement et procede de fabrication d'une matrice |
| CN112925178A (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
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