JPH0638299B2 - 案内溝付光デイスクの製造方法 - Google Patents
案内溝付光デイスクの製造方法Info
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- JPH0638299B2 JPH0638299B2 JP61202317A JP20231786A JPH0638299B2 JP H0638299 B2 JPH0638299 B2 JP H0638299B2 JP 61202317 A JP61202317 A JP 61202317A JP 20231786 A JP20231786 A JP 20231786A JP H0638299 B2 JPH0638299 B2 JP H0638299B2
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光学式情報記録ディスクの製造方法に関し、
特にプリアドレスピット及び案内溝（プリグルーブ）部
を有する案内溝付光ディスク等の異なる深さのピットを
有する光ディスクの製造方法に関する。
特にプリアドレスピット及び案内溝（プリグルーブ）部
を有する案内溝付光ディスク等の異なる深さのピットを
有する光ディスクの製造方法に関する。
背景技術 従来から追記型光ディスクとして第７図に示すような構
造のものが知られている。図示するように、かかる光デ
ィスクはサブストレート１１上に情報記録層１２を担持
させ、スペーサ１３を介し内部に空間１４を保つように
保護板１５と該サブストレート１１を貼着した構造を有
している。
造のものが知られている。図示するように、かかる光デ
ィスクはサブストレート１１上に情報記録層１２を担持
させ、スペーサ１３を介し内部に空間１４を保つように
保護板１５と該サブストレート１１を貼着した構造を有
している。
また、第８図（ａ）は第７図の円Ｘに示す光ディスクの
部分拡大断面図であって、透明なサブストレート１１に
プリアドレスピット１１１及び案内溝１１２が同心状に
並設されて、プリアドレスピット１１１及び案内溝１１
２の上に例えば有機系色素からなる情報記録層１２が形
成されている様子を示している。第８図（ｂ）はサブス
トレート１１のレーザ光照射面側から見た第８図（ａ）
に対応する正面図である。このように、追記型光ディス
クでは、サブストレート１１の上にプリアドレスピット
部ＰＡ及び案内溝部ＰＧを予め形成しておいて、後に、
レーザ光によって案内溝部ＰＧ上の情報記録層１２を穿
孔し所定情報をピット１１３の形で追記している。
部分拡大断面図であって、透明なサブストレート１１に
プリアドレスピット１１１及び案内溝１１２が同心状に
並設されて、プリアドレスピット１１１及び案内溝１１
２の上に例えば有機系色素からなる情報記録層１２が形
成されている様子を示している。第８図（ｂ）はサブス
トレート１１のレーザ光照射面側から見た第８図（ａ）
に対応する正面図である。このように、追記型光ディス
クでは、サブストレート１１の上にプリアドレスピット
部ＰＡ及び案内溝部ＰＧを予め形成しておいて、後に、
レーザ光によって案内溝部ＰＧ上の情報記録層１２を穿
孔し所定情報をピット１１３の形で追記している。
通常、追記型光ディスクのプリアドレスピット及び案内
溝部が設けられたサブストレートにおいては、反射した
レーザ光のコントラストが最大となるようにプリアドレ
スピット１１１の深さをλ／４ｎとし、トラッキング信
号が最も大きくなるように案内溝１１２の深さをλ／８
ｎとして異なる深さのプリアドレスピット及び案内溝が
設けられている。λは再生レーザ光の波長を示し、ｎは
サブストレートの屈折率を示している。
溝部が設けられたサブストレートにおいては、反射した
レーザ光のコントラストが最大となるようにプリアドレ
スピット１１１の深さをλ／４ｎとし、トラッキング信
号が最も大きくなるように案内溝１１２の深さをλ／８
ｎとして異なる深さのプリアドレスピット及び案内溝が
設けられている。λは再生レーザ光の波長を示し、ｎは
サブストレートの屈折率を示している。
かかる案内溝等を有するサブストレートは、記録原盤と
しての円形ガラス板上にフォトレジスト層を形成し、レ
ーザ光で該フォトレジスト層を選択的に感光させた後、
現像処理したものを母型として作成し、該母型を基にＮ
ｉ等の金属スタンパーを作成し、このスタンパーを用い
てＰＭＭＡ等を材料として大量に複製され得られるもの
である。
しての円形ガラス板上にフォトレジスト層を形成し、レ
ーザ光で該フォトレジスト層を選択的に感光させた後、
現像処理したものを母型として作成し、該母型を基にＮ
ｉ等の金属スタンパーを作成し、このスタンパーを用い
てＰＭＭＡ等を材料として大量に複製され得られるもの
である。
かかるスタンパー用母型の作成方法においては、プリア
ドレスピット及び案内溝の底部が丸くならない所定形状
