JP2595212B2 - 情報記録再生装置 - Google Patents

情報記録再生装置

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JP2595212B2 JP61191858A JP19185886A JP2595212B2 JP 2595212 B2 JP2595212 B2 JP 2595212B2 JP 61191858 A JP61191858 A JP 61191858A JP 19185886 A JP19185886 A JP 19185886A JP 2595212 B2 JP2595212 B2 JP 2595212B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子ビームを情報信号によって変調し、記
録媒体上に照射して情報を記録し、或いは記録された情
報を再生或いは消去する情報記録再生装置に関するもの
である。
[従来の技術] 上述のような情報記録装置として、ビデオディスクに
代表される光ディスク装置や、最近では光カード装置が
挙げられる。以下に、光ディスク装置に用いられる基本
的なトラッキングエラー検出方式について第4図の従来
例を基に説明する。
第4図において、DSKはピットが記録されている光デ
ィスクであり、半導体レーザー光源LDIから出射された
レーザービームの光路に沿って、光ディスクDSKからの
反射光を二分割フォトディテクタTDPDに導くためのビー
ムスプリッタBS、コリメータレンズCL、レーザービーム
を光ディスクDSK上で約1μmφのスポット光に集光す
るための対物レンズSLが配置されている。また、ビーム
スプリッタBの反射方向には二分割フォトディテクタTD
PDが設けられ、その出力信号は差動増幅器DAに入力する
ようになっている。差動増幅器DAの出力は、対物レンズ
SLを矢印a方向に移動させるためのアクチュエータTACT
を駆動する位相補償駆動増幅器PRDAに入力されている。
このような構成において、第5図(a)に示すように
光ディスクDSK上のピットPITが、レーザービームスポッ
トLBSに対して右に寄っていると、二分割フォトディテ
クタTDPDでは左の部分のフォトディテクタTDPDLの受光
量が増加し、逆に(b)に示すようにピットPITがスポ
ットLBSに対して左方に寄っているときには、右部分の
フォトディテクタTDPDRの受光量が増加する。更に
(c)に示すように、ピットPITがスポットLBSに対して
正しく中央部にあるときには、左右のフォトディテクタ
TDPDL、TDPDRの受光量が等しくなる。
そこで、二分割フォトディテクタTDPDの左右2つの出
力を比較することによって、ピットPITとスポットLBSの
位置ずれ量とずれ方向を検出することができ、差動増幅
器DAにより差動増幅された信号が位相補償駆動増幅器PR
DAに入力し、その出力によってトラッキング用アクチュ
エータTACTが動作し、レーザービームスポットLBSがピ
ットPITに対して適正な位置になるように対物レンズSL
を制御することになる。
しかしながら、この従来例に代表されるレーザービー
ムを用いてトラッキングエラー信号を得る方法では、ス
ポットLBSの径を1μmφ以下に絞ることは難しいた
め、将来的に更に高精度なトラッキングエラー信号TES
を得ることは期待できず、そのためにトラックピッチを
現在の2μm程度から更に縮少した高密度な記録を行う
ことは難しい。
また、このようなレーザービームと対物レンズSLをア
クチュエータTACTによって移動し、ビームスポットLBS
の位置ずれを補正する方法では、質量の大きい対物レン
ズSLをアクチュエータTACTにより動かすために、応答周
波数が低く高速アクセスには不向きである。更に、光学
部品やアクチュエータTACTを構成する磁石やコイルは、
大きな容積を必要とするため、前述した系を多重化して
高密度に並べるとが困難である。
また、電子ビームを使用したメモリとしては、電子ビ
ームの照射によりMOS構造を持つ素子中に電荷を蓄積す
る方法があるが、この方法では二次元の記録媒体上をX
方向偏向電極、Y方向偏向電極の2つの電極に印加する
電圧によって電子ビームスポットを移動しており、記録
媒体上の基準点、或いは基準線を参照した絶対距離でビ
ームを移動する方法ではないために、記録したピットに
再生時に直接にビームスポットを照射することが難し
い。また、現在報告されているこの方法による電子ビー
ムを使用したメモリでは、電子ビームが1本であり、か
つ電子ビーム発生源と記録媒体の相対関係が固定である
ため、ピットのトレースが比較的容易ではあるが、ビー
ム本数が多重化されしかも記録媒体がディスクのように
回転する場合には、ピットのトレースは極めて難しいも
のとなる。
[発明の目的] 本発明の目的は、上述の問題点を解消し、容易に微少
スポットが得られ制御性の高い電子ビームを用いて、高
速、高密度な情報の記録・再生・消去の少なくとも1つ
をなし得る情報記録再生装置を提供することにある。
[発明の概要] 上述の目的を達成するための本発明の要旨は、互いに
平行な複数のトラック部に情報が記録される記録媒体
と、それぞれが電子ビームを出射する複数個の電子ビー
ム発生源を一体に形成した電子ビーム照射手段と、前記
複数個の電子ビーム発生源が出射する複数の電子ビーム
に対して電界又は磁界をかけることにより、前記複数の
電子ビームを前記トラック部の長さ方向と垂直な方向に
一括して偏向する電子ビーム偏向手段とを有し、前記複
数個の電子ビーム発生源から前記複数のトラック部の内
の互いに異なるトラック部に同時に電子ビームを照射す
ることによって、同時に前記記録媒体の複数のトラック
部に対する情報の記録・再生・消去の少なくとも1つを
行うことを特徴とする情報記録再生装置である。
[発明の実施例] 本発明を第1図〜第3図に図示の実施例に基づいて詳
細に説明する。
第1図において、MMは記録媒体であり、その上方には
情報の記録・再生・消去を行うための電子ビームMEBの
発生源MEBDが配置されている。本実施例では、発生源ME
BDは複数の電子ビーム源を一次元に密に配列した要素で
あり、例えば特公昭54−30274号、特開昭54−11272号、
特開昭56−15529号、特開昭57−38528号公報等に開示さ
れている形態と同様のものである。
電子ビーム発生源MEBDは個々の電子ビームMEBの電流
密度を容易に変化することが可能なため、情報の記録時
或いは消去時には電流密度を高くし記録媒体MMの材質変
化を生じさせ、ピットPITを形成したり消滅させること
ができる。また、情報の再生時には電流密度を低くして
記録媒体MMの材質変化を起こすことなく、情報を再生す
ることが可能である。
なお、記録媒体MMの材料としては、電子ビームMEBの
照射によってアモルファスを結晶化、結晶をアモルファ
ス化する相変化を起こすGe(11.5)・Te(57.5)・As
(31)等が用いられる。また、電子ビーム発生源MEBDの
側部にはトラッキング用電子ビーム発生源TEBDが設けら
れ、この発生源TEBDは約0.2μm程度の径を有するトラ
ッキング用電子ビームTEBを発生する。この場合のトラ
ッキング用電子ビームTEBの電流密度は、記録媒体MM上
に形成されるトラッキング用スポットTEBSが記録媒体MM
の材質に変化を生じさせない程度に低い。
更に記録媒体MM上には、x方向を向く2本の平行な導
電体がから成るトラッキング用基準パターンPL、PRが設
けられ、このパターンPL、PRにはトラッキング用電子ビ
ーム発生源TEBDからの電子ビームTEBの照射によって電
流が流れるようになっており、2本の基準パターンPL、
PRの間隔は約0.1μmである。基準パターンPL、PRには
電流を導き出すリード線LLL、LLRが接続され、これらの
出力電流には電圧に変換され、それぞれ増幅器AL、ARを
経て差動増幅器DAに接続されている。
差動増幅器DAは増幅器AL、ARの出力差を増幅するもの
であり、この出力によって基準パターンPL、PRを流れる
電流量を比較する。差動増幅器DAからの出力は位相補償
回路PRCを経てドライバTCDに接続されている。ドライバ
TCDの出力はy方向にトラッキング用電子ビームTEB及び
情報の記録・再生・消去用の複数の電子ビームMEBを同
時に偏向するための均一電界を発生する偏向電極TCR、T
CLに印加されている。このドライバTCDは基準パターンP
Lに流れる電流が基準パターンPRに流れる電流より大き
いときに偏向電極TCRが正、TCLが負になるように、差動
