JP3471774B2 - 電子線描画装置およびその方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光及び磁気記録媒
体の微小な記録ビットや微細なガイド溝などを正確に形
成する電子線描画方法およびマーク記録方法並びに電子
線描画装置に係わり、特に、超高密度マスタリング用電
子線描画方法およびその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報化社会の進展は目覚ましく、
より多くの情報を記憶できる技術の開発が要求されてい
る。現在、ディスク型ファイルメモリの研究分野では記
録ビット径の微細化と共に多値記録化が進められてい
る。現在では、光記録で約０．４μｍのビット径である
が、これ以上の向上は困難な状況にある。しかし、２０
０２年には、２０〜２５ＧＢの大容量光ディスクが必要
となる。現在の容量が４．７ＧＢ（記録密度約３Ｇｂ／
ｉｎ^２）であり、この４〜５倍が要求され、記録密度約
１５Ｇｂ／ｉｎ^２が要求される。これを実現するには現
状のビット径から半分以下、０．２μｍより小さい記録
ビット径の実現が必要となる。これに伴い、書き込み／
読み出しに必要なビーム径は、１００ｎｍ前後のサブミ
クロン径が必要となる。（このように微小なビットや間
隙は１００ｎｍ以下の微小なパターンが必要となる。）
一方、現行の光技術では、ビーム系は現状のままで多値
記録ができないかと研究が進められている。現状の技術
では、青色レーザ（波長：４００ｎｍ）及び高ＮＡ化
（ＮＡ：０．９５）を使用しても、ビーム径は約２５０
ｎｍとなり、高密度化は非常に難しくなる。

【０００３】そこで、最近では、上述の微小光スポット
と多値記録方式を採用しようとする要求が高まってい
る。多値記録に関する最近の提案は、通産省高エネルギ
開発機構（ＮＥＤＯ）から委託されている（財）光産業
技術振興協会のナノメートル制御光ディスクシステムプ
ロジェクトの紹介冊子（従来技術１）に報告されている
（小川清也“ナノメータ制御光ディスクシステムプロジ
ェクトの概要”第１回次世代光メモリシンポジウム講演
資料（（財）光産業技術進行協会発行、平成１１年１１
月１日））。上記従来技術１には、プロジェクトで提案
されている１００Ｇｂ／ｉｎ^２の高密度記録方式の例が
示されている。この高密度記録方式としては、１つのマ
ークに８ｂｉｔｓの多値情報をもつ多値記録の方式が提
案されている。ところで、マークの中心位置の間隔は３
８０ｎｍ、トラック間隔は１４０ｎｍと非常に微小なも
のとなっている。多値記録は、マークのタンジェンシャ
ル方向の長さをマーク内にシステムで設定された位置か
ら最小の長さをとり、そこから７ｎｍ刻みで１６レベル
（４ｂｉｔｓ）を設定することによって、１００Ｇｂ／
ｉｎ^２が実現される。この方式をエッジ変調記録と言
う。ここでは、さらに、マーク内にシステム内で設定さ
れた位置の前後にこのエッジ変調記録を行うので、１つ
のマークに２倍の８ｂｉｔｓの情報をもたせることがで
きる。しかし、この場合、ビット長さの精度を１ｎｍ以
下にすることが必要となる。

【０００４】また、電子線描画装置の従来技術として
は、「Y.KojimaらによりJapanese Journal of Applied
Physcisの第３７巻の２１３７ページ」（従来技術２）
において概要が知られている。

【０００５】具体的には、図２において、左側には電子
光学系の簡略図を示し、右側にはブランキング回路１４
を含めた制御系を示す。電子光学系は、電子銃チップ２
７から電界放射により得られた電子ビーム１０をコンデ
ンサレンズ２で絞り、さらに対物レンズ２２で試料６上
に絞り込み、ナノメータオーダーのビームスポットを得
る。この時、ブランキング電極８の中心は、コンデンサ
レンズ２で作られるクロスオーバ点に一致したほうが良
い。さらに、制御系１２から出力されたブランキング信
号２０は、アンプ３２を通り適切に電子ビーム１０がブ
ランキングされる信号に直されて駆動回路２４に入力
し、ブランキング電極８を駆動する。この時、電子ビー
ム１０を瞬時に切るためにアパーチャ２８を設けた。こ
れにより、立ち上がりの高いブランキング特性が得えら
れる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術１に記載された多値記録方法では実現性が少な
く、別な多値情報記録方法が必要となることも徐々に分
かってきている。

【０００７】そこで、我々は、特願２０００−１９５０
９６において、幅に多値情報を持たせることによって高
密度記録を容易に実現することを提案した。この場合に
おいても同様に、正確なビット幅サイズが必要となる。

【０００８】他方、上記従来技術２には、多値情報を持
たせるマーク幅の制御についても記載されていなく、し
かも露光量制御についても考慮されていない。

【０００９】本発明の目的は、露光量制御に基づいて、
微小な記録マークあるいは半導体素子のパターンをより
正確に形成することができるようにした電子線描画方法
およびその装置並びにマーク記録方法を提供することに
ある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、正確なビット
幅サイズを形成できるようにしたマーク記録方法を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、微小に絞った電子線を試料に照射して微
細パターンを描画する方法において、前記微細パターン
を描画する電子線の露光量を制御することを特徴とす
る。即ち、本発明は、光や磁気ディスクの他に、半導体装
置にも適用可能である。また、本発明は、前記電子線描
画方法において、前記電子線の露光量の制御を、ブラン
キング特性を制御することによって行うことを特徴とす
る。また、本発明は、前記電子線描画方法において、前
記ブランキング特性としてブランキング機能及び露光量
制御機能を有することを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、微小に絞った電子線を試
料の移動方向に交差する方向に振動させて振幅を制御し
て試料に照射してスパイラル状、同心円状あるいは直線
状に配列した記録情報をもつマークを描画する際、前記
マークへの電子線の露光量を制御することを特徴とする
マーク記録方法である。

【００１３】また、本発明は、前記マーク記録方法にお
ける前記マークにおいて、タンジェンシャル方向に長さ
の情報、ラディアル方向に幅の情報あるいは中心がトラ
ック上からラディアル方向にオフセット量の情報をもつ
ことを特徴とする。また、本発明は、前記マーク記録方
法において、前記マークへの電子線の露光量の制御を、
ブランキング特性を制御することによって行うことを特
徴とする。また、本発明は、前記マーク記録方法におい
て、前記ブランキング特性としてブランキング機能及び
露光量制御機能を有することを特徴とする。また、本発
明は、前記マーク記録方法において、前記露光量制御機
能が、パルス幅変調制御であることを特徴とする。ま
た、本発明は、前記マーク記録方法において、前記露光
量制御機能が、電子線がＯＮ時の電圧制御であることを
特徴とする。

【００１４】また、本発明は、電子銃と該電子銃から放
射された電子線を絞るコンデンサレンズと試料への電子
線の照射のＯＮ／ＯＦＦを制御するブランキング電極を
有するブランキング制御手段と前記コンデンサレンズで
絞られた電子線を偏向する偏向電極と更に試料上に電子
線を微小に絞って照射する対物レンズとを有する電子光
学系を設け、該電子光学系の対物レンズで微小に絞った
電子線を前記偏向電極により試料の移動方向に交差する
方向に振動させて振幅を制御する振幅制御手段と、該振
幅制御手段で制御された振幅で振動させて電子線を試料
に照射して微細パターンを描画する際、前記微細パター
ンへの電子線の露光量を制御する露光量制御手段とを備
えたことを特徴とする電子線描画装置である。

【００１５】また、本発明は、前記電子線描画装置にお
いて、前記露光量制御手段を、前記ブランキング制御手
段に備えたことを特徴とする。また、本発明は、前記電
子線描画装置において、前記露光量制御手段を、ブラン
キング電極へのパルス幅変調制御手段で構成することを
特徴とする。また、本発明は、前記電子線描画装置にお
いて、前記露光量制御手段を、電子線がＯＮ時のブラン
キング電極への電圧制御手段で構成することを特徴とす
る。また、本発明は、前記電子線描画装置において、前
記露光量制御手段を、露光量制御電極を持たせて構成し
たことを特徴とする。また、本発明は、前記電子線描画
装置において、前記ブランキング制御手段におけるブラ
ンキング電極に入力するブランキング用駆動電圧が、前
記露光量制御手段における露光量制御用駆動信号より大
きく設定することを特徴とする。

【００１６】また、本発明は、図３（ｄ）のような露光
量に制御するために、（１）パルス幅変調方式や（２）
ブランキング時にビームをカットする際の過渡特性を使
用する。以下にその手法を述べる。 （１）のパルス幅変調方式は、繰り返しパルスを発生
し、その時のデューティを制御することにより、露光量
制御する方法である。即ち、（１）は、図４に示すよう
にブランキング信号を補正して露光量制御を行う。図４
（ａ）は図３（ｄ）と同じであり、露光補正量である。
右端のビットは真中から右と左では露光量が違う。これ
をブランキング信号の機能を含みパルス変調で露光制御
すると図４（ｃ）のような信号波形となる。左側の露光
量が少ないところではデューティは６０％程度である
が、右側では、１００％に近いパルス列となる。このよ
うにパルス幅変調で露光量を補正することができる。 （２）の方式は、電子ビームブランキングーブランキン
グ電圧特性を利用して、ビームＯＮ時のブランキング電
圧を制御する方法である。即ち、（２）は図５に示すブ
ランキング電圧―電子ビームブランキング特性（図５
（ｂ））から必要な電圧、Ｖ１，Ｖ２を求め（Ｖ１：図
４（ａ）の右側マークの右部分、Ｖ２：該右マークの左
部分）、ビームＯＮ時にＶ１，Ｖ２となるように制御す
ることにより、露光量を制御する方法である。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法およ
びその装置並びにマーク記録方法の実施の形態について
図面を用いて説明する。

【００１８】我々は、特願２０００−１９５０９６にお
いて、幅に多値情報を持たせることによって高密度記録
を容易に実現することを提案した。即ち、本発明に係る
描画対象（マーク記録対象）としては、図３（ａ）に示
す如く、スパイラル状、同心円状あるいは直線状に配列
した記録情報をもつマーク若しくはマーク列がある。そ
の外に描画対象としては、半導体素子のパターンが考え
られる。上記マーク若しくはマーク列において、タンジ
ェンシャル方向に長さの情報、ラディアル方向に幅の情
報あるいは中心がトラック上からラディアル方向にオフ
セット量の情報をもたせることによって、多値情報を高
密度で記録することが可能となる。

【００１９】以下、本発明の実施の形態について具体的
に説明する。

【００２０】［第1の実施の形態］図１及び図４は、本
発明に係る第１の実施の形態である、露光量制御を電気
パルス幅制御で行う電子線描画装置を示す図である。図
１において、電子光学系は、ショットキエミッション型
電界放射電子銃１、コンデンサレンズ２、真空排気する
イオンポンプ９、電子ビームを通すバルブ３、ブランキ
ング電極８、アパチャ２８、偏向コイル４、イオンポン
プ９、および対物レンズ２２から構成されている。この
光学系を試料室５や真空排気系７に結合して筐体部分を
形成している。試料室５には、試料６を支える試料台と
直交あるいは回転移動機構１３があり、記録マークを同
心円状およびスパイラル状に回転移動することができ
る。これにより、光および磁気記録媒体上に微小なビッ
トを同心円状あるいはスパイラル状にマーク列として形
成することができる。この時、機構系は１μｍ前後の位
置誤差を持つ。これを偏向系で、フィードフォワード制
御して高精度なマーク列形成を行う。

【００２１】なお、このマーク列形成を行う際、均一性
および高精度を確保するために、基本的には、電子銃チ
ップ２７から電界放射により得られた電子ビーム１０を
コンデンサレンズ２で絞り、さらに対物レンズ２２で試
料６上に絞り込み、ナノメータオーダーのビームスポッ
トのビーム径およびビーム電流を変えないで行う必要が
ある。そのため、以下に説明するように、電子ビーム偏
向による振幅制御およびブランキング制御に基づく露光
量制御が必要となる。

【００２２】次に、電子ビーム偏向による振幅制御の具
体例について、図３を用いて説明する。まず、振幅変調
したマーク列を描きたい場合について説明する。図３
（ａ）は、振幅変調したマーク列を描きたい場合の各部
の信号を示したものである。このマーク列において、Ｍ
Ｐはマークピッチ、ｌは一つのマークの長さ、ｗは一つ
のマークの幅を示す。３０は、スパイラル状、同心円状
あるいは直線状に配列した記録情報のトラック中心を示
す。３１は、描画対象の回転方向或いは移動方向を示
す。さらに、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すマーク列
を描画する場合の偏向電極３５に印加するビット幅制御
信号（電子線偏向信号）３６を示す図である。この図３
（ｂ）に示すビット幅制御信号による偏向電極３５への
制御に基づいて、電子ビーム１０はマークの長さ方向に
対してほぼ垂直方向に振動して所望の幅のマークを形成
することができる。

【００２３】即ち、マークの幅を図３（ａ）のように描
画しようとすると、図３（ｂ）のように電子線１０を試
料台移動方向にほぼ垂直な方向に振動させ、その振幅を
制御することにより、ビット幅を制御することが可能と
なる。

【００２４】しかし、この時、試料６が等速運動をして
いる直線移動台や回転体１３上に載置され、試料６が等
速運動をしているため、あるいはこまめに速度を変える
ことができないため、試料上では図３（ｃ）に露光量の
相対変化として示すように、露光量、ドーズ量が一定と
ならない。このため正確なマーク幅を形成することがで
きないことになる。これは、露光量制御機能が電子光学
的に持っていないことによるものである。

【００２５】そこで、本発明は、電子ビームの露光量を
制御する手段を備え、図３（ｄ）に均一な露光密度を得
るための制御露光量(任意の単位)で示すように露光量を
制御することにある。このように、単位面積当たり一定
な露光量（一定なドーズ量：一定な露光密度）となるよ
うに露光量を補正するためには、図３（ｄ）のように露
光量を制御することが必要となる。即ち、本発明は、電
子ビームが試料上に到達する際、その露光量を制御でき
る機能を電子光学的に実現することである。

【００２６】ところで、第1の実施の形態では、図３
（ｄ）のような露光量制御を実現するために、図１に示
す如く、パルス幅変調方式を使用した。

【００２７】パルス変調方式は、図４に示すように、パ
ルス発生器１８から繰り返しパルスを発生させ、その時
のパルスのデューティを制御すること（パルス幅制御）
により、露光量制御を行う方法である。図４（ｂ）に示
すブランキング信号２０を、図４（ｃ）に示すように補
正（パルス変調）して露光量制御を行う。図４（ａ）
は、図３（ｄ）と同じであり、相対的な露光補正量であ
る。右端のビットは真中から右と左では露光量が違う。
これをブランキング信号２０の機能を含みパルス幅変調
で露光制御すると図４（ｃ）のような信号波形となる。
左側の露光量が少ないところではデューティは６０％程
度であるが、右側では、１００％に近いパルス列とな
る。このようにブランキング回路１４で形成されたパル
ス幅変調された信号４１をブランキング電極８に印加す
ることによって、露光量を補正することができる。この
時の信号４１は、図１の右上に示したブランキング回路
１４で形成される。制御系１２は、計算機システム１１
から出力されたデータを基に、ブランキング信号２０と
露光量制御信号２１をブランキング回路１４に入力す
る。アンド回路１７は、入力されたブランキング信号２
０と、パルス発生器１８から入力された信号（パルス
列）とのアンドを取って、フリップフロップ（ＦＦ）回
路１６に入力する。更に、アンド回路１７から得られる
パルス列は、遅延回路１９にて遅延されてＦＦ回路１６
のリセット信号として入力される。このときの遅延時間
は、露光量制御信号２１により決定される。このように
してＦＦ回路１６から得られた信号は、駆動回路１５に
て適切な大きさの電圧に変換され、図４（ｃ）に示すパ
ルス列の信号４１を得ることができる。このように、図
３（ｂ）に示すビット幅制御信号（電子線偏向信号）３
６を偏向コイル４に印加してマーク幅制御を行いなが
ら、図４（ｃ）に示す均一な露光密度を得るためのブラ
ンキング制御信号(パルス幅のデューティ制御信号)４１
をブランキング電極８に印加することにより、図４
（ａ）に示す如く均一な露光量（均一な露光密度）で、
マーク（パターン）形成を実現することができ、その結
果、ナノメータのレベルで正確なマーク幅形成が可能と
なり、微小な記録マークあるいは半導体素子のパターン
がより正確に形成することが可能となる。

【００２８】［第２の実施の形態］第２の実施の形態に
おいて、第1の実施の形態と相違する点は、図５に示す
ように、ブランキング特性を利用した露光量制御であ
る。図５（ａ）はブランキングされた電子ビーム３４の
光路を示す。ブランキング電極８の中心は電子ビームが
コンデンサレンズ２で作られたクロスオーバ点になるよ
うに配置される。これにより試料６上に絞り込まれたス
ポット位置は、ブランキング信号３３により電子ビーム
を振られても位置的な変化はしなくなり、電子ビーム１
０の強さのみ変化する光学系となっている。このように
電子光学系を設計すると、ブランキング電圧―電子ビー
ムブランキング特性（ビームＯＮ／ＯＦＦ特性）は、電
子ビームの一部がアパーチャ２８で遮られることによっ
て、図５（ｂ）のように得られる。

【００２９】例えば、図４（ａ）の右側マークの露光量
補正を行う場合、それぞれ必要な電圧、Ｖ１，Ｖ２（Ｖ
１：図４（ａ）のマークの右部分、Ｖ２：図４（ａ）の
マークの左部分）を求めることができる。これらの電圧
がビームＯＮ時にＶ１，Ｖ２となるようにブランキング
電極８を制御することにより、一定な露光密度に露光量
を制御することができる。その結果、第1の実施の形態
と同様に、図４（ａ）に示す如く均一な露光量（均一な
露光密度）で、マーク（パターン）形成を実現すること
ができる。

【００３０】［第３の実施の形態］第３の実施の形態に
おいて、第１及び第２の実施の形態と相違する点は、図
６に示すように、２組のブランキング電極８，２６を用
いることにある。第1及び第２の実施の形態は、信号に
より実行したものであるが、ブランキング電極の感度や
高速性などが異なるため、第３の実施の形態は、それぞ
れの機能に合ったブランキング電極により、より実用的
なブランキングおよび露光量制御が可能となる。図６
は、２組のブランキング電極８，２６に適用した具体的
実施例を示す図である。ブランキング回路１４には２つ
のチャンネル６１、６２を設け、一つのチャンネル６１
にはブランキング機能を、他方のチャンネル６２には露
光量制御機能を設けた。一つのチャンネルは、制御系１
２からのブランキング信号２０に基づく駆動回路２４に
よって図７（ａ）に示すブランキング機能を有する信号
６１として形成する。他方のチャンネルは、制御系１２
からの露光量制御信号２１をＤＡ変換器２３でアナログ
信号に変換して駆動回路２５によって図７（ｂ）に示す
露光量制御機能を有する信号６２として形成する。そし
て、それぞれの信号６１、６２は、第１のブランキング
電極８、第２のブランキング電極２６に入力されて、上
記の機能を実現している。

【００３１】この２組のブランキング電極を用いると、
ブランキング機能用にはビームを大きく振り、完全にビ
ームを切ることに専念でき、遮断感度として大きいもの
を選ぶことができる。一方、露光量制御用には遮断感度
は小さいものが適する。このように感度を比べてもそれ
ぞれ異なるものが良く、この方式は、実用に近いといえ
る。

【００３２】また、この方式を、上記第1の実施の形態
であるパルス変調方式に適用すると、露光量制御信号の
パルス周波数は、高くとる必要があり、第２のブランキ
ング電極２６の容量を小さくする必要がある。第２のブ
ランキング電極２６は遮断感度を小さくすると容量も小
さくなり、また、９９％程度の遮断率で良いので、駆動
電圧も小さくて良い。即ち、高速露光量制御には非常に
都合が良いこととなる。

【００３３】以上説明したように、本発明に係る実施の
形態によれば、記録マークの幅制御の際に発生する露光
量変化に対応させて露光量を補正することにより、均一
な露光密度を得ることができる。これにより正確なマー
ク幅形成が可能となる。以上の具体例は、光および磁気
ディスクに適用するための例を示したが、移動台がステ
ップアンドレピート運動する半導体用の電子線描画装置
に適用しても本発明の範疇である。

【００３４】また、上記第３の実施の形態では、パルス
幅変調の例は示さなかったが、当然露光量制御にパルス
幅変調も用いることができる。また、ブランキング電圧
の最大値は露光量制御の電圧の最大値より大きいことが
望ましい。これはブランキング機能が完全に電子線を遮
断する必要があるためである。

【００３５】さらに、電子線を用いて微小パターンを描
画する際、近接効果が現れる。これを本発明で補正する
ことも本発明の範ちゅうである。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、記録マークの幅制御の
際に発生する露光量変化に対応させて露光量を補正する
ことにより、均一な露光密度を得ることができ、その結
果正確なマーク幅形成が可能となり、さらに微小な記録
マークあるいは半導体素子のパターンがより正確に形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第1の実施の形態であるパルス幅
制御による露光量制御を有する電子線描画装置を示す構
成図である。

【図２】従来のブランキング機能を持つ電子線描画装置
を示す図である。

【図３】本発明に係る電子ビーム偏向によりマーク幅制
御を行うためのタイミングチャートを示す図である。

【図４】本発明における第1の実施の形態の特徴とする
パルス幅制御により露光密度を均一化するタイミングチ
ャートを示す図である。

【図５】本発明における第２の実施の形態の特徴とする
ブランキング特性を利用した露光量制御機能付きブラン
キング信号を説明する図である。

【図６】本発明における第３の実施の形態の特徴とする
２組の平行平板電極あるいはブランキング電極を有する
露光量制御付き電子線描画装置を示す図である。

【図７】図６に示す２組のブランキング電極を有した装
置の各電極への印加信号の具体的実施例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…ショットキエミッション型電界放射電子銃、２…コ
ンデンサレンズ、３…バルブ、４…偏向コイル、５…試
料室、６…試料、７…真空排気系、８…ブランキング電
極、９…イオンポンプ、１０…電子線、１１…計算機シ
ステム、１２…制御系、１３…直交あるいは回転移動機
構、１４…ブランキング回路、１５…駆動回路、１６…
ＦＦ（フロップフリップ）回路、１７…アンド回路、１
８…パルス発生器、１９…遅延回路、２０…ブランキン
グ信号、２１…露光量制御信号、２２…対物レンズ、２
３…ＤＡ変換器、２４…駆動回路、２５…駆動回路、２
６…第２のブランキング電極、２７…電子銃チップ、２
８…アパーチャ、３０…トラック中心、３３…ブランキ
ング信号、３４…ブランキングされた電子ビーム、３５
…偏向電極、３６…偏向信号。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−245351（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−231566（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−306602（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 G11B 7/26