のサブストレートを正確に作成するため、第５図に示す
ように、感光前のガラス原盤１上に中間層を設けずに異
なる分光感度を有する２種類のフォトレジストを塗布し
て第１及び第２フォトレジスト層２、３を形成し、その
後、レーザ光で該フォトレジスト層を選択的に感光させ
ている。かかる方法では、２種類のフォトレジストの溶
剤が異なるゆえに、特に第２フォトレジスト層３の溶剤
が第１フォトレジスト層２を冒さないことが絶対条件で
ある。このため、これらフォトレジストの選択の幅が著
しく制限されるという問題点があった。
ドレスピット及び案内溝の底部が丸くならない所定形状
のサブストレートを正確に作成するため、第５図に示す
ように、感光前のガラス原盤１上に中間層を設けずに異
なる分光感度を有する２種類のフォトレジストを塗布し
て第１及び第２フォトレジスト層２、３を形成し、その
後、レーザ光で該フォトレジスト層を選択的に感光させ
ている。かかる方法では、２種類のフォトレジストの溶
剤が異なるゆえに、特に第２フォトレジスト層３の溶剤
が第１フォトレジスト層２を冒さないことが絶対条件で
ある。このため、これらフォトレジストの選択の幅が著
しく制限されるという問題点があった。
上記の問題点を解決するために特願昭５９−０２３０１
０の明細書に開示されているように、第６図に示す溶剤
に冒されない珪素酸化物等の無機物質からなる中間層４
を第１及び第２フォトレジスト層２、３の間に設ける製
造方法が開発されている。
０の明細書に開示されているように、第６図に示す溶剤
に冒されない珪素酸化物等の無機物質からなる中間層４
を第１及び第２フォトレジスト層２、３の間に設ける製
造方法が開発されている。
しかしながら、かかる従来方法においても、珪素酸化物
からなる中間層４としてＳｉＯ又はＳｉＯ２膜が使用さ
れ、該中間層を第１フォトレジスト層２上に形成するに
は真空蒸着装置またはスパッタリング装置の様な大型で
高価な装置が必要となるという問題点があった。
からなる中間層４としてＳｉＯ又はＳｉＯ２膜が使用さ
れ、該中間層を第１フォトレジスト層２上に形成するに
は真空蒸着装置またはスパッタリング装置の様な大型で
高価な装置が必要となるという問題点があった。
発明の概要 本発明の目的は、上記問題点を解消することであり、案
内溝及びプリアドレスピットとの深さ及び幅を自由にか
つ正確に設定できる案内溝付光ディスクの製造方法を提
供することである。
内溝及びプリアドレスピットとの深さ及び幅を自由にか
つ正確に設定できる案内溝付光ディスクの製造方法を提
供することである。
本発明の案内溝付光ディスクの製造方法は、記録原盤上
に第１フォトレジスト層を形成する工程と、第１フォト
レジスト層上に中間樹脂層を形成する中間樹脂層形成工
程と、該中間樹脂層上に第１フォトレジスト層と異なる
分光感度を有する第２フォトレジスト層を形成する工程
と、第１及び第２フォトレジスト層の各々に対応する波
長の光によって各々のフォトレジスト層を選択的に感光
させる工程と、現像工程と、エッチング工程とを含む異
なる深さのピットを有する光ディスクを製造する方法で
あって、かかる中間樹脂層形成工程は第１フォトレジス
ト層上に有機溶媒難溶性樹脂の溶液を塗布し、加熱硬化
させて中間樹脂層を形成することを特徴とする。
に第１フォトレジスト層を形成する工程と、第１フォト
レジスト層上に中間樹脂層を形成する中間樹脂層形成工
程と、該中間樹脂層上に第１フォトレジスト層と異なる
分光感度を有する第２フォトレジスト層を形成する工程
と、第１及び第２フォトレジスト層の各々に対応する波
長の光によって各々のフォトレジスト層を選択的に感光
させる工程と、現像工程と、エッチング工程とを含む異
なる深さのピットを有する光ディスクを製造する方法で
あって、かかる中間樹脂層形成工程は第１フォトレジス
ト層上に有機溶媒難溶性樹脂の溶液を塗布し、加熱硬化
させて中間樹脂層を形成することを特徴とする。
実 施 例 以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
先ず、第１図（ａ）に示す如く、表面研磨し洗浄された
ガラス原盤１を用意し、該ガラス原盤上に分光感度が短
波長側にあるフォトレジスト、例えば、ヘキスト社製の
ＡＺ５２１４を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形とし
て、スピンコート法で塗布し乾燥させて第１フォトレジ
スト層２を形成する。
ガラス原盤１を用意し、該ガラス原盤上に分光感度が短
波長側にあるフォトレジスト、例えば、ヘキスト社製の
ＡＺ５２１４を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形とし
て、スピンコート法で塗布し乾燥させて第１フォトレジ