増幅器DAの出力に応じて偏向電極TCR、TCLに電圧を印加
するようになっている。
この電圧の印加は差動増幅器DAの出力に応じて、基準
パターンPLに流れる電流が基準パターンPRに流れる電流
よりも小さいときに偏向電極TCRが負、TCLが正になるよ
うにする。また、SCDは信号SL1に応じて電圧を発生する
ドライブ回路であり、その出力は偏向電極SC1、SC2に接
続され、トラッキング用電子ビームTEB及び情報の記録
・再生・消去用の複数の電子ビームMEBを同時にx方向
に偏向するために均一電界を発生するようになってい
る。電子ビーム発生源MEBDには記録及び部分的な消去の
ための信号SL2が入力され、電子ビーム発生源MEBDは信
号SL2にって変調された電子ビームMEBを発生する。ま
た、この第1図に示す殆どの構成要素は、図示しない真
空容器中に収納されている。
このような構成において、トラッキング用ビームスポ
ットTEBSが基準パターンPL、PRと第2図(a)に示すよ
うな関係にある場合に、基準パターンPL、PRに流れる電
流を比較すると、電子ビームTEBの照射量の多い基準パ
ターンPLにより大きい電流が流れるため、前述したよう
に偏向電極TCRが正、TCLが負になるように電圧が印加さ
れ、トラッキング用電子ビームTEBは偏向電極TCR側に偏
向され、ビームスポットTEBSは基準パターンPL側からPR
側に移動する。このとき、情報の記録・再生・消去用の
複数の電子ビームMEBも、トラッキング用電子ビームTEB
の受ける電界と全く同じ電界の影響を受けて偏向され
る。
一方、トラッキング用ビームスポットTEBSと基準パタ
ーンPL、PRが第2図(b)に示す関係にある場合には、
基準パターンPLとPRに流れる電流を比較した場合に、電
子ビームTEBの照射量の多い基準パターンPRにより大き
い電流が流れるため、前述したように偏向電極TCRが
負、TCLが正になるように電圧が印加され、トラッキン
グ用電子ビームTEBは偏向電極TCL側に偏向され、ビーム
スポットTEBSは基準パターンPR側からPL側に移動する。
このときも第2図(a)の場合と全く同様に、情報の記
録・再生・消去に使用している複数の電子ビームMEB
は、トラッキング用電子ビームTEBと同じ電界を受けて
偏向される。
また、第2図(c)に示した状態では、差動増幅器DA
からは信号が出力されないため、偏向電極TCR、TCLには
電圧が印加されず、トラッキング用電子ビームTEBも複
数の電子ビームMEBも全く偏向されない。
実際の情報の記録・再生・消去時には、偏向電極SC
1、SC2の電圧を徐々に変化させ、複数の電子ビームMEB
によって記録媒体MM上に生ずるスポット列をx方向に移
動してゆくことになる。このとき、トラッキング用ビー
ムスポットTEBSと基準パターンPL、PRとの関係は、第2
図(a)、(b)、(c)に示す状態が連続的に変化す
るため、結果的にほぼ第2図(c)の状態、即ち基準パ
ターンPL、PRの中間位置にビームスポットTEBSが位置す
るように制御される。
本実施例においては、ビームスポットTEBSの径の1/1
0、即ち0.02μmφ程度の高精度でトラッキング用電子
ビームTEBを基準パターンPL、PRに沿って走査すること
が可能である。従って、トラッキング用電子ビームTEB
と全く同じ電界を受けている複数の電子ビームMEBも、
トラッキング用電子ビームTEBと同じ精度で走査を行う
ことになり、基準パターンPL、PRを基準に記録されたピ
ットPITを、再生時或いは消去時にも基準パターンPL、P
Rをトラッキング用電子ビームTEBで走査することによ
り、極めて正確にトレースすることが可能である。
また本実施例では、トラッキング用ビームを電子ビー
ムTEBとしたのみならず、情報の記録・再生・消去を行
うビームをも電子ビームMEBとしたため、トラッキング
用電子ビームTEBを偏向する手段により容易に偏向を行
うことができ、光ビームの際に必要となるアクチュエー
タを全く必要としないという利点もある。更に、高密度
に複数個配列することが難しい光ビームに比較して、電
子ビームは個々に偏向手段を必要としないため、容易に
電子ビームの高密度化が実現でき、高速、高密度な記録
が可能となる。
