JP4842288B2 - 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4842288B2 JP4842288B2 JP2008043758A JP2008043758A JP4842288B2 JP 4842288 B2 JP4842288 B2 JP 4842288B2 JP 2008043758 A JP2008043758 A JP 2008043758A JP 2008043758 A JP2008043758 A JP 2008043758A JP 4842288 B2 JP4842288 B2 JP 4842288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- fine pattern
- length
- pattern
- radial direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
- G11B5/865—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
前記微細パターンは、1ビット信号長に対応する短エレメントと、2ビット信号長に対応する長エレメントとが混在し、該長エレメントの描画長さは、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長に対し所定比率で短くなり、
前記微細パターンの描画は、前記基板を一方向に回転させつつ、前記電子ビームを、前記基板の半径方向と直交する方向へ高速に往復振動させるとともに、前記基板の半径方向および該半径方向と直交する方向へ送るX−Y偏向を行い、前記短エレメントおよび長エレメントの形状を順次塗りつぶすように走査制御して行うものであり、
前記長エレメントを描画する場合には、2ビット信号長の中央位置を中心位置として、前記所定比率で短くなった描画長の範囲を電子ビームで塗りつぶすように走査し、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長に対し、両側に所定幅の非描画部を残して長エレメントを描画することを特徴とするものである。
図1(A)は、微細パターン描画用の後述の基板10(図3参照)に塗布したレジスト11に、電子ビームEBによって描画した微細パターンの一例として、アドレス信号の一部をマンチェスター変換してなる描画エレメントを示している。この描画エレメントは、図8(B)に示した短エレメント13および長エレメント14であり、これらの短長エレメント13,14は1トラック幅Wで電子ビームEBの照射径より大きいトラック方向長さを有する。最終的な磁気ディスク媒体における1ビット信号長T(図8参照)に対応する短エレメント13は、所定比率kで短縮された描画長kTを有し、2ビット信号長2Tに対応する長エレメント14は、所定比率kで短縮された描画長2kTを有する。
図2に示す第2の描画方法について説明する。この描画方法は、短エレメント13の描画は図1と同様に行うが、長エレメント14の描画は、2ビット信号長2Tの中央位置で分割した半分の描画長kTの中央位置を、電子ビームEBの往復振動の中心位置sとし、長エレメント描画長2kTの半分の描画長kTを往復振動の振幅H1に設定し、基板10の半径方向に2回の偏向走査を行うことで、前記所定比率kで短くなった描画長2kTの範囲を電子ビームEBで塗りつぶすように走査し、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長2Tに対し、両側に所定幅(T−kT)の非描画部を残して長エレメント14を同様に描画するものである。短エレメント13の描画時と、長エレメント14の描画時における電子ビームEBの往復振動の振幅H1が一定である。
11 レジスト
12 微細パターン
13 短エレメント
14 長エレメント
EB 電子ビーム
X 周方向
Y 半径方向
20 微細パターン描画システム
21、22 偏向手段
23 電子銃
24 ブランキング手段
25 アパーチャ
26 ブランキング
40 電子ビーム描画装置
41 回転ステージ
44 スピンドルモータ
45 回転ステージユニット
49 直線移動手段
50 コントローラ
53 エンコーダ
60 信号送出装置
70 インプリントモールド
71 基板
72 微細凹凸パターン
80 磁気ディスク媒体
81 基板
82 磁性層
83 レジスト樹脂層
85 磁気ディスク媒体
90 磁気転写用マスター担体
92 磁性層
Claims (9)
- レジストが塗布され回転ステージに設置された基板上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビーム描画装置により電子ビームを走査して、該電子ビームの照射径より大きいトラック方向長さの描画エレメントで構成される磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、
前記微細パターンは、1ビット信号長に対応する短エレメントと、2ビット信号長に対応する長エレメントとが混在し、該長エレメントの描画長さは、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長に対し所定比率で短くなり、
前記微細パターンの描画は、前記基板を一方向に回転させつつ、前記電子ビームを、前記基板の半径方向と直交する方向へ高速に往復振動させるとともに、前記基板の半径方向および該半径方向と直交する方向へ送るX−Y偏向を行い、前記短エレメントおよび長エレメントの形状を順次塗りつぶすように走査制御して行うものであり、
前記長エレメントを描画する場合には、2ビット信号長の中央位置を中心位置として、前記所定比率で短くなった描画長の範囲を電子ビームで塗りつぶすように走査し、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長に対し、両側に所定幅の非描画部を残して長エレメントを描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 前記長エレメントの描画は、前記電子ビームの往復振動の振幅を、2ビット信号長の中央位置を往復振動の中心位置として、描画全長に対応して設定し、前記基板の半径方向に1回の偏向走査で描画することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画方法。
- 前記微細パターンの描画を、前記磁気ディスク媒体での最終的な信号配列で描画するとした際の、半径方向および該半径方向と直交する方向のX−Y偏向信号に基づき、半径方向と直交する方向への往復振動の振幅を、最終信号長に対し所定比率で短縮した描画信号の設定によって行うことを特徴とする請求項2記載の電子ビーム描画方法。
- 前記長エレメントの描画は、2ビット信号長の中央位置で分割した半分の描画長の中央位置を、前記電子ビームの往復振動の中心位置とし、該往復振動の振幅を長エレメント描画長の半分とし、前記基板の半径方向に2回の偏向走査で描画することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画方法。
- 請求項1〜請求項4いずれか1項記載の電子ビーム描画方法を実現するための描画データ信号を送出する信号送出装置および電子ビームを走査する電子ビーム描画装置を備えたことを特徴とする微細パターン描画システム。
- 前記電子ビーム描画装置は、レジストが塗布された基板を回転させつつ半径方向に移動可能な回転ステージと、電子ビームを出射する電子銃と、前記電子ビームを前記回転ステージの半径方向および該半径方向と直交する方向にX−Y偏向するとともに該半径方向と直交する方向に高速振動させる偏向手段と、描画部分以外は電子ビームの照射を遮断するブランキング手段と、前記各手段による作動を連係制御するコントローラとを備え、
前記信号送出装置は、前記基板に描画する微細パターンの形態に応じたデータに基づき、前記電子ビーム描画装置のコントローラに描画データ信号を送出するものであり、
前記コントローラは、前記長エレメントを描画する場合に、2ビット信号長の中央位置を中心位置として、最終的な磁気ディスク媒体における2ビット信号長に対し、両側に所定幅の非描画部を残して、電子ビームで塗りつぶすように描画するよう走査制御するものであることを特徴とする請求項5に記載の微細パターン描画システム。 - レジストが塗布された基板に、請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の電子ビーム描画方法により所望の微細パターンを描画露光し、該所望の微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て製造することを特徴とする凹凸パターン担持体の製造方法。
- レジストが塗布された基板に、請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の電子ビーム描画方法により所望の微細パターンを描画露光し、該所望の微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て製造されたインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写することを特徴とする磁気ディスク媒体の製造方法。
- レジストが塗布された基板に、請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の電子ビーム描画方法により所望の微細パターンを描画露光し、該所望の微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て製造された磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写することを特徴とする磁気ディスク媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008043758A JP4842288B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