スト層２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示す如く、第１フォトレジスト層
２上に濃度１０ｇ／のポリビニルアルコール水溶液を
スピンコート法で塗布し、その後、加熱し乾燥させるベ
ーキング処理を行ない、有機溶媒難溶性の樹脂層である
膜厚２００Å〜３００Åの透明な中間樹脂層４′を形成
する。かかる中間樹脂層の膜厚は、ガラス原盤を回転さ
せるスピンナの振切り回転数と該ポリビニルアルコール
水溶液の濃度とで調整される。
２上に濃度１０ｇ／のポリビニルアルコール水溶液を
スピンコート法で塗布し、その後、加熱し乾燥させるベ
ーキング処理を行ない、有機溶媒難溶性の樹脂層である
膜厚２００Å〜３００Åの透明な中間樹脂層４′を形成
する。かかる中間樹脂層の膜厚は、ガラス原盤を回転さ
せるスピンナの振切り回転数と該ポリビニルアルコール
水溶液の濃度とで調整される。
次に、第１図（ｃ）に示す如く、中間樹脂層４上に分光
感度が長波長側にあるフォトレジスト、例えば、ヘキス
ト社のＡＺ１３５０を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形
として、スピンコート法で塗布し乾燥させて第２フォト
レジスト層３を形成する。このようにして、ガラス原盤
１上に、第１フォトレジスト層２上に中間樹脂層４′を
介して第２フォトレジスト層３が形成される。
感度が長波長側にあるフォトレジスト、例えば、ヘキス
ト社のＡＺ１３５０を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形
として、スピンコート法で塗布し乾燥させて第２フォト
レジスト層３を形成する。このようにして、ガラス原盤
１上に、第１フォトレジスト層２上に中間樹脂層４′を
介して第２フォトレジスト層３が形成される。
次に、第１図（ｄ）に示す如く、第１及び第２フォトレ
ジスト層の各々に対応する波長のレーザ光、例えばＫｒ
レーザ光、Ａｒレーザ光によって各々のフォトレジスト
層を選択的に感光させる。第１フォトレジスト層２及び
第２フォトレジスト層３のレーザ光波長対分光感度は第
４図に示す如くである。曲線Ａは第１フォトレジスト層
２の分光感度を示し、曲線Ｂは第２フォトレジスト層３
の分光感度を示している。長波長レーザ光源にＡｒレー
ザ光（λ＝４５８ｎｍ）を、短波長レーザ光源にＫｒレ
ーザ光（λ＝４０７ｎｍまたは４１３ｎｍ）を用いＡｒ
レーザ光により案内溝を、Ｋｒレーザ光によりプリアド
レスピットを形成させるべく各々のフォトレジストを露
光させる。ここで第２フォトレジスト層３はＫｒ，Ａｒ
レーザ光で共に露光されるが、第１フォトレジスト層２
はＫｒレーザ光でしか露光されない。このとき、フォト
レジスト層の露光部分の溶解度は光分解反応により変化
する。
ジスト層の各々に対応する波長のレーザ光、例えばＫｒ
レーザ光、Ａｒレーザ光によって各々のフォトレジスト
層を選択的に感光させる。第１フォトレジスト層２及び
第２フォトレジスト層３のレーザ光波長対分光感度は第
４図に示す如くである。曲線Ａは第１フォトレジスト層
２の分光感度を示し、曲線Ｂは第２フォトレジスト層３
の分光感度を示している。長波長レーザ光源にＡｒレー
ザ光（λ＝４５８ｎｍ）を、短波長レーザ光源にＫｒレ
ーザ光（λ＝４０７ｎｍまたは４１３ｎｍ）を用いＡｒ
レーザ光により案内溝を、Ｋｒレーザ光によりプリアド
レスピットを形成させるべく各々のフォトレジストを露
光させる。ここで第２フォトレジスト層３はＫｒ，Ａｒ
レーザ光で共に露光されるが、第１フォトレジスト層２
はＫｒレーザ光でしか露光されない。このとき、フォト
レジスト層の露光部分の溶解度は光分解反応により変化
する。
次に、第１図（ｅ）に示す如く、このようにして露光さ
れた記録原盤を現像処理すると第２フォトレジスト層３
の露光部分が除去された状態となる。
れた記録原盤を現像処理すると第２フォトレジスト層３
の露光部分が除去された状態となる。
次に、第１図（ｆ）に示す如く、残された第２フォトレ
ジスト層３をマスクとしてアルカリ水溶液を用いてアル
カリ可溶性の中間樹脂層４′をエッチング処理して除去
する。この結果、案内溝およびプリアドレスピットにな
るべき部分の深さは中間樹脂層４′の厚さ分だけ深くな
る。
ジスト層３をマスクとしてアルカリ水溶液を用いてアル
カリ可溶性の中間樹脂層４′をエッチング処理して除去
する。この結果、案内溝およびプリアドレスピットにな
るべき部分の深さは中間樹脂層４′の厚さ分だけ深くな
る。
次に、第１図（ｇ）に示す如く、さらにもう一度、現像
処理すると第１フォトレジスト層２の内でＫｒレーザ光
で露光されたプリアドレスピットになるべき露光部分だ
けが除去されて、プリアドレスピットの深さが案内溝の
深さよりも深くなる。この深くなる量は第２フォトレジ
スト層３の厚さと中間樹脂層４′の厚さとの和である。
このようにして、所定の異なった深さのプリアドレスピ
ット及び案内溝部を有するサブストレートを作成するた
めのスタンパーの母型が作成される。
処理すると第１フォトレジスト層２の内でＫｒレーザ光
で露光されたプリアドレスピットになるべき露光部分だ
けが除去されて、プリアドレスピットの深さが案内溝の
深さよりも深くなる。この深くなる量は第２フォトレジ
スト層３の厚さと中間樹脂層４′の厚さとの和である。
このようにして、所定の異なった深さのプリアドレスピ
ット及び案内溝部を有するサブストレートを作成するた
めのスタンパーの母型が作成される。
この後、公知の方法によって作成された母型に基づいて
スタンパーを作成し、プリアドレスピット及び案内溝部
が設けられた光ディスクが複製される。
スタンパーを作成し、プリアドレスピット及び案内溝部
が設けられた光ディスクが複製される。
本発明による案内溝付光ディスクの製造方法では、中間
樹脂層４′が第２フォトレジスト層３を第１フォトレジ
スト層２上に塗布する際に、第２フォトレジスト層３の
有機溶剤で第１フォトレジスト層２が冒されないように
仕切り用の薄膜として設けられている。
樹脂層４′が第２フォトレジスト層３を第１フォトレジ
スト層２上に塗布する際に、第２フォトレジスト層３の
有機溶剤で第１フォトレジスト層２が冒されないように
仕切り用の薄膜として設けられている。
また、中間樹脂層４′は、所定の案内溝部及びプリアド
レスピット部を刻設するためのレーザ光を照射した時
に、第２フォトレジスト層３を通過した該レーザ光が第
１フオトレジスト層２に到達するようにレーザ光を遮ら
ない充分な透光性を有する樹脂層でなければならない。
実施例ではポリビニルアルコールを用いているが、例え
ば、ポリアクリルアミド、メチルセルロースなどのポリ
マーを中間樹脂層４′として用いることもできる。
レスピット部を刻設するためのレーザ光を照射した時
に、第２フォトレジスト層３を通過した該レーザ光が第
１フオトレジスト層２に到達するようにレーザ光を遮ら
ない充分な透光性を有する樹脂層でなければならない。
実施例ではポリビニルアルコールを用いているが、例え
ば、ポリアクリルアミド、メチルセルロースなどのポリ
マーを中間樹脂層４′として用いることもできる。
これらのポリマーは水溶性でである故に、かかる樹脂溶
液をスピン塗布することにより容易に薄膜を形成できる
ものである。しかし、該ポリマーは室温程度の水にはそ
の溶解度が低い故に容易には溶けない。しかしながら、
これらのポリマーはアルカリ水溶液に溶かすことがで
き、また、ほぼ３０℃以上の温水に容易にも溶解するも
のである。また更に、これらのポリマーは、中間樹脂層
４′形成後、フォトレジストの塗布に用いられる有機溶
剤に対して難溶性を示すものである。
液をスピン塗布することにより容易に薄膜を形成できる
ものである。しかし、該ポリマーは室温程度の水にはそ
の溶解度が低い故に容易には溶けない。しかしながら、
これらのポリマーはアルカリ水溶液に溶かすことがで
き、また、ほぼ３０℃以上の温水に容易にも溶解するも
のである。また更に、これらのポリマーは、中間樹脂層
４′形成後、フォトレジストの塗布に用いられる有機溶
剤に対して難溶性を示すものである。
第１図（ｂ）に示す如く、この樹脂薄膜である中間樹脂
層４′を形成後、加熱、乾燥させるためにベーキング処
理を行なうが、ベーキング温度を種々変化させることに
よって中間樹脂層４′のエッチング処理時間をコントロ
ールすることができる。
層４′を形成後、加熱、乾燥させるためにベーキング処
理を行なうが、ベーキング温度を種々変化させることに
よって中間樹脂層４′のエッチング処理時間をコントロ
ールすることができる。
第２図は、本実施例における膜厚２００Å〜３００Åの
中間樹脂層４′をアルカリ水溶液によりエッチングした
場合のベーキング温度に対するエッチング処理時間の関
係を示すグラフである。図示するように曲線Ａはアルカ
リ水溶液によるエッチング処理時間の変化を示してい
る。ベーキング温度が高い程エッチング処理時間を要す
ることが分る。しかし、ベーキング温度９０℃〜１３０
℃にてエッチング処理時間が５秒〜５０秒かかる程度の
ベーキング温度範囲で実用可能であることが分った。こ
のベーキング温度範囲を越える高い温度では既に形成さ
れている第１フォトレジスト層２の感度を減少させ確実
な感光が出来なくなり、更に該温度範囲より低いベーキ
ング温度の場合では第１図（ｆ）のエッチング工程で中
間樹脂層４′が速く溶解してしまうので該中間樹脂層が
過剰に削られピットの形状を正確に形成できなくなるな
どスタンパーを形成する際に障害となる。特に、ベーキ
ング温度としては１００℃〜１１０℃が適していること
が確認されている。
中間樹脂層４′をアルカリ水溶液によりエッチングした
場合のベーキング温度に対するエッチング処理時間の関
係を示すグラフである。図示するように曲線Ａはアルカ
リ水溶液によるエッチング処理時間の変化を示してい
る。ベーキング温度が高い程エッチング処理時間を要す
ることが分る。しかし、ベーキング温度９０℃〜１３０
℃にてエッチング処理時間が５秒〜５０秒かかる程度の
ベーキング温度範囲で実用可能であることが分った。こ
のベーキング温度範囲を越える高い温度では既に形成さ
れている第１フォトレジスト層２の感度を減少させ確実
な感光が出来なくなり、更に該温度範囲より低いベーキ
ング温度の場合では第１図（ｆ）のエッチング工程で中
間樹脂層４′が速く溶解してしまうので該中間樹脂層が
過剰に削られピットの形状を正確に形成できなくなるな
どスタンパーを形成する際に障害となる。特に、ベーキ
ング温度としては１００℃〜１１０℃が適していること
が確認されている。
第３図は、本実施例における膜厚２００〜３００Åの中
間樹脂層４′をアルカリ水溶液によりエッチングした場
合のエッチング処理時間に対する残膜率の関係を示すグ
ラフである。曲線Ａはベーキング温度１３０℃によるエ
ッチング処理時間に関する残膜率の変化を示し、曲線Ｂ
はベーキング温度９０℃によるエッチング処理時間に関
する残膜率の変化を示している。アルカリ水溶液の濃
度、温度等の他の要素もあるが、エッチング時間を種々
変化させることによって中間樹脂層４′の残膜率をある
程度コントロールすることができる。このようにベーキ
ング温度、エッチング処理時間等を制御することにより
案内溝及びプリアドレスピットの形状を調整できる。
間樹脂層４′をアルカリ水溶液によりエッチングした場
合のエッチング処理時間に対する残膜率の関係を示すグ
ラフである。曲線Ａはベーキング温度１３０℃によるエ
ッチング処理時間に関する残膜率の変化を示し、曲線Ｂ
はベーキング温度９０℃によるエッチング処理時間に関
する残膜率の変化を示している。アルカリ水溶液の濃
度、温度等の他の要素もあるが、エッチング時間を種々
変化させることによって中間樹脂層４′の残膜率をある
程度コントロールすることができる。このようにベーキ
ング温度、エッチング処理時間等を制御することにより
案内溝及びプリアドレスピットの形状を調整できる。
本実施例の第１及び第２フォトレジスト層２，３では、
樹脂としてフェノールノボラック樹脂を、感光剤として
キノンジアジド系エステルを用いているポジ型フォトレ
ジストを使用しているが、フォトレジストとしてネガ型
のものも第１及び第２フォトレジスト層として使用でき
る。
樹脂としてフェノールノボラック樹脂を、感光剤として
キノンジアジド系エステルを用いているポジ型フォトレ
ジストを使用しているが、フォトレジストとしてネガ型
のものも第１及び第２フォトレジスト層として使用でき
る。
この実施例の中間樹脂層薄膜はアルカリ水溶液に溶解す
るため、第１及び第２フォトレジスト層２、３が同一の
アルカリ性現像液を使用して露光部分を除去する場合で
あれば、現像工程は１種類の現像液で行なわれ、製造工
程が著しく簡略化され得る。
るため、第１及び第２フォトレジスト層２、３が同一の
アルカリ性現像液を使用して露光部分を除去する場合で
あれば、現像工程は１種類の現像液で行なわれ、製造工
程が著しく簡略化され得る。
また、この実施例の中間樹脂層薄膜は水溶性であるが、
室温程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。し
かし水温を温度３０℃〜８０℃の範囲に上げたものでは
エッチング処理することも可能であることを見出した。
本実施例における膜厚２００〜３００Åの中間樹脂層
４′をかかる温度範囲の水によりエッチング処理した場
合、アルカリ水溶液による処理の場合とほぼ同様な作用
にてエッチング可能であることが確認された。かかる水
によるエッチング処理において、かかる温度範囲の上限
が８０℃であるのはそれ以上の温度になると２種類のフ
ォトレジストが剥離してしまうためであり、かかる温度
範囲の下限が３０℃であるのはそれ以下の温度になると
中間樹脂層の溶解度が低いためエッチング作用が発揮さ
れないためである。第３図には比較のために２３℃の水
によりエッチング処理した場合のエッチング処理時間に
対する残膜率の関係を曲線Ｃにて示しているが、２３℃
の水では殆どエッチング処理不可能であることが分る。
室温程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。し
かし水温を温度３０℃〜８０℃の範囲に上げたものでは
エッチング処理することも可能であることを見出した。
本実施例における膜厚２００〜３００Åの中間樹脂層
４′をかかる温度範囲の水によりエッチング処理した場
合、アルカリ水溶液による処理の場合とほぼ同様な作用
にてエッチング可能であることが確認された。かかる水
によるエッチング処理において、かかる温度範囲の上限
が８０℃であるのはそれ以上の温度になると２種類のフ
