KR940007790B1 - 광전기억기의 포토마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

광전기억기의 포토마스크 제조방법

제 1 도는 본 발명에 따른 포토마스크를 제조하는 시텝을 표시하는 도.

제 2 도는 포토마스크를 표시하는 부분확대 사시도.

제 3 도는 종래의 포토마스크를 제조하는 스텝을 설명하는 도.

제 4 도는 광전기억기의 기판을 표시하는 부분확대 사시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 박막

3 : 포토레지스트막

본 발명은 광전기억기의 구비를 위한 포토마스크의 제조방법에 관한 것이다.

근년에, 고밀도, 대용량 기억수단으로서 광전기억기가 점점 증가하게 되었다. 그러한 광전기억기는 판독전용기억, 다스 기억의 1회 기록판독, 그리고 재기록가능기억등의 적용에 따라 3개형으로 구분될 수 있다.

그들중, 다수 기억의 1회 기록판독과 재기록가능 기억으로서 사용되는 광전기억기는 통상적으로 광전기억기의 지저오딘 위치에 정보를 기록, 재생 그리고 소거하는 광빔을 인도하기 위해 그의 기판상에 인도트랙(guide track)을 일반적으로 가지고, 또한 트랙의 순서를 식별하는 형식화 피트(pit)도 가진다.

단일 트랙이 사용할때 복수의 섹터(sector)로 구분될때, 형식화 피트가 종종 사전에 섹터어드레스등에 정보를 가진다.

특히, 제 4 도에 표시된 것과 같이, 광전기억기의 인도트랙 1b와 11b는 형식화 피트 11a와는 깊이에 있어 다르고, 각 형식화 피트 11a는 인접 인도트랙 11b 사이에 위치된다. 판독에 있어, 광빔트랙이 광 차동시스템에 따들때, 형식화 피트 1a의 깊이가 대략/4n에 고정되는 동안, 인도트랙 1b의 깊이는 대략/8n에서 고정되고, 사용광의 파장은이고 기판의 굴절율은 n이다.

밀착인화와 건식에칭을 포함하는 공정으로 유리기판상에서 그러한 인도트랙과 형식화 피트를 형성하는 여러방법이 알려지고 있다. 그러한 방법의 한 예는 아래에 설명되는 스텝을 포함하는 기술이다.

지금 제 3 도를 참조하여 그 기술이 체계가 설명된다.

(a) 제 1 스텝(제3a도) : Cr(chrome), Ti(titanieem), Ta(tantalum) 등의 박막 (2)은 광전송량이 막두께에 의존하므로 포토마스크상에 형성된다.

(b) 제 2 스텝(제3b도) : 양성형 포토레지스트막(3)은 박막(2)상에 형성되고, 그리고 나서 그것은 사전에 굽게 된다.

(c) 제 3 스텝(제3c도) : 2개 빔의 레이저광, 알곤(argon) 레이저등은 각각 집속되고, 그리고 레이저빔은 포토마스크기판(1)의 회전으로 이동되어, 그래서 포토레지스트막(3)은 나사선으로 빔에 노출될 수 있다. 빔중 하나인 레이저광(4)은 충분한 강도로 간헐적으로 조사하므로서 형식화 피트를 노출하는 것이고, 한편 다른 레이저광(5)은 레이저광(4)보다 작은 강도로 그들을 계속적으로 조사하는 것에 의해 인도트랙 1b를 노출하는 것이다.

(d) 제 4 스텝(제3d도) : 노출후, 현상과 포스트베이킹 공정이 이 순서로 실행된다. 이때에 형식화 피트 1a는 큰 노출에 의존되고, 그리고 대응하는 영역에서의 포토레지스트막(3)은 박막(2)을 노출하기 위해 제거된다. 반면, 덜 강한 광선에 노출되는 인도트랙 1b의 포토레지스트막(3)도 역시 제거되나, 박막(2)을 노출할 만큼 깊지 않다.

(e) 제 5 스텝(제3e도) : 박막(2)은 건식에칭에 의해 부식된다. 이 스텝에서는, 포토레지스트(3)도 역시 함께 부식된다. 현상후 박막(2)이 노출되는 형식화 피트에서는, 박막(2)의 에칭이 에칭의 개시에 조화되어 개시하고, 그리고 이 영역에서의 모든 박막(2)이 완전히 기판(1)을 노출하기 위해 제거될때 완료한다. 그러나 포토레지스트(3)가 아직 남아있는 인도트랙 1b에서는 포토레지스트(3)는 우선 부식되고 그리고나서 박막(2)은 완료된다. 이리하여 에칭이 종료할때, 인도트랙 1b는 일정 두께의 잔류박막(2)을 가진다.

(f) 제 6 스텝(제3f도) : 최후에는 아직 잔류하는 포토레지스트(3)를 소거하고, 형식화 피트 1a는 대량의 광선을 전송하는 포토마스크를 가지고, 한편 인도트랙 1b는 전송하는 포토마스크를 기지고, 한편 인도트랙 1b는 소량의 광선을 전송하는 포토마스크를 가진다. 이러한 방법으로 제조되는 포토마스크의 사용으로, 포토레지스트패턴은 형식화 피트와 인도트랙 사이의 상이한 깊이가 패턴에 귀착되도록 밀착인화에 의해 유리기판상에 피복된 포토레지스트에 형성되고, 그리고 건식 에칭은 형식화 피트와 인도트랙 사이의 다른(상이한) 깊이를 가지도록 유리기판상에 흠을 형성하기 위해 실행된다. 거기에, 같은 두께로 포토마스크의 인도트랙에 잔류하는 박막(2)을 제공하기 위해 제어하는데, 중요성이 있다. 이것은 Ta의 박막이 사용된다고 가정하고, 예를들면 전송된 광의량이 잔류하는 Ta막이 없는 1.00, 50Å로 잔류하는 Ta막이 0.65, 그리고 75Å로 잔류하는 Ta막이 있는 0.52이기 때문이다. 바꾸어 말하면, 박막두께에서의 25Å 차이는 13%로 변화를 일으키는 전송광의 양을 일으키고 그리고 같은 변차가 밀착인화에 의해 구성되는 포토레지스트패턴에 전송된다. 그러한 종래의 방법에 따라 제조되는 포토마스크로 인도트랙 1b에서의 박막두께는 3개 요인에 의한 실행되고, 즉 노출에서의 레이저력, 현상스텝에서 제거되지 않는 포토레지스트(3)의 두께(이것은 현상등의 요구에 의해 결정된다). 그리고 에칭스텝에서 포토레지스트(3)와 박막(2)을 에칭하는 속도의 차이다. 그러므로, 같은 두께와 좋은 재생성의 인도트랙에서의 박막의 준비는 어렵다는 결점이 있다.

본 발명은 광전기억기의 포토마스크를 제조하는 포함하고 그리고 그 포토마스크는 인도트랙과 형식화 피트가 광전송의 량에서 다른 2개형의 패턴을 가지고 있고, 그 포함된 스텝은 : a 광전송량이 그의 두께에 따르는 박막을 투명기판상에 형성하고, b 포토레지스트막을 그 박막상에 형성하고, c 인도트랙 또는 형식화 피트에 선택적으로 의존하는 다른 강도의 빛에 포토레지스트막을 노출하고, d 박막이 표면이 될 때까지 현상에 의해 더욱 강한 빛에 노출되는 포토레지스트막을 소거하고, e 더욱 강한 빛에 노출되어 표면에 쪼인 박막을 에칭하고, f 힘이 약한 빛에 노출되는 박막이 표면이 될때까지 포토레지스트막을 소거하고, g 투명기판이 표면이 될때까지 더욱 강한 빛에 노출되어 표면에 쪼인 박막을 에칭하고, 그리고 h 잔류포토레지스트막을 소거하는 것이다.

스텝a에서 형성되는 박막은 Cr, Ti 또는 Ta로 만든다. 스텝a에서 형성되는 박막은 100Å~1000Å의 두께를 가진다. 스텝b에서 형성되는 포토레지스트막은 1000Å~4000Å의 두께를 가진다. 스텝e에서 에칭되는 박막은 그의 두께가 10Å~200Å까지 될때까지 부식(식각)된다. 스텝e~g에서 에칭은 건식에칭이다. 스텝b에서 형성되는 포토레지스트막은 양성형 레시스트이고, 그리고 스텝f와 h에서 그 레지스트를 소거하는 방법은 애싱(ashing)법이다.

[실시예]

본 발명이 첨부도면에 표시된 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명될때, 본 발명은 서술에서 나타낸 정밀형에 한정되는 것은 의도되지 않는다.

제 1 도는 본 발명에 따른 포토마스크 제조방법에 표시하고, 한편, 제 2 도는 포토마스크의 확대부분을 명료하게 표시한다.

(a) 제 1 스텝(제1a도) : 광전송량이 막두께에 의존하는 Cr(chrome Ti(titanium ), Ta(tamtalum) 등의 박막은 100Å~1000Å의 두께를 가지는 포토마스크기판(1)상에 형성된다.

(b) 제 2 스텝(제1b도) : 양성형 포토레지스트막(3)은 박막(2)상에 1000Å~4000Å의 두께로 형성되고, 그리고나서 약 95℃에서 프리베이크(pre-baked)된다.

(c) 제 3 스텝(제1c도) : 2알곤(argon)레이저빔은 집속되고 그리고 레이저빔은 포토마스크기판(1)의 회전에 의해 이동되여, 포토레지스트막(3)은 나선모양으로 빔에 노출될 수 있다. 레이저빔 중의 하나인, 레이저광(4)은 충분한 강도(그의 외부에지에서 2.4㎽, 광전기억기의 데이터영역의 내부엣지에서 1.2㎽)로 그들을 간헐적으로 조사하므로서 형식화 피트 1a를 노출하기 위한 것이고, 한편 다른 레이저광(5)은 레이저광(4)보다 덜한(약한)강도로 계속적으로 조사하므로서 인도트랙을 노출하기 위한 것이다(광전기억기의 데이터영역의 내부엣지에서 0.9㎽, 외부엣지에서 1.8㎽).

(d) 제 4 스텝(제1d도) : 노출후 현상과 포스트베이킹(pst-baking)공정이 이 순서로 실행된다. 이때, 형식화 피트 1a는 대량(큰 노출을 받게되고, 그리고 대응하는 영역에서의 포토레지스트막(3)은 박막(2)을 노출하기 위해 제거된다. 한편 약한 강도의 광선에 노출되는 인도트랙 1b에서의 포토레지스트(3)도 역시 제거되고, 그러나 너무 깊지 않아서 박막(2)을 노출할 수 있다.

(e) 제 5 스텝(제1e도) : 박막(2)은 건식에칭에 의해 10Å~200Å으로 부식된다.

(f) 제 6 스텝(제1f도 ) : 포토레지스트막(3)은 인도트랙 1b에서의 박막(2)이 노출될때까지 에칭에 의해 소거된다.

(g) 제 7 스텝(제1g도) : 건식에칭은 형식화 피트 1a에서의 박막(2)이 완전히 소거되고 그리고 포토마스크기판(1)이 노출될때까지 실행된다.

(h) 제 8 스텝(제1f도) : 결국 최후에는 아직 남은 포토레지스트는 애싱에 의해 소거된다.

이러한 방법에 따라 합성 포토마스크는 인도트랙 1b에 박막(2)을 가지고, 그리고 그의 두께는 상기 제 5 와 제 7 스텝에서 박막(2)의 에칭에 의해 결정될 수 있게 된다. 이러한 본 발명에 따라, 종래의 제조방법에 인도되는 에칭스텝과 포토레지스트 소거스텝의 부가로, 인도트랙에서 박막의 두께는 박막의 에칭스텝에 의해서만 결정될 수가 있다. 이리하여, 제조에서 오류의 발생이 제거되고, 그래서 광전기억기 포토마스크는 같은 두께와 좋은 재생 가능성을 가지게 제조될 수 있게 된다.

Claims (7)

1. 인도트랙과 형식화 피트가 광전송의 양이 다른 2개형의 패턴을 가지는 광전기억기의 포토마스크를 제조하는 방법에 있어서, (a) 광전송량이 그의 두께에 의존하는 박막을 투명기판상에 형성하고, (b) 포토레지스트막을 박막상에 형성하고, (c) 인도트랙 또는 형식화 피트에 선택적으로 의존하는 사이한 광강도의 광에 포토레지스트막을 노출하고, (d) 박막이 표면이 될때까지 형상에 의해 더욱 샌광(빛)에 노출되는 포토레지스트막을 소거하고, (e) 더욱 샌광에 노출되어 표면에 쪼인 박막을 에칭하고, (f) 덜강한 강도의 광에 노출되는 박막이 표면이 될때까지 포토레지스트막을 소거하고, (g) 투명기판이 표면이 될때까지 더욱 샌빛(광)에 노출되어 표면에 쪼인 박막을 에칭하고, (h) 잔류포토레지스트를 소거하는 스텝을 포함하는 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 스텝a에서 형성되는 박막은 Cr, Ti 또는 Ta로 만들어지는 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 스텝a에서 형성되는 박막은 100Å~1000Å의 두께를 가지는 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 스텝b에서 형성되는 박막은 1000Å~4000Å의 두께를 가지는 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서, 스텝e에서 에칭되는 박막은 그의 깊이가 10Å~200Å 될때까지 부식되는 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
6. 제 1 항에 있어서, 스텝e~g에서의 에칭은 건식에칭인 광전기억기의 포토마스크 제조방법.
7. 제 1 항에 있어서, 스텝b에서 형성되는 포토레지스트막은 양성향 레지스트이고, 그리고 스텝(f)와 (h)에서 레시스트를 소거하는 방법은 애싱방법인 광전기억기의 포토마스크 제조방법.