JPH0536117A - 光デイスクおよびその製造方法 - Google Patents
光デイスクおよびその製造方法Info
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- JPH0536117A JPH0536117A JP3187969A JP18796991A JPH0536117A JP H0536117 A JPH0536117 A JP H0536117A JP 3187969 A JP3187969 A JP 3187969A JP 18796991 A JP18796991 A JP 18796991A JP H0536117 A JPH0536117 A JP H0536117A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高記録密度の光ディスクとその製造方法を提
供する。 【構成】 記録トラック領域１は、記録トラック領域を
構成する物質よりも熱伝導率が低い物質あるいは比熱が
大きい物質からなる領域２に隣接している。このような
領域２は、イオン注入により作られる。
供する。 【構成】 記録トラック領域１は、記録トラック領域を
構成する物質よりも熱伝導率が低い物質あるいは比熱が
大きい物質からなる領域２に隣接している。このような
領域２は、イオン注入により作られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクおよびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは大容量，ランダムアクセス
可能，可換媒体のファイルとして、既に製品化されてい
る。しかしながら、ディジタル画像ファイル等に使用す
るには、さらに高記録密度化が望まれる。
可能，可換媒体のファイルとして、既に製品化されてい
る。しかしながら、ディジタル画像ファイル等に使用す
るには、さらに高記録密度化が望まれる。
【０００３】光ディスクの高記録密度化の為に、記録・
再生波長の短波長化、光学系の改善および変調符号の高
能率化などが検討されている。
再生波長の短波長化、光学系の改善および変調符号の高
能率化などが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光を照射しその
熱により記録する光ディスクでは、記録密度を高くする
ためにトラック密度を上げると、トラック間の熱干渉に
よりトラック密度を上げるには限界があった。
熱により記録する光ディスクでは、記録密度を高くする
ためにトラック密度を上げると、トラック間の熱干渉に
よりトラック密度を上げるには限界があった。
【０００５】本発明の目的は、トラック密度を高くする
ことにより高記録密度の光ディスクを提供することにあ
る。
ことにより高記録密度の光ディスクを提供することにあ
る。
【０００６】本発明の他の目的は、光ディスクの製造方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光を照射しそ
の熱により記録する光ディスクにおいて、記録トラック
領域が、記録トラック領域を構成する物質よりも熱伝導
率が低い物質からなる領域に隣接していることを特徴と
する。
の熱により記録する光ディスクにおいて、記録トラック
領域が、記録トラック領域を構成する物質よりも熱伝導
率が低い物質からなる領域に隣接していることを特徴と
する。
【０００８】また本発明は、光を照射しその熱により記
録する光ディスクにおいて、記録トラック領域が、記録
トラック領域を構成する物質よりも比熱が大きい物質か
らなる領域に隣接していることを特徴とする。
録する光ディスクにおいて、記録トラック領域が、記録
トラック領域を構成する物質よりも比熱が大きい物質か
らなる領域に隣接していることを特徴とする。
【０００９】本発明の光ディスクの製造方法は、回転し
ているディスクにディスク半径方向に収束イオンビーム
を走査させながら照射し、イオン注入により熱伝導率が
低い領域または比熱が大きい領域を作ることを特徴とす
る。
ているディスクにディスク半径方向に収束イオンビーム
を走査させながら照射し、イオン注入により熱伝導率が
低い領域または比熱が大きい領域を作ることを特徴とす
る。
【００１０】また本発明の光ディスクの製造方法は、静
止しているディスクに収束イオンビームを同心円状ある
いは渦巻状に走査させて照射し、イオン注入により熱伝
導率が低い領域または比熱が大きい領域を作ることを特
徴とする。
止しているディスクに収束イオンビームを同心円状ある
いは渦巻状に走査させて照射し、イオン注入により熱伝
導率が低い領域または比熱が大きい領域を作ることを特
徴とする。
【００１１】さらに本発明の光ディスクの製造方法は、
同心円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパターン
を介して、イオン注入により熱伝導率が低い領域または
比熱が大きい領域を作ることを特徴とする。
同心円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパターン
を介して、イオン注入により熱伝導率が低い領域または
比熱が大きい領域を作ることを特徴とする。
【００１２】
【作用】光を照射しその熱により記録する光ディスクで
は、記録ピットの形は、ほぼ光照射による温度分布で決
定される。記録トラック領域もそれ以外の領域も同一の
物質で構成されていると、トラックに垂直方向へ熱が容
易に伝導する。したがって、トラック密度を上げるため
にトラックピッチを狭くすると、記録時にトラック間の
熱干渉のために隣接するトラックにまで影響を及ぼして
しまい、記録ピットが変形する。それに対し、記録トラ
ック領域が、記録トラック領域を構成する物資よりも熱
伝導率が低い物質からなる領域で挟まれていると、熱伝
導率が低い領域で熱伝導が阻害され、隣接トラックの記
録ピットには悪影響を及ぼさない。熱伝導率が低い物質
の代わりに比熱が大きい物質を使ってもその効果は同じ
である。つまり、比熱が大きいので温度上昇の速度が遅
く、隣接トラックに与える熱の影響が小さくなる。
は、記録ピットの形は、ほぼ光照射による温度分布で決
定される。記録トラック領域もそれ以外の領域も同一の
物質で構成されていると、トラックに垂直方向へ熱が容
易に伝導する。したがって、トラック密度を上げるため
にトラックピッチを狭くすると、記録時にトラック間の
熱干渉のために隣接するトラックにまで影響を及ぼして
しまい、記録ピットが変形する。それに対し、記録トラ
ック領域が、記録トラック領域を構成する物資よりも熱
伝導率が低い物質からなる領域で挟まれていると、熱伝
導率が低い領域で熱伝導が阻害され、隣接トラックの記
録ピットには悪影響を及ぼさない。熱伝導率が低い物質
の代わりに比熱が大きい物質を使ってもその効果は同じ
である。つまり、比熱が大きいので温度上昇の速度が遅
く、隣接トラックに与える熱の影響が小さくなる。
【００１３】イオン注入の場合、イオンを注入した領域
だけ、物質を構成している元素と注入イオンとが置換し
たり、その物質の中にイオンが挿入されたり、あるいは
注入イオンによりダメージを受けたりして、熱伝導率や
比熱などの物理量を制御することが可能である。さら
に、注入するイオンの量あるいは種類を変化させること
によっても物理量を制御することが可能である。また、
注入イオンの収束の大きさで注入領域を自由に変化させ
ることが可能であるという利点も備えている。基板を回
転させながらイオン注入する方法は、イオンビームを振
る距離が短くて済むので、大口径のディスクを作製する
ときに有利であり、さらにトラッキングを掛けながらイ
オン注入をすると注入領域を精度良く選択できる。ま
た、基板を回転させないでイオンビームを同心円状ある
いは渦巻状に照射する方法は、トラッキングサーボを掛
けられないディスクに対して有効である。最後に、同心
円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパターンを介
してイオン注入する方法は、注入領域がマスクパターン
で決まるのでイオンビームの幅を厳密に制御しなくても
良いという利点がある。
だけ、物質を構成している元素と注入イオンとが置換し
たり、その物質の中にイオンが挿入されたり、あるいは
注入イオンによりダメージを受けたりして、熱伝導率や
比熱などの物理量を制御することが可能である。さら
に、注入するイオンの量あるいは種類を変化させること
によっても物理量を制御することが可能である。また、
注入イオンの収束の大きさで注入領域を自由に変化させ
ることが可能であるという利点も備えている。基板を回
転させながらイオン注入する方法は、イオンビームを振
る距離が短くて済むので、大口径のディスクを作製する
ときに有利であり、さらにトラッキングを掛けながらイ
オン注入をすると注入領域を精度良く選択できる。ま
た、基板を回転させないでイオンビームを同心円状ある
いは渦巻状に照射する方法は、トラッキングサーボを掛
けられないディスクに対して有効である。最後に、同心
円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパターンを介
してイオン注入する方法は、注入領域がマスクパターン
で決まるのでイオンビームの幅を厳密に制御しなくても
良いという利点がある。
【００１４】
【実施例】図１は本発明による光ディスクの部分平面図
であり、記録トラック領域１は、記録トラック領域を構
成する物質よりも熱伝導率が低い物質あるいは比熱が大
きい物質からなる領域２に隣接している。図２は比較す
るための従来構造の光ディスクの部分平面図であり、記
録トラックの両側も記録トラックと等しい物質である。
であり、記録トラック領域１は、記録トラック領域を構
成する物質よりも熱伝導率が低い物質あるいは比熱が大
きい物質からなる領域２に隣接している。図２は比較す
るための従来構造の光ディスクの部分平面図であり、記
録トラックの両側も記録トラックと等しい物質である。
【００１５】まず、図１の光ディスクの第１の製造方法
を図３を参照して説明する。図３は回転しているディス
クにディスク半径方向に収束イオンビームを走査させな
がら照射して、イオン注入により熱伝導率が低い領域ま
たは比熱が大きい領域を作る製造方法の概略図である。
ディスク４は、ディスクを回転するためのモータ３と接
続させてある。イオン注入装置６から放射されたイオン
ビーム７は、イオン注入位置を決めるための電極５によ
りディスク上の所望の注入位置へと導かれる。この場
合、電極５の電極板は、注入イオンビーム７がディスク
半径方向に動くように配置されている。イオン注入位置
は電極５に印加する電圧により制御され、注入量は全注
入時間とイオンビーム密度との積で制御する。ディスク
４は、これを保持するホルダーに取り付けられていても
よい。
を図３を参照して説明する。図３は回転しているディス
クにディスク半径方向に収束イオンビームを走査させな
がら照射して、イオン注入により熱伝導率が低い領域ま
たは比熱が大きい領域を作る製造方法の概略図である。
ディスク４は、ディスクを回転するためのモータ３と接
続させてある。イオン注入装置６から放射されたイオン
ビーム７は、イオン注入位置を決めるための電極５によ
りディスク上の所望の注入位置へと導かれる。この場
合、電極５の電極板は、注入イオンビーム７がディスク
半径方向に動くように配置されている。イオン注入位置
は電極５に印加する電圧により制御され、注入量は全注
入時間とイオンビーム密度との積で制御する。ディスク
４は、これを保持するホルダーに取り付けられていても
よい。
【００１６】次に、光ディスクの第２の製造方法を図４
を参照して説明する。図４は静止しているディスクに収
束イオンビームを同心円状あるいは渦巻状に走査させて
照射し、イオン注入により熱伝導率が低い領域または比
熱が大きい領域を作る製造方法の概略図である。ディス
ク４は、図３で示した方法と異なり静止している。イオ
ン注入装置６から放射されたイオンビーム７は、イオン
注入位置を決めるための縦電極８および横電極９により
ディスク上の所望の注入位置へと導かれる。この場合、
縦電極８の電極板は、注入イオンビーム７がディスク半
径方向に動くように配置され、また横電極９の電極板
は、縦電極８の電極板と垂直になるように配置されてい
る。さらに、縦電極８と横電極９の相対位置は、図４の
位置とは逆になっても差し支えない。イオン注入位置は
縦電極８および横電極９に印加する電圧により制御さ
れ、注入量は全注入時間とイオンビーム密度との積で制
御する。さらにディスク４は、これを保持するホルダー
に取り付けられていてもよい。
を参照して説明する。図４は静止しているディスクに収
束イオンビームを同心円状あるいは渦巻状に走査させて
照射し、イオン注入により熱伝導率が低い領域または比
熱が大きい領域を作る製造方法の概略図である。ディス
ク４は、図３で示した方法と異なり静止している。イオ
ン注入装置６から放射されたイオンビーム７は、イオン
注入位置を決めるための縦電極８および横電極９により
ディスク上の所望の注入位置へと導かれる。この場合、
縦電極８の電極板は、注入イオンビーム７がディスク半
径方向に動くように配置され、また横電極９の電極板
は、縦電極８の電極板と垂直になるように配置されてい
る。さらに、縦電極８と横電極９の相対位置は、図４の
位置とは逆になっても差し支えない。イオン注入位置は
縦電極８および横電極９に印加する電圧により制御さ
れ、注入量は全注入時間とイオンビーム密度との積で制
御する。さらにディスク４は、これを保持するホルダー
に取り付けられていてもよい。
【００１７】最後に、光ディスクの第３の製造方法を図
５を参照して説明する。図５は同心円状あるいは渦巻状
ラインアンドスペースパターンを介して、イオン注入に
より熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作る
製造方法の概略図である。イオン注入装置６から放射さ
れたイオンビーム７は、イオン注入位置を決めるための
縦電極８および横電極９により、同心円状あるいは渦巻
状ラインアンドスペースパターン１０を介してディスク
上へと導かれる。この場合、縦電極８の電極板は、注入
イオンビーム７がディスク半径方向に動くように配置さ
れ、また横電極９の電極板は、縦電極８の電極板と垂直
になるように配置されている。さらに、縦電極８と横電
極９の相対位置は、図５の位置とは逆になっても差し支
えない。
５を参照して説明する。図５は同心円状あるいは渦巻状
ラインアンドスペースパターンを介して、イオン注入に
より熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作る
製造方法の概略図である。イオン注入装置６から放射さ
れたイオンビーム７は、イオン注入位置を決めるための
縦電極８および横電極９により、同心円状あるいは渦巻
状ラインアンドスペースパターン１０を介してディスク
上へと導かれる。この場合、縦電極８の電極板は、注入
イオンビーム７がディスク半径方向に動くように配置さ
れ、また横電極９の電極板は、縦電極８の電極板と垂直
になるように配置されている。さらに、縦電極８と横電
極９の相対位置は、図５の位置とは逆になっても差し支
えない。
【００１８】光ディスクの実施例１として、第１の製造
方法を用いて、２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の水素
（Ｈ）イオンを注入して、記録トラック幅０．５μｍ、
熱伝導率が低い物質からなる領域の幅０．３μｍからな
る構造を持つ光磁気ディスクを製造した。
方法を用いて、２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の水素
（Ｈ）イオンを注入して、記録トラック幅０．５μｍ、
熱伝導率が低い物質からなる領域の幅０．３μｍからな
る構造を持つ光磁気ディスクを製造した。
【００１９】また光ディスクの実施例２として、第１の
製造方法を用いて、３×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 のベリ
リウム（Ｂｅ）イオンを注入して、記録トラック幅０．
５μｍ、比熱が大きい領域の幅０．３μｍからなる構造
を持つ光磁気ディスクを製造した。
製造方法を用いて、３×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 のベリ
リウム（Ｂｅ）イオンを注入して、記録トラック幅０．
５μｍ、比熱が大きい領域の幅０．３μｍからなる構造
を持つ光磁気ディスクを製造した。
【００２０】本発明の比較例として、記録トラック領域
とそれ以外の領域が同一の物質で構成されており、その
他のディスク構造は実施例１および実施例２と同一の光
磁気ディスクを作製し、実施例との比較を行った。
とそれ以外の領域が同一の物質で構成されており、その
他のディスク構造は実施例１および実施例２と同一の光
磁気ディスクを作製し、実施例との比較を行った。
【００２１】本発明の光ディスクは従来の光ディスクと
比較して５．６ｍ／ｓ，３．７ＭＨｚにてＣ／Ｎが６ｄ
Ｂ改善され、消去パワーマージンが３％から１５％に広
がった。これにより、トラックピッチが０．８μｍのデ
ィスクを使用することにより、記録密度が１．５倍以上
の高密度光ディスクを提供することが可能となった。さ
らに、第２の製造方法および第３の製造方法で作製して
も、第１の製造方法と同等の結果を得た。
比較して５．６ｍ／ｓ，３．７ＭＨｚにてＣ／Ｎが６ｄ
Ｂ改善され、消去パワーマージンが３％から１５％に広
がった。これにより、トラックピッチが０．８μｍのデ
ィスクを使用することにより、記録密度が１．５倍以上
の高密度光ディスクを提供することが可能となった。さ
らに、第２の製造方法および第３の製造方法で作製して
も、第１の製造方法と同等の結果を得た。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ラック密度を高くすることにより高記録密度の光ディス
クとその製造方法の両方が提供される。
ラック密度を高くすることにより高記録密度の光ディス
クとその製造方法の両方が提供される。
【図１】本発明による光ディスクの部分平面図である。
【図２】従来構造の光ディスクの部分平面図である。
【図３】回転しているディスクにディスク半径方向に収
束イオンビームを走査させながら照射して、イオン注入
により熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作
る製造方法の概略図である。
束イオンビームを走査させながら照射して、イオン注入
により熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作
る製造方法の概略図である。
【図４】静止しているディスクに収束イオンビームを同
心円状あるいは渦巻状に走査させて照射し、イオン注入
により熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作
る製造方法の概略図である。
心円状あるいは渦巻状に走査させて照射し、イオン注入
により熱伝導率が低い領域または比熱が大きい領域を作
る製造方法の概略図である。
【図５】同心円状あるいは渦巻状ラインアンドスペース
パターンを介して、イオン注入により熱伝導率が低い領
域または比熱が大きい領域を作る製造方法の概略図であ
る。
パターンを介して、イオン注入により熱伝導率が低い領
域または比熱が大きい領域を作る製造方法の概略図であ
る。
１ 記録トラック領域
２ 記録トラック領域を構成する物質よりも熱伝導率が
低い物質あるいは比熱 が大きい物質からなる領域 ３ ディスクを回転するためのモータ ４ ディスク ５ 電極 ６ イオン注入装置 ７ イオンビーム ８ 縦電極 ９ 横電極 １０ 同心円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパ
ターン
低い物質あるいは比熱 が大きい物質からなる領域 ３ ディスクを回転するためのモータ ４ ディスク ５ 電極 ６ イオン注入装置 ７ イオンビーム ８ 縦電極 ９ 横電極 １０ 同心円状あるいは渦巻状ラインアンドスペースパ
ターン
Claims (2)
- 【請求項１】光を照射しその熱により記録する光ディス
クにおいて、記録トラック領域が、 記録トラック領域を構成する物質よりも熱伝導率が低い
物質または比熱が大きい物質からなる領域に隣接してい
ることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】イオン注入により熱伝導率が低い領域また
は比熱が大きい領域を作ることを特徴とする請求項１記
載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187969A JPH0536117A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光デイスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187969A JPH0536117A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光デイスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536117A true JPH0536117A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16215319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187969A Pending JPH0536117A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光デイスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10084202B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-09-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing sulfide solid electrolyte material |
| US11011775B2 (en) | 2013-06-28 | 2021-05-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Sulfide solid electrolyte material, sulfide glass, solid state lithium battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318534A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 高密度記録媒体 |
| JPS63122031A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| JPS6427049A (en) * | 1987-04-22 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Optical disk, substrate for optical disk and its production |
| JPH04362544A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-15 | Brother Ind Ltd | 光記録媒体 |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP3187969A patent/JPH0536117A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318534A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 高密度記録媒体 |
| JPS63122031A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
| JPS6427049A (en) * | 1987-04-22 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Optical disk, substrate for optical disk and its production |
| JPH04362544A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-15 | Brother Ind Ltd | 光記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10084202B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-09-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing sulfide solid electrolyte material |
| US10707525B2 (en) | 2013-06-28 | 2020-07-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing sulfide solid electrolyte material |
| US11011775B2 (en) | 2013-06-28 | 2021-05-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Sulfide solid electrolyte material, sulfide glass, solid state lithium battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material |
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