ォトレジストが剥離してしまうためであり、かかる温度
範囲の下限が３０℃であるのはそれ以下の温度になると
中間樹脂層の溶解度が低いためエッチング作用が発揮さ
れないためである。第３図には比較のために２３℃の水
によりエッチング処理した場合のエッチング処理時間に
対する残膜率の関係を曲線Ｃにて示しているが、２３℃
の水では殆どエッチング処理不可能であることが分る。
このように、水温を３０℃〜８０℃の温度範囲に保った
水によるエッチング処理の場合であれば、フォトレジス
ト毎の異なった現像液による現像処理が容易に確実に行
なえるようになる。
水によるエッチング処理の場合であれば、フォトレジス
ト毎の異なった現像液による現像処理が容易に確実に行
なえるようになる。
また、本実施例によれば、水又はアルカリ水溶液による
エッチング処理の後の通常の洗浄工程においても、室温
程度ではかかる中間樹脂層のポリマー自体の溶解度が低
く、さらに中間樹脂層形成工程における加熱処理の温度
を制御することが出来る故に、ガラス原盤上に形成され
たプリアドレスピット及び案内溝の内部壁に露出する中
間樹脂層が洗浄水に浸蝕されず正確な形状のプリアドレ
スピット及び案内溝が得られる。
エッチング処理の後の通常の洗浄工程においても、室温
程度ではかかる中間樹脂層のポリマー自体の溶解度が低
く、さらに中間樹脂層形成工程における加熱処理の温度
を制御することが出来る故に、ガラス原盤上に形成され
たプリアドレスピット及び案内溝の内部壁に露出する中
間樹脂層が洗浄水に浸蝕されず正確な形状のプリアドレ
スピット及び案内溝が得られる。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、中間樹脂層が樹脂であ
るので溶液形態で塗布し、加熱、硬化させ、第１フォト
レジスト層上にスピンコート法等よって容易に薄膜を形
成できる故に、大型で高価な真空蒸着装置またはスパッ
タリング装置の様な装置が不要となる。
るので溶液形態で塗布し、加熱、硬化させ、第１フォト
レジスト層上にスピンコート法等よって容易に薄膜を形
成できる故に、大型で高価な真空蒸着装置またはスパッ
タリング装置の様な装置が不要となる。
また、本発明によれば、分光感度の異なる２種類のフォ
トレジストを有機溶媒難溶性樹脂の中間樹脂層を介して
形成し、それぞれ独立に露光し現像して除去しているの
で、従来よりも数多くの種々のフォトレジストを組合せ
て積層させることが出来る故に案内溝及びプリアドレス
ピットとの深さ及び幅を自由にかつ正確に設定できる案
内溝付光ディスクの製造方法が提供できる。
トレジストを有機溶媒難溶性樹脂の中間樹脂層を介して
形成し、それぞれ独立に露光し現像して除去しているの
で、従来よりも数多くの種々のフォトレジストを組合せ
て積層させることが出来る故に案内溝及びプリアドレス
ピットとの深さ及び幅を自由にかつ正確に設定できる案
内溝付光ディスクの製造方法が提供できる。
第１図は本発明による製造方法を説明するための記録原
盤の概略部分断面図、第２図はアルカリ水溶液による中
間樹脂層のベーキング温度とエッチング時間との関係を
示すグラフ、第３図はアルカリ水溶液による中間樹脂層
のエッチング時間と残膜率との関係を示すグラフ、第４
図は本実施例に用いた２種類のフォトレジストの分光感
度を示すグラフ、第５図及び第６図は従来の製造方法に
おける記録原盤の概略部分断面図、第７図は追加型光デ
ィスクの概部分切欠斜視図、第８図は追加型光ディスク
を説明するための説明図である。 主要部分の符号の説明 １……記録原盤 ２……第１フォトレジスト層 ３……第２フォトレジスト層 ４……中間層 ４′……中間樹脂層
盤の概略部分断面図、第２図はアルカリ水溶液による中
間樹脂層のベーキング温度とエッチング時間との関係を
示すグラフ、第３図はアルカリ水溶液による中間樹脂層
のエッチング時間と残膜率との関係を示すグラフ、第４
図は本実施例に用いた２種類のフォトレジストの分光感
度を示すグラフ、第５図及び第６図は従来の製造方法に
おける記録原盤の概略部分断面図、第７図は追加型光デ
ィスクの概部分切欠斜視図、第８図は追加型光ディスク
を説明するための説明図である。 主要部分の符号の説明 １……記録原盤 ２……第１フォトレジスト層 ３……第２フォトレジスト層 ４……中間層 ４′……中間樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝下 俊彦 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 パ イオニアビデオ株式会社内 (72)発明者 林 毅 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 パ イオニアビデオ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−45957（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−212635（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−133552（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】記録原盤上に第１フォトレジスト層を形成
する工程と、第１フォトレジスト層上に中間樹脂層を形
成する中間樹脂層形成工程と、前記中間樹脂層上に第１
フォトレジスト層と異なる分光感度を有する第２フォト
レジスト層を形成する工程と、第１及び第２フォトレジ
スト層の各々に対応する波長の光によって各々のフォト
レジスト層を選択的に感光させる工程と、現像工程と、
エッチング工程とを含む異なる深さのピットを有する光
ディスクを製造する方法であって、前記中間樹脂層形成
工程は第１フォトレジスト層上に有機溶媒難溶性樹脂溶
液を塗布し、加熱硬化させて中間樹脂層を形成すること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】前記中間樹脂層は水溶性樹脂からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - 【請求項３】前記中間樹脂層はアルカリ可溶性樹脂から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の製造方法。 - 【請求項４】前記中間樹脂層はポリビニルアルコール、
ポリアクリルアミド、及びメチルセルロースから選ばれ
る１の樹脂からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202317A JPH0638299B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 案内溝付光デイスクの製造方法 |
| US07/089,894 US4837130A (en) | 1986-08-27 | 1987-08-27 | Optical disk manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202317A JPH0638299B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 案内溝付光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356830A JPS6356830A (ja) | 1988-03-11 |
| JPH0638299B2 true JPH0638299B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16455542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202317A Expired - Fee Related JPH0638299B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 案内溝付光デイスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837130A (ja) |
| JP (1) | JPH0638299B2 (ja) |
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| JPH0250335A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US5191565A (en) * | 1989-06-19 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
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| US6280910B1 (en) * | 1992-11-23 | 2001-08-28 | Pioneer Electronic Corporation | Photoresist for optical disc and method of preparing optical disc utilizing photoresist |
| US7132200B1 (en) * | 1992-11-27 | 2006-11-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram recording sheet, holographic optical element using said sheet, and its production process |
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| US6670222B1 (en) * | 1997-06-14 | 2003-12-30 | Jds Uniphase Corporation | Texturing of a die pad surface for enhancing bonding strength in the surface attachment |
| JPH11296918A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
| EP1218880A1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-07-03 | Prosoft Logistics Limited | Method of producing optical discs |
| US20030156531A1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-21 | G6 Science Corporation | Disk data storage media with edge track data surface, methods to manufacture, exploit and convert conventional disk media to that having an edge track data surface |
| US6793780B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-21 | Prodisc Technology Inc. | Stamper forming method |
| CN1977318A (zh) * | 2004-06-28 | 2007-06-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 记录载体和用于写记录载体的方法 |
| US20060073422A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Imation Corp. | Portable conformable deep ultraviolet master mask |
| JP2009300997A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Sony Corp | ホログラム積層体、ホログラム複製方法およびホログラム作成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109045A (en) * | 1972-11-06 | 1978-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| US3982943A (en) * | 1974-03-05 | 1976-09-28 | Ibm Corporation | Lift-off method of fabricating thin films and a structure utilizable as a lift-off mask |
| JPS57212635A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS6045957A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体製造用原盤の製造方法 |
| JPS60133552A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| JPS60170045A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Pioneer Electronic Corp | アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61202317A patent/JPH0638299B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-08-27 US US07/089,894 patent/US4837130A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356830A (ja) | 1988-03-11 |
| US4837130A (en) | 1989-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |