JP2001229580A - 光ディスクの製造方法及びその原盤 - Google Patents
光ディスクの製造方法及びその原盤Info
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- JP2001229580A JP2001229580A JP2000033503A JP2000033503A JP2001229580A JP 2001229580 A JP2001229580 A JP 2001229580A JP 2000033503 A JP2000033503 A JP 2000033503A JP 2000033503 A JP2000033503 A JP 2000033503A JP 2001229580 A JP2001229580 A JP 2001229580A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 煩雑な工程を含めることなく、正確な深さに
形成されたプリピット及びプリグルーブを有する光ディ
スクの製造方法及びこれに使用される光ディスク原盤を
提供する。 【構成】 ガラス基板上に第１フォトレジスト層、中間
層、第２フォトレジスト層を形成して、強度の異なるレ
ーザ光を照射して露光を行った後、これを現像して光デ
ィスク原盤を製造する。ここにおいて、中間層は、水溶
性若しくはアルカリ可溶性であって且つ前記レーザ光に
対して半透明であることを特徴とする。
形成されたプリピット及びプリグルーブを有する光ディ
スクの製造方法及びこれに使用される光ディスク原盤を
提供する。 【構成】 ガラス基板上に第１フォトレジスト層、中間
層、第２フォトレジスト層を形成して、強度の異なるレ
ーザ光を照射して露光を行った後、これを現像して光デ
ィスク原盤を製造する。ここにおいて、中間層は、水溶
性若しくはアルカリ可溶性であって且つ前記レーザ光に
対して半透明であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの製造
方法に関し、特に異なる深さのプリピット及びプリグル
ーブを有する光ディスクの製造方法及び当該製造方法に
おいて使用される光ディスク原盤に関する。
方法に関し、特に異なる深さのプリピット及びプリグル
ーブを有する光ディスクの製造方法及び当該製造方法に
おいて使用される光ディスク原盤に関する。
【０００２】
【従来の技術】ユーザ側において情報記録可能な、いわ
ゆる追記型等の書き込み自在な光ディスクは、あらかじ
めプリピット及びプリグルーブを形成した光ディスク基
板の上に記録層を設けた構造を有している。プリピット
の深さは、当該プリピットから得られる再生信号の変調
度が最大となるλ／４ｎ近傍の深さである。一方、プリ
グルーブの深さは、当該グルーブから得られるトラッキ
ング信号の変調度が最大となるλ／８ｎ近傍の深さであ
る。ここで、λは再生レーザ光の波長、ｎは基板の屈折
率である。
ゆる追記型等の書き込み自在な光ディスクは、あらかじ
めプリピット及びプリグルーブを形成した光ディスク基
板の上に記録層を設けた構造を有している。プリピット
の深さは、当該プリピットから得られる再生信号の変調
度が最大となるλ／４ｎ近傍の深さである。一方、プリ
グルーブの深さは、当該グルーブから得られるトラッキ
ング信号の変調度が最大となるλ／８ｎ近傍の深さであ
る。ここで、λは再生レーザ光の波長、ｎは基板の屈折
率である。
【０００３】上記の如き異なる深さのプリピット及びプ
リグルーブを有する書き込み自在な光ディスクは、光デ
ィスク基板と同様のプリピット及びプリグルーブを有す
る光ディスク原盤のレプリカ（複製）を得ることにより
製造するのである。図１に示すように、光ディスク原盤
の作成においては、まず、ガラス基板１上に順に、第１
フォトレジスト層２、中間層３、第２フォトレジスト層
４を形成して、未露光（露光については後述する。）の
原盤を作成する。
リグルーブを有する書き込み自在な光ディスクは、光デ
ィスク基板と同様のプリピット及びプリグルーブを有す
る光ディスク原盤のレプリカ（複製）を得ることにより
製造するのである。図１に示すように、光ディスク原盤
の作成においては、まず、ガラス基板１上に順に、第１
フォトレジスト層２、中間層３、第２フォトレジスト層
４を形成して、未露光（露光については後述する。）の
原盤を作成する。
【０００４】次に、未露光の原盤に強度変調したレーザ
光を照射してフォトレジストを露光する。例えば、プリ
グルーブを形成する場合においては、強度の弱いレーザ
光10aを照射する。レーザ光10aは、第２フォトレジスト
層４を露光するが、第１フォトレジスト層２には到達し
ない。一方、プリピットを形成する場合においては、レ
ーザ光10aよりも強度の強いレーザ光10bを照射する。レ
ーザ光10bは、第２フォトレジスト層４を露光し、さら
にレーザ光10bの一部は、中間層３を透過して、第１フ
ォトレジスト層２も露光するのである。
光を照射してフォトレジストを露光する。例えば、プリ
グルーブを形成する場合においては、強度の弱いレーザ
