JPH03192550A - 光ディスク製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光磁気ディスクなどの光ディスクの製造方法
に関する。

背景技術 従来から光ディスクの製造方法としては、第５図のフロ
ーチャートに示す如き方法が知られている。

かかる製造方法によれば、まず、第６図（ａ、）に示す
ようにガラス盤１の主面上にプリベークをなしたポジ型
フォトレジスト層２を形成したフォトレジスト原盤を用
意して、レーザーカッティング工程Ｓｏにおいて、所定
情報に対応し明滅するレーザービームＬａをフォトレジ
スト層２上に集光せしめ原盤に対し螺旋又は同心円状に
相対移動させて、所定情報に対応した溝またはスポット
列の潜像をフォトレジスト層２に形成する。

次に、現像工程Ｓｌにおいて、現像装置に露光したフォ
トレジスト原盤を装着しこれを現像して潜像部分を除去
し、フォトレジスト原盤上に記録すべき信号に対応する
溝またはビットなど凹部を設け、第６図（ａ２）に示す
如き、情報に対応するピットを有するフォトレジスト層
２とガラス盤１とからなる現像原盤を得る。

次に、ポストベーク工程Ｓ２において、かかる現像原盤
のフォトレジスト層２を乾燥させガラス盤１上に定着さ
せて、第６図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。

次に、導電膜形成工程Ｓ３において、フォトレジスト層
２上にニッケル又は銀などの導電膜をスパッタリング又
は蒸着などの方法によって形成し、第６図（Ｃ）に示す
如き積層されたマスタリング原盤３ａを得る。このよう
に、フォトレジスト層上に金属薄膜を形成することによ
り、情報記録面を導電化する。以上の工程がマスタリン
グ原盤作成工程である。

次に、Ｎｔスタンバ作成工程においては、まずＮｉ電鋳
工程Ｓ４において、ニッケル電鋳槽中に得られたマスタ
リング原盤を浸してニッケル（Ｎｉ）を銀導電膜３上に
メツキして肉厚のニッケル層４すなわちニッケルスタン
パを形成して、第６図（ｄ）に示す如き構成のものを得
る。

次に、スタンパ分離工程Ｓ５においては、第６図（ｅ）
に示す如くニッケル層であるスタンバ４をガラス盤１か
ら分離する。

次に、後処理工程Ｓ６において、ニッケルスタンバ４上
に残ったフォトレジスト層２及び銀などの導電膜３を除
去して第６図（ｆ）に示す如きニッケルスタンパ４を得
る。フォトレジストの除去には、アルカリ溶液が用いら
れる。

次に、スタンバ加工工程Ｓ７において得られたニッケル
スタンパ４の周囲及び裏面を加工して第６図（ｇ）に示
す如きニッケルスタンパ４を得る。

以上の工程がニッケルスタンパ作成工程である。

次に、レプリカ作成工程としての例えば射出成形装置を
用いた射出成形工程に入る前に、第６図（ｈ）に示す如
く、射出成形装置における金型５の所定位置にニッケル
スタンパ４を取り付ける（スタンパ取付工程Ｓｓ）。

次に、第６図（ｉ）に示す如く型締め後に、かかる射出
成形装置を作動させて溶融したＰＭＭＡ（ポリメタアク
リレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の透明樹脂材
料をニッケルスタンバ４上に射出して、樹脂材料の硬化
後これを取り出して、第６図（ｊ）に示す如き所定情報
記録面を有した光ディスク基板６のレプリカが作成され
る（射出成形工程Ｓ９）。以上の工程がレプリカ作成工
程である。

このようにして得られた光ディスク基板６上に例えば保
護膜（Ｓｉ３Ｎａ）、記録層（非晶質希土類−遷移金属
）、保護膜（Ｓｉ３Ｎａ）、反射膜（Ａｉ）　）　、オ
ーバーコート層（２Ｐ）を順次積層した２枚のディスク
を貼り合わせると、光磁気ディスクが作成される。

光磁気ディスクにおける情報の再生は、カー効果等の磁
気光学現象を利用する。すなわち、直線偏光のレーザ光
を記録膜に入射すると、磁化の向きによって反射光の偏
光面がわずかな角度だけ回転し、この反射光を検光子に
通すと回転に応じた光量変化となり、信号が再生される
。

しかしながら、光磁気ディスクはわずかな回転角を検出
しているため、再生信号量が非常に小さく信号対雑音比
（ＣＮ比）が小さいという間居があった。

発明の概要 ［発明の目的コ 本発明の目的は、簡素な工程にて再生信号のＣＮ比の高
い光ディスクを製造する方法を提供することにある。

［発明の構成及び作用］ 本発明による光ディスク製造方法は、ガラス盤の主面上
にポジ型フォトレジスト層を形成した原盤の該フォトレ
ジスト層上に、所定情報に対応し明滅するレーザービー
ムを集光せしめ所定情報に対応した溝またはスポット列
の潜像を形成し、前記原盤をアルカリ水溶液に接触させ
前記潜像の部分を除去して現像し、前記原盤上に記録す
べき信号に対応する微小凹部を形成する工程を含む光デ
ィスク製造方法であって、前記原盤の現像は前記アルカ
リ水溶液の規定度の範囲が０・１７〜０゜２１Ｎの範囲
で行われることを特徴とする。

フォトレジストにはネガ型とポジ型がある。いずれのフ
ォトレジストも光照射部分と未照射部分との現像液に対
する溶解度の差を利用して現像すなわちパターン形成が
おこなわれている。一般に、解像度が高いポジ型フォト
レジストが光ディスク製造において広く使用されている
。ポジ型フォトレジストでは、光照射部分は現像液のア
ルカリ水溶液に可溶となり、未照射部分は不溶なので当
該アルカリ水溶液に浸すことによって光照射部分が除去
される。ポジ型フォトレジストは、アルカリ不溶性キノ
ンアジド系感光剤とアルカリ可溶性フェノール樹脂と有
機溶剤とからなっている。ポジ型フォトレジスト自体は
全体としてアルカリ不溶性であるが、光照射によりキノ
ンアジド系感光剤がアルカリ可溶性となり、よって光照
射部分がアルカリ可溶性となる。

現像液のアルカリ水溶液は水酸化カリウム、水酸化ナト
リウムなどを主成分とする無機アルカリ水溶液が主に用
いられている。

以下に、本発明を図面を参照しつつ説明する。

ポジ型フォトレジストによるレーザーカッティング工程
において、第１図に示すような強度分布を有し所定情報
に対応し明滅するレーザービームＬａを第２図（ａ）に
示すようにガラス円盤１上のフォトレジスト層２上に集
光せしめ溝またはスポット列の潜像１０をフォトレジス
ト層２に形成する。ここで、レーザビームは収束はして
いるがその周囲においても多少の光が漏れるので、フォ
トレジスト層の未露光部分１１の潜像１０の周囲の表面
１１ａも多少感光している。

その後、第２図（ｂ）に示すように、現像工程において
は、アルカリ水溶液中におけるフォトレジスト層２の未
露光部分１１と潜像部分１０との溶解度の差により、先
に潜像部分１０が急速に除去される。ここでは無機アル
カリ水溶液を用いるのが好ましい。

さらに第２図（Ｃ）に示すようにビット及び溝が形成さ
れたときフォトレジスト層２の未露光部分１１も多少ア
ルカリ水溶液中に溶解している。

発明者は、例えば溝間のランド部に情報の記録再生を行
なう光磁気ディスクを形成する場合に、かかるランド部
すなわち現像後の未露光部分１１の表面の平滑性が再生
信号のＣＮ比に影響すること産児し、アルカリ水溶液の
濃度を低くして長時間の現像時間をかけて現像を行こと
が未露光部分１１の表面の平滑性を高め、これによりか
かるＣＮ比が向上することを見出だした故に、本発明に
至っている。

本実施例による光ディスク製造方法は、従来の方法と同
様であるが、原盤の露光したポジ型フォトレジスト層を
、従来より低い濃度である規定度の範囲が０・１７〜０
．２１Ｎのアルカリ水溶液に接触させ光照射部分すなわ
ち潜像の部分を除去して、記録すべき信号に対応する微
小凹部を形成することに特徴がある。かかる範囲の規定
度のアルカリ水溶液によって長時間をかけてゆっくりと
現像を行うことで未露光部分１１の表面の平滑性は高ま
る。ここで０・１７Ｎ未満であると時間をかけて現像を
行っても十分な深さのビットを形成することが困難とな
る。また０、２１Ｎを超えると粗面となってしまい平滑
性の向上は望めない。

発明の効果 本発明によれば、光ディスク製造方法においてレーザー
カッティング後の原盤の現像が規定度０・１７〜０．２
１Ｎのアルカリ水溶液で行われるので光ディスクの情報
記録面における微小凹以外の凸部の上面すなわち未感光
部を平滑にすることができる。

実施例 実施例として案内溝付きの光ディスクを製造した。

使用したポジ型フォトレジストはＡＺ−１３５０（ヘキ
スト社製）であり、使用したアルカリ水溶液はＡＺデベ
ロッパ（ヘキスト社製；比重１゜０５±０．０１５；規
定度０．６±Ｏ，０ＩＮ）で、通常５０％希釈液とし現
像時間を４０〜８０秒として使用するものである。

しかしながら、本実施例においてはＡＺデベロッパで、
３０％希釈液（規定度０．１８Ｎ）とし現像時間を２０
０秒として使用した。

具体的には、スピン型現像装置によって以下の条件及び
工程で原盤のフォトレジスト層を現像した。

まず、レーザーカッティングで案内溝の潜像を形成した
３００Ｉ１ｍｌ直径の原盤を、そのフォトレジスト層を
上に向は回転テーブル上に載置して１０（ｌｒｐｍで回
転させその上に界面活性剤を供給し親水液層に形成した
。原盤表面のアルカリ水溶液に対する濡れ性を良くする
ためである。

次に、規定度０．１８Ｎの上記アルカリ水溶液を一定流
量１５０〜２００ｍ１／分の割合で２００秒間フォトレ
ジスト層上に供給し現像した。

現像時間終了後、純水をフォトレジスト層上に滴下し原
盤を洗浄した。その後、従来と同様な方法によって光デ
ィスクを形成した。

第３図に得られた光ディスク基板６の案内溝部分１２を
示す。比較例として、上記アルカリ水溶液を規定度０．
６Ｎの５０％希釈液とし現像時間を４０秒で現像した原
盤から光ディスク基板６ａを製造し、その案内溝部分１
３をも第４図に示す。

本実施例の案内溝近傍の未露光部分Ａの方が比較例の未
露光部分Ｂより凹凸が少なく滑らかであった。

また、本実施例の光ディスクの再生信号におけるＣＮ比
は、比較例のそれと比べて約２ｄＢ高くなった。

【図面の簡単な説明】

第１図は光ディスク製造方法のレーザーカッティング工
程でのレーザビームの強度分布を示すグラフ、第２図は
光ディスクの現像原盤の拡大部分概略断面図、第３図は
本発明により得られた光ディスク基板の案内溝部分を示
す拡大部分概略断面図、第４図は従来の製造方法により
得られた光ディスク基板の案内溝部分を示す拡大部分概
略断面図、第５図は光ディスクの製造方法を示すフロー
チャート、ｍ６図は第５図の各工程における部材の概略
断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ガラス盤 ２・・・・・・ポジ型フォトレジスト層１０・・・・・
・潜像部分 １１・・・・・・未露光部分 第１図 第２図 第３図 Δ 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス盤の主面上にポジ型フォトレジスト層を形成した
   原盤の該フォトレジスト層上に、所定情報に対応し明滅
   するレーザービームを集光せしめ所定情報に対応した溝
   またはスポット列の潜像を形成し、前記原盤をアルカリ
   水溶液に接触させ前記潜像の部分を除去して現像し、前
   記原盤上に記録すべき信号に対応する微小凹凸を形成す
   る工程を含む光ディスク製造方法であって、前記原盤の
   現像は前記アルカリ水溶液の規定度の範囲が０・１７〜
   ０．２１Ｎの範囲で行われることを特徴とする光ディス
   ク製造方法。