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子銃と該電子銃から放射された電子ビー
   ムを絞るコンデンサレンズと該コンデンサレンズで絞ら
   れた電子ビームの試料への照射のＯＮ／ＯＦＦをブラン
   キング制御信号に基いて制御するブランキング電極と前
   記コンデンサレンズで絞られた電子ビームを偏向する偏
   向電極と更に試料上に電子ビームを微小に絞って照射す
   る対物レンズとを有する電子光学系と、 前記試料をスパイラル状、同心円状あるいは直線状に移
   動させる移動機構と、 前記電子光学系の対物レンズで微小に絞った電子ビーム
   を前記偏向電極への制御により前記移動機構による試料
   の移動方向に交差する方向に振動させて振幅を制御する
   振幅制御手段と、 前記振幅制御手段で制御された振幅に応じてパルス幅の
   デューティを制御したパルス幅変調信号を前記ブランキ
   ング制御信号として前記ブランキング電極に印加して電
   子ビームの露光量を制御するパルス幅変調制御手段とを
   備え 、 前記移動機構により前記試料をスパイラル状、同心円状
   あるいは直線状に移動させながら、前記振幅制御手段に
   より制御された振幅で電子ビームを振動させて前記パル
   ス幅変調制御手段により前記電子ビームの露光量を制御
   して前記試料に照射してスパイラル状、同心円状あるい
   は直線状に配列したマークまたは微細パターンを描画す
   るように構成したことを特徴とする電子線描画装置 。
2. 【請求項２】電子銃と該電子銃から放射された電子ビー
   ムを絞るコンデンサレンズと該コンデンサレンズで作ら
   れたクロスオーバ点を中心にして配置したブランキング
   電極および電子ビームの一部を遮るブランキングアパー
   チャを有し、前記ブランキング電極に印加されるブラン
   キング電圧によって電子ビームが振られても試料に絞り
   込まれたスポット位置には変化がなく 、 電子ビームの強
   さのみが変化するブランキング特性を有するブランキン
   グ光学系と前記コンデンサレンズで絞られた電子ビーム
   を偏向する偏向電極と更に試料上に電子ビームを微小に
   絞って照射する対物レンズとを有する電子光学系と、 前記試料をスパイラル状、同心円状あるいは直線状に移
   動させる移動機構と、 前記電子光学系の対物レンズで微小に絞った電子ビーム
   を前記偏向電極への制御により前記移動機構による試料
   の移動方向に交差する方向に振動させて振幅を制御する
   振幅制御手段と、 前記振幅制御手段で制御された振幅に応じて電子ビーム
   ＯＮのときのブランキング電圧を制御した信号をブラン
   キング制御信号として前記ブランキング電極に印加して
   前記ブランキング光学系のブランキング特性により電子
   ビームの露光量を制御するブランキング特性制御手段と
   を備え、 前記移動機構により前記試料をスパイラル状、同心円状
   あるいは直線状に移動させながら、前記振幅制御手段に
   より制御された振幅で電子ビームを振動させて前記ブラ
   ンキング特性制御手段により前記電子ビームの露光量を
   制御して前記試料に照射してスパイラル状、同心円状あ
   るいは直線状に配列したマークまたは微細パターンを描
   画するように構成したことを特徴とする電子線描画装
   置 。
3. 【請求項３】前記ブランキング光学系において、更にブ
   ランキング専用のブランキング電極を備えたことを特徴
   とする請求項２記載の電子線露光装置。
4. 【請求項４】電子銃と該電子銃から放射された電子ビー
   ムを絞るコンデンサレンズと該コンデンサレンズで絞ら
   れた電子ビームの試料への照射のＯＮ／ＯＦＦをブラン
   キング制御信号に基いて制御するブランキング電極と前
   記コンデンサレンズで絞られた電子ビームを偏向する偏
   向電極と更に試料上に電子ビームを微小に絞って照射す
   る対物レンズとを有する電子光学系を用いて、 移動機構により前記試料をスパイラル状、同心円状ある
   いは直線状に移動させながら、前記電子光学系の対物レ
   ンズで微小に絞った電子ビームを振幅制御手段により制
   御された振幅で前記試料の移動方向に交差する方向に振
   動させてパルス幅変調制御手段により前記振幅に応じて
   パルス幅のデューティを制御したパルス幅変調信号を前
   記ブランキング制御信号として前記ブランキング電極に
   印加することにより前記電子ビームの露光量を制御して
   前記試料に照射してスパイラル状、同心円状あるいは直
   線状に配列したマークまたは微細パターンを描画するこ
   とを特徴とする電子線描画方法 。
5. 【請求項５】電子銃と該電子銃から放射された電子ビー
   ムを絞るコンデンサレンズと該コンデンサレンズで作ら
   れたクロスオーバ点を中心にして配置したブランキング
   電極および電子ビームの一部を遮るブランキングアパー
   チャを有し、前記ブランキング電極に印加されるブラン
   キング電圧によって電子ビームが振られても試料に絞り
   込まれたスポット位置には変化がなく 、 電子ビームの強
   さのみが変化するブランキング特性を有するブランキン
   グ光学系と前記コンデンサレンズで絞られた電子ビーム
   を偏向する偏向電極と更に試料上に電子ビームを微小に
   絞って照射する対物レンズとを有する電子光学系を用い
   て、 移動機構により前記試料をスパイラル状、同心円状ある
   いは直線状に移動させながら、前記電子光学系の対物レ
   ンズで微小に絞った電子ビームを振幅制御手段により制
   御された振幅で前記試料の移動方向に交差する方向に振
   動させてブランキング特性制御手段により前記振幅に応
   じて電子ビームＯＮのときのブランキング電圧を制御し
   た信号をブランキング制御信号として前記ブランキング
   電極に印加して前記ブランキング光学系のブランキング
   特性により前記電子ビームの露光量を制御して前記試料
   に照射してスパイラル状、同心円状あるいは直線状に配
   列したマークまたは微細パターンを描画することを特徴
   とする電子線描画方法 。