JP2957213B2 - 光ディスク製造方法 - Google Patents
光ディスク製造方法Info
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- JP2957213B2 JP2957213B2 JP1331587A JP33158789A JP2957213B2 JP 2957213 B2 JP2957213 B2 JP 2957213B2 JP 1331587 A JP1331587 A JP 1331587A JP 33158789 A JP33158789 A JP 33158789A JP 2957213 B2 JP2957213 B2 JP 2957213B2
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光磁気ディスクなどの光ディスクの製造方
法に関する。
法に関する。
背景技術 従来から光ディスクの製造方法としては、第５図のフ
ローチャートに示す如き方法が知られている。
ローチャートに示す如き方法が知られている。
かかる製造方法によれば、まず、第６図（a1）に示す
ようにガラス盤１の主面上にプリベークをなしたポジ型
フォトレジスト層２を形成したフォトレジスト原盤を用
意して、レーザーカッティング工程S0において、所定情
報に対応し明滅するレーザービームLaをフォトレジスト
層２上に集光せしめ原盤に対し螺旋又は同心円状に相対
移動させて、所定情報に対応した溝またはスポット列の
潜像をフォトレジスト層２に形成する。
ようにガラス盤１の主面上にプリベークをなしたポジ型
フォトレジスト層２を形成したフォトレジスト原盤を用
意して、レーザーカッティング工程S0において、所定情
報に対応し明滅するレーザービームLaをフォトレジスト
層２上に集光せしめ原盤に対し螺旋又は同心円状に相対
移動させて、所定情報に対応した溝またはスポット列の
潜像をフォトレジスト層２に形成する。
次に、潜像工程S1において、現像装置に露光したフォ
トレジスト原盤を装着しこれを現像して潜像部分を除去
し、フォトレジスト原盤上に記録すべき信号に対応する
溝またはピットなど凹部を設け、第６図（a2）に示す如
き、情報に対応するピットを有するフォトレジスト層２
とガラス盤１とからなる現像原盤を得る。
トレジスト原盤を装着しこれを現像して潜像部分を除去
し、フォトレジスト原盤上に記録すべき信号に対応する
溝またはピットなど凹部を設け、第６図（a2）に示す如
き、情報に対応するピットを有するフォトレジスト層２
とガラス盤１とからなる現像原盤を得る。
次に、ポストベーク工程S2において、かかる現像原盤
のフォトレジスト層２を乾燥させガラス盤１に定着させ
て、第６図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
のフォトレジスト層２を乾燥させガラス盤１に定着させ
て、第６図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
次に、導電膜形成工程S3において、フォトレジスト層
２上にニッケル又は銀などの導電膜をスパッタリング又
は蒸着などの方法によって形成し、第６図（Ｃ）に示す
如き積層されたマスタリング原盤3aを得る。このよう
に、フォトレジスト層上に金属薄膜を形成することによ
り、情報記録面を導電化する。以下の工程がマスタリン
グ原盤作成工程である。
２上にニッケル又は銀などの導電膜をスパッタリング又
は蒸着などの方法によって形成し、第６図（Ｃ）に示す
如き積層されたマスタリング原盤3aを得る。このよう
に、フォトレジスト層上に金属薄膜を形成することによ
り、情報記録面を導電化する。以下の工程がマスタリン
グ原盤作成工程である。
次に、Niスタンパ作成工程においては、まずNi電鋳工
程S4において、ニッケル電鋳槽中に得られたマスタリン
グ原盤を浸してニッケル（Ni）を銀導電膜３上にメッキ
して肉厚のニッケル層４すなわちニッケルスタンパを形
成して、第６図（ｄ）に示す如き構成のものを得る。
程S4において、ニッケル電鋳槽中に得られたマスタリン
グ原盤を浸してニッケル（Ni）を銀導電膜３上にメッキ
して肉厚のニッケル層４すなわちニッケルスタンパを形
成して、第６図（ｄ）に示す如き構成のものを得る。
次に、スタンパ分離工程S5においては、第６図（ｅ）
に示す如くニッケル層であるスタンパ４をガラス盤１か
ら分離する。
に示す如くニッケル層であるスタンパ４をガラス盤１か
ら分離する。
次に、後処理工程S6において、ニッケルスタンパ４上
に残ったフォトレジスト層２及び銀などの導電膜３を除
去して第６図（ｆ）に示す如きニッケルスタンパ４を得
る。フォトレジストの除去には、アルカリ溶液が用いら
れる。
に残ったフォトレジスト層２及び銀などの導電膜３を除
去して第６図（ｆ）に示す如きニッケルスタンパ４を得
る。フォトレジストの除去には、アルカリ溶液が用いら
れる。
次に、スタンパ加工工程S7において得られたニッケル
スタンパ４の周囲及び裏面を加工して第６図（ｇ）に示
