JPS6318534A

JPS6318534A - 高密度記録媒体

Info

Publication number: JPS6318534A
Application number: JP61161732A
Authority: JP
Inventors: Mitsuo Saito; 光雄斎藤
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1986-07-09
Filing date: 1986-07-09
Publication date: 1988-01-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の分野］本発明は、ヒートモード記録媒体に関するものである。

さらに詳しくは本発明は、高エネルギー密度のレーザー
ビームを用いて情報の書き込みおよび／または読み取り
ができる高害度記録媒体に関するものである。

［発明の技術的背景および従来技術］近年、レーザービームを高パワー密度のスポットに集束
させて記録媒体を照射し、記録媒体の一部を選択的に融
解、蒸発、除去、および／または変形させて情報の記録
を行なうヒートモードのレーザー記録方式は多くの優れ
た特徴を有する新しい記録方式として注目を浴びている
。

上記の記録方式は、特に加熱現像、定着などの後処理お
よび処理液を必要としないリアルタイムの記録方式であ
ること、極めて高解像の高コントラストの画像を形成し
得ること、記録媒体は室内光には感光せず、暗室操作が
不要であること、伝送されてくる時系列信号などの電気
信号の記録に適していること、後からの情９報の追加、
即ちアドオンが回旋であることなどの利点を有するとこ
ろから、たとえば、ビデオディスク、オーディオディス
クなどの光ディスク、更には大容量静止画像ファイル、
大容量コンピュータ用ディスク・メモリー、マイクロ画
像記録媒体、超マイクロ画像記録媒体、ＣＯＭ、マイク
ロファクシミリ、写真植字用原板等として使用され、あ
るいは使用が検討されている。

上記の記録方式に用いられる記録媒体は、基本構造とし
てプラスチック、ガラス等からなる透明基板と、この上
に設けられたＢｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｅ他の金属または半
金属、あるいは色素などの記録材料からなる連続膜とし
て形成された記録層とを有する。また、通常の記録媒体
は、基板と記録層との間に、それら各層間の接着性の向
上、記録感度の向上、記録層の汚染防止などの機能を有
する中間層（あるいは下塗層）を備えることもある。

また、最近では記録層を保護するためのディスク構造と
して、二枚の円盤状基板から構成し、そのうちの少なく
とも一枚の基板上に記録層を設け、この二枚の基板を記
録層が内側に位置し、かつ閉空間を形成するようにリン
グ状内側スペーサとリング状外側スペーサとを介して接
合してなるエアーサンドイッチ構造が提案されている。

このような構造を有する記録媒体では、記録層が直接外
気に接することなく、情報の記録、再生は基板を透過す
るレーザー光で行なわれるために、記録層が物理的また
は化学的な損傷を受けたり、あるいはその表面に塵埃が
付着して情報の記録、再生の障害となることがないとの
利点を有する。

記録媒体への情報の書き込みは、レーザービームをこの
記録媒体の記録層に照射することにより行なわれ、記録
層の被照射部分がそのエネルギーを吸収して局所的に温
度上昇する結果、物理的あるいは化学的な変化を生じ、
その光学的特性を変えねる。このような特性変化領域（
一般に絵素と呼ばれる）が形成され、これにより情報が
記録される。

記録媒体からの情報の読み取りもまた。レーザービーム
を記録媒体の記録層に照射することにより行なわれ、記
録層の絵素の光学的特性の変化に応じた反射光または透
過光を検出することにより情報が再生される。

近年、上記のような記録媒体に、従来にも増し　　゛て
高い密度の記録を、高い感度にて行なうことへの要求が
高まり、そのための研究が行なわれている。しかしなが
ら、これまでに知られている連続膜からなる記録層では
、記録感度を高める（即ち、低エネルギーでの記録を可
使とするようにする）ためには記録密度を犠牲にしなく
てはならないとの問題がある。すなわち、連続膜からな
る記録層に高感度の記録を行なおうとすれば、記録層の
材料を低エネルギーのレーザービーム照射でその特性変
化が発生しやすいようにしなければならないが、この場
合には、レーザービーム被照射領域以外の周辺部分も特
性変化を起しやすくなるため、絵素間を充分な間隔で分
離しなくてはならず、このため記録密度が減少すること
になる。

また、記録膜に用いられる材料は低熱伝導率の材料とい
う条件が課せられ、記録膜材料の選択幅が狭くなるとい
う不都合も生じている。

従って、従来の記録媒体では記録密度の向上と記録感度
の向上の両者を共に実現させることは困難であった。

［発明の構成］本発明は、記録密度の向上と記録感度の向上の両者を共
に実現させた記録媒体を提供することを主な目的とする
ものである。

本発明は、基板上に、レーザーによる情報の書き込みお
よび／または読み取りが可能な記録層を有する記録媒体
において、該記録層が該記録層の材料よりも熱伝導率の
低い材料を介して絵素毎に実質的に分割されていること
を特徴とする高密度記録媒体からなる。

ここで実質的とは、絵素間が完全に分離されているか、
あるいは絵素間が絵素部の記録層より薄膜の記録層材料
膜（膜厚か絵素部の記録層の膜厚のｌ／２以下）により
接続状態にある状態を意味する。

次に、本発明の高密度記録媒体について添付図面を参照
しながら詳しく説明する。

本発明の高密度記録媒体の好ましい態様としては、第１
ａ図に示されているような、各絵素の記録層１１が、基
板１２の表面に備えられた断熱性材料（断熱材、あるい
は記録層の材料よりも熱伝導率が低い材料）１３を介し
て分割されている態様、もしくは第１ａ図の態様におけ
る絵素間部の上にも記録層が設けられた第１ｂ図の態様
を挙げることができる。

本発明において使用する基板は、従来の記録媒体の基板
として用いられている各種の材料から任意に選択するこ
とができる。基板の光学的特性、平面性、加工性、取扱
い性、経時安定性および製造コストなどの点から、基板
材料の例としては化学強化ガラス等のガラス：セルキャ
ストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリメチルメ
タクリレート等のアクリル樹脂：ポリ塩化ビニル、塩化
ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂：ポリエチレンテ
レフタレートなどのポリエステル：およびポリカーボネ
ートを挙げることができる。

上記の記録層が、基板表面に備えられた断熱材を介して
分割されている高密度記録媒体は、たとえば、第２図に
示したような工程を経て製造することができる。

すなわち、（１）まず、表面を研磨、洗浄したガラス円盤２１を調
製する。

（２）ガラス円５１２１の上にフォトレジスト層もしく
は電子ビームレジスト層２２を形成する。

（３）フォトレジスト層２２の上にマイクロセルパター
ン（半導体のＶＬＳＩ工程で用いられるクロムマスク等
を用いることができる。）を載せて光を照射してフォト
レジストＭ２２の部分的硬化を発生させたのち、現像す
る方法、あるいは電子ビームレジスト層に電子ビーム照
射し、現像する方法などを利用してマイクロセルパター
ンに対応したパターン化フォトレジスト層２３を形成す
る。

（４）該レジストパターンの全表面上にニッケルなどの
導電性材料の蒸着１１２４を形成し、表面を導電性にす
る。

（５）パターン化レジスト層２３の蒸着膜２４の上に、
同様な導電性の金属材料（例、ニッケル）を電気分解メ
ッキして、金属層２５を形成する。

（６）パターン化レジスト層２３を剥離、除去して、金
属層からなるマスター（母型）２５ａを得る。

（７）マスター２５ａの凹部が形成されている側の表面
に、断熱性材料の層２６と基板２７を積層する。この際
、断熱性材料の層２６は、紫外線硬化型樹脂などのよう
な反応性化合物をマスター表面に塗布し、その上に基板
を重ね、これに紫外線を照射するなどの操作を施して樹
脂を硬化させる。なお、断熱性材料の層の形成に際して
は、下記（８）の工程において行なう断熱性材料層２６
の、マスター２５ａからの剥離を容易にするために、マ
スターの表面にニトロセルロースなどの剥離剤を塗布し
ておくことも有用である。

（８）マスター２５ａを断熱性材料層２６から剥離、除
去して、基板２７の表面に断熱性材料からなる障！！！
２８　ａにより凹部２８（マイクロセルともいう）が形
成された積層体を得る。

（９）積層体のマイクロセル側の表面に、公知の蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティングなどの方法を利
用し、あるいは公知の塗布法により記録層２９、例えば
（Ｔ　ｅ　ａ２Ｓ　ｅ　ｓａ）　Ｐ　ｂの層を付設して
、第１ｂ図に示した構成の高密度記録媒体を得る。

（ｌＯ）絵素間部上の記録層を除去し、第ｉ。

図に示した構成の高密度記録媒体を得る。記録層が塗布
物（例えば昇華性色素など）の場合は、塗布後、エアー
ナイフで除去てきるし、真空蒸着物の場合には１表面の
削除により、削除することができる。

なお、上記の方法によって、断熱性材料からなる障Ｈ／
ｌ　２６　ａの上部に形成される同じ記録材料からなる
層２９ａは、第１ｂ図に示されるごとくそのまま残して
もよく、あるいは除去してもよい。

除去を行なわない場合は、記録層２９と障壁の上部に形
成される層２９ａとは接続していないことが望ましいが
、その居間の熱伝導性が実質的に低減している限り、８
１１１部分を介して接続していてもよく、この場合も実
質的に分離しているということができる。

その他の、マイクロセルの形成方法については、特願昭
６１−３４１３２号、特願昭６０−１７６３９４号、米
国特許４３７５５０７号、ＥＰ００５８５６８号などの
明細書の記載を参考にすることができる。

主なマイクロセルの形成方法としては１次の三つの方法
を挙げることができる。

（１）型どり加工法第２図の方法等でマスターの金型を作り、その凹凸パタ
ーンを断熱材料層へ転写するもので、前記のごとく、紫
外線硬化樹脂を用いる方法の他、射出成形法（日本写真
学会サマーセミナー資料、４１頁（１９８５）等の記載
を参考にすることができる。）、エンボス加工法（米国
特許４３７５５０７号の記載を参考にすることができる
）がある。

（２）フォトレジスト法、基板上にフォトレジスト剤を塗布し、露光と現像により
マイクロセルを形成する方法。

（３）７オトレジスト加工法被加工材面上にフォトレジスト剤を塗布、バターニング
露光、現像し、生成したフォトレジストパターンをマス
クにして被加工材料をトライエッチ（ＲＩＥ法等の異方
性エツチング法や円筒管型トライエツチング法のごとき
等方性エツチング法）もしくはウェットエッチする。

すなわち、上記（１）、（２）、（３）の方法を適宜用
いることができる。

記録層の形成に用いられる材料は無機材料記録層、有機
材料記録層のいずれでもよく、例えば、Ｔｅ、Ｚｎ％　
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ａｌｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ａｕ、
Ｐｔ等の金属；Ｂｉ、Ａｓ、ｓｂ等の半金属；Ｇｅ、Ｓ
ｉ等の半導体：およびこれらの合金またはこれらの組合
せを挙げることができる。また、これらの金属、半金属
または半導体の硫化物、酸化物、ホウ化物、ケイ素化合
物、炭化物および窒化物等の化合物：およびこれらの化
合物と金属との混合物も記録層に用いることができる。

あるいは、色素と重合体との組合せを利用することもで
きる。

記録層は単層または重層でもよいが、その層厚は、光情
報配備に要求される光学濃度の点から一般にｌＯＯ乃至
５５００　の範囲であり、好ましくは１５０〜１０００
　の範囲である。

