JPS58177538A - 光学的記録原盤 - Google Patents
光学的記録原盤Info
- Publication number
- JPS58177538A JPS58177538A JP57059074A JP5907482A JPS58177538A JP S58177538 A JPS58177538 A JP S58177538A JP 57059074 A JP57059074 A JP 57059074A JP 5907482 A JP5907482 A JP 5907482A JP S58177538 A JPS58177538 A JP S58177538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- generating layer
- gas
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は情報信号により変調された光ビームで記録され
ると同時に再生可能なる光学的記録原盤の改良に関する
。
ると同時に再生可能なる光学的記録原盤の改良に関する
。
従来の、この種光学的記録記録原盤には、第１図の（イ
）で示すように光学ｆｉｉ磨したガラス等の基＆Ａ上に
フォトレジストＢを塗布した構造であって、該フォトレ
ジストＢに光ビームＣのスポットを照射して、同図の（
ロ）で示すように現像優、基板Ａ上に突起りを形成する
ようにしたものがあるが、該突起りは記録直後には潜像
であるために同時再生が不可能であった。
）で示すように光学ｆｉｉ磨したガラス等の基＆Ａ上に
フォトレジストＢを塗布した構造であって、該フォトレ
ジストＢに光ビームＣのスポットを照射して、同図の（
ロ）で示すように現像優、基板Ａ上に突起りを形成する
ようにしたものがあるが、該突起りは記録直後には潜像
であるために同時再生が不可能であった。
また、第２図の（イ）で示すように、記録原盤として基
板Ａ上にニトロセルロースや低融点金属等の昇華性物質
Ｅを塗布した構造のものがあり、光ビームＣのスポット
を照射して、同図の（ロ）で示すように、基板Ａ上にビ
ットＦを形成するようにしたものがある。しかし、この
記録原盤では記録と同時に再生可能であるが、昇華しな
い不純物ＧがピットＦ面に付着したり、ビットＦのふち
Ｆａが盛り上るなど再生性能に問題があった。
板Ａ上にニトロセルロースや低融点金属等の昇華性物質
Ｅを塗布した構造のものがあり、光ビームＣのスポット
を照射して、同図の（ロ）で示すように、基板Ａ上にビ
ットＦを形成するようにしたものがある。しかし、この
記録原盤では記録と同時に再生可能であるが、昇華しな
い不純物ＧがピットＦ面に付着したり、ビットＦのふち
Ｆａが盛り上るなど再生性能に問題があった。
更に他の記録原盤として、第３図の（イ）で示すように
基板Ａ上に光反射層Ｈと、光透過層Ｉと、光吸収層Ｊと
を順次、設けた３層構造のものがある。ここで、上記の
光透過層Ｉは光吸収層Ｊを構成する材料の融点より、少
くとも３００℃低い温度で融解、分解又は昇華する有機
材料から構成されている。そして、記録に際し照射され
た光ビームＣは光吸収層Ｊで吸収され、光透過ｍｌを融
解、分解又は昇華して、同図の（目）で示すように光吸
収層Ｊを押し上けることにより気泡にの形で記録される
。尚、光反射層Ｈは光ご−ムＣを反射づることによって
記録原盤の感度を高める。しかし、この記録原盤は３層
構造という複雑な構造のために製造工程も多く、コスト
も轟くなる等の欠点があった。
基板Ａ上に光反射層Ｈと、光透過層Ｉと、光吸収層Ｊと
を順次、設けた３層構造のものがある。ここで、上記の
光透過層Ｉは光吸収層Ｊを構成する材料の融点より、少
くとも３００℃低い温度で融解、分解又は昇華する有機
材料から構成されている。そして、記録に際し照射され
た光ビームＣは光吸収層Ｊで吸収され、光透過ｍｌを融
解、分解又は昇華して、同図の（目）で示すように光吸
収層Ｊを押し上けることにより気泡にの形で記録される
。尚、光反射層Ｈは光ご−ムＣを反射づることによって
記録原盤の感度を高める。しかし、この記録原盤は３層
構造という複雑な構造のために製造工程も多く、コスト
も轟くなる等の欠点があった。
そこで、本発明は上記のような火熱を解決しようとする
もので、基板上に光ビームの照射によりガスを発生する
ガス発生層と、該ガス発生層により押し上げられて突起
を形成する有機材料からなる突起発生層とを設けること
によって、構造が簡単で感度が良く、記録と同時に再生
可能なこと等を目的とした光学的記録原盤を提供するも
のである。
もので、基板上に光ビームの照射によりガスを発生する
ガス発生層と、該ガス発生層により押し上げられて突起
を形成する有機材料からなる突起発生層とを設けること
によって、構造が簡単で感度が良く、記録と同時に再生
可能なこと等を目的とした光学的記録原盤を提供するも
のである。
以下、本発明を図面の実施例に基づいて説明すると、第
４図の（イ）は本発明に係る記録原盤の一寅脆例を示す
記録時の断面図で、同図の（ロ）は同配録後の状態を示
す断面図である。
４図の（イ）は本発明に係る記録原盤の一寅脆例を示す
記録時の断面図で、同図の（ロ）は同配録後の状態を示
す断面図である。
上記の図面において、１は光学研磨されたガラス、ポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、塩化ビニー
ル等の基板である。この基板１の上には先ずガス発生Ｉ
２がスピンコード法等により塗布して設けられ、次いで
、ガス発生層２の乾燥後に同発生ｌｉ２上に突起形成層
３が、上記と同様の塗布方法で設けられている。
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、塩化ビニー
ル等の基板である。この基板１の上には先ずガス発生Ｉ
２がスピンコード法等により塗布して設けられ、次いで
、ガス発生層２の乾燥後に同発生ｌｉ２上に突起形成層
３が、上記と同様の塗布方法で設けられている。
ここで、ガス発生層２と突起形成層３との第１の実施例
としては、ガス発生層２には分解温度が低く、基板１と
及び突起形成層３との付着力が強い材料を用い、突起形
成層３には有ｔａ材料を用いる。尚、口の有機材料とし
ては高融点及び＾延性で付着りが強く、光吸収性あるい
は光透過性の８いものが望ましいが、溶媒に解けないテ
フロン、ポリエチレン、ポリスチレン等の数種類を除く
と、はとんどの高分子材料が使用できる。
としては、ガス発生層２には分解温度が低く、基板１と
及び突起形成層３との付着力が強い材料を用い、突起形
成層３には有ｔａ材料を用いる。尚、口の有機材料とし
ては高融点及び＾延性で付着りが強く、光吸収性あるい
は光透過性の８いものが望ましいが、溶媒に解けないテ
フロン、ポリエチレン、ポリスチレン等の数種類を除く
と、はとんどの高分子材料が使用できる。
次に、第２の実施例としては、ガス発生層２と突起形成
層３とに夫々別種類の有機材料を用いる。
層３とに夫々別種類の有機材料を用いる。
そして、突起形成層３の有機材料としては前記の実施例
のものと同じであるが、ガス発生層２の有機材料として
は低温で分解、融解あるいは昇華し、基体１及び突起形
成層３との付着力が強いものが望ましく、たとえばポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、ニトロセル
ロール、塩化ビニール等である。尚、ガス発生層２の透
明度は問わない。
のものと同じであるが、ガス発生層２の有機材料として
は低温で分解、融解あるいは昇華し、基体１及び突起形
成層３との付着力が強いものが望ましく、たとえばポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、ニトロセル
ロール、塩化ビニール等である。尚、ガス発生層２の透
明度は問わない。
次に、と・ｌｅ実施例の記録原盤を用いた記録作用につ
いて説明する。先ず、第４図の（イ）で示すように、情
報信号に応じて変調された光ビーム４を記録原“盤上に
照射すると、ガス発生層２の温度が分解、融解あるいは
昇華してガスを発生し、このガスにより同図の（ロ）で
示すように突起形成層３を押し上げて突起５を形成する
ことにより配録が完了する。
いて説明する。先ず、第４図の（イ）で示すように、情
報信号に応じて変調された光ビーム４を記録原“盤上に
照射すると、ガス発生層２の温度が分解、融解あるいは
昇華してガスを発生し、このガスにより同図の（ロ）で
示すように突起形成層３を押し上げて突起５を形成する
ことにより配録が完了する。
更に、第３の実施例としては、ガス発生層２には前記の
実施例と同様の有機材料を用いるが、突起形成層３には
一般の半導体製造や光記録原盤に用いられているポジ型
又はネガ型の７オトレジストをスピンコード法等により
塗布して設ける。
実施例と同様の有機材料を用いるが、突起形成層３には
一般の半導体製造や光記録原盤に用いられているポジ型
又はネガ型の７オトレジストをスピンコード法等により
塗布して設ける。
ここで、上記の３実施例の効果について述べると、第１
実施例では突起形成層３を延性の大きな有機材料で形成
したので、少量のガス発生であっても効率よく突起５が
形成され、感度が向上する。
実施例では突起形成層３を延性の大きな有機材料で形成
したので、少量のガス発生であっても効率よく突起５が
形成され、感度が向上する。
また、スピンコード法等の塗布法は一般に金属を付着す
る真空蒸着法等に比較しＣ装置の価格、運用費が大幅に
安いため製造コストが低くてすむ。
る真空蒸着法等に比較しＣ装置の価格、運用費が大幅に
安いため製造コストが低くてすむ。
又、第２実施例によれば、ガス発生層２及び突起形成Ｍ
３を夫々別種類の有機材料により形成したので、上記実
施例の２乗効果が得られると共に、製造コストが大幅に
低下する。
３を夫々別種類の有機材料により形成したので、上記実
施例の２乗効果が得られると共に、製造コストが大幅に
低下する。
更に、第３の実施例では突起形成層３をフォトレジスト
としたことによって、第２実施例と同様の効果をもつと
共に、記録中は突起５によって記録信号を同時に再生す
ることができ、記録後には現像処理を行うことにより、
従来の７ォトレジスト記録と全く同じビットを得ること
ができる。
としたことによって、第２実施例と同様の効果をもつと
共に、記録中は突起５によって記録信号を同時に再生す
ることができ、記録後には現像処理を行うことにより、
従来の７ォトレジスト記録と全く同じビットを得ること
ができる。
尚、上記の各実施例はガス発生層２と突起形成層３との
２層構造であるが、第５図及び第６図の実施例で示すよ
うに、基板１とカス発生層２との間、あるいはガス発生
層２と突起形成層３との間に、これらの材料の付着力を
向上させるバインダ一層６を設けて３層構造としてもよ
い。
２層構造であるが、第５図及び第６図の実施例で示すよ
うに、基板１とカス発生層２との間、あるいはガス発生
層２と突起形成層３との間に、これらの材料の付着力を
向上させるバインダ一層６を設けて３層構造としてもよ
い。
又、他の３層構造として、第７図で示すように突起形成
１１３上に記録感痩が著しく低−トしない程度の厚さに
設けて、同時再生を行う際の再生光を効率的に反射させ
るように構成してもよい。
１１３上に記録感痩が著しく低−トしない程度の厚さに
設けて、同時再生を行う際の再生光を効率的に反射させ
るように構成してもよい。
本考案は叙上のように、情報記録に応じて変調された光
ビーム４の照射により基板ＩＶのガス発生層２が加熱さ
れてガスを発生し、このガスによりガス発生層２を覆う
突起形成層３を押し上げＣ突起５が形成されるようにし
た光学的記録原盤において、上記の突起形成層３を有機
材料で形成したので、構造が単純となり、低コストて゛
記録と再生とを同時的に行うことができる。
ビーム４の照射により基板ＩＶのガス発生層２が加熱さ
れてガスを発生し、このガスによりガス発生層２を覆う
突起形成層３を押し上げＣ突起５が形成されるようにし
た光学的記録原盤において、上記の突起形成層３を有機
材料で形成したので、構造が単純となり、低コストて゛
記録と再生とを同時的に行うことができる。
第１図の（イ）、（Ｏ）、第２図の（イ）、（ロ）、第
３図の（イ）、（Ｄ）は夫々従来例の光学的配録原盤の
異種例を示す断面図で、（イ）は記録中を（ロ）は記録
後を示す。第４図の（イ）は本考案に係る光学的配録原
盤の一実施例を示す記録中の断面図で、同図の（ロ）は
同記録後の断面図、第５図乃至第７図は夫々他実施例の
光学的記録原盤を示す記録前の断面図である。 １・・・基板、２・・・ガス発生層、３・・・突起形成
層、４・・・光ビーム、５・・・突起。
３図の（イ）、（Ｄ）は夫々従来例の光学的配録原盤の
異種例を示す断面図で、（イ）は記録中を（ロ）は記録
後を示す。第４図の（イ）は本考案に係る光学的配録原
盤の一実施例を示す記録中の断面図で、同図の（ロ）は
同記録後の断面図、第５図乃至第７図は夫々他実施例の
光学的記録原盤を示す記録前の断面図である。 １・・・基板、２・・・ガス発生層、３・・・突起形成
層、４・・・光ビーム、５・・・突起。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）情報信号に応じて変調された光ビームの照射により
基板上のガス発生層が加熱されてガスを発生し、このガ
スによりガス発生層を覆う突起形成層を押し上げて突起
が形成されるようにした光学的記録原盤において、上記
の突起形成層を有機材料により形成した光学的記録原盤
。 ２）ガス発生層と突起形成層とを夫々別種類の有機材料
で形成してなる特許請求の範囲第１項記載の光学的記録
原盤。 ３）突起形成層を後処理によって新たにレリーフを形成
することのできるフォトレジストで形成した特許請求の
範囲第１項及び第２項記載の光学的記録原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059074A JPS58177538A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 光学的記録原盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059074A JPS58177538A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 光学的記録原盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177538A true JPS58177538A (ja) | 1983-10-18 |
Family
ID=13102836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57059074A Pending JPS58177538A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 光学的記録原盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119549A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 情報記録用部材 |
| US5161134A (en) * | 1989-06-29 | 1992-11-03 | Digital Equipment Corporation | Method for increasing linear bit density in magneto-optical storage media |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135503A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Sony Corp | Information recording media production method |
| JPS56111134A (en) * | 1980-01-23 | 1981-09-02 | Thomson Csf | Thermal and optical information writing process and information holder therefor |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57059074A patent/JPS58177538A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135503A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Sony Corp | Information recording media production method |
| JPS56111134A (en) * | 1980-01-23 | 1981-09-02 | Thomson Csf | Thermal and optical information writing process and information holder therefor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119549A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 情報記録用部材 |
| US5161134A (en) * | 1989-06-29 | 1992-11-03 | Digital Equipment Corporation | Method for increasing linear bit density in magneto-optical storage media |
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