す如きニッケルスタンパ４を得る。以上の工程がニッケ
ルスタンパ作成工程である。
スタンパ４の周囲及び裏面を加工して第６図（ｇ）に示
す如きニッケルスタンパ４を得る。以上の工程がニッケ
ルスタンパ作成工程である。
次に、レプリカ作成工程としての例えば射出成形装置
を用いた射出成形工程に入る前に、第６図（ｈ）に示す
如く、射出成形装置における金型５の所定位置にニッケ
ルスタンパ４を取り付ける（スタンパ取付工程S8）。
を用いた射出成形工程に入る前に、第６図（ｈ）に示す
如く、射出成形装置における金型５の所定位置にニッケ
ルスタンパ４を取り付ける（スタンパ取付工程S8）。
次に、第６図（ｉ）に示す如く型締め後に、かかる射
出成形装置を作動させて溶融したPMMA（ポリメタアクリ
レート）、PC（ポリカーボネート）等の透明樹脂材料を
ニッケルスタンパ４上に射出して、樹脂材料の硬化後こ
れを取り出して、第６図（ｊ）に示す如き所定情報記録
面を有した光ディスク基板６のレプリカが作成される
（射出成形工程S9）。以上の工程がレプリカ作成工程で
ある。
出成形装置を作動させて溶融したPMMA（ポリメタアクリ
レート）、PC（ポリカーボネート）等の透明樹脂材料を
ニッケルスタンパ４上に射出して、樹脂材料の硬化後こ
れを取り出して、第６図（ｊ）に示す如き所定情報記録
面を有した光ディスク基板６のレプリカが作成される
（射出成形工程S9）。以上の工程がレプリカ作成工程で
ある。
このようにして得られた光ディスク基板６上に例えば
保護膜（Si3N4）、記録面（非晶質希土類−遷移金
属）、保護膜（Si3N4）、反射膜（Al）、オーバーコー
ト層（2P）を順次積層した２枚のディスクを貼り合わせ
ると、光磁気ディスクが作成される。
保護膜（Si3N4）、記録面（非晶質希土類−遷移金
属）、保護膜（Si3N4）、反射膜（Al）、オーバーコー
ト層（2P）を順次積層した２枚のディスクを貼り合わせ
ると、光磁気ディスクが作成される。
光磁気ディスクにおける情報の再生は、カー効果等の
磁気光学現象を利用する。すなわち、直線偏光のレーザ
光を記録膜に入射すると、磁化の向きによって反射光の
偏光面がわずかな角度だけ回転し、この反射光を検光子
に通すと回転に応じた光量変化となり、信号が再生され
る。
磁気光学現象を利用する。すなわち、直線偏光のレーザ
光を記録膜に入射すると、磁化の向きによって反射光の
偏光面がわずかな角度だけ回転し、この反射光を検光子
に通すと回転に応じた光量変化となり、信号が再生され
る。
しかしながら、光磁気ディスクはわずかな回転角を検
出しているため、再生信号量が非常に小さく信号対雑音
比（CN比）が小さいという問題があった。
出しているため、再生信号量が非常に小さく信号対雑音
比（CN比）が小さいという問題があった。
発明の概要 ［発明の目的］ 本発明の目的は、簡素な工程にて再生信号のCN比の高
い光ディスクを製造する方法を提供することにある。
い光ディスクを製造する方法を提供することにある。
［発明の構成及び作用］ 本発明による光ディスク製造方法は、ガラス基板の主
面上にポジ型フォトレジスト層を形成した原盤の該フォ
トレジスト層上に、レーザー光を集光して、ランド部を
画定する溝の潜像を形成する工程と、前記原盤をアルカ
リ水溶液に接触させ前記潜像の部分を除去して現像し、
前記原盤上に前記溝とともに前記ランド部を形成する工
程とを含む光ディスク製造方法であって、前記原盤の現
像は前記アルカリ水溶液の規定度の範囲が0.17〜0.21N
の範囲で行うことを特徴とする。
面上にポジ型フォトレジスト層を形成した原盤の該フォ
トレジスト層上に、レーザー光を集光して、ランド部を
画定する溝の潜像を形成する工程と、前記原盤をアルカ
リ水溶液に接触させ前記潜像の部分を除去して現像し、
前記原盤上に前記溝とともに前記ランド部を形成する工
程とを含む光ディスク製造方法であって、前記原盤の現
像は前記アルカリ水溶液の規定度の範囲が0.17〜0.21N
の範囲で行うことを特徴とする。
フォトレジストにはネガ型とポジ型がある。いずれの
フォトレジストも光照射部分と未照射部分との現像液に
対する溶解度の差を利用して現像すなわちパターン形成
がおこなわれている。
フォトレジストも光照射部分と未照射部分との現像液に
対する溶解度の差を利用して現像すなわちパターン形成
がおこなわれている。
一般に、解像度が高いポジ型フォトレジストが光ディ
スク製造において広く使用されている。ポジ型フォトレ
ジストでは、光照射部分は現像液のアルカリ水溶液に可
溶となり、未照射部分は不溶なので当該アルカリ水溶液
に浸すことによって光照射部分が除去される。ポジ型フ
ォトレジストは、アルカリ不溶性キノンアジド系感光剤
とアルカリ可溶性フェノール樹脂と有機溶剤とからなっ
ている。ポジ型フォトレジスト自体は全体としてアルカ
リ不溶性であるが、光照射によりキノンアジド系感光剤
がアルカリ可溶性となり、よって光照射部分がアルカリ
可溶性となる。
スク製造において広く使用されている。ポジ型フォトレ
ジストでは、光照射部分は現像液のアルカリ水溶液に可
溶となり、未照射部分は不溶なので当該アルカリ水溶液
に浸すことによって光照射部分が除去される。ポジ型フ
ォトレジストは、アルカリ不溶性キノンアジド系感光剤
とアルカリ可溶性フェノール樹脂と有機溶剤とからなっ
ている。ポジ型フォトレジスト自体は全体としてアルカ
リ不溶性であるが、光照射によりキノンアジド系感光剤
がアルカリ可溶性となり、よって光照射部分がアルカリ
可溶性となる。
現像液のアルカリ水溶液は水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウムなどを主成分とする無機アルカリ水溶液が主に
用いられている。
トリウムなどを主成分とする無機アルカリ水溶液が主に
用いられている。
以下に、本発明を図面を参照しつつ説明する。
ポジ型フォトレジストによるレーザカッティング工程
において、第１図に示すような強度分布を有し所定情報
に対応し明滅するレーザビームLaを図２（ａ）に示すよ
うにガラス円盤１上のフォトレジスト層２上に集光せし
め溝またはスポット列の潜像10をフォトレジスト層２に
形成する。ここで、レーザビームは収束しているがその
周囲においても多少の光が漏れるので、フォトレジスト
層の未露光部分11の潜像10の周囲の表面11aも多少感光
している。
において、第１図に示すような強度分布を有し所定情報
に対応し明滅するレーザビームLaを図２（ａ）に示すよ
うにガラス円盤１上のフォトレジスト層２上に集光せし
め溝またはスポット列の潜像10をフォトレジスト層２に
形成する。ここで、レーザビームは収束しているがその
周囲においても多少の光が漏れるので、フォトレジスト
層の未露光部分11の潜像10の周囲の表面11aも多少感光
している。
その後、第２図（ｂ）に示すように、現像工程におい
ては、アルカリ水溶液中におけるフォトレジスト層２の
未露光部分11と潜像部分10との溶解度の差により、先に
潜像部分10が急速に除去される。ここでは無機アルカリ
水溶液を用いるのが好ましい。
ては、アルカリ水溶液中におけるフォトレジスト層２の
未露光部分11と潜像部分10との溶解度の差により、先に
潜像部分10が急速に除去される。ここでは無機アルカリ
水溶液を用いるのが好ましい。
さらに第２図（ｃ）に示すようにピット及び溝が形成
されたときフォトレジスト層２の未露光部分11も多少ア
ルカリ水溶液中に溶解している。
されたときフォトレジスト層２の未露光部分11も多少ア
ルカリ水溶液中に溶解している。
発明者は、例えば溝間のランド部に情報の記録再生を
行う光磁気ディスクを形成する場合に、かかるランド部
すなわち現像後の未露光部分11の表面の平滑性が再生信
号のCN比に影響することを知見し、アルカリ水溶液の濃
度を低くして長時間の現像時間をかけて現像を行うこと
が未露光部分11の表面の平滑性を高め、これによりかか
るCN比が向上することを見出した故に、本発明に至って
いる。
行う光磁気ディスクを形成する場合に、かかるランド部
すなわち現像後の未露光部分11の表面の平滑性が再生信
号のCN比に影響することを知見し、アルカリ水溶液の濃
度を低くして長時間の現像時間をかけて現像を行うこと
が未露光部分11の表面の平滑性を高め、これによりかか
るCN比が向上することを見出した故に、本発明に至って
いる。
本実施例による光ディスク製造方法は、従来の方法と
同様であるが、原盤の露光したポジ型フォトレジスト層
を、従来より低い濃度である規定度の範囲が0.17〜0.21
Nのアルカリ水溶液に接触させ光照射部分すなわち潜像
の部分を除去して、記録すべき信号に対応する微小凹部
を形成することに特徴がある。かかる範囲の規定度のア
ルカリ水溶液によって長時間をかけてゆっくりと現像を
行うことで未露光部分11の表面の平滑性は高まる。ここ
で0.17N未満であると時間をかけて現像を行っても十分
な深さのピットを形成することが困難となる。また0.21
Nを超えると粗面となってしまい平滑性の向上は望めな
い。
同様であるが、原盤の露光したポジ型フォトレジスト層
を、従来より低い濃度である規定度の範囲が0.17〜0.21
Nのアルカリ水溶液に接触させ光照射部分すなわち潜像
の部分を除去して、記録すべき信号に対応する微小凹部
を形成することに特徴がある。かかる範囲の規定度のア
ルカリ水溶液によって長時間をかけてゆっくりと現像を
行うことで未露光部分11の表面の平滑性は高まる。ここ
で0.17N未満であると時間をかけて現像を行っても十分
な深さのピットを形成することが困難となる。また0.21
Nを超えると粗面となってしまい平滑性の向上は望めな
い。
発明の効果 本発明によれば、光ディスク製造方法においてレーザ
ーカッティング後の原盤の現像が規定度0.17〜0.21Nの
アルカリ水溶液で行われるので光ディスクの情報記録面
における微小凹以外の凸部の上面すなわち未感光部を平
滑にすることができる。
ーカッティング後の原盤の現像が規定度0.17〜0.21Nの
アルカリ水溶液で行われるので光ディスクの情報記録面
における微小凹以外の凸部の上面すなわち未感光部を平
滑にすることができる。
実 施 例 実施例として案内溝付きの光ディスクを製造した。
使用したポジ型フォトレジストはAZ−1350（ヘキスト
社製）であり、使用したアルカリ水溶液はAZデベロッパ
（ヘキスト社製；比重1.05±0.015;規定度0.6±0.01N）
で、通常50％希釈液とし現像時間を40〜80秒として使用
するものである。
社製）であり、使用したアルカリ水溶液はAZデベロッパ
（ヘキスト社製；比重1.05±0.015;規定度0.6±0.01N）
で、通常50％希釈液とし現像時間を40〜80秒として使用
するものである。
しかしながら、本実施例においてはAZデベロッパで、
30％希釈液（規定度0.18N）とし現像時間を200秒として
使用した。
30％希釈液（規定度0.18N）とし現像時間を200秒として
使用した。
具体的には、スピン型現像装置によって以下の条件及
び工程で原盤のフォトレジスト層を現像した。
び工程で原盤のフォトレジスト層を現像した。
まず、レーザーカッティングで案内溝の潜像を形成し
た300mm直径の原盤を、そのフォトレジスト層を上に向
け回転テーブル上に載置して100rpmで回転させその上に
界面活性剤を供給し親水液層に形成した。原盤表面のア
ルカリ水溶液に対する濡れ性を良くするためである。
た300mm直径の原盤を、そのフォトレジスト層を上に向
け回転テーブル上に載置して100rpmで回転させその上に
界面活性剤を供給し親水液層に形成した。原盤表面のア
ルカリ水溶液に対する濡れ性を良くするためである。
次に、規定度0.18Nの上記アルカリ水溶液を一定流量1
50〜200ml/分の割合で200秒間フォトレジスト層上に供
給し現像した。
50〜200ml/分の割合で200秒間フォトレジスト層上に供
給し現像した。
現像時間終了後、純水をフォトレジスト層上に滴下し
原盤を洗浄した。その後、従来と同様な方法によって光
ディスクを形成した。
原盤を洗浄した。その後、従来と同様な方法によって光
ディスクを形成した。
第３図に得られた光ディスク基板６の案内溝部分12を
示す。第７図に第３図に対応する本実施例の光ディスク
基板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真を示
す。比較例として、上記アルカリ水溶液を規定度0.6Nの
50％希釈液とし現像時間を40秒で現像した原盤から光デ
ィスク基板6aを製造した。第４図にその案内溝部分13を
示す。第８図に第４図に対応する比較例の光ディスク基
板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真を示す。
第７図及び第８図から明らかなように、本実施例の案内
溝近傍の未露光部分Ａの方が比較例の未露光部分Ｂより
凹凸が少なく滑らかであった。
示す。第７図に第３図に対応する本実施例の光ディスク
基板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真を示
す。比較例として、上記アルカリ水溶液を規定度0.6Nの
50％希釈液とし現像時間を40秒で現像した原盤から光デ
ィスク基板6aを製造した。第４図にその案内溝部分13を
示す。第８図に第４図に対応する比較例の光ディスク基
板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真を示す。
第７図及び第８図から明らかなように、本実施例の案内
溝近傍の未露光部分Ａの方が比較例の未露光部分Ｂより
凹凸が少なく滑らかであった。
また、本実施例の光ディスクの再生信号におけるCN比
は、比較例のそれと比べて約2dB高くなった。
は、比較例のそれと比べて約2dB高くなった。
第１図は光ディスク製造方法のレーザーカッティング工
程でのレーザービームの強度分布を示すグラフ、第２図
は光ディスクの現像原盤の各大部分概略断面図、第３図
は本発明により得られた光ディスク基板の案内溝部分を
示す拡大部分概略断面図、第４図は従来の製造方法によ
り得られた光ディスク基板の案内溝部分を示す拡大部分
概略断面図、第５図は光ディスクの製造方法を示すフロ
ーチャート、第６図は第５図の各工程における部材の概
略断面図、第７図は第３図に対応する本実施例の光ディ
スク基板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真、
第８図は第４図に対応する比較例の光ディスク基板の案
内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス盤 ２……ポジ型フォトレジスト層 10……潜像部分 11……未露光部分
程でのレーザービームの強度分布を示すグラフ、第２図
は光ディスクの現像原盤の各大部分概略断面図、第３図
は本発明により得られた光ディスク基板の案内溝部分を
示す拡大部分概略断面図、第４図は従来の製造方法によ
り得られた光ディスク基板の案内溝部分を示す拡大部分
概略断面図、第５図は光ディスクの製造方法を示すフロ
ーチャート、第６図は第５図の各工程における部材の概
略断面図、第７図は第３図に対応する本実施例の光ディ
スク基板の案内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真、
第８図は第４図に対応する比較例の光ディスク基板の案
内溝部分表面を撮影した電子顕微鏡写真である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス盤 ２……ポジ型フォトレジスト層 10……潜像部分 11……未露光部分
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板の主面上にポジ型フォトレジス
ト層を形成した原盤の該フォトレジスト層上に、レーザ
ー光を集光して、ランド部を画定する溝の潜像を形成す
る工程と、前記原盤をアルカリ水溶液に接触させ前記潜
像の部分を除去して現像し、前記原盤上に前記溝ととも
に前記ランド部を形成する工程とを含む光ディスク製造
方法であって、前記原盤の現像は前記アルカリ水溶液の
規定度の範囲が0.17〜0.21Nの範囲で行うことを特徴と
する光ディスク製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331587A JP2957213B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 光ディスク製造方法 |
| JP21332698A JPH11102540A (ja) | 1989-12-21 | 1998-07-28 | 光ディスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331587A JP2957213B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 光ディスク製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21332698A Division JPH11102540A (ja) | 1989-12-21 | 1998-07-28 | 光ディスク製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192550A JPH03192550A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2957213B2 true JP2957213B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=18245317
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1331587A Expired - Fee Related JP2957213B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 光ディスク製造方法 |
| JP21332698A Pending JPH11102540A (ja) | 1989-12-21 | 1998-07-28 | 光ディスク製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21332698A Pending JPH11102540A (ja) | 1989-12-21 | 1998-07-28 | 光ディスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2957213B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4093938B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 光情報記録媒体の原盤製造方法、パターン形成方法およびレジスト |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0081649B1 (en) * | 1981-12-11 | 1987-01-14 | Discovision Associates | Method for forming optical discs |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1331587A patent/JP2957213B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21332698A patent/JPH11102540A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03192550A (ja) | 1991-08-22 |
| JPH11102540A (ja) | 1999-04-13 |
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