US12/393,117 US8031436B2 (en) | 2008-02-26 | 2009-02-26 | Electron beam writing method for magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008043758A JP4842288B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009205705A JP2009205705A (ja) | 2009-09-10 |
JP4842288B2 true JP4842288B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=40997397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008043758A Expired - Fee Related JP4842288B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8031436B2 (ja) |
JP (1) | JP4842288B2 (ja) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3343339B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2002-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
JP3705076B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2005-10-12 | 松下電器産業株式会社 | マスター情報担体を用いた垂直磁気記録媒体への磁気記録方法 |
JP2002342920A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスター担体 |
JP2003248981A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Pioneer Electronic Corp | 微小往復振動偏向を加えたビームによる情報記録方法 |
JP4109085B2 (ja) | 2002-11-06 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 電子ビーム描画方法 |
JP2006017782A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子ビーム描画方法 |
WO2006070555A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Pioneer Corporation | ビーム記録方法及び装置 |
JP2009134788A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体および磁気ディスク媒体 |
JP2009133942A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体および磁気ディスク媒体 |
JP2009186581A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
JP2009237001A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
JP5231298B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 電子ビーム描画方法および装置 |
JP2011048864A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法およびモールド |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008043758A patent/JP4842288B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-26 US US12/393,117 patent/US8031436B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009205705A (ja) | 2009-09-10 |
US8031436B2 (en) | 2011-10-04 |
US20090212230A1 (en) | 2009-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7026098B2 (en) | Electron beam lithography method | |
JP2009237001A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2009122217A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システムおよび凹凸パターン担持体 | |
JP2009217919A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
US7868308B2 (en) | Electron beam writing method, fine pattern writing system, and manufacturing method of uneven pattern carrying substrate | |
JP2009134788A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体および磁気ディスク媒体 | |
US7972764B2 (en) | Electron beam writing method, fine pattern writing system, method for manufacturing uneven pattern carrying substrate, and method for manufacturing magnetic disk medium | |
US7141356B2 (en) | Electron beam lithography method | |
JP2009186581A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP4842288B2 (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2011048864A (ja) | 電子ビーム描画方法およびモールド | |
JP5283410B2 (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2010232035A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP4532185B2 (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
JP2012185286A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2009211757A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、インプリントモールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2011128241A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2011192354A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2010054671A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2009223155A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、凹凸パターン担持体および磁気ディスク媒体 | |
JP2009163850A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システムおよび凹凸パターン担持体 | |
JP2009244459A (ja) | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2012185880A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画システム、インプリントモールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 | |
JP2013058291A (ja) | 電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システム | |
JP2011159644A (ja) | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |