JP2006017782A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ディスクの円周状トラックに周方向長さが異なるエレメントが混在する転写パターンを高精度にかつ高速に描画可能とする。
【解決手段】 レジストが塗布されたディスク11上に電子ビームEBを走査することにより転写パターンの基準値Lの整数倍の長さのエレメント13,14を描画するについて、描画装置40は照射する電子ビームEBを半径方向Yおよび周方向Xに偏向する偏向手段21と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段26とを備え、ディスクを一方向に回転させつつ、電子ビームの外周方向への偏向時a−bと内周方向への偏向時c−dとで偏向方向が交差するように8の字状の偏向動作を繰り返し、ディスク上で外周方向走査と内周方向走査とを交互に平行に行い、各エレメントの整数倍長さをその走査回数により描画する。
【選択図】 図2
【解決手段】 レジストが塗布されたディスク11上に電子ビームEBを走査することにより転写パターンの基準値Lの整数倍の長さのエレメント13,14を描画するについて、描画装置40は照射する電子ビームEBを半径方向Yおよび周方向Xに偏向する偏向手段21と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段26とを備え、ディスクを一方向に回転させつつ、電子ビームの外周方向への偏向時a−bと内周方向への偏向時c−dとで偏向方向が交差するように8の字状の偏向動作を繰り返し、ディスク上で外周方向走査と内周方向走査とを交互に平行に行い、各エレメントの整数倍長さをその走査回数により描画する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、磁気転写用マスター担体を作製する際に、その凹凸パターンを形成するためにディスクに設けたレジストに対して電子ビームの照射によって転写パターンを構成するエレメントを描画露光する電子ビーム描画方法に関するものである。
従来より、磁性体の微細凹凸パターンにより転写情報を担持した磁気転写用マスター担体と、転写を受ける磁気記録部を有するスレーブ媒体とを密着させた状態で、転写用磁界を印加してマスター担体に担持した情報(例えばサーボ信号)に対応する磁化パターンをスレーブ媒体に転写記録する磁気転写方法が知られている。
この磁気転写に使用されるマスター担体の作製方法としては、転写すべき情報に応じたレジストによる凹凸パターンが形成された原盤を基にして作製する、光ディスクスタンパー作製方法を応用した方法が考えられている(例えば、特許文献1参照)。
上記光ディスクスタンパーの作製の際には、レジストが塗布されたディスク(ガラス板等)を回転させながら、データをピットの長短に変換し、これに応じて変調したレーザービームを照射したデータをレジストに書き込むことがなされている。
また、磁気転写用マスター担体においても微細パターンの描画は、上記光ディススタンパーの作製と同様に、レジストが塗布されたディスクを回転させながら、転写する情報に応じて変調したレーザービームを照射して形成することが、一般に考えられる。
しかしながら、磁気ディスク媒体においては、小型化および高容量化が図られており、記録密度の増大などに対応してビット長またはトラック幅が狭くなると(例えば、ビット長またはトラック幅が0.3μm以下になると)、レーザービームでは描画径の限界に近づき、描画された部分の端部形状が円弧状となって、パターンの矩形状エレメントの形成が困難となる。マスター担体に形成されるパターンを構成する各エレメントの特にその上面形状は、この描画された部分に応じた形状となるものであり、該描画された部分の端部形状が円弧状となるとマスター担体基板の凹凸パターンの凸部上面形状が円弧状等の矩形から大きくはずれた形状となり、スレーブ媒体への所望の磁化パターンの形成が困難となる。
一方、半導体分野においては、既にレーザービームより小径のスポットによる露光が可能な電子ビームを利用したパターニングが行われており、この電子ビームを利用することにより、微細パターンの高精度なパターニングが可能となってきている。
また、小型軽量の高密度磁気記録媒体として実現化が期待されているパターンドメディアの作製においては、電子ビームによりパターン露光を行うことが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−256644号公報
特開2001−110050号公報
ところで、この磁気転写においては、転写パターンとしてはサーボ信号に対応するサーボパターンを円周状のトラックの各セクタに記録することが、従前のサーボトラックライターの磁気ヘッドによる記録に長時間を要しているのに対して、ディスク全面で同時に短時間で記録できる点で顕著な特性を有している。
しかし、サーボ信号は、例えば、トラックの幅一杯に記録される同期用信号(プレアンブル)、トラック番号等アドレス信号(グレイコード)、トラック幅の片側半分に記録されるヘッド位置決め用のバースト信号を含み、また、上記アドレス信号などは、記録信号が1単位信号(1ビット信号)だけでなく複数単位信号(複数ビット信号)を含むものであり、このサーボ信号を転写記録するために磁気転写用マスター担体に形成する転写パターン(磁性体で形成される凹凸パターン)も同様に、その記録信号に応じたエレメントがトラック周方向長さが1ビットに相当する基準値と複数ビットに相当する基準値の整数倍の長さを有するものであり、それらの周方向長さの異なるエレメントをディスクに塗設されたレジストに、電子ビームによって効率よく正確に転写パターンのエレメントを1つずつ描画する必要がある。
そして、上述の磁気転写用マスター担体の作製には、同心円状にパターニングする必要があるため、半導体の分野で利用されている、XYステージによる電子ビーム描画方法をそのまま適用しただけでは、良好なパターン形成は困難であるため、良好なパターン描画が可能な電子ビーム描画方法が望まれている。トラック数(セクタ数)の増大に伴い、エレメント数も膨大なものとなり、描画速度の向上による描画時間の短縮化、ディスク全領域での描画形状および描画位置精度の向上が望まれる。
特に、上記エレメントの描画を行うについては、ディスクを回転させつつ円周状の1トラックに半径方向および周方向に電子ビームを偏向させて描画することになるが、半径方向の一定方向で描画するものでは、複数ビットに相当するエレメントを1単位毎に複数回描画する際に、半径方向に偏向して描画した後、電子ビームを半径方向の逆方向に戻す時間が必要で、その間は描画できないことから1回の単位描画と次の単位描画との間に空白ができて、周方向に連続した長いエレメントを描画することができない問題がある。同一トラックをディスクの複数回転で描画することは、描画効率の低下を招くとともに、各回転での描画位置精度を確保することが困難となる。
本発明は上記事情に鑑みて、ディスクの円周状トラックに周方向長さが異なるエレメントが混在する転写パターンを高精度にかつ高速に描画可能とした電子ビーム描画方法を提供することを目的とするものである。
本発明の電子ビーム描画方法は、磁気転写用マスター担体の転写パターンを、レジストが塗布され半径方向に移動可能な回転ステージに設置されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビーム描画装置より照射された電子ビームを走査することにより転写パターンを構成するエレメントの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記転写パターンは、同心円状に形成された円周状トラックの各セクタの転写領域に、周方向長さが基準値の整数倍の長さに形成されるエレメントを有し、前記電子ビーム描画装置は、照射する電子ビームを、前記ディスクの半径方向に偏向するとともに該半径方向と略直交する周方向への偏向を行う偏向手段と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段とを備え、
前記ディスクを一方向に回転させつつ、前記電子ビームを前記偏向手段により外周方向への偏向時と内周方向への偏向時とで偏向方向が交差するように、トラック縁部で次の半径方向への偏向開始点へ周方向に偏向する8の字状の偏向動作を繰り返し、前記回転するディスク上で前記基準値のピッチで外周方向への電子ビーム走査と内周方向への電子ビーム走査とを交互に平行に行い、エレメントの描画部位における偏向動作時に前記ブランキング手段を作動して電子ビームの照射を行って、前記基準値の整数倍の長さを有する各エレメントを該整数倍の半径方向の走査回数により描画することを特徴とするものである。
前記転写パターンは、同心円状に形成された円周状トラックの各セクタの転写領域に、周方向長さが基準値の整数倍の長さに形成されるエレメントを有し、前記電子ビーム描画装置は、照射する電子ビームを、前記ディスクの半径方向に偏向するとともに該半径方向と略直交する周方向への偏向を行う偏向手段と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段とを備え、
前記ディスクを一方向に回転させつつ、前記電子ビームを前記偏向手段により外周方向への偏向時と内周方向への偏向時とで偏向方向が交差するように、トラック縁部で次の半径方向への偏向開始点へ周方向に偏向する8の字状の偏向動作を繰り返し、前記回転するディスク上で前記基準値のピッチで外周方向への電子ビーム走査と内周方向への電子ビーム走査とを交互に平行に行い、エレメントの描画部位における偏向動作時に前記ブランキング手段を作動して電子ビームの照射を行って、前記基準値の整数倍の長さを有する各エレメントを該整数倍の半径方向の走査回数により描画することを特徴とするものである。
前記偏向手段による電子ビームの半径方向の偏向を、トラック幅より大きく行いトラック幅より外れたトラック縁部で次の半径方向への偏向開始点への周方向偏向を行うことが好適である。
また、前記偏向手段による電子ビームの外周方向への偏向時と内周方向への偏向時との偏向方向の交差角度は、前記ディスクの回転速度とエレメントの傾斜角度と描画速度とに応じて設定するものである。
本発明では、前記エレメントの周方向の基準値描画長さを、前記電子ビームを前記ディスクの半径方向とほぼ直交する周方向へ高速に往復振動させる振幅で規定するのが好適である。
本発明は、前記転写パターンが、アドレス部を含むサーボパターンである場合に好適である。
前記「パターンを構成するエレメント」とは、トラックに情報に応じた信号を記録するために形成される記録要素であり、通常矩形状を含む略平行四辺形となり、トラック方向と平行な辺と、トラック方向に交差する垂直または傾斜した辺で囲まれる。
本発明の描画方法を実施するための電子ビーム描画装置としては、ディスクを回転自在に支持する回転ステージと、該回転ステージを直線移動させる機構と、前記回転ステージの回転速度および直線移動を駆動制御する手段と、電子ビームを発生させ出射する電子ビーム照射手段と、電子ビームの照射をオン・オフするブランキング手段と、電子ビームを周方向に偏向するとともに半径方向に偏向する偏向手段と、パターンの各エレメントに対応して電子ビームを走査させるための描画データ信号を送出する手段と、これらの作動を連係制御する制御手段とを備えてなる。
本発明の電子ビーム描画方法によれば、周方向長さが基準値の整数倍の長さに形成されるエレメントを描画する際に、ディスクを一方向に回転させつつ、電子ビームを偏向手段により外周方向への偏向時と内周方向への偏向時とで偏向方向が交差するようにトラック縁部で次の半径方向への偏向開始点へ周方向に偏向する8の字状の偏向動作を繰り返し、ディスク上で外周方向への走査と内周方向への走査とを交互に平行に行い、エレメントの描画部位でブランキング手段を作動して電子ビームの照射を行って、基準値の整数倍の長さを有する各エレメントを半径方向の走査回数により描画することにより、周方向長さが異なるエレメントを外エレメント内に空白部を伴うことなく1トラックにつき1回転で描画することが可能であり、ディスクの全面に微細パターンを高速に高精度に描画でき、描画効率の向上による描画時間の短縮化が図れる。
また、偏向手段による電子ビームの半径方向の偏向を、トラック幅より長く行いトラック幅より外れたトラック縁部で次の半径方向への偏向開始点への周方向偏向を行う方法では、より正確に周方向に長いエレメントの描画が行える。
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の電子ビーム描画方法により描画する磁気転写用マスター担体の転写パターンを示す平面図(a)および転写パターンを構成するエレメントの基本的描画方式を示す拡大模式図(b)、図2は一つの実施形態による電子ビームの偏向動作を示す図(a)および回転するディスク上のエレメントのビーム走査を示す図(b)、図3は図2の実施形態における各方向偏向量およびブランキング信号を示す図である。図4は本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画装置の要部側面図(a)および上面図(b)である。
図1(a)に示すように、磁気転写用マスター担体に形成される微細凹凸形状による転写パターン12(サーボパターン)は、円盤状のディスク11(円形基盤)に、外周部11aおよび内周部11bを除く円環状領域に形成される。このパターン12は、転写情報がサーボ信号の場合であり、ディスク11の同心円状トラックに等間隔で、各セクタの転写領域に、中心部からほぼ放射方向に延びる細幅の領域に形成されてなる。なお、この例のサーボパターン12の場合には、半径方向に連続した湾曲放射状に形成されている。
1つのパターン12の一部を拡大してみると、図1(b)に示すように、同心円状のトラックTには転写する情報(例えばアドレス情報)に対応する微細なエレメント(図示の場合は、第1のエレメント13と第2のエレメント14)が配置され、その他の不図示のエレメントとの集合体で構成される。第1のエレメント13の形状は、幅がWでトラック幅に相当し、周方向長さ(ビット長)が2L(2ビット)の矩形状であり、第2のエレメント14はトラック幅Wで周方向長さがL(1ビット)の矩形状であり、第2のエレメント14の長さが基準値Lで第1のエレメント13はその2倍であり、エレメント13,14間の空白部Gの周方向長さも基準値Lまたはその整数倍に形成される。その他のエレメントおよび空白部についても基準値Lの整数倍の長さに形成される。後述のように、第1のエレメント13は半径方向(トラック幅方向)の2回の走査E1,E2で描画され、第2のエレメント14は1回の走査E3で描画される。最終的なマスター担体ではエレメント13,14の部分が凸部(または凹部)に、その他の部分が平坦部(ランド)となる。
上記パターン12の各エレメント13,14の描画は、表面にレジストが塗布されたディスク11を後述の回転ステージ41(図4参照)に設置して回転させつつ、例えば、内周側のトラックより外周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、1トラックずつ電子ビームEBでエレメント13,14を走査しレジストを照射露光するものである。
図1(b)および図2,図3は、本発明の電子ビーム描画方法の実施形態を示す図であり、この実施形態の描画は、1トラック分のエレメント例えば周方向長さが異なる第1および第2のエレメント13,14をディスク11の1回転(1周)で一度に描画するものである。ディスク11を一方向Aに回転させつつ、ディスク11の半径方向Yに対して直交する周方向Xに、微視的に見れば直線状に延びる同心円状のトラックT(トラック幅:W)の所定位相位置に、前記第1および第2のエレメント13,14を連続して一度にその形状を塗りつぶすように微小径の電子ビームEBで走査して、1回転で1トラック内の全エレメントを描画する。
上記走査は、エレメント13,14の最小幅より小さいビーム径の電子ビームEBを後述のブランキング手段(アパーチャ25,ブランキング26)の描画部位に応じたオン・オフ動作により照射しつつ、半径方向Yおよび周方向Xへディスク11の回転速度に応じて電子ビームEBを偏向させてトラック幅Wの送りDを行うとともに、図1(b)のように、半径方向Yとほぼ直交する周方向Xへ一定の振幅Lで高速に往復振動させて振らせることで、露光描画する。
順に説明すれば、図2(a)は往復振動を除いた電子ビームEBの半径方向Yおよび周方向Xの偏向動作を示し、停止したディスク11上に描かれる電子ビームEBの軌跡であり、図2(b)はA方向に回転するディスク11のトラックTを移動する往復振動を除いた電子ビームEBの軌跡を示している。また、図3は横軸の時間(トラックの移動)に対し、(a)に半径方向Yの変位特性を、(b)に周方向Xの変位特性を、(c)にブランキング信号BLKのオン・オフ動作をそれぞれ示している。
まず、電子ビームEBの半径方向Yおよび周方向Xの偏向動作は、図2(a)に示すように、外周側への偏向と内周側への偏向とが交差する8の字状の偏向動作を繰り返して行うことにより、A方向に回転するディスク11上では、図2(b)に示すように、基準値Lのピッチで外周方向への電子ビーム走査と内周方向への電子ビーム走査とが交互に平行に行われ、エレメントの描画部位におけるブランキング手段のオン動作により電子ビームの整数回の照射を行って、第1のエレメント13では2回の走査E1,E2により、第2のエレメント14では1回の走査E3によってその形状が描画される。そして、半径方向Yの偏向幅はトラック幅Wより大きくなるように設定している。
上記8の字状の偏向動作は、トラック内周側のa点より外周方向へ半径方向Yの偏向を行うと共にトラック移動と同速度でA方向へ周方向Xの偏向を行い、a’点でトラック下縁となり、b’点でトラック上縁となり、外周側のb点に外周方向へ偏向する。回転するディスク11上ではトラックTを垂直に横切るようにa点からb点に走査され、a’点からb’点までの電子ビームEBの照射および往復振動により第1のエレメント13の半分が露光走査E1により描画される。
次にb点よりc点に回転方向Aと逆方向に周方向Xの偏向を高速に行い、これによりディスク11上では基準値L(ピッチ)のトラック方向移動が行われる。
そして、トラック外周側のc点より内周方向へ半径方向Yの偏向を行うと共にトラック移動と同速度でA方向へ周方向Xの偏向を行い、c’点でトラック上縁となり、d’点でトラック下縁となり、内周側のd点に内周方向へ偏向する。この内周方向へのc−d偏向は、前記外周方向へのa−b偏向と交差する。そして、回転するディスク11上ではトラックTを垂直に横切るようにc点からd点に走査され、c’点からd’点までの電子ビームEBの照射および往復振動により第1のエレメント13の残り半分が露光走査E2により描画される。
次に、d点よりa点に回転方向Aと逆方向に周方向Xの偏向を高速に行い、これによりディスク上では基準値L(ピッチ)のトラック方向移動が行われ、この8の字状の偏向動作を繰り返すことにより、ディスク11上では基準値Lのピッチで外周方向への電子ビーム走査と内周方向への電子ビーム走査とが交互に平行に繰り返し行われる。
空白部Gでは、ブランキング手段により電子ビームEBの照射を遮断(オフ)して、偏向信号は出力しているが、露光を行わない状態である。
上記8の字状の偏向動作における半径方向Yの偏向は、図3(a)のように、a点からb点に直線的に外周側に偏向させ、b点−c点間は偏向を維持し、c点からd点に直線的に内周側に偏向させ、d点−a点間は偏向を維持することを繰り返す。
また、周方向Xの偏向は、図3(b)のように、a点からb点に直線的に逆A方向に偏向させ、b点からc点ではA方向に偏向を急速に戻し、c点からd点に直線的に逆A方向に偏向させ、d点からa点ではA方向に偏向を急速に戻すことを繰り返す。
さらに、電子ビームEBの照射をオン・オフするブランキング信号BLKは、露光走査E1,E2,E3を行う際の、a’−b’間またはc’−d’間でオン動作してビーム照射し、その他の空白部Gおよびトラック外の部位ではオフ動作してビーム照射を遮断する。
上記のように8の字状の偏向動作とブランキング手段のオン・オフ動作によって、基準値Lの任意整数倍の幅のエレメント13,14の描画および基準値Lの任意整数倍の幅の空白部Gの形成を行うことができ、その処理は偏向制御の単純化によって高速化が図れ、描画速度が高められる。
特にトラック外で周方向Xの偏向の戻し動作を行うことで、単位走査E1,E2間に空白を形成することなく、連続した長さのエレメント13を描画できる。なお、ディスク11の回転速度と電子ビームEBの偏向速度、および往復振動の振幅幅の設定により周方向Yの偏向におけるトラック幅Wよりの外れ量が変化し、場合によっては同一エレメント内の描画走査間、すなわち走査E1,E2間にブランキング信号のオフ動作が不要となる場合がある。
また、電子ビームEBの外周方向への偏向時a−bと内周方向への偏向時c−dとの偏向方向の交差角度は、ディスク11の回転速度とエレメント13,14の傾斜角度と描画速度とに応じて設定される。つまり、図1(b)および図2の実施形態では、エレメント13,14の前後の辺はトラックTの伸長方向に垂直に形成する場合について説明しているが、これが傾斜している平行四辺形のエレメントを描画する場合には、a−bの偏向角度とc−dの偏向角度とが異なるものである。描画速度が一定でディスク11の回転速度が速くなると、周方向Xへの偏向量が大きくなり、一方、ディスクの回転速度が一定で描画速度が速くなると、周方向Xへの偏向量が小さくなる。
1つのトラックTを1周描画した後、次のトラックTに移動し同様に描画して、ディスク11の全領域に所望の微細パターン12を描画する。この電子ビームEBのトラック移動は、後述の回転ステージ41を半径方向Yに直線移動させて行う。その移動は1トラックの描画毎に行うか、電子ビームEBの半径方向Yの偏向可能範囲に応じて複数トラックの描画毎に行うものである。また、上記エレメント13,14の周方向Xの描画長さ基準値Lは、電子ビームEBの周方向往復振動の振幅で規定する。
また、前記ディスク11の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、ディスク11の外周側部位でも内周側部位でも全描画域で同一の線速度となるように、前記回転ステージ41の回転速度を外周側描画時には遅く、内周側描画時には速くなるように調整して、電子ビームEBによる描画を行うのが均一露光を得るためおよび描画位置精度を確保する点で好ましい。
前記エレメント13,14を描画するためには、前述のように電子ビームEBを走査させるものであるが、その電子ビームEBの走査制御を行うための描画データ信号を送出する。この送出信号は回転ステージ41の回転に応じて発生する基準クロック信号に基づいてタイミングおよび位相が制御される。
一方、前記パターン12の記録方式がCAV(角速度一定)方式の場合には、セクターの長さが内外周で変化するのに応じ、そのエレメント13,14の基準値Lは、外周側トラックで長く内周側トラックで短く形成されることになる。この場合に、このエレメント13,14を描画するとき、半径方向Yの偏向送りDの速度を、外周側トラックの描画での送りが遅く、内周トラックの描画での送りが速くなるように変更する。すなわち、描画部位のディスク11の回転中心からの距離が大きくなるにつれて遅くなるように変更し、各エレメント13,14で単位時間当たりの電子ビームEBの描画面積が一定となるようにする。これにより、エレメント13,14の露光が同条件で均等に行える。つまり、電子ビームEBの周方向往復振動の周波数を一定、電子ビーム強度を一定とした安定条件で行える。
上記のような描画を行うために、図4に示すような電子ビーム描画装置40を使用する。この電子ビーム描画装置40は、ディスク11を支持する回転ステージ41および該ステージ41の中心軸42と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ44を備えた回転ステージユニット45と、回転ステージユニット45の一部を貫通し、回転ステージ41の一半径方向Yに延びるシャフト46と、回転ステージユニット45をシャフト46に沿って移動させるための直線移動手段49とを備えている。回転ステージユニット45の一部には、上記シャフト46と平行に配された、精密なネジきりが施されたロッド47が螺合され、このロッド47は、パルスモータ48によって正逆回転されるようになっており、このロッド47とパルスモータ48により回転ステージユニット45の直線移動手段49が構成される。また、回転ステージ41の回転に応じて基準クロック信号を発生する手段(不図示)を備える。
さらに、電子ビーム描画装置40は、電子ビームEBを出射する電子銃23、電子ビームEBをY方向(ディスク径方向)およびY方向に直交するX方向(周方向)へ偏向させる偏向手段21,22、電子ビームEBの照射をオン・オフするためのブランキング手段としてアパーチャ25およびブランキング26(偏向器)を備えており、電子銃23から出射された電子ビームEBは偏向手段21、22および図示しないレンズ等を経て、ディスク11上に照射される。なお、パターン描画時には、偏向手段21、22を制御して電子ビームEBを、ディスク11の周方向Xに一定の振幅で微小往復振動させる。
ブランキング手段における上記アパーチャ25は、中心部に電子ビームEBが通過する透孔を備え、ブランキング26はオン・オフ信号の入力に伴って、オン信号時には電子ビームEBを偏向させることなくアパーチャ25の透孔を通過させて照射し、一方、オフ信号時には電子ビームEBを偏向させてアパーチャ25の透孔を通過させることなくアパーチャ25で遮断して、電子ビームEBの照射を行わないように作動する。そして、エレメント13,14を描画している際にはオン信号が入力されて電子ビームEBを照射し、エレメント13,14の間の移動時にはオフ信号が入力されて電子ビームEBを遮断し、露光を行わないように制御される。このブランキング手段を用いて、前述のように第1および第2のエレメント13,14の描画を行うものである。
上記スピンドルモータ44の駆動すなわち回転ステージ41の回転速度、パルスモータ48の駆動すなわち直線移動手段49による直線移動、電子ビームEBの変調、偏向手段21および22の制御、ブランキング26のオン・オフ制御等は制御手段であるコントローラ50から送出された描画データ信号によって基準クロック信号に基づいて行われる。
前記回転ステージ41に設置するディスク11は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなり、その表面には予めポジ型電子ビーム描画用レジストが塗設されている。
なお、各エレメント13の形状と電子ビーム描画用レジストの感度とを考慮しながら、電子ビームEBの出力およびビーム径を調整することが望ましい。
11 ディスク
12 パターン
13 第1のエレメント
14 第2のエレメント
D 偏向送り
EB 電子ビーム
T トラック
X 周方向
Y ディスク半径方向
L 基準値
21、22 偏向手段
23 電子銃
25 アパーチャ
26 ブランキング(ブランキング手段)
40 電子ビーム描画装置
41 回転ステージ
44 スピンドルモータ
45 回転ステージユニット
49 直線移動手段
50 コントローラ
12 パターン
13 第1のエレメント
14 第2のエレメント
D 偏向送り
EB 電子ビーム
T トラック
X 周方向
Y ディスク半径方向
L 基準値
21、22 偏向手段
23 電子銃
25 アパーチャ
26 ブランキング(ブランキング手段)
40 電子ビーム描画装置
41 回転ステージ
44 スピンドルモータ
45 回転ステージユニット
49 直線移動手段
50 コントローラ
Claims (5)
- 磁気転写用マスター担体の転写パターンを、レジストが塗布され半径方向に移動可能な回転ステージに設置されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビーム描画装置より照射された電子ビームを走査することにより転写パターンを構成するエレメントの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記転写パターンは、同心円状に形成された円周状トラックの各セクタの転写領域に、周方向長さが基準値の整数倍の長さに形成されるエレメントを有し、
前記電子ビーム描画装置は、照射する電子ビームを、前記ディスクの半径方向に偏向するとともに該半径方向と略直交する周方向への偏向を行う偏向手段と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段とを備え、
前記ディスクを一方向に回転させつつ、前記電子ビームを前記偏向手段により外周方向への偏向時と内周方向への偏向時とで偏向方向が交差するように、トラック縁部で次の半径方向への偏向開始点へ周方向に偏向する8の字状の偏向動作を繰り返し、前記回転するディスク上で前記基準値のピッチで外周方向への電子ビーム走査と内周方向への電子ビーム走査とを交互に平行に行い、エレメントの描画部位における偏向動作時に前記ブランキング手段を作動して電子ビームの照射を行って、前記基準値の整数倍の長さを有する各エレメントを該整数倍の半径方向の走査回数により描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 前記偏向手段による電子ビームの半径方向の偏向を、トラック幅より大きく行いトラック幅より外れたトラック縁部で次の半径方向への偏向開始点への周方向偏向を行うことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム描画方法。
- 前記偏向手段による電子ビームの外周方向への偏向時と内周方向への偏向時との偏向方向の交差角度は、前記ディスクの回転速度とエレメントの傾斜角度と描画速度とに応じて設定することを特徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画方法。
- 前記エレメントの周方向の基準値描画長さを、前記電子ビームを前記ディスクの半径方向とほぼ直交する周方向へ高速に往復振動させる振幅で規定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子ビーム描画方法。
- 前記転写パターンが、アドレス部を含むサーボパターンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子ビーム描画方法。
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JP2003248923A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体の作製方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009205705A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
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