JPH0273545A - フォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法 - Google Patents
フォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法Info
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- JPH0273545A JPH0273545A JP22570388A JP22570388A JPH0273545A JP H0273545 A JPH0273545 A JP H0273545A JP 22570388 A JP22570388 A JP 22570388A JP 22570388 A JP22570388 A JP 22570388A JP H0273545 A JPH0273545 A JP H0273545A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明はフォーマット入り光メモリー用ガラスマスター
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
〔従来の技術１
従来のフォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの
製造方法は、まず外径φ２００ｍｍ、内径ψ１０ｍｍ、
厚みａｍｍの鏡面に磨かれたガラス原盤１を用意する。
製造方法は、まず外径φ２００ｍｍ、内径ψ１０ｍｍ、
厚みａｍｍの鏡面に磨かれたガラス原盤１を用意する。
上記ガラス原盤１にホトレジストをコートする前にＨＭ
ＤＳ （ヘキサメチレンシイシラザン）の蒸気中にガラ
ス原盤１をさらし、ガラス原盤表面にＳｉカップリング
処理をする。このＳｉカップリング処理の目的は次工程
でのホトレジスト膜２とガラス表面との密着性を向上さ
せるためである０次に、スピン方式でホトレジストを所
定の厚みにコートする。
ＤＳ （ヘキサメチレンシイシラザン）の蒸気中にガラ
ス原盤１をさらし、ガラス原盤表面にＳｉカップリング
処理をする。このＳｉカップリング処理の目的は次工程
でのホトレジスト膜２とガラス表面との密着性を向上さ
せるためである０次に、スピン方式でホトレジストを所
定の厚みにコートする。
フォーマット入り光メモリー用の場合の厚みは１４００
人が一般的である。
人が一般的である。
使用するホトレジストは分解能の点でポジレジストが望
ましく、ヘキスト社のＡ２１３５０を用いた。
ましく、ヘキスト社のＡ２１３５０を用いた。
次に、専用のレーザー力ツテングＭ／Ｃを用いて、フオ
マット信号をカツテングするビームと空ミゾをカツテン
グするビームを同時に照射し露光する。上記露光におい
て、フォーマット信号をカッテングするビームはホトレ
ジストの厚みを透過するまで露光するが、空ミゾをカツ
テングするビームはホトレジストの厚みのイまで露光す
るようにする。
マット信号をカツテングするビームと空ミゾをカツテン
グするビームを同時に照射し露光する。上記露光におい
て、フォーマット信号をカッテングするビームはホトレ
ジストの厚みを透過するまで露光するが、空ミゾをカツ
テングするビームはホトレジストの厚みのイまで露光す
るようにする。
次に、所定の現像液を用いて露光部分を化学的に溶解す
るとガラス原盤１にホトレジストでピット（フォーマッ
ト信号）と空ミゾが形成されたガラスマスターが出来る
。
るとガラス原盤１にホトレジストでピット（フォーマッ
ト信号）と空ミゾが形成されたガラスマスターが出来る
。
上記、現像工程において、フォーマット信号を表わすピ
ットの深さはホトレジストの厚み方向にガラス表面に貫
通するまでに、空ミゾの深さはホトレジストの厚み方向
に対して％の深さになるような条件現像する。
ットの深さはホトレジストの厚み方向にガラス表面に貫
通するまでに、空ミゾの深さはホトレジストの厚み方向
に対して％の深さになるような条件現像する。
以上の如く、ガラスマスターが完成された訳であるが、
ガラスマスターからスタンバを完成するまでの工程を以
下に示す。
ガラスマスターからスタンバを完成するまでの工程を以
下に示す。
上記ガラスマスターにＮｉ電鋳をするために必要となる
Ｎｉの金属薄膜を形成する。Ｎｉ薄膜は蒸着又はスパッ
ク法で行なうのが一般的である。
Ｎｉの金属薄膜を形成する。Ｎｉ薄膜は蒸着又はスパッ
ク法で行なうのが一般的である。
厚みは１０００人位が適当である。
次に、Ｎｉ電鋳メツキを行ない、厚み３００μｍｍのＮ
ｉ電鋳層を形成する。
ｉ電鋳層を形成する。
次に、Ｎｉ電電鋳鋳金ガラス原盤からはがし、Ｎｉ電鋳
層に付着しているレジスト層を化学的に溶解し洗浄乾燥
するとガラスマスターに形成されたピット及びグルーブ
が転写されたＮｉ電鋳層が出来る。
層に付着しているレジスト層を化学的に溶解し洗浄乾燥
するとガラスマスターに形成されたピット及びグルーブ
が転写されたＮｉ電鋳層が出来る。
次に、所望の形状に内外径加工し、裏面をポリッシュす
るとスタンバが完成する。
るとスタンバが完成する。
［発明が解決しようとする課題］
上記の従来のフォーマット入り光メモリー用ガラスマス
ターの製造方法は空ミゾの深さを記録エリア全面にわた
って精度良く制御することは非常に難しい。
ターの製造方法は空ミゾの深さを記録エリア全面にわた
って精度良く制御することは非常に難しい。
空ミゾの深さはホトレジスト層の厚み方向に対して中間
の位置で制御しなければならないからである。フォーマ
ット信号を表わすピットはホトレジストの厚み方向に対
してガラス原盤に貫通しているので、過剰露光、過剰現
像の条件でも深さは変化しないが、空ミゾの場合の深さ
はホトレジストの中間で制御しなければならないので露
光及び現像の過剰および不足は深さの精度に直接影響し
てくるからである。
の位置で制御しなければならないからである。フォーマ
ット信号を表わすピットはホトレジストの厚み方向に対
してガラス原盤に貫通しているので、過剰露光、過剰現
像の条件でも深さは変化しないが、空ミゾの場合の深さ
はホトレジストの中間で制御しなければならないので露
光及び現像の過剰および不足は深さの精度に直接影響し
てくるからである。
本発明の目的は、同一記録エリア内で深さの異なる信号
が２種類あるフォーマット入り光メモリー用ガラスマス
ターにおいて、それぞれの深さが記録エリア内のどの部
分でも非常に精度良く作れるフォーマット入り光メモリ
ー用ガラスマスターの製造方法を提供するものである。
が２種類あるフォーマット入り光メモリー用ガラスマス
ターにおいて、それぞれの深さが記録エリア内のどの部
分でも非常に精度良く作れるフォーマット入り光メモリ
ー用ガラスマスターの製造方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段１
本発明のフォーマット入り光メモリー用ガラスマスター
の製造方法は、ガラス原盤に種類の異なる金属薄膜層を
所望の厚みに２層形成し、その上にホトレジストを塗布
し、案内溝となるグルーブ部分を露光・現像し、ホトレ
ジストをマスクにして第２層目の金属薄膜層のみをエツ
チングし、次にホトレジストを剥離して再びホトレジス
トを塗布し、フォーマット信号を表わすピット形成のた
めの露光は該第２層の金属薄膜層に形成されたグルーブ
を位置検出して露光・現像し、ホトレジストをマスクに
して第２層と第１層の金属薄膜層を順次エツチングし、
次にホトレジストを剥離することを特徴とする。
の製造方法は、ガラス原盤に種類の異なる金属薄膜層を
所望の厚みに２層形成し、その上にホトレジストを塗布
し、案内溝となるグルーブ部分を露光・現像し、ホトレ
ジストをマスクにして第２層目の金属薄膜層のみをエツ
チングし、次にホトレジストを剥離して再びホトレジス
トを塗布し、フォーマット信号を表わすピット形成のた
めの露光は該第２層の金属薄膜層に形成されたグルーブ
を位置検出して露光・現像し、ホトレジストをマスクに
して第２層と第１層の金属薄膜層を順次エツチングし、
次にホトレジストを剥離することを特徴とする。
［実 施 例］
外径＄２００ｍｍ、内径φ１０ｍｍ、厚み６ｍｍの鏡面
に磨かれたガラス原盤ｌを用意する。
に磨かれたガラス原盤ｌを用意する。
上記、ガラス原盤ｌに金属薄膜層（Ｉ）２のＣｒ、金属
薄膜層（ＩＩ）３のＡｇの順に薄膜を形成する。金属薄
膜の形成方法は蒸着法、スパッタ法のドライ方式が望ま
しい、Ｃｒ及びＡｇの厚みはそれぞれ７００±５０人で
ある。
薄膜層（ＩＩ）３のＡｇの順に薄膜を形成する。金属薄
膜の形成方法は蒸着法、スパッタ法のドライ方式が望ま
しい、Ｃｒ及びＡｇの厚みはそれぞれ７００±５０人で
ある。
次に、金属薄膜上にホトレジスト４を処定の厚みに塗布
する。塗布する方法はスピンコード方式が−船釣である
。厚みは２０００±５００人が望ましい、使用するホト
レジスト４はポジタイプものが解像性、マスキング性の
点から望ましい。ポジタイプレジストとして市販ヘキス
ト社ＡＺ−１３５０が適当である８次に、専用のカツテ
ングＭ／Ｃを用いて、案内溝となるグルーブ部分を露光
する。グルーブは巾０．５μｍｍ、ピッチ１．６μｍｍ
でスパイラルまたは同心円が一般的である。
する。塗布する方法はスピンコード方式が−船釣である
。厚みは２０００±５００人が望ましい、使用するホト
レジスト４はポジタイプものが解像性、マスキング性の
点から望ましい。ポジタイプレジストとして市販ヘキス
ト社ＡＺ−１３５０が適当である８次に、専用のカツテ
ングＭ／Ｃを用いて、案内溝となるグルーブ部分を露光
する。グルーブは巾０．５μｍｍ、ピッチ１．６μｍｍ
でスパイラルまたは同心円が一般的である。
次に、始走の現像液を用いて露光部分を化学的に溶解す
るとガラス原盤の金属薄膜上に塗布されたホトレジスト
４にグルーブが形成されたものになる。次に、上記ホト
レジスト４をマスクにして、金属薄膜層が露出している
金属薄膜層（ＩＩ）３のＡｇ薄膜層をエツチングする。
るとガラス原盤の金属薄膜上に塗布されたホトレジスト
４にグルーブが形成されたものになる。次に、上記ホト
レジスト４をマスクにして、金属薄膜層が露出している
金属薄膜層（ＩＩ）３のＡｇ薄膜層をエツチングする。
この場合、金属薄膜層（１１）３のＡｇ薄膜層のみをエ
ツチングし、金属薄膜１（Ｉ）２Ｃｒ薄膜層をエツチン
グしない選択エツチングすることが重要である。
ツチングし、金属薄膜１（Ｉ）２Ｃｒ薄膜層をエツチン
グしない選択エツチングすることが重要である。
Ａｇ薄膜層のみをエツチングし、Ｃｒ薄膜膜層をエツチ
ングしない選択エツチング法としては次のものが適して
いる。
ングしない選択エツチング法としては次のものが適して
いる。
化学的な湿式法によるものとして、ＨｚＯｚ−ＮＨ，Ｏ
Ｈ系のＡｇエツチング液を用いる。このエツチング液は
Ａｇはエツチングするが第１層のＣｒ薄膜層は殆どエツ
チングしない。
Ｈ系のＡｇエツチング液を用いる。このエツチング液は
Ａｇはエツチングするが第１層のＣｒ薄膜層は殆どエツ
チングしない。
ドライ方式によるエツチングとしてはイオンビームエツ
チングによる逆スパツタが適している。
チングによる逆スパツタが適している。
ＣｒとＡｇのイオンビームエツチングによるエツチング
速度はＣｒがＡｇに較べておよそ１／１０であるので選
択エツチングが可能になる。
速度はＣｒがＡｇに較べておよそ１／１０であるので選
択エツチングが可能になる。
次に、ホトレジスト４を専用の剥離液で剥離し、再びホ
トレジスト４をコートする。厚みは２０００±５００人
が適当である。
トレジスト４をコートする。厚みは２０００±５００人
が適当である。
次に、フォーマット信号を表わすピット形成のための露
光を専用のカッテングＭ／Ｃを用いて行なう、このピッ
ト形成のための露光するときに重要なことはすでに金属
薄膜層（ＩＩ）のＡｇ薄膜層に形成されたグルーブとグ
ルーブの間にＯ，１μｍｍ以下の精度でピットを形成す
ることが重要である。
光を専用のカッテングＭ／Ｃを用いて行なう、このピッ
ト形成のための露光するときに重要なことはすでに金属
薄膜層（ＩＩ）のＡｇ薄膜層に形成されたグルーブとグ
ルーブの間にＯ，１μｍｍ以下の精度でピットを形成す
ることが重要である。
上記精度の達成は、すでに金属薄膜層（１１）のＡｇ薄
膜層に形成されたグルーブの位置検出してピットの露光
をすることにより達成される。
膜層に形成されたグルーブの位置検出してピットの露光
をすることにより達成される。
次に、始走の現像液を用いて露光部分を化学的に溶解す
るとガラス原盤１の金属薄膜上に塗布されたホトレジス
ト４にピットが形成されたものになる。
るとガラス原盤１の金属薄膜上に塗布されたホトレジス
ト４にピットが形成されたものになる。
次に、上記ホトレジストをマスクにして金属薄膜層（Ｉ
Ｉ ）のＡｇ薄膜層及び金属薄膜層（Ｉ） Ｃｒ薄膜層
をエツチングする。Ａｇ薄膜層及びＣｒ薄膜層をエツチ
ングする方法としては次のものが適している。
Ｉ ）のＡｇ薄膜層及び金属薄膜層（Ｉ） Ｃｒ薄膜層
をエツチングする。Ａｇ薄膜層及びＣｒ薄膜層をエツチ
ングする方法としては次のものが適している。
Ａｇのエツチングは化学的な湿式法によるものとしては
、前述のＨ，Ｏ□−ＮＨ４０Ｈ系のＡｇエツチング液を
用いる。Ｃｒのエツチングは硝酸第２セリウムアンモン
ー過塩素酸カリウム系が適している。このエツチング液
はホトレジスト、ガラスを浸さずクロムのみエツチング
出来るからである。
、前述のＨ，Ｏ□−ＮＨ４０Ｈ系のＡｇエツチング液を
用いる。Ｃｒのエツチングは硝酸第２セリウムアンモン
ー過塩素酸カリウム系が適している。このエツチング液
はホトレジスト、ガラスを浸さずクロムのみエツチング
出来るからである。
ドライ方式によるエツチングとしではイオンビームエツ
チングによる逆スパツタが適している。
チングによる逆スパツタが適している。
ピット形成のエツチングが終了したら、次にホトレジス
ト４を専用の剥離液で剥離すると本発明のガラス原盤ｌ
の金属薄膜層に深さの異なる２種類の信号が精度よく形
成されたフォーマット入り光メモリー用ガラスマスター
が得られる。
ト４を専用の剥離液で剥離すると本発明のガラス原盤ｌ
の金属薄膜層に深さの異なる２種類の信号が精度よく形
成されたフォーマット入り光メモリー用ガラスマスター
が得られる。
上記実施態様は金属薄膜層（Ｉ）にＣｒ、金属薄膜層（
ＩＩ）にＡｇを用いた場合であるがＣｒ及びＡｇの合金
でも本発明の目的は達成される。
ＩＩ）にＡｇを用いた場合であるがＣｒ及びＡｇの合金
でも本発明の目的は達成される。
また、その他に金属薄膜層（Ｉ）にはＮｉ、Ｇｏなどの
単金属及び合金が、金属薄膜層（ＩＩ）にはＡｕ、Ｃｕ
なとの単金属及び合金を採用することができる。上記ガ
ラスマスターからスタンパを完成するまでの工程を以下
に示す。
単金属及び合金が、金属薄膜層（ＩＩ）にはＡｕ、Ｃｕ
なとの単金属及び合金を採用することができる。上記ガ
ラスマスターからスタンパを完成するまでの工程を以下
に示す。
上記ガラスマスターにＮｉ電鋳するために必要となるＮ
ｉの金属薄膜を形成する。Ｎｉ薄膜は蒸着又はスパッタ
法で行なうのが一般的である。厚みは１０００人位が適
当である。
ｉの金属薄膜を形成する。Ｎｉ薄膜は蒸着又はスパッタ
法で行なうのが一般的である。厚みは１０００人位が適
当である。
次に、Ｎｉ電鋳メツキを行ない、厚み３００μｍｍのＮ
ｉ電鋳層を形成する。
ｉ電鋳層を形成する。
次に、Ｎｉ！鋳層耐層ラス原盤からはがし、Ｎｉ［耐層
に付着しているレジスト層を化学的に溶解し、洗浄乾燥
するとガラスマスターに形成されたピット及びグルーブ
が転写されたＮｉ電鋳層が出来る。
に付着しているレジスト層を化学的に溶解し、洗浄乾燥
するとガラスマスターに形成されたピット及びグルーブ
が転写されたＮｉ電鋳層が出来る。
次に、所望の形状に内径及び外径を加工し、裏面をポリ
ッシュするとスタンバが完成する。
ッシュするとスタンバが完成する。
［発明の効果１
以上述べたように、本発明のフォーマット入り光メモリ
ー用ガラスマスターの製造方法はガラス原盤１に種類の
異なる金属薄膜層を所望の厚みに２層形成し、その上に
ホトレジストを塗布し、案内溝となるグルーブ部分を露
光・現像し、ホトレジストをマスクにして金属薄膜層（
ＩＩ ）のみをエツチングし、次にホトレジスト４を剥
離して再びホトレジスト４を塗布し、フォーマット信号
を表わすピット形成のための露光は該金属薄膜層（ＩＩ
）に形成されたグルーブを位置検出して露光・現像し
、ホトレジストをマスクにして金属薄膜Ｆｌ（ＩＩ）と
金属薄膜層（Ｉ）を順次エツチングし、次にホトレジス
トを剥離することにより、同一記録エリア内で深さの異
なる信号が２種類あるフォーマット入り光メモリー用ガ
ラスマスターにおいて、それぞれの深さが記録エリア内
のどの部分でも非常に精度良く作れるフォーマット入り
光メモリー用ガラスマスターの製造方法を提供するもの
である。
ー用ガラスマスターの製造方法はガラス原盤１に種類の
異なる金属薄膜層を所望の厚みに２層形成し、その上に
ホトレジストを塗布し、案内溝となるグルーブ部分を露
光・現像し、ホトレジストをマスクにして金属薄膜層（
ＩＩ ）のみをエツチングし、次にホトレジスト４を剥
離して再びホトレジスト４を塗布し、フォーマット信号
を表わすピット形成のための露光は該金属薄膜層（ＩＩ
）に形成されたグルーブを位置検出して露光・現像し
、ホトレジストをマスクにして金属薄膜Ｆｌ（ＩＩ）と
金属薄膜層（Ｉ）を順次エツチングし、次にホトレジス
トを剥離することにより、同一記録エリア内で深さの異
なる信号が２種類あるフォーマット入り光メモリー用ガ
ラスマスターにおいて、それぞれの深さが記録エリア内
のどの部分でも非常に精度良く作れるフォーマット入り
光メモリー用ガラスマスターの製造方法を提供するもの
である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォーマット入り光メ
モリー用ガラスマスターの製造方法の製造工程を示す工
程程断面図であり、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のフォ
ーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法の
製造工程を示す工程断面図である。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）（久） 〔ユ） （卸 （Ｃン （ｄン 第１圓 第２図
モリー用ガラスマスターの製造方法の製造工程を示す工
程程断面図であり、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のフォ
ーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法の
製造工程を示す工程断面図である。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）（久） 〔ユ） （卸 （Ｃン （ｄン 第１圓 第２図
Claims (1)
- １）ガラス原盤に種類の異なる金属薄膜層を所望の厚み
に２層形成し、その上にホトレジストを塗布し、案内溝
となるグルーブ部分を露光・現像し、ホトレジストをマ
スクにして第２層目の金属薄膜層のみをエッチングし、
次にホトレジストを剥離して再びホトレジストを塗布し
、フォーマット信号を表わすピット形成のための露光は
該第２層の金属薄膜層に形成されたグルーブを位置検出
して露光・現像し、ホトレジストをマスクにして第２層
と第１層の金属薄膜層を順次エッチングし、次にホトレ
ジストを剥離することを特徴とするフォーマット入り光
メモリー用ガラスマスターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22570388A JPH0273545A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | フォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22570388A JPH0273545A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | フォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273545A true JPH0273545A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16833476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22570388A Pending JPH0273545A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | フォーマット入り光メモリー用ガラスマスターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286583A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask for an optical memory |
| NL1016779C2 (nl) * | 2000-12-02 | 2002-06-04 | Cornelis Johannes Maria V Rijn | Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs. |
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1988
- 1988-09-09 JP JP22570388A patent/JPH0273545A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286583A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask for an optical memory |
| NL1016779C2 (nl) * | 2000-12-02 | 2002-06-04 | Cornelis Johannes Maria V Rijn | Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs. |
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