光10aを照射する。レーザ光10aは、第２フォトレジスト
層４を露光するが、第１フォトレジスト層２には到達し
ない。一方、プリピットを形成する場合においては、レ
ーザ光10aよりも強度の強いレーザ光10bを照射する。レ
ーザ光10bは、第２フォトレジスト層４を露光し、さら
にレーザ光10bの一部は、中間層３を透過して、第１フ
ォトレジスト層２も露光するのである。
【０００５】レーザ光10a及び10bの照射終了後、露光さ
れた原盤を現像して、第１フォトレジスト層２及び第２
フォトレジスト層４におけるレーザ光に露光された部分
を除去すると光ディスク原盤が作成できるのである。さ
らに、ニッケル電鋳等によって光ディスク原盤の表面を
転写してスタンパを作成した後に、このスタンパを使用
して樹脂成形を行うと、光ディスク原盤のレプリカであ
る光ディスク基板が作成できるのである。
れた原盤を現像して、第１フォトレジスト層２及び第２
フォトレジスト層４におけるレーザ光に露光された部分
を除去すると光ディスク原盤が作成できるのである。さ
らに、ニッケル電鋳等によって光ディスク原盤の表面を
転写してスタンパを作成した後に、このスタンパを使用
して樹脂成形を行うと、光ディスク原盤のレプリカであ
る光ディスク基板が作成できるのである。
【０００６】従来の光ディスクの製造方法においては、
中間層３の材料としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
又はSiO2が使用されていた。
中間層３の材料としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
又はSiO2が使用されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すように、Ｐ
ＶＡは、一般的にレーザ光に対する透明度が高いため
に、強度の弱いレーザ光10a'を照射した場合であって
も、第１フォトレジスト２へレーザ光10a'の一部が漏洩
して、第１フォトレジスト層２を露光してしまう場合が
あった。かかる場合、現像処理後に形成されるプリグル
ーブの深さが所定の値とならないという問題を生じる。
ＶＡは、一般的にレーザ光に対する透明度が高いため
に、強度の弱いレーザ光10a'を照射した場合であって
も、第１フォトレジスト２へレーザ光10a'の一部が漏洩
して、第１フォトレジスト層２を露光してしまう場合が
あった。かかる場合、現像処理後に形成されるプリグル
ーブの深さが所定の値とならないという問題を生じる。
【０００８】一方で、中間層３として、レーザ光をほと
んど透過しないSiO2を使用した場合、第２フォトレジス
ト層４の現像後、第１フォトレジスト層２の現像を行う
前に、SiO2をエッチングなどによって除去する付加工程
が必要であって、工程が煩雑になるといった問題があっ
た。本発明は、上述の如き問題を解決するためになされ
たものであって、煩雑な工程を含めることなく、正確な
深さに形成されたプリピット及びプリグルーブを有する
光ディスクの製造方法及びこれに使用される光ディスク
原盤を提供することを目的とする。
んど透過しないSiO2を使用した場合、第２フォトレジス
ト層４の現像後、第１フォトレジスト層２の現像を行う
前に、SiO2をエッチングなどによって除去する付加工程
が必要であって、工程が煩雑になるといった問題があっ
た。本発明は、上述の如き問題を解決するためになされ
たものであって、煩雑な工程を含めることなく、正確な
深さに形成されたプリピット及びプリグルーブを有する
光ディスクの製造方法及びこれに使用される光ディスク
原盤を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による光ディスク
の製造方法は、ガラス基板の上に第１フォトレジスト層
を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層の上に中
間層を形成する工程と、前記中間層の上に第２フォトレ
ジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層
及び前記第２フォトレジスト層を強度変調したレーザ光
を照射して露光する工程と、露光された前記第１フォト
レジスト層及び前記第２フォトレジスト層を現像する工
程と、を含む異なる深さのプリピット及びプリグルーブ
を有する光ディスクの製造方法であって、前記中間層
は、水溶性若しくはアルカリ可溶性であって且つ前記レ
ーザ光に対して半透明であることを特徴とする。
の製造方法は、ガラス基板の上に第１フォトレジスト層
を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層の上に中
間層を形成する工程と、前記中間層の上に第２フォトレ
ジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層
及び前記第２フォトレジスト層を強度変調したレーザ光
を照射して露光する工程と、露光された前記第１フォト
レジスト層及び前記第２フォトレジスト層を現像する工
程と、を含む異なる深さのプリピット及びプリグルーブ
を有する光ディスクの製造方法であって、前記中間層
は、水溶性若しくはアルカリ可溶性であって且つ前記レ
ーザ光に対して半透明であることを特徴とする。
【００１０】また、本発明による光ディスク原盤は、ガ
ラス基板の上に第１フォトレジスト層、中間層、第２フ
ォトレジスト層を順に積層した構造を有する光ディスク
原盤であって、前記中間層は、水溶性若しくはアルカリ
可溶性であって且つ前記レーザ光に対して半透明である
ことを特徴とする。
ラス基板の上に第１フォトレジスト層、中間層、第２フ
ォトレジスト層を順に積層した構造を有する光ディスク
原盤であって、前記中間層は、水溶性若しくはアルカリ
可溶性であって且つ前記レーザ光に対して半透明である
ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による光ディスクの製造方
法を図面に従って詳述する。図３に示すように、表面を
研磨し、洗浄したガラス基板１を用意し、ガラス基板１
上にポジ型のフォトレジスト、例えば東京応化工業
（株）製のポジ型フォトレジスト『ＴＳＭＲ−Ｖ３』を
有機溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布する。
これを80℃程度の温度で熱処理（プリベーク）を行い、
厚さが600〜1200Å程度の第１フォトレジスト層２を形
成する。
法を図面に従って詳述する。図３に示すように、表面を
研磨し、洗浄したガラス基板１を用意し、ガラス基板１
上にポジ型のフォトレジスト、例えば東京応化工業
（株）製のポジ型フォトレジスト『ＴＳＭＲ−Ｖ３』を
有機溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布する。
これを80℃程度の温度で熱処理（プリベーク）を行い、
厚さが600〜1200Å程度の第１フォトレジスト層２を形
成する。
【００１２】次に、第１フォトレジスト層２の上に、後
述するアルカリ現像液で除去され得る水溶性の光退色性
色素をスピンコート法で塗布する。これを熱処理して、
厚さが50〜60Å程度の中間層５を形成する。さらに、中
間層５の上に第２フォトレジスト層４を形成して未露光
の原盤を作成する。第２フォトレジスト層４は、第１フ
ォトレジスト層２と同じ材料からなるポジ型のフォトレ
ジストであって、同様の工程で形成される。その厚さ
は、200Å程度である。
述するアルカリ現像液で除去され得る水溶性の光退色性
色素をスピンコート法で塗布する。これを熱処理して、
厚さが50〜60Å程度の中間層５を形成する。さらに、中
間層５の上に第２フォトレジスト層４を形成して未露光
の原盤を作成する。第２フォトレジスト層４は、第１フ
ォトレジスト層２と同じ材料からなるポジ型のフォトレ
ジストであって、同様の工程で形成される。その厚さ
は、200Å程度である。
【００１３】続いて、プリグルーブ及びプリピットに対
応して、光強度の異なる２種類のレーザ光10a及び10bを
選択して、上記の未露光の原盤に対して露光を行う。レ
ーザ光10aの光強度は、第２フォトレジスト層４のみを
露光するが、中間層５を透過して第１フォトレジスト層
２に光が透過しないように調整されている。レーザ光10
bは、レーザ光10aよりも光強度を高く設定されており、
第２フォトレジスト層４よりもさらにその下の第１フォ
トレジスト層２までを露光できるように調整されてい
る。
応して、光強度の異なる２種類のレーザ光10a及び10bを
選択して、上記の未露光の原盤に対して露光を行う。レ
ーザ光10aの光強度は、第２フォトレジスト層４のみを
露光するが、中間層５を透過して第１フォトレジスト層
２に光が透過しないように調整されている。レーザ光10
bは、レーザ光10aよりも光強度を高く設定されており、
第２フォトレジスト層４よりもさらにその下の第１フォ
トレジスト層２までを露光できるように調整されてい
る。
【００１４】中間層５の光退色性色素は、レーザ光に対
して半透明であって、ＰＶＡに比してレーザ光の透過を
低減する性質が大である。故に、第１フォトレジスト層
２を露光することなく、第２フォトレジスト層４を厚さ
方向に亘って露光することのできるレーザ光10aの光強
度の範囲を拡大することが出来るのである。すなわち、
第２フォトレジスト層４にプリグルーブを形成する際に
おいて、第２フォトレジスト層４から第１フォトレジス
ト２へのレーザ光10aの漏洩を確実に防ぐことが出来る
のである。
して半透明であって、ＰＶＡに比してレーザ光の透過を
低減する性質が大である。故に、第１フォトレジスト層
２を露光することなく、第２フォトレジスト層４を厚さ
方向に亘って露光することのできるレーザ光10aの光強
度の範囲を拡大することが出来るのである。すなわち、
第２フォトレジスト層４にプリグルーブを形成する際に
おいて、第２フォトレジスト層４から第１フォトレジス
ト２へのレーザ光10aの漏洩を確実に防ぐことが出来る
のである。
【００１５】中間層５は、水溶性の光退色性色素の代わ
りに、アルミニウムなどの金属蒸着薄膜を用いてもよ
い。アルミニウム蒸着薄膜は、後述するアルカリ現像液
で溶解、除去することが出来て、光退色性色素を中間層
５に使用した場合と同じ工程によって処理することがで
きる。なお、アルミニウム蒸着膜は、レーザ光10bによ
って、これを透過して第１フォトレジスト層２を露光で
きなければならない。故に、アルミニウム蒸着膜の厚さ
は、数十Å程度であることが好ましい。
りに、アルミニウムなどの金属蒸着薄膜を用いてもよ
い。アルミニウム蒸着薄膜は、後述するアルカリ現像液
で溶解、除去することが出来て、光退色性色素を中間層
５に使用した場合と同じ工程によって処理することがで
きる。なお、アルミニウム蒸着膜は、レーザ光10bによ
って、これを透過して第１フォトレジスト層２を露光で
きなければならない。故に、アルミニウム蒸着膜の厚さ
は、数十Å程度であることが好ましい。
【００１６】図４に示すように、レーザ光を照射して得
られた露光された原盤を、規定度が0.2〜0.3Ｎの範囲内
のアルカリ現像液に浸漬して現像処理を行う。まず、第
２フォトレジスト層４における露光された部分が除去さ
れる。第２フォトレジスト層４の除去された部分では、
中間層５が表面に露出して、アルカリ現像液に曝され
る。中間層５もアルカリ現像液に可溶である故、表面に
露出した中間層５も除去される。なお、中間層５にアル
ミニウム蒸着薄膜を使用した場合であっても、同様であ
る。
られた露光された原盤を、規定度が0.2〜0.3Ｎの範囲内
のアルカリ現像液に浸漬して現像処理を行う。まず、第
２フォトレジスト層４における露光された部分が除去さ
れる。第２フォトレジスト層４の除去された部分では、
中間層５が表面に露出して、アルカリ現像液に曝され
る。中間層５もアルカリ現像液に可溶である故、表面に
露出した中間層５も除去される。なお、中間層５にアル
ミニウム蒸着薄膜を使用した場合であっても、同様であ
る。
【００１７】図５に示すように、レーザ光10bを照射し
た部分では、中間層５を透過して第１フォトレジスト層
２においても露光されている。第２フォトレジスト層４
が除去され且つその下の中間層５も除去された後、露光
された第１フォトレジスト層２もアルカリ現像液に接触
して、除去されるのである。上記の如く、プリグルーブ
15の深さは、第２フォトレジスト層４の厚さと中間層３
の厚さの和となる。また、プリピット16の深さは、プリ
グルーブ15の厚さと第１フォトレジスト層２の厚さの和
となる。すなわち、第１フォトレジスト層２及び第２フ
ォトレジスト層４の厚さを適宜変化させることで、所望
の深さのプリグルーブ15及びプリピット16を形成するこ
とが出来るのである。
た部分では、中間層５を透過して第１フォトレジスト層
２においても露光されている。第２フォトレジスト層４
が除去され且つその下の中間層５も除去された後、露光
された第１フォトレジスト層２もアルカリ現像液に接触
して、除去されるのである。上記の如く、プリグルーブ
15の深さは、第２フォトレジスト層４の厚さと中間層３
の厚さの和となる。また、プリピット16の深さは、プリ
グルーブ15の厚さと第１フォトレジスト層２の厚さの和
となる。すなわち、第１フォトレジスト層２及び第２フ
ォトレジスト層４の厚さを適宜変化させることで、所望
の深さのプリグルーブ15及びプリピット16を形成するこ
とが出来るのである。
【００１８】さらに、80℃程度の温度で熱処理（ポスト
ベーク）を行うと、深さの異なるプリピット及びプリグ
ルーブを有する光ディスク原盤が作成できるのである。
光ディスク原盤を転写したスタンパをニッケル電鋳法な
どを用いて作成して、樹脂成形を行うと、光ディスク原
盤を複製した光ディスク基板が作成できるのである。さ
らに、プリピット及びプリグルーブを形成した基板上に
は、色素記録膜及び相変化記録膜などが設けられて、ユ
ーザ側において情報記録可能な光ディスクが作成される
のであるが、ここでは詳述しない。
ベーク）を行うと、深さの異なるプリピット及びプリグ
ルーブを有する光ディスク原盤が作成できるのである。
光ディスク原盤を転写したスタンパをニッケル電鋳法な
どを用いて作成して、樹脂成形を行うと、光ディスク原
盤を複製した光ディスク基板が作成できるのである。さ
らに、プリピット及びプリグルーブを形成した基板上に
は、色素記録膜及び相変化記録膜などが設けられて、ユ
ーザ側において情報記録可能な光ディスクが作成される
のであるが、ここでは詳述しない。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、煩雑な工程をともなう
ことなく、正確な深さに形成されたプリピット及びプリ
グルーブを有する光ディスクを得ることが出来るのであ
る。
ことなく、正確な深さに形成されたプリピット及びプリ
グルーブを有する光ディスクを得ることが出来るのであ
る。
【図１】従来における未露光の原盤にレーザ光を照射し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図２】従来における未露光の原盤にレーザ光を照射し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図３】本発明による未露光の原盤にレーザ光を照射し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図４】本発明による露光された原盤の現像途中におけ
る状態を示す断面図である。
る状態を示す断面図である。
【図５】本発明による光ディスク原盤を示す断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 第１フォトレジスト層 ３、５ 中間層 ４ 第２フォトレジスト層 10a、10b レーザ光 15 プリグルーブ 16 プリピット
フロントページの続き (72)発明者 福岳 悟 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニア 株式会社内 Ｆターム(参考） 5D121 AA02 BA03 BB03 BB04 BB07 BB22 BB23 BB26
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板の上に第１フォトレジスト層
を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層の上に中
間層を形成する工程と、前記中間層の上に第２フォトレ
ジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層
及び前記第２フォトレジスト層を強度変調したレーザ光
を照射して露光する工程と、露光された前記第１フォト
レジスト層及び前記第２フォトレジスト層を現像する工
程と、を含む異なる深さのプリピット及びプリグルーブ
を有する光ディスクの製造方法であって、 前記中間層は、水溶性若しくはアルカリ可溶性であって
且つ前記レーザ光に対して半透明であることを特徴とす
る光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記中間層は、水溶性の光退色性色素膜
からなることを特徴とする請求項１記載の光ディスクの
製造方法。 - 【請求項３】 前記中間層は、アルカリ可溶性の金属薄
膜からなることを特徴とする請求項１記載の光ディスク
の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属薄膜は、アルミニウムからなる
ことを特徴とする請求項３記載の光ディスクの製造方
法。 - 【請求項５】 ガラス基板の上に第１フォトレジスト
層、中間層、第２フォトレジスト層を順に積層した構造
を有する光ディスク原盤であって、 前記中間層は、水溶性若しくはアルカリ可溶性であって
且つ前記レーザ光に対して半透明であることを特徴とす
る光ディスク原盤。 - 【請求項６】 前記中間層は、水溶性の光退色性色素膜
からなることを特徴とする請求項５記載の光ディスク原
盤。 - 【請求項７】 前記中間層は、アルカリ可溶性の金属薄
膜からなることを特徴とする請求項５記載の光ディスク
原盤。 - 【請求項８】 前記金属薄膜は、アルミニウムからなる
ことを特徴とする請求項７記載の光ディスク原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000033503A JP2001229580A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 光ディスクの製造方法及びその原盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000033503A JP2001229580A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 光ディスクの製造方法及びその原盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001229580A true JP2001229580A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18557977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000033503A Pending JP2001229580A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 光ディスクの製造方法及びその原盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001229580A (ja) |
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2000
- 2000-02-10 JP JP2000033503A patent/JP2001229580A/ja active Pending
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