JP2011048864A - 電子ビーム描画方法およびモールド - Google Patents

Abstract

【課題】パターンサイズの異なる各種凹凸パターンをそれぞれのパターンの描画位置精度を確保して正確に描画可能とする。
【解決手段】ＤＴＭまたはＢＰＭの記録メディアに形成する微細パターンを、レジスト11が塗布されたモールドの原盤10に、電子ビーム描画装置により電子ビームEBを走査して描画する際に、前記微細パターンにおける、メディア用サーボパターン12およびデータトラック間のグルーブパターン15による第１の凹凸パターン、円周に沿って環状にパターン形成された円環状位置決めマーク17およびトレサビリティー用製品識別マーク19による第２の凹凸パターン、転写時のポイント状位置決めマーク18による第３の凹凸パターンのうち少なくとも２種を、同一真空チャンバー43内で１枚の原盤に連続して電子ビーム描画する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ディスクリートトラックメディアまたはビットパターンメディアによる記録メディアを作製する際に、その微細パターン（凹凸パターン）をモールドに形成するためにモールド原盤に設けたレジストに対して電子ビームの照射によってパターン描画を行う電子ビーム描画方法、および、この電子ビーム描画方法を用いた描画工程を経て作製される凹凸パターン表面を有するディスクリートトラックメディア用またはビットパターンメディア用のモールドに関する。

ディスクリートトラックメディア（以下、ＤＴＭと表記する。）は、磁気ディスク媒体の記録密度のさらなる高密度化の要請から、隣接するデータトラックを溝（グルーブ）からなるグルーブパターン（ガードバンド）で分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにした記録メディアである。また、ビットパターンメディア（以下、ＢＰＭと表記する。）は、単磁区を構成する磁性体（単磁区磁性体）がドットパターンの各ドットエレメントの配列によってデータビットに分離され、物理的に孤立して規則的に配列されてなり、微粒子１個に１ビットを記録する記録メディアである。これらの記録メディアの作製にはナノインプリント技術が用いられる（例えば、特許文献１参照）。

上記ナノインプリント技術は、記録メディアの表面に形成する微細凹凸パターンに対応する微細凹凸パターンを有するモールドを作製し、このモールドを基板上の樹脂材料に押圧して型押しし、その微細パターンを転写形成するものである。

そして、上記ＤＴＭまたはＢＰＭに形成される凹凸パターンとしては、他のメディアと同様にヘッドをトラックに追従させるためのトラッキングサーボ用のサーボパターンと、上記データグルーブパターンまたはドットパターンとに加え、このモールドをＤＴＭまたはＢＰＭの基板に押し付けてメディアに凹凸パターンを転写する際の位置決めを行うための位置決めマーク、製品識別マーク（トレサビリティマーク）などを含む凹凸パターンである。

上記位置決めマークとしては、ＤＴＭまたはＢＰＭ基板とモールドの中心位置を合わせるための円周に沿って環状にパターン形成された円環状位置決めマーク、モールドをメディアに転写する際の回転方向位置を合わせるためのポイント状位置決めマークが挙げられる。

また、上記製品識別マークは、モールドを使用してＤＴＭまたはＢＰＭを作製した際に、後工程で異常が発生した場合、若しくは、製品として出荷後に異常が発生した場合に、その原因の解析、対策を行うには、このＤＴＭまたはＢＰＭ製品の生産における使用モールドを特定するための製品識別情報が必要となり、例えば、モールドの製品番号（数字等）がこの製品識別マークに該当する。

一方、上記モールドに前述のサーボパターンおよびデータグルーブパターンまたはドットパターン、位置決めマーク、製品識別マークに相当する凹凸パターンを形成する場合には、まず、その凹凸パターンをモールドを構成するモールド原盤に形成しなければならない。このパターン形成方法としてはモールド原盤に塗布したレジストに、フォトリソグラフィ、レーザビーム描画、電子ビーム描画等によってパターン形成する技術が広く知られている。これらのパターン形成方法は、パターンの線の太さ、画素の大きさ等のパターン細密程度（パターンサイズ）に応じて適切な方法がある。

例えば、前記特許文献１においては、ナノインプリント用のモールドに、同心円上に２個以上の位置決めマークをフォトリソプロセスとドライエッチング技術を利用して形成した後、サーボパターン等の微細凹凸パターンは電子ビーム描画法によって形成し、上記位置決めマークはこのモールドを基板に押し付ける際の位置合わせ用のマークとして使用することが記載されている。

特開２００７−１９０７３４号公報

ところで、上記のように１つのモールドに形成する凹凸パターンを、そのパターンの描画形成をフォトリソグラフィ、電子ビーム描画法などの異なる方法を用いて形成した場合には、それぞれの方法においてモールド原盤を異なる装置の基準位置に保持し直す必要があり、それぞれの形成されたパターンの間で中心位置等の位置ずれが発生する問題がある。

つまり、パターンサイズの異なるパターン、マークの描画特性は、それぞれの凹凸パタ−ン形状に応じたパターン形成法があり、それぞれに適した形成法でパターン形成すると、効率よく正確なパターン形成が可能であるが、それぞれの装置でモールド原盤を持ち替えるために、機械的な保持位置を正確に合わせることは難しく、精度を高める際の障害となっている。

特に、サーボパターンおよびデータグルーブパターンまたはドットパターンは細密パターンである一方、位置決めマークの円環状位置決めマークは細密度の低いパターンであり、さらに、製品識別マークは目視が可能な程度に大きく形成されるものであり、上記のようにサーボパターンおよびデータグルーブパターンまたはドットパターンの描画と、位置決めマークの形成とを別工程で行うものでは、両者間に位置ずれが発生している。

したがって、このモールドを用いてＤＴＭまたはＢＰＭ基板に凹凸パターンを転写する場合に、上記位置決めマークによって基板との位置合わせを正確に行っても、上記モールドに形成されている位置決めマークとサーボパターンとの位置ずれによって、基板の正確な位置へのサーボパターンの形成が行えない問題を有している。

本発明は上記事情に鑑みて、パターンサイズの異なる各種凹凸パターンをそれぞれのパターンの描画位置精度を確保して描画形成するようにしたディスクリートトラックメディア用またはビットパターンメディア用モールドにおける電子ビーム描画方法およびその電子ビーム描画方法により作製されたモールドを提供することを目的とするものである。

本発明の電子ビーム描画方法は、記録メディアに形成する微細パターンを、レジストが塗布され回転ステージに設置されたモールドの原盤に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビーム描画装置により電子ビームを走査して描画する電子ビーム描画方法において、
前記微細パターンは、メディア用サーボパターンおよび隣接するデータトラック間を溝状に分離するグルーブパターンまたはデータビットを分離するドットパターンによる第１の凹凸パターンと、前記モールドの円周に沿って環状にパターン形成された円環状位置決めマークまたはトレサビリティー用製品識別マークによる第２の凹凸パターンと、前記モールドをメディアに転写する際のポイント状位置決めマークによる第３の凹凸パターンとを備え、
前記第１の凹凸パターン、第２の凹凸パターンおよび第３の凹凸パターンのうち少なくとも２種を、同一真空チャンバー内で１枚のモールド原盤に連続して電子ビーム描画することを特徴とする。

上記電子ビーム描画方法において、前記電子ビーム描画装置は、出射する電子ビームのビーム照射線量およびビーム径を変更する機能を備え、
前記第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径より、前記第２の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径を大きく設定して描画することが好ましい。

また、前記第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径と、前記第３の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径とを同じに設定して描画することが好ましい。

本発明のモールドは、レジストが塗布されたモールド原盤に、上記電子ビーム描画方法により記録メディアに形成する前記微細パターンを描画露光し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て作製されたことを特徴とする。

本発明の電子ビーム描画方法によれば、ＤＴＭまたはＢＰＭに形成する微細パターンを、レジストが塗布されたモールドの原盤に、電子ビーム描画装置により電子ビームを走査して描画する際に、前記微細パターンにおける、メディア用サーボパターンおよびデータトラック間のグルーブパターンまたはドットパターンによる第１の凹凸パターン、円環状位置決めマークまたはトレサビリティー用製品識別マークによる第２の凹凸パターン、ポイント状位置決めマークによる第３の凹凸パターンのうち少なくとも２種を、同一真空チャンバー内で１枚の原盤に連続して電子ビーム描画するようにしたことにより、これらの凹凸パターンを別工程で原盤の保持形態を変更して行った際の各凹凸パターンの中心位置ずれの発生を防止して各凹凸パターンの描画を正確に行うことができ、このモールドを用いてＤＴＭまたはＢＰＭ基板に凹凸パターンを転写する場合に、位置決めマークによって基板との位置合わせ精度が向上し、ＤＴＭまたはＢＰＭ基板の正確な位置にサーボパターン、グルーブパターンまたはドットパターンが形成でき、所期の特性が得られる。

また、上記描画方法において、電子ビーム描画装置は、出射する電子ビームのビーム照射線量およびビーム径を変更する機能を備え、第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径より、第２の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径を大きく設定して描画すると、パターンサイズの大きい第２の凹凸パターンを描画する場合の描画中心位置精度を確保したまま、描画速度の向上による描画時間の短縮化が図れる。

また、第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径と、第３の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径とを同じに設定して描画すると、パターンサイズが同等の第１および第３の凹凸パターンの描画において電子ビームの照射特性の変更がないことで、このビーム特性の変更に伴う位相ずれなどが生起することもなく、第１および第３の凹凸パターンを精度よく正確な位置関係に形成することができるものである。

さらに、本発明のモールドによれば、レジストが塗布されたモールド原盤に、上記電子ビーム描画方法によりＤＴＭまたはＢＰＭに形成する前記微細パターンを描画露光し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て作製されたことにより、表面に高精度の凹凸パターン形状を有するモールドが簡易に得られるものである。そして、本発明モールドを使用してＤＴＭまたはＢＰＭを作製することにより、モールドの表面に設けられた凹凸パターンを転写して、特性の優れたＤＴＭまたはＢＰＭを簡易に作製できる。

本発明の電子ビーム描画方法によりモールド原盤に描画するＤＴＭの微細パターンを示す全体平面図である。 微細パターンの一部の拡大図である。 本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。 電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えた本発明モールドを用いて磁気ディスク媒体に微細パターンを転写形成している過程を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１および図２に本発明の実施の形態としてのＤＴＭ用モールドを示す。

図１および図２に示すように、凹凸形状によるＤＴＭ用の微細パターンは、サーボ領域に形成されるサーボパターン１２と、データ領域に形成されるグルーブパターン１５とで構成され、円盤状のモールド原盤１０に、外周部１０ａおよび内周部１０ｂを除く円環状領域に形成される。

上記サーボパターン１２は、図１に示すように、モールド原盤１０の同心円状トラックに等間隔で、各セクターに中心部からほぼ放射方向に延びる細幅の領域に形成されてなる。なお、この例のサーボパターン１２の場合には、半径方向に連続した湾曲放射状に形成されている。その一部を拡大した図２に例示するように、同心円状のトラックＴ1〜Ｔ4には、例えば、プリアンブル、アドレス、バースト信号に対応する矩形状の微細なサーボエレメント１３が配置される。１つのサーボエレメント１３は、１トラック幅で電子ビームの照射ビーム径より大きいトラック方向長さを有し、バースト信号の一部のサーボエレメント１３は隣接するトラックに跨るように半トラックずれて配置される。

一方、前記グルーブパターン１５は、データトラック間のガードバンド部分に、隣接する各トラックＴ1〜Ｔ4を溝状に分離するようトラック方向に延びる同心円状に形成され、このグルーブパターン１５は所定角度で分割した複数のグルーブエレメント１６の整列で構成されている。

最終的なＤＴＭでは、サーボエレメント１３、グルーブエレメント１６、後述の円環状位置決めマーク１７、ポイント状位置決めマーク１８、製品識別マーク１９の部分が凹部に、その他の部分が磁性層による平坦部（ランド）となる。

また、図１に示すように、他の微細パターンとして、モールドをＤＴＭの基板に押し付ける転写時の位置決めを行うための位置決めマークとしての凹凸パターンが設けられる。この位置決めマークは、上記モールド原盤１０の外周部１０ａ（ユーザ不使用領域）に円周に沿って環状にパターン形成された円環状位置決めマーク１７と、ＤＴＭ基板とモールドの位相位置を合わせるための上記円環状位置決めマーク１７の一部（四方）に形成された複数の＋マークによるポイント状位置決めマーク１８とからなる。

さらに他の微細パターンとして、製品識別マーク１９（トレサビリティマーク）などを含む凹凸パターンが設けられる。この製品識別マーク１９は、モールドの製品番号（数字等）が、上記モールド原盤１０の外周部１０ａにおける上記円環状位置決めマーク１７の四方のポイント状位置決めマーク１８の直近にそれぞれ設置される。

そして、各凹凸パターンの微細形状（パターンサイズ）は、次のように異なり、描画順序においてグループ化される。上記サーボパターン１２におけるサーボエレメント１３および上記グルーブパターン１５のグルーブエレメント１６による第１の凹凸パターンのパターンサイズは、幅が２０ｎｍ〜１００ｎｍと特に微細である。一方、上記位置決めマークの円環状位置決めマーク１７による第２の凹凸パターンのパターンサイズは、円環の線幅が１．５μｍ程度と比較的大きく、ポイント状位置決めマーク１８による第３の凹凸パターンのパターンサイズは、＋マークの線幅が２００ｎｍ程度と微細である。さらに、上記製品識別マーク１９による第２の凹凸パターンのパターンサイズは、数字（製品番号）における目視可能な線幅が５０μｍ程度とさらに大きいものである。

つまり、第１の凹凸パターン（サーボパターン１２、グルーブパターン１５）および第３の凹凸パターン（ポイント状位置決めマーク１８）の描画は微細なパターンサイズであり、第２の凹凸パターン（円環状位置決めマーク１７、製品識別マーク１９）の描画はそれより少なくとも１０倍以上のパターンサイズとなる。

上記円環状位置決めマーク１７は、ＤＴＭ基板とモールド原盤１０の回転中心のＸＹ位置を合わせるためのものであり、図１に示す例では、外周部１０ａに円周に沿って環状にパターン形成しているが、ユーザ不使用領域である内周部１０ｂに円周に沿って環状にパターン形成してもよい。また、円環状位置決めマーク１７を複数の同心状円環で形成してもよい。

また、上記ポイント状位置決めマーク１８は、ＤＴＭ基板とモールド原盤１０の回転方向の位相位置を合わせるためのものであり、上記回転中心から離れた少なくとも１つの点（ポイント）で構成される。図１に示す例では、十字形の＋マークを円周上に４箇所形成しているが、中心位置から放射方向に延びる少なくとも１つの法線によって形成してもよく、ユーザ不使用領域である内周部１０ｂに配置してもよい。

さらに、円環状位置決めマーク１７とポイント状位置決めマーク１８とは同一円周上に配置せずに、異なる円周上に配置するようにしてもよく、一方の位置決めマークを外周部１０ａに、他方の位置決めマークを内周部１０ｂに配置してもよい。

また、図示してないが、凹凸形状によるＢＰＭ用の微細パターンは、上記サーボ領域に形成されるサーボパターンと、データ領域に形成されるデータビットを分離するドットパターン（ドットエレメント）と、上記ＤＴＭと同様の位置決めマーク（円環状位置決めマーク、ポイント状位置決めマーク）と、製品識別マークとで構成される。そして、各凹凸パターンのパターンサイズは、サーボパターンとドットパターン（例えば、幅が１０ｎｍ〜２５ｎｍ）は上記の第１の凹凸パターンに属し、円環状位置決めマークと製品識別マークは第２の凹凸パターンに属し、ポイント状位置決めマークは第３の凹凸パターンに属するものであり、後述のＤＴＭの場合と同様に電子ビーム描画方法によってパターン形成される。

上記第１〜第３の凹凸パターンは、後述の図３に示すような電子ビーム描画装置１００を用い、表面にレジスト１１が塗布されたモールド原盤１０を回転ステージ３１に設置して回転させつつ、同一真空チャンバー内で電子ビームＥＢを照射しつつ偏向走査して順に露光描画するものである。

例えば、上記第１の凹凸パターンにおけるサーボパターン１２およびグルーブパターン１５の各サーボエレメント１３およびグルーブエレメント１６の描画は、モールド原盤１０を回転させつつ、内周側のトラックより外周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、１トラックずつ電子ビームでエレメント１３、１６を順に走査しレジスト１１を照射露光するものである。

その際の、第１〜第３の凹凸パターン描画順は、まず、パターンサイズが大きい第２の凹凸パターン（円環状位置決めマーク１７、製品識別マーク１９）を描画し、続いて、パターンサイズの小さい第１の凹凸パターン（サーボパターン１２、グルーブパターン１５）を描画し、さらに、第３の凹凸パターン（ポイント状位置決めマーク１８）を描画する。そして、パターンサイズを変更する場合には、後述のようにビーム照射特性、相対移動速度の変更も行う。

上記のように第１〜第３の凹凸パターンの描画を、モールド原盤１０の保持位置を変更することなく実施することで、順に描画した円環状位置決めマーク１７および製品識別マーク１９と、サーボエレメント１３およびグルーブエレメント１６と、ポイント状位置決めマーク１８とが、機械的な保持が変更されることないため、中心位置がずれることなく、正確な位置関係に形成することができる。

＜電子ビーム描画装置＞
上記した本発明の電子ビーム描画方法を実施するための電子ビーム描画装置の一実施形態について説明する。図３は電子ビーム描画装置の構成概略図である。

電子ビーム描画装置１００は、原盤に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射部２０と、原盤を回転および直線移動させる駆動部３０と、駆動部３０における機械的な駆動制御を行う駆動制御部４０と、描画クロックの生成を行うとともに、電子ビーム照射部２０および駆動部３０の動作タイミング信号を出力するフォーマッタ５０と、電子ビーム照射部２０における出射電子ビームの電子光学的制御を行う電子光学系制御部６０と、描画すべきパターンに関する設計データをフォーマッタ５０に送出するデータ送出装置５とを備えている。データ送出装置５と上記駆動制御部４０および電子光学系制御部６０との間ではデータの送受信が行われる。

電子ビーム照射部２０は、鏡筒２７内に電子ビームＥＢを出射する電子銃２１、電子ビームＥＢを半径方向Ｙおよび周方向Ｘへ偏向させるとともに周方向Ｘに一定の振幅で微小往復振動させる偏向手段２２，２３、電子ビームＥＢの照射をオン・オフ制御するためのブランキング手段２４としてアパーチャ２４ａおよびブランキング２４ｂ（偏向器）を備えている。また、偏向手段２２，２３の上部に電子ビームＥＢの絞り調整によりビーム照射線量の変更を行うコンデンサレンズ２５（電磁レンズ）、偏向手段２２，２３の下部に電子ビームＥＢのビーム径を変更する対物レンズ２６（電磁レンズ）を備えている。

これにより、電子銃２１から出射された電子ビームＥＢは偏向手段２２、２３、コンデンサレンズ２５および対物レンズ２６等を経てビーム照射線量およびビーム径が調整されて、レジスト１１が塗布されたモールド原盤１０上に照射・遮蔽され、ＸＹ方向に偏向走査される。

上記電子ビーム照射部２０および後述の駆動部３０は、内部が減圧される真空チャンバに構成され、この真空チャンバー内に設置されたモールド原盤１０に対して電子ビームＥＢを照射してパターン描画を行うように構成されている。

ブランキング手段２４における上記アパーチャ２４ａは、中心部に電子ビームＥＢが通過する透孔を備え、ブランキング２４ｂはオン・オフ信号の入力に伴って、オフ信号時には電子ビームＥＢを偏向させることなくアパーチャ２４ａの透孔を通過させてビーム照射させ、一方、オン信号時には電子ビームＥＢを偏向させてアパーチャ２４ａの透孔を通過させることなくアパーチャ２４ａで遮断して、電子ビームＥＢの照射を行わないように作動する。

駆動部３０は、鏡筒２７が上面に配置された筐体４３内に原盤を支持する回転ステージ３１および該ステージ３１の中心軸と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ３２を備えた回転ステージユニット３３と、回転ステージユニット３３を回転ステージ３１の一半径方向に直線移動させるための直線移動手段３４とを備えている。直線移動手段３４は、回転ステージユニット３３の一部に螺合された精密なネジきりが施されたロッド３５と、このロッド３５を正逆回転駆動させるパルスモータ３６とを備えている。また、ステージユニット３３には、回転ステージ３１の回転角に応じたエンコーダ信号を出力するエンコーダ３７が設置されている。エンコーダ３７は、スピンドルモータ３２のモータ軸に取り付けられる、多数の放射状のスリットが形成された回転板３８と、そのスリットを光学的に読み取り、エンコーダ信号を出力する光学素子３９とを備えている。

駆動制御部４０は、駆動部３０のスピンドルモータ３２のドライバ４１およびパルスモータ３６のドライバ４２に駆動制御信号を送出し、これらの駆動を制御するものである。

フォーマッタ５０は、不変の基準クロックを発生する基準クロック発生部５１と、描画クロックを生成する描画クロック生成部５２と、描画クロックに基づいて、電子ビーム照射部２０の偏向手段２２，２３のための偏向アンプ２８およびブランキング２４ｂのためのブランキングアンプ２９、およびスピンドルモータ３２のドライバ４１に接続されているＰＬＬ回路へデータ信号を送出するデータ振分け部５４と、エンコーダ３７からの信号を受けて、動作タイミング（データ振分けタイミング）を制御するタイミング制御部５５を備えている。

描画クロック生成部５２は、原盤の半径位置に応じて描画クロックの周波数を変更するための変更部５６を備えており、１つのエレメントを描画する描画クロック数は内外周で同じに設定する。

データ送出装置５は、ハードディスクパターンなどの描画すべき前述の第１〜第３の凹凸パターンによる微細パターンの描画設計データ（描画パターンや描画タイミングを示すデータ）を記憶し、駆動制御部４０、フォーマッタ５０、電子光学系制御部６０に描画設計データ信号を送出するものである。

電子光学系制御部６０は、電子ビーム照射部２０の電磁レンズによるコンデンサレンズ２５および対物レンズ２６に制御信号を送出し、これらの電磁レンズの電子光学的特性を制御する。

電子ビーム描画装置１００においては、データ送出装置５からフォーマッタ５０に描画設計データ信号が入力され、フォーマッタ５０は、描画設計データを、ブランキング手段２４のオン・オフ制御、偏向手段２２，２３による電子ビームＥＢのＸ−Ｙ偏向制御、回転ステージ３１の回転速度制御等の制御信号として、各アンプ２８，２９およびドライバ４１，４２に振り分けるものであり、それぞれの制御信号はエンコーダ３７から入力されたエンコーダ信号と同期させて所定のタイミングで送出される。そしてフォーマッタ５０からの信号に基づいて、ブランキング手段２４、偏向手段２２，２３、スピンドルモータ３２，３６等が駆動され、原盤の全面に所望の微細パターンを描画する。

また、データ送出装置５から電子光学系制御部６０に描画設計データ信号が入力され、描画する第１〜第３の凹凸パターンの種類に応じてコンデンサレンズ２５および対物レンズ２６に対する制御信号（作動電流値）を変更して、電子ビームＥＢのビーム照射線量およびビーム径を調整し、パターン形態に適した描画精度と描画速度の両立を図り、同時にスピンドルモータ３２による回転速度、偏向手段２３、パルスモータ３６による半径方向の描画送りを変更制御する。

次に、本実施形態における、具体的な凹凸パターンの描画を説明する。まず、レジスト１１を塗布したモールド原盤１０を筐体４３内の回転ステージ３１上にセットし、内部を所定の減圧雰囲気とする。

次に、電子ビーム照射部２０によって電子ビームＥＢを照射するとともに偏向走査し、第１〜第３の凹凸パターン１２，１５，１７〜１９の描画を前述の順に行う。つまり、この実施形態では、最初に円環状位置決めマーク１７および製品識別マーク１９による第２の凹凸パターンを描画し、次に、メディア用サーボパターン１２およびグルーブパターン１５による第１の凹凸パターンを描画し、続いてポイント状位置決めマーク１８による第３の凹凸パターンを描画するものである。

最初に描画する円環状位置決めマーク１７および製品識別マーク１９による第２の凹凸パターンは、パターンサイズが大きく、この場合には電子ビーム照射部２０の電子ビームＥＢの絞り調整を行うコンデンサレンズ２５に対する信号を大きな電流値（例えば８４ｎＡ）に設定し、照射線量が増大するように設定するとともに、電子ビームＥＢのビーム径を変更する対物レンズ２６に対する信号は、大きなビーム径（例えば４０ｎｍ）となるように設定する。また、１ピッチの描画送りを大きく（例えば３５ｎｍ）に設定し、回転ステージ３１を高い回転線速度（例えば４００ｍｍ／sec）に設定する。これにより、第２の凹凸パターン１７，１９を大きなビーム径で速い相対速度で高速に描画する。

次のメディア用サーボパターン１２およびグルーブパターン１５による第１の凹凸パターンは、パターンサイズが小さく、この場合には電子ビーム照射部２０の電子ビームＥＢの絞り調整を行うコンデンサレンズ２５に対する信号を小さな電流値（例えば１０．５ｎＡ）に設定し、ビーム照射線量が低減するように設定するとともに、電子ビームＥＢのビーム径を変更する対物レンズ２６に対する信号は、小さなビーム径（例えば２０ｎｍ）となるように設定する。また、１ピッチの描画送りを小さく（例えば１８ｎｍ）に設定し、回転ステージ３１を遅い回転線速度（例えば１００ｍｍ／sec）に設定する。これにより、第１の凹凸パターン１２，１５を小さなビーム径で遅い相対速度で正確な微細形状に描画する。

さらに次のポイント状位置決めマーク１８による第３の凹凸パターンは、上記第１の凹凸パターンと同等にパターンサイズが小さく、この場合には上記コンデンサレンズ２５に対する信号を小さな電流値（例えば１０．５ｎＡ）に設定するとともに、対物レンズ２６に対する信号は、小さなビーム径（例えば２０ｎｍ）となるように設定する。また、１ピッチの描画送りを小さく（例えば１８ｎｍ）に設定し、回転ステージ３１を遅い回転線速度（例えば１００ｍｍ／sec）に設定する。これにより、第３の凹凸パターン１８を小さなビーム径で遅い相対速度で正確な微細形状に描画する。

上記実施の形態においては、パターンサイズの大きい第２の凹凸パターンを、パターンサイズの小さい第１および第３の凹凸パターンより先に描画するようにしているが、逆に、パターンサイズの小さい第１および第３の凹凸パターンを、パターンサイズの大きい第２の凹凸パターンより先に描画してもよい。また、パターンサイズの小さい第１および第３の凹凸パターンの描画順も、どちらを先に描画してもよい。

なお、第２の凹凸パターンにおける製品識別マーク１９は、目視だけで確認するように形成する場合には、別工程で別方式によりパターン形成するようにしてもよい。

次に、図４は、上記のような電子ビーム描画装置１００により、前述の電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えた、インプリントモールド７０を用いて微細凹凸パターンを記録メディア（ＤＴＭまたはＢＰＭ）に転写形成している過程を示す概略断面図である。

上記インプリントモールド７０は、透光性材料によるモールド原盤７１の表面に、図４では不図示の前述のレジスト１１が塗布され、ＤＴＭまたはＢＰＭ用のサーボパターン１２、グルーブパターン１５、円環状位置決めマーク１７、ポイント状位置決めマーク１８および製品識別マーク１９が描画される。その後、現像処理して、レジストによる凹凸パターンをモールド原盤７１に形成する。このパターン状のレジストをマスクとしてモールド原盤７１をエッチングし、その後レジストを除去し、表面に形成された微細凹凸パターン７２を備えるインプリントモールド７０を得る。

このインプリントモールド７０を用いて、インプリント法によってＤＴＭまたはＢＰＭの記録メディア８０を作製する。記録メディア８０は、基板８１上に磁性層８２を備え、その上にマスク層を形成するためのレジスト樹脂層８３が被覆されている。そして、このレジスト樹脂層８３に、前記インプリントモールド７０の微細凹凸パターン７２が押し当てられて、紫外線照射によって上記レジスト樹脂層８３を硬化させ、微細パターン７２の凹凸形状を転写形成してなる。その後、レジスト樹脂層８３の凹凸形状に基づき磁性層８２をエッチングし、磁性層８２による微細凹凸パターンが形成された記録メディア８０を作製するものである。

５ データ送出装置
１０ モールド原盤
１１ レジスト
１２ サーボパターン（第１の凹凸パターン）
１３ サーボエレメント
１５ グルーブパターン（第１の凹凸パターン）
１６ グルーブエレメント
１７ 円環状位置決めマーク（第２の凹凸パターン）
１８ ポイント状位置決めマーク（第３の凹凸パターン）
１９ 製品識別マーク（第２の凹凸パターン）
２０ 電子ビーム照射部
２１ 電子銃
２２，２３ 偏向手段
２４ ブランキング手段
２４ａ アパーチャ
２４ｂ ブランキング
２５ コンデンサレンズ
２６ 対物レンズ
２７ 鏡筒（真空チャンバー）
３０ 駆動部
３１ 回転ステージ
３２ スピンドルモータ
３６ パルスモータ
３７ エンコーダ
４０ 駆動制御部
４３ 筐体（真空チャンバー）
５０ フォーマッタ
５５ タイミング制御部
５６ 変更部
６０ 電子光学系制御部
７０ インプリントモールド
８０ 記録メディア
１００ 電子ビーム描画装置

Claims (4)

1. 記録メディアに形成する微細パターンを、レジストが塗布され回転ステージに設置されたモールドの原盤に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビーム描画装置により電子ビームを走査して描画する電子ビーム描画方法において、
   前記微細パターンは、メディア用サーボパターンおよび隣接するデータトラック間を溝状に分離するグルーブパターンまたはデータビットを分離するドットパターンによる第１の凹凸パターンと、前記モールドの円周に沿って環状にパターン形成された円環状位置決めマークまたはトレサビリティー用製品識別マークによる第２の凹凸パターンと、前記モールドをメディアに転写する際のポイント状位置決めマークによる第３の凹凸パターンとを備え、
   前記第１の凹凸パターン、第２の凹凸パターンおよび第３の凹凸パターンのうち少なくとも２種を、同一真空チャンバー内で１枚の原盤に連続して電子ビーム描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
2. 前記電子ビーム描画装置は、出射する電子ビームのビーム照射線量およびビーム径を変更する機能を備え、
   前記第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径より、前記第２の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径を大きく設定して描画することを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
3. 前記電子ビーム描画装置は、出射する電子ビームのビーム照射線量およびビーム径を変更する機能を備え、
   前記第１の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径と、前記第３の凹凸パターンを描画する際のビーム照射線量およびビーム径とを同じに設定して描画することを特徴とする請求項１または２記載の電子ビーム描画方法。
4. レジストが塗布されたモールド原盤に、前記請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の電子ビーム描画方法により記録メディアに形成する前記微細パターンを描画露光し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て作製されたことを特徴とするモールド。

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