なお、用いられる記録層は、記録方式により、下記のよ
うに分類することができる。

（１）穴形成を利用する記録方式のための記録層（溶融
開孔型記録層）；（２）非晶質−結晶質間の相転移を利用する記録方式の
ための記録層（相変態型記録層）；（３）非晶質垂直磁
化膜の磁化反意作用を利用する記録方式のための記ｊｉ
層（光磁気記録層）これらの記録方式と各方式に用いら
れる記録材料ニツイテは、ＭＯＬ、２４．２９〜３５（
１９８６）１日本写真学会サマーセミナー資料、４１〜
５２頁（１９８５）、　　日経エレクトロニクス。

１９８３年１１月２１日号、１８９〜２１３頁、ビデオ
ディスク、エフレム・シーゲル著、関祥行監訳、アスキ
ー出版（１９８１）の記載を参考にすることができる。

本発明は、これらのいずれの記録方式に用いる記録媒体
に対しても適用できる。

断熱性材料層を形成する材料は、記録層の形成材料より
も熱伝導率が低い限り特に限定はない。

たとえば、熱伝導率が１０Ｗ／　（ｍ−’Ｋ）より小さ
い（好ましくは１．０Ｗ／　（ｍ−”Ｋ）より小さい）
材料が用いられる。そのような材料の例としては有機高
分子材料およびセラミック材料および気体などを挙げる
ことができる。さらに具体的には、前記の基板の材料と
して例示した各種の材料を挙げることができる。断熱性
材料の他の例は。

「化学便覧・改訂３版、第５章、第１Ｏ章」（丸善縛）
を含む多数の成書に記載がある。マイクロセル（凹部）
の深さは０．０６〜ｉｏｐｍの範囲にあることが好まし
い、また、各マイクロセルの開口面積は０．１６〜２８
１Ｌｒｎ’の範囲にあることが好ましい。マイクロセル
の深さと開口面積の比（深さ／開口面ａ）は５〜０．２
であることが、均一な記録層を形成するために好ましい
。

隣接するマイクロセル間の間隔は、０．０６〜ｌＯＪＬ
ｍの範囲にあることが好ましい、また。

マイクロセル開口部の総面積は基板の表面積の３０〜９
５％の範囲にあることが好ましい。

マイクロセルの開口部の形状は特に限定されるものでは
なく、三〜十角系のような多角形、円形、楕円形などの
任意の形状をとることができる。

マイクロセルの深さ方向に沿う断面の形状としては、四
角形１台形、半円、もしくはそれらが変形された形状の
ものを挙げることができる。

断面形状が台形、半円、もしくはそれらが変形された形
状のものは、たとえば、第３図に示したような工程を経
て製造することがてきる。

すなわち。

（１）まず、表面を研磨、洗浄した支持体３１の上にア
ルミニウム蒸着層３２、プラスチック（例、ポリメチル
メタクリレート）層３３．およびアルミニウム蒸着層３
４を蒸着法と塗布法を利用して形成する。

（２）アルミニウム蒸着層３４の上にフォトレジスト層
を形成し、その上にマイクロセルパターンを載せ、光も
しくは電子ビームを照射しのち現像してマイクロセルパ
ターンに対応したパターン化フォトレジスト層３５を形
成する。

（３）パターン化フォトレジスト層３５が形成された表
面から、反応性イオン“エツチング法（Ｒグを行なう。

（４）次いで、四フッ化炭素（ＣＦ、）を２モ。

ル％程度含んだ醸素ガスによる反応性イオンエツチング
法（ＲＩＥ）を利用して、プラスチック層３３．３５の
エツチングを行なうことによって、頂部にアルミニウム
蒸着層を載せ、断面形状が台形、半円、もしく゛はそれ
らが変形された形状の、規則正しく配置された多数の突
起３６を有する積層体を得る。

なお、ＲＩＥ時に側部３７の傾斜の程度を制御する方法
については、特願昭６０−１７６３９４号明細書の記載
を参考にすることができる。

上記のＲＩＥを、異方性の強い条件で行なうことにより
、断面形状が正方形、長方形のものを得ることもできる
。

その他、このように側部３７が傾斜をもつマイクロセル
の形成法については、特開昭６０−１３１６５１号公報
、特開昭６０−１３１６５２号公報の記載を参考にする
ことができる。

（５）以後は、前記の第２図の（５）以降の工程を経て
、所望の高密度記録媒体（第３ａ図）を得ることができ
る。

ここで３９ａは絵素部の２１２層を、３９ｂは断熱層を
、３９ｃは基板を示す。なお、第３ａ図中のθはθ°〜
５０＠であることが好ましい、それは５０°以上では、
真空蒸着法て記録層を付設した場合絵素間部の記録層３
９ｄの厚さが、厚くなるためである。

なお、断熱性材料層の形成をフォトレジストを用いて形
成する方法も有効である。この場合は基板上にフォトレ
ジストを塗布し、その上にマイクロセルパターンを載せ
、露光、現像することにより、断熱性フォトレジスト層
からなるマイクロセルが形成される。

なお、記録層と断熱性材料層との間には樹脂などからな
る下塗り層を設けてもよい。

また、記録層の上には、Ｉｌ械的強度の向上などの目的
で、たとえばゼラチン、ゼラチン誘導体等の天然高分子
物質；セルロース誘導体、ポリサッカライド、ラテック
ス状ビニルポリマー、エチレン・酢酸ビニル共重合体等
の合成高分子物質などからなる保護膜が設けられていて
もよい。

また、基板上にはレーザービームのトラッキング用溝や
アドレス信号等の情報を表わす凹凸が予め設けられてい
てもよい。

基板の記録層が設けられる側とは反対側９表面には、耐
傷性、防湿性などを高めるために、たとえば二酸化ケイ
素、酸化スズ、弗化マグネシウムなどの無機物質からな
る薄膜が真空蒸着、スパッタリング等により設けられて
いてもよい。

本発明の高密度記録媒体の好ましい他の態様としては、
その断面形状か第４ａ図に示された形状を有するものを
挙げることができる。ここで４１は基板、４２は断熱材
料、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄは各絵素の記録層
を示す、隣接する絵素の一方の記録層４３ａ、４３ｃが
断熱材料の凹部中に付設され、他方の記録層４３ｂ、４
３ｄが断熱材料の凸部上に付設され、実質的に互いに接
触しないように、基板面の上下方向に互いに位置がずれ
ている。

この、場合、断熱材料の凸部上に設けられた記録層４３
ｂ、４３ｃの側面部と上面は、空気という良断熱性材料
に囲まれて、絵素間が断熱されている。この場合、第４
ａ図の（ｋ）の段差が大きければ大きい程、隣接絵素間
の断熱性がよくなるが、製造性と均一膜形成の点から段
差は前記の０．０６〜ｌＯＪＬｍの範囲が好ましい。

第４ａ図、第４ｂ図の態様の場合、凹部、凸部絵素を区
別せずに信号記録に用いてもよいし、凹部の４３ａ、４
３ｃを情報信号記録用に用い、凸部の４４３ｂ、４３ｄ
をトラック信号記録に、もしくは、その逆に記録すると
いう形態で用いてもよい。

また、記録層４３ａの面、積と記録層４３ｂの面積は同
等であってもよいし、目的に応じて異なってもよい。

第４ａ図の態様の高密度記録媒体は、たとえば、前記第
２図の工程のうち工程（９）までを行なうことにより製
造することがてきる。

類似の態様として、その断面形状が第４ｂ図のものを挙
げることができる０図中の記号は第４ａ図のそれと同じ
ものを示す、ここて、θ＝０＠〜５０＠であることか好
ましい、第４ｂ図の態様の高密度記録媒体は１例えば第
３図の工程により作ることがてきる。

本発明の高密度記録媒体の好ましい他の態様としては、
第５図に示されているような、基板５１それ自体の表面
の各絵素に対応する領域に凹部５２が設けられていて、
該凹部内に各記録層５３が説けられている例を挙げるこ
とができる。このような態様の高密度記録媒体は、第２
図の高密度記録媒体と同様な方法、特に、基板材料を覆
取り加工の射出成形により成形する方法により製造する
ことができる。

本発明の高密度記録媒体の好ましい他の態様としては、
第６図に示されているような、基板６１の表面に各絵素
に対応する領域６２ａ、６２ｂ。

６２ｃ、６２ｄが平面的には連続的に、かつ互いに隣接
する二個の絵素領域の一方が凹部６２ａ、６２ｃとして
、他方が凸部６２ｂ４６２ｄとして形成されていて、各
絵素領域に、隣接する各記録層６３ａ、６３ｂ、６３ｃ
、６３ｄが実質的に互いに実質的に接触しないように基
板面の上下方向に互いに位ｎがずれて設けられている態
様を挙げることかできる。

第６図の態様の高密度記録材料は、たとえば前記第４図
の態様の高密度記録材料の製造方法（第２図参照）に準
じた製造方法により製造することがてきる。

なお、第６図の態様において、記録層６３ａ、６３ｂ、
６３ｃ、６３ｄは全て実質的に同一の径（あるいは同一
の輻）を有していてもよく、目的に応じて異なってもよ
い。

本発明の高密度記録媒体の好ましい他の態様としては、
第７図に示されているような、記録層７１が、空気層７
２を介して分割されている態様を挙げることができる。

このような態様の記録層は、たとえば、基板とフォトレ
ジスト層とを利用して第２図の工程（１）〜工程（３）
を行なったのち、そのフォトレジストパターン面に記録
層を形成し、次いでフォトレジストパターンを溶出など
の方法で除去するような操作を利用して形成することが
できる。あるいは、基板表面に形成した記録層をパター
ンエツチングする方法を利用することもできる。

なお、本発明の高密度記録媒体は、貼り合わせタイプの
形態にあってもよく、このタイプの記録媒体は、上記構
成を有する二枚の基板を接着剤等を用いて接合すること
により製造するこＡ　６＜できる。また、エアーサンド
イッチタイプの記録媒体においては、二枚の円盤状基板
のうちの少なくとも一方か上記構成を有する基板を、リ
ング状の外側スペーサと円盤状内側スペーサとを介して
接合することにより製造することができる。

あるいは、ポリエステル薄膜などからなる可撓性支持体
上に中間層を設け、さらに記録層と保護層とを設けるこ
とによりウェブ状のレーザー記録媒体を得ることもでき
る。

［発明の効果］（１）本発明の記録媒体ては、記録層が該記録層の材料
よりも熱伝導率が低い材料（断熱性材料）を介して絵素
毎に実質的に分割されていることから、絵素間の熱伝導
が顕著に低減するため、記Ｒ密度の増加が容易に実現し
、また高感度にした場合でも記録密度の低下を伴なうこ
とがない。

（２）さらに、第１図および第５図に示したような態様
の記録媒体では、記録層が断熱材によって囲まれている
ため、各ビットに照射された熱エネルギーがそのビット
の記録層の熱的状態変化に有効に使われることになり、
これによっても記録層の感度の向上が実現する。

（３）従来の連続膜型の記録材料ては、記録層を通して
の熱伝導が大きいために、記録層には、低熱伝導率な材
料という制約があったが１本発明の方法では、この制約
が実質的になくなるために、記録層材料の選択幅がより
広くなる。

（４）従来の連続膜方式の場合、記録時のレーザー光の
パワーがばらついた時、穴形成の穴の大きさなどの記録
層の熱変化領域の大きさが変゛化する。また、記録層自
身に欠陥があったり、膜厚にばらつきがある場合は、１
ビツト領域に熱変化に必要なエネルギーが場所により異
なり、記録層の熱変化鎖環の大きさが変化したり、熱変
化領域の形状がばらついたりする。これがビットエラー
を生じさせる原因の一つになっているが、本発明の記録
層の１ビツトの大きさは、マイクロセルの大きさにより
規定されており、記録層の熱変化領域の大きさと形状は
それによって規定されている。

従って、レーザーパワーのばらつきや、′記録層の欠陥
や膜厚のばらつき等に−よる影響を受は難く、ビットエ
ラー率が低いという特徴をもつ。

即ち、従来方式の記録層材料の条件としては、（１）低
融点、低沸点、（２）低熱伝導率。

（３）高い光吸収率、（４）穴の形状か整うこと、の条
件があるが、本発明の高密度記録媒体を用いれば、（２
）、（４）の条件が大きく緩和されるという特徴をもつ
。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は、本発明の高密度記録媒体の好ましい態様の
例を示す図である。第１ｂ図は、本発明の高密度記録媒体の好ましい態様の
他の例を示す図である。第２図と第３図は１本発明の高密度記録媒体の製造工程
の例を示す工程図である。第３ａ図、第４ａ図、第４ｂ図、第５図仕、第６図、お
よび第７図は、それぞれ本発明の高密度記録媒体の好ま
しい態様の例を示す図である。１１：記録層、１２：基板、１３：断熱材２１ニガラス
円盤、２２：フォトレジスト層２３：パターン化フォト
レジスト層。２４：蒸着膜、２５：金属屑２５ａ：マスター（母型）２６：断熱性材料の層、２６ａ：障壁２７二基板、２８：凹ｆｆＢ（マイクロセル）２９：記
録層、２９ａ：記録材料からなる層３１：支持体、３２
ニアルミニウム蒸着層３３ニブラスチック層３４ニアルミニウム蒸着層３５：パターン化フォトレジスト層３６：突起３９ａ：絵素部の記録層、３９ｂ＝断熱層３９ｃ：基板
、３９ｄ：絵素部間の記録層４１：基板４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ：記録層５１：基板、
５２：凹部、５３：記録層６１：基板、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ：各絵素に対応する領域６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ：記録層７１：記録層
、７２：空気層

Claims

【特許請求の範囲】１。基板上に、レーザーによる情報の書き込みおよび／
または読み取りが可能な記録層を有する記録媒体におい
て、該記録層が該記録層の材料よりも熱伝導率の低い材
料を介して絵素毎に実質的に分割されていることを特徴
とする高密度記録媒体。２。各絵素の記録層が、基板表面に付設された断熱性材
料部を介して分割されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高密度記録媒体。３。各絵素に対応する領域が平面的には連続的に、かつ
互いに隣接する二個の絵素領域の一方が凹部として、他
方が凸部として、形成された断熱性材料層が基板表面に
付設されていて、記録層が各絵素領域に、隣接する各記
録層が実質的に互いに接触しないように、基板面の上下
方向に互いに位置がずれて設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の高密度記録媒体。４。基板表面の各絵素に対応する領域に凹部が設けられ
、該凹部内に各記録層が設けられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の高密度記録媒体。５。各絵素に対応する領域が平面的には連続的に、かつ
互いに隣接する二個の絵素領域の一方が凹部として、他
方が凸部として基板表面に、形成されていて、記録層が
各絵素領域に、隣接する各記録層が実質的に互いに接触
しないように、基板面の上下方向に互いに位置がずれて
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の高密度記録媒体。６。各絵素の記録層が、空気層を介して分割されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高密度記
録媒体。