本実施例では、トラッキング用電子ビーム発生源TEBD
と複数の電子ビーム発生源MEBDとを説明の都合上別々の
要素としてが、複数の電子ビームを発生する1つの素子
において、その1本又は数本の電子ビームをトラッキン
グ用、残りを情報の記録・再生・消去用に使用するとい
う形態とすることも可能である。
更に上述の実施例では、電子ビームTEB、MEBが第1図
においてx方向に容易に偏向できるため、敢えて記録媒
体MMの移動を行わない例について説明したが、本発明で
は記録媒体MMが移動することによって生ずる振動に対す
る追従性が高いために、例えば第1図のx方向に記録媒
体MMが移動するカード形態や、ディスクのような媒体が
回転する場合にも有効である。
例えば、第3図に示すように構成することにより、デ
ィスクMMDの偏心等により基準パターンPL、PRが振れた
場合でも、トラッキング用電子ビームTEBは常に図示し
ない偏向電極により、基準パターンPL、PRの中央に位置
するように偏向される。このとき、情報の記録・再生・
消去用の複数の電子ビームMEBも同一の電界の影響を受
け偏向されるために、これらの電子ビームMEBとトラッ
キング用電子ビームTEBの位置関係は常に一定となる。
この位置関係は情報の記録、再生、消去の何れにおいて
も変化することがないので、一旦記録したピットを再生
時に容易に高精度でトレースすることができる。
また、本実施例では電子ビームを電界により偏向する
例について説明したが、磁界による偏向によっても全く
同じ効果が得られることは云うまでもない。
[発明の効果] 以上説明したように本発明に係る情報記録再生装置に
よれば、記録・再生・消去にも電子ビームを使用するこ
とにより、光ビームでは困難な1μmφ以下のピットに
よる高密度記録が可能となる。また、記録・再生・消去
に使用する複数本の電子ビームは、一対の偏向電極に容
易に偏向できるため、ビームの本数だけ光学系やアクチ
ュエータを必要とする従来の光ビームによる記録に比べ
て、電子ビーム発生源の高密度な実装が容易で、高速、
高密度な記録媒体を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る情報記録再生装置の実施例の構成
図、第2図は基準パターンと電子ビームスポットの関係
図、第3図は他の実施例の構成図、第4図は従来例の構
成図、第5図は第4図の光ビームスポットの検出素子に
おける光強度分布図である。 符号MMは記録媒体、MEB、TEBは電子ビーム、SC1、SC2、
TCL、TCRは偏向電極、PL、PR導電体から成る基準パター
ンである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 幸男 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 宮脇 守 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 織田 仁 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−129935(JP,A) 特開 昭60−251526(JP,A) 特開 昭60−29953(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いに平行な複数のトラック部に情報が記
    録される記録媒体と、それぞれが電子ビームを出射する
    複数個の電子ビーム発生源を一体に形成した電子ビーム
    照射手段と、前記複数個の電子ビーム発生源が出射する
    複数の電子ビームに対して電界又は磁界をかけることに
    より、前記複数の電子ビームを前記トラック部の長さ方
    向と垂直な方向に一括して偏向する電子ビーム偏向手段
    とを有し、前記複数個の電子ビーム発生源から前記複数
    のトラック部の内の互いに異なるトラック部に同時に電
    子ビームを照射することによって、同時に前記記録媒体
    の複数のトラック部に対する情報の記録・再生・消去の
    少なくとも1つを行うことを特徴とする情報記録再生